JP5895712B2 - 原料ガス供給装置、成膜装置、原料ガスの供給方法及び記憶媒体 - Google Patents
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液体または固体の原料を収容し、その内部温度を調節するための第1の温度調節部を備えた原料容器と、
キャリアガスの流量を調節する第1の流量調節部が設けられ、前記原料容器内の原料を収容する空間の気相部にキャリアガスを供給するためのキャリアガス供給部と、
前記気相部から、気化した原料を含む原料ガスを抜き出すための抜出部と、
原料ガスに混合される希釈ガスの流量を調節する第2の流量調節部と、この希釈ガスの温度を調節する第2の温度調節部とを備え、前記抜出部から抜き出された原料ガスに混合される希釈ガスを供給するための希釈ガス供給部と、
前記希釈ガスで希釈された後の原料ガスの濃度を検出する濃度検出部と、
希釈後の原料ガスの総流量を予め設定した範囲内の流量に保ちながら、前記濃度検出部にて検出された原料ガスの濃度が予め設定された範囲の濃度を越える場合には、前記希釈ガスの流量比を上げ、検出された原料ガスの濃度が前記範囲の濃度を下回る場合には、前記キャリアガスの流量比を上げるように前記第1の流量調節部及び第2の流量調節部に制御信号を出力すると共に、前記希釈ガスを混合した後の原料ガスの温度が、前記原料の液化温度または固化温度よりも高くなるように、前記第1の温度調節部及び第2の温度調節部に制御信号を出力し、且つ、前記キャリアガスの流量が前記第1の流量調節部の流量調節範囲を超えるか、または前記希釈ガスの流量が前記第2の流量調節部の流量調節範囲を下回る場合には、前記原料容器の内部温度を上げ、前記キャリアガスの流量が前記第1の流量調節部の流量調節範囲を下回るか、または前記希釈ガスの流量が前記第2の流量調節部の流量調節範囲を越える場合には、前記原料容器の内部温度を下げるように前記第1の温度調節部に制御信号を出力する制御部と、を備え、
前記制御部からの制御信号の出力による制御は、基板に対する成膜を行っている前記成膜処理部に対して希釈後の原料ガスを供給する期間中に行われることを特徴とする。
(a)前記濃度検出部への原料ガスの取込部には、第3の温度調節部が設けられ、前記制御部は、前記濃度検出部に取り込まれる希釈後の原料ガスの温度が、前記原料の液化温度または固化温度以上となるように、前記第3の温度調節部に制御信号を出力すること。
この原料ガス供給装置の下流側に設けられ、当該原料ガス供給装置から供給された原料ガスを用いて基板に成膜処理を行う成膜処理部と、を備えたことを特徴とする。
また、FTIR2の下流側の原料ガス供給ライン210から分岐した成膜処理部バイパスライン230は、成膜処理部1をバイパスするラインである。
原料容器3には、原料ガスのソースとなる液体原料が収容されており、前記原料ガス抜き出しライン310は、この液体原料の上方側の空間(気相部)に開口する抜き出しノズル33に接続されている。原料ガス抜き出しライン310、抜き出しノズル33は本例の抜出部に相当する。
またキャリアガス供給ライン510と原料ガス抜き出しライン310との間には、キャリアガスバイパスライン520が設けられており、原料容器3をバイパスしてキャリアガスを原料ガス供給ライン220、210側へと流すことができる。
一方、キャリアガス、希釈ガスの流量が流量調節部42、52の流量調節範囲内である場合(設定値を超えていない場合)には(図4のステップS4;NO)、原料容器3の温度調節は行わない(ステップS6へ)
さらに、流量調節部42、52に対するキャリアガスや希釈ガスの負荷に応じて原料容器3の温度を調節するので、流量制御範囲の広い大型のMFC等を用いなくても幅広い範囲の原料ガス濃度調節を行うことができる。
1 成膜処理部
2 FT−IR
22 温度検出部
23 加熱部
24 給電部
210、220
3 原料容器
31 加熱部
33 抜き出しノズル
34 温度検出部
35 給電部
310 原料ガス抜き出しライン
41 希釈ガス供給源
42 流量調節部
43 加熱部
44 温度検出部
45 給電部
410 希釈ガス供給ライン
51 キャリアガス供給源
52 流量調節部
510 キャリアガス供給ライン
6 制御部
Claims (6)
- 基板に対する成膜を行う成膜処理部を備えた成膜装置に用いられる原料ガス供給装置であって、
液体または固体の原料を収容し、その内部温度を調節するための第1の温度調節部を備えた原料容器と、
キャリアガスの流量を調節する第1の流量調節部が設けられ、前記原料容器内の原料を収容する空間の気相部にキャリアガスを供給するためのキャリアガス供給部と、
前記気相部から、気化した原料を含む原料ガスを抜き出すための抜出部と、
原料ガスに混合される希釈ガスの流量を調節する第2の流量調節部と、この希釈ガスの温度を調節する第2の温度調節部とを備え、前記抜出部から抜き出された原料ガスに混合される希釈ガスを供給するための希釈ガス供給部と、
前記希釈ガスで希釈された後の原料ガスの濃度を検出する濃度検出部と、
希釈後の原料ガスの総流量を予め設定した範囲内の流量に保ちながら、前記濃度検出部にて検出された原料ガスの濃度が予め設定された範囲の濃度を越える場合には、前記希釈ガスの流量比を上げ、検出された原料ガスの濃度が前記範囲の濃度を下回る場合には、前記キャリアガスの流量比を上げるように前記第1の流量調節部及び第2の流量調節部に制御信号を出力すると共に、前記希釈ガスを混合した後の原料ガスの温度が、前記原料の液化温度または固化温度よりも高くなるように、前記第1の温度調節部及び第2の温度調節部に制御信号を出力し、且つ、前記キャリアガスの流量が前記第1の流量調節部の流量調節範囲を超えるか、または前記希釈ガスの流量が前記第2の流量調節部の流量調節範囲を下回る場合には、前記原料容器の内部温度を上げ、前記キャリアガスの流量が前記第1の流量調節部の流量調節範囲を下回るか、または前記希釈ガスの流量が前記第2の流量調節部の流量調節範囲を越える場合には、前記原料容器の内部温度を下げるように前記第1の温度調節部に制御信号を出力する制御部と、を備え、
前記制御部からの制御信号の出力による制御は、基板に対する成膜を行っている前記成膜処理部に対して希釈後の原料ガスを供給する期間中に行われることを特徴とする原料ガス供給装置。 - 前記濃度検出部への原料ガスの取込部には、第3の温度調節部が設けられ、前記制御部は、前記濃度検出部に取り込まれる希釈後の原料ガスの温度が、前記原料の液化温度または固化温度以上となるように、前記第3の温度調節部に制御信号を出力することを特徴とする請求項1に記載の原料ガス供給装置。
- 請求項1または2に記載の原料ガス供給装置と、
この原料ガス供給装置の下流側に設けられ、当該原料ガス供給装置から供給された原料ガスを用いて基板に成膜処理を行う成膜処理部と、を備えたことを特徴とする成膜装置。 - 基板への成膜を行う成膜処理部に対する原料ガスの供給方法であって、
液体または固体の原料を収容する原料容器内の空間の気相部にキャリアガスを供給し、原料を気化させて原料ガスを得る工程と、
前記気相部から前記原料ガスを抜き出す工程と、
原料容器から抜き出された原料ガスに希釈ガスを混合する工程と、
前記希釈ガスで希釈された後の原料ガスの濃度を検出する工程と、
希釈後の原料ガスの総流量を予め設定した範囲内の流量に保ちながら、前記原料ガスの濃度を検出する工程にて検出された原料ガスの濃度が予め設定された範囲の濃度を越える場合には、前記希釈ガスの流量比を上げ、検出された原料ガスの濃度が前記範囲の濃度を下回る場合には、前記キャリアガスの流量比を上げる流量比調節工程と、
前記希釈ガスを混合した後の原料ガスの温度が、前記原料の液化温度または固化温度よりも高くなるように、前記原料容器内の温度、及び希釈ガスの温度を調節する気化温度維持工程と、
前記キャリアガスの流量調節は、第1の流量調節部を用いて行われ、前記希釈ガスの流量調節は、第2の流量調節部を用いて行われ、前記キャリアガスの流量が前記第1の流量調節部の流量調節範囲を超えるか、または前記希釈ガスの流量が前記第2の流量調節部の流量調節範囲を下回る場合には、前記原料容器の内部温度を上げる工程と、前記キャリアガスの流量が前記第1の流量調節部の流量調節範囲を下回るか、または前記希釈ガスの流量が前記第2の流量調節部の流量調節範囲を越える場合には、前記原料容器の内部温度を下げる工程と、を含む原料容器温度調節工程と、を含み、
前記流量比調節工程、気化温度維持工程、及び原料容器温度調節工程は、基板に対する成膜を行っている成膜処理部に対して前記希釈後の原料ガスを供給する期間中に行われることを特徴とする原料ガスの供給方法。 - 前記原料ガスの濃度を検出する工程の前に、希釈後の原料ガスの温度が、前記原料の液化温度または固化温度以上となるように温度調節を行う工程を含むことを特徴とする請求項4に記載の原料ガスの供給方法。
- 基板に対する成膜を行う成膜処理部を備えた成膜装置に用いられる原料ガス供給装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは請求項4または5に記載された原料ガスの供給方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012124713A JP5895712B2 (ja) | 2012-05-31 | 2012-05-31 | 原料ガス供給装置、成膜装置、原料ガスの供給方法及び記憶媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012124713A JP5895712B2 (ja) | 2012-05-31 | 2012-05-31 | 原料ガス供給装置、成膜装置、原料ガスの供給方法及び記憶媒体 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013249511A JP2013249511A (ja) | 2013-12-12 |
JP2013249511A5 JP2013249511A5 (ja) | 2014-11-13 |
JP5895712B2 true JP5895712B2 (ja) | 2016-03-30 |
Family
ID=49848497
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012124713A Expired - Fee Related JP5895712B2 (ja) | 2012-05-31 | 2012-05-31 | 原料ガス供給装置、成膜装置、原料ガスの供給方法及び記憶媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5895712B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016040402A (ja) * | 2014-08-12 | 2016-03-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 原料ガス供給装置 |
US10100407B2 (en) * | 2014-12-19 | 2018-10-16 | Lam Research Corporation | Hardware and process for film uniformity improvement |
JP6693106B2 (ja) * | 2015-03-27 | 2020-05-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 原料供給装置、原料供給方法及び記憶媒体 |
KR101899201B1 (ko) * | 2015-03-27 | 2018-09-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 원료 공급 장치, 원료 공급 방법 및 기억 매체 |
JP6627474B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2020-01-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 原料ガス供給装置、原料ガス供給方法及び記憶媒体 |
CN107924840B (zh) * | 2015-09-30 | 2022-04-01 | 株式会社国际电气 | 衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质 |
JP6565645B2 (ja) * | 2015-12-02 | 2019-08-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 原料ガス供給装置、原料ガス供給方法及び記憶媒体 |
GB201523156D0 (en) * | 2015-12-31 | 2016-02-17 | Pilkington Group Ltd | High strength glass containers |
WO2017187866A1 (ja) * | 2016-04-26 | 2017-11-02 | レール・リキード-ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 前駆体の供給システムおよび前駆体の供給方法 |
JP6787215B2 (ja) * | 2017-03-27 | 2020-11-18 | 株式会社豊田中央研究所 | 成膜装置と半導体装置の製造方法 |
JP7281285B2 (ja) * | 2019-01-28 | 2023-05-25 | 株式会社堀場エステック | 濃度制御装置、及び、ゼロ点調整方法、濃度制御装置用プログラム |
KR20220091546A (ko) * | 2019-11-05 | 2022-06-30 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판을 처리하는 장치, 처리 가스를 농축하는 장치, 및 기판을 처리하는 방법 |
KR102347209B1 (ko) * | 2021-02-26 | 2022-01-05 | (주)지오엘리먼트 | 넓은 가용 온도 범위를 가지는 고순도 전구체 기화 시스템 |
WO2022181885A1 (ko) * | 2021-02-26 | 2022-09-01 | (주)지오엘리먼트 | 고순도 전구체를 위한 기화 시스템 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61279678A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-10 | Nippon Tairan Kk | 流量制御装置 |
JPH0610144A (ja) * | 1992-06-29 | 1994-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 低蒸気圧材料供給装置 |
JPH0718449A (ja) * | 1993-07-02 | 1995-01-20 | Hitachi Ltd | 高温気体定流量発生装置およびプロセス装置 |
US5648113A (en) * | 1994-09-30 | 1997-07-15 | International Business Machines Corporation | Aluminum oxide LPCVD system |
US5614247A (en) * | 1994-09-30 | 1997-03-25 | International Business Machines Corporation | Apparatus for chemical vapor deposition of aluminum oxide |
JP2866374B1 (ja) * | 1998-01-27 | 1999-03-08 | 三菱マテリアルポリシリコン株式会社 | エピタキシャル成長用ガスの供給方法及びその装置 |
JP4213331B2 (ja) * | 1999-06-22 | 2009-01-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 有機金属気相成長方法及び有機金属気相成長装置 |
JP3905678B2 (ja) * | 2000-02-28 | 2007-04-18 | 株式会社堀場製作所 | 薄膜堆積方法とその装置および薄膜堆積方法に用いるftirガス分析計並びに薄膜堆積方法に用いる混合ガス供給装置 |
JP2002356779A (ja) * | 2001-05-29 | 2002-12-13 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体薄膜の製造装置及び誘電体薄膜の成膜方法 |
JP2006324532A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜堆積方法および薄膜堆積装置 |
-
2012
- 2012-05-31 JP JP2012124713A patent/JP5895712B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013249511A (ja) | 2013-12-12 |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141001 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
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