JP5892912B2 - 半導体装置の評価方法 - Google Patents
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Description
<構成>
図1および図2を参照しつつ、本実施形態に関する半導体装置の評価方法について説明する。
図3は、コンタクトプローブ10の動作説明図である。コンタクトプローブ10は、導電性を有する、例えば銅、タングステン、レニウムタングステン等の金属材料により作製されるが、これらに限るものではない。
次に図4を参照しつつ、半導体評価装置6による、半導体装置1の評価動作について説明する。なお図4は、半導体装置1の評価動作の手順を示すフローチャートである。
図5は、半導体装置1A表面における、温度モニタ素子4の配置の変形例1を示した図である。
図6は、半導体装置1B表面における、温度モニタ素子4の配置の変形例2を示した図である。
図7は、半導体評価装置6の変形例である半導体評価装置6Aの構成概略図である。半導体評価装置6Aは、半導体装置1の表裏面の双方からコンタクトプローブ10を接触させる、いわゆる両面プローブ構成の半導体評価装置である。
本発明に関する実施形態によれば、半導体装置の評価方法が、半導体装置1の電気的特性を評価する工程と、評価工程中に、半導体装置1に取り付けられた温度モニタ素子4を用いて、半導体装置1の温度を検出する工程と、検出された半導体装置1の温度があらかじめ定められたしきい値を超えている場合、その温度が検出された半導体装置1において、放電が生じたものと判断する工程と、放電が生じたものと判断された半導体装置1における、放電箇所を特定する工程とを備える。
Claims (8)
- (a)半導体装置の電気的特性を評価する工程と、
(b)前記工程(a)中に、前記半導体装置に取り付けられた温度モニタ素子を用いて、前記半導体装置の温度を検出する工程と、
(c)前記工程(b)において検出された前記半導体装置の温度があらかじめ定められたしきい値を超えている場合、その温度が検出された前記半導体装置において、放電が生じたものと判断する工程と、
(d)前記工程(c)において放電が生じたものと判断された前記半導体装置における、放電箇所を特定する工程とを備えることを特徴とする、
半導体装置の評価方法。 - 前記工程(b)が、前記工程(a)中に、前記半導体装置において互いに独立して取り付けられた複数の前記温度モニタ素子を用いて、前記半導体装置の温度を各前記温度モニタ素子ごとに検出する工程であり、
前記工程(d)が、前記工程(c)において放電が生じたものと判断された前記半導体装置における放電箇所を、各前記温度モニタ素子との対応に基づいて特定する工程であることを特徴とする、
請求項1に記載の半導体装置の評価方法。 - 前記工程(b)が、前記工程(a)中に、前記半導体装置における活性領域の外縁部分に取り付けられた前記温度モニタ素子を用いて、前記半導体装置の温度を検出する工程であることを特徴とする、
請求項1または2に記載の半導体装置の評価方法。 - 前記工程(b)が、前記工程(a)中に、前記半導体装置の基板表面および基板裏面のうち少なくとも一方に取り付けられた前記温度モニタ素子を用いて、前記半導体装置の前記温度モニタ素子が取り付けられた面の温度を検出する工程であることを特徴とする、
請求項1または2に記載の半導体装置の評価方法。 - (e)前記工程(c)の後、前記工程(c)において放電が生じたものと判断された前記半導体装置の評価動作を中断する工程をさらに備えることを特徴とする、
請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置の評価方法。 - 前記温度モニタ素子が、pn接合ダイオードであることを特徴とする、
請求項1〜5のいずれかに記載の半導体装置の評価方法。 - 前記温度モニタ素子が、抵抗値が温度依存性を有するサーミスタであることを特徴とする、
請求項1〜5のいずれかに記載の半導体装置の評価方法。 - 前記温度モニタ素子が、温度上昇に応じて電気抵抗が低下する特性を有するサーミスタであることを特徴とする、
請求項7に記載の半導体装置の評価方法。
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