JP6051831B2 - 評価装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る評価装置の図である。本発明の実施の形態1に係る評価装置はチャックステージ10を備えている。チャックステージ10は半導体装置11を真空吸着する。半導体装置11の上面にはエミッタ電極11aが形成され、下面にはチャックステージ10と接するコレクタ電極11bが形成されている。半導体装置11はエミッタ電極11aとコレクタ電極11bの間で電流を流す縦型構造のIGBTで形成されている。
本発明の実施の形態2に係る評価装置は、実施の形態1との共通点が多いので実施の形態1との相違点を中心に説明する。図8は、本発明の実施の形態2に係る評価装置の図である。放電検出部200は、検出部200aと第2比較部200bを備えている。
Claims (2)
- 半導体装置に電圧及び電流を印加し、前記半導体装置の電気的特性を評価する評価部と、
前記半導体装置に印加された電圧又は電流を検出し、前記電圧又は電流の変化から放電の発生を検出したときに放電通知信号を発する放電検出部と、
前記放電検出部から前記放電通知信号を受けたときに前記評価部による評価を停止させる制御部と、
放電のあった前記半導体装置を特定する情報を記憶する記憶部と、を備え、
前記放電検出部は、
前記電圧又は電流を検出する検出部と、
前記電圧又は電流を上昇させる過程で予め定められた第1設定時間を超えても前記電圧又は電流が予め定められた第1設定値に達しないとき、又は前記電圧又は電流を下降させる過程で予め定められた第2設定時間を超えても前記電圧又は電流が予め定められた第2設定値に達しないときに、前記制御部へ前記放電通知信号を発する第2比較部と、を備えたことを特徴とする評価装置。 - 前記記憶部は、評価項目毎の前記第1設定時間、前記第1設定値、前記第2設定時間、及び前記第2設定値を記憶し、
前記第2比較部は、前記評価部から評価中の評価項目を把握し、前記評価中の評価項目に対応する前記第1設定時間、前記第1設定値、前記第2設定時間、及び前記第2設定値を前記記憶部から抽出して用いることを特徴とする請求項1に記載の評価装置。
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