JP5888459B1 - 過電流検出電圧補正方法及び電池保護集積回路 - Google Patents

Abstract

【課題】過電流検出値のばらつきを抑制すること。【解決手段】第１の端子と第２の端子との間に直列に挿入されたトランジスタと、前記トランジスタがオンしているときの両端子間の電圧と、二次電池の過電流検出電圧との大小関係の反転が検出された場合、前記トランジスタをオフさせる制御回路とを内蔵する電池保護集積回路に関し、前記トランジスタのオン抵抗の所定の温度での抵抗値を測定する測定ステップと、前記測定ステップで測定された抵抗値を用いて、前記両端子間の各温度での抵抗値を推定する推定ステップと、前記二次電池の充放電電流の温度依存性をキャンセルする調整データを、前記測定ステップで測定された抵抗値と前記推定ステップで推定された抵抗値とを用いて算出する算出ステップと、前記算出ステップで算出された調整データを用いて、前記過電流検出電圧を補正する補正ステップとを有する、方法。【選択図】図４

Description

本発明は、電池保護集積回路用の過電流検出電圧補正方法及び電池保護集積回路に関する。

従来、二次電池側のマイナス端子と充電器側のマイナス端子との間の電流経路に直列に挿入されたトランジスタと、当該トランジスタをオン及びオフさせることにより当該二次電池の充放電を制御する制御チップとを内蔵する電池保護集積回路が知られている（例えば、特許文献１を参照）。

一方、二次電池側のマイナス端子と負荷側のマイナス端子との端子間の電圧と、当該二次電池の過電流の検出用に設定された過電流検出電圧との大小関係を監視して、過電流を検出する過電流検出回路が知られている（例えば、特許文献２を参照）。この過電流検出回路は、当該端子間に挿入されたトランジスタのオン抵抗による電圧降下によって当該端子間の電圧が変化することを利用して、過電流を検出するものである。

特許第５２０５３６８号公報 特開２０１１−２３９６５２号公報

しかしながら、トランジスタのオン抵抗の抵抗値は、製造ばらつき、温度の変動、又は当該トランジスタのゲート電圧の変動などによって、ばらつきやすい。そのため、個々の電池保護集積回路の過電流検出電圧が同じ電圧値に設定されていると、検出された過電流の電流値（過電流検出値）が個々の電池保護集積回路間でばらついてしまう。

図１は、電池保護集積回路の３つのサンプルＡ，Ｂ，Ｃにおいて、温度の変動による過電流検出値のばらつきの一例を示す図である。トランジスタのオン抵抗の抵抗値（以下、「Ｒｓｓｏｎ」と称する）は、サンプルＡ，Ｂ，Ｃの製造ばらつきや温度の変動によって、ばらつきやすい。そのため、サンプルＡ，Ｂ，Ｃの過電流検出電圧Ｖｉｏｖｅｒが基準温度Ｔ０を含む所定の温度範囲内で同じ電圧値に設定されていると、過電流検出値ＩｏｖｅｒはサンプルＡ，Ｂ，Ｃ間でばらついてしまう。

図２は、電池保護集積回路の３つのサンプルＡ，Ｂ，Ｃにおいて、ゲート電圧の変動による過電流検出値のばらつきの一例を示す図である。Ｒｓｓｏｎは、サンプルＡ，Ｂ，Ｃの製造ばらつきやゲート電圧ＶＧＳの変動によって、ばらつきやすい。そのため、サンプルＡ，Ｂ，Ｃの過電流検出電圧Ｖｉｏｖｅｒが基準ゲート電圧値Ｖｇｓ０を含む所定のゲート電圧範囲内で同じ電圧値に設定されていると、過電流検出値ＩｏｖｅｒはサンプルＡ，Ｂ，Ｃ間でばらついてしまう。

そこで、個々の電池保護集積回路間での過電流検出値のばらつきを抑制できる、過電流検出電圧補正方法及び電池保護集積回路の提供を目的とする。

一つの案として、
第１の端子と第２の端子との端子間の電流経路と、
前記電流経路に直列に挿入され、二次電池の電流を制御するトランジスタと、
前記トランジスタがオンしているときの前記端子間の電圧と、前記二次電池の過電流の検出用に設定された過電流検出電圧との大小関係を監視する過電流検出回路と、
前記大小関係の反転が前記過電流検出回路により検出された場合、前記トランジスタをオフさせる制御回路とを内蔵する電池保護集積回路に関し、前記過電流検出電圧を補正する方法であって、
前記トランジスタを所定の温度でオンさせ、前記端子間の前記所定の温度での抵抗値を測定する測定ステップと、
前記測定ステップで測定された抵抗値を用いて、前記端子間の各温度での抵抗値を推定する推定ステップと、
前記二次電池の充放電電流の温度依存性をキャンセルする調整データを、前記測定ステップで測定された抵抗値と前記推定ステップで推定された抵抗値とを用いて算出する算出ステップと、
前記算出ステップで算出された調整データを用いて、前記過電流検出電圧を補正する補正ステップとを有する、過電流検出電圧補正方法が提供される。

また、もう一つの案として、
第１の端子と第２の端子との端子間の電流経路と、
前記電流経路に直列に挿入され、二次電池の電流を制御するトランジスタと、
前記トランジスタがオンしているときの前記端子間の電圧と、前記二次電池の過電流の検出用に設定された過電流検出電圧との大小関係を監視する過電流検出回路と、
前記大小関係の反転が前記過電流検出回路により検出された場合、前記トランジスタをオフさせる制御回路とを内蔵する電池保護集積回路に関し、前記過電流検出電圧を補正する方法であって、
前記トランジスタの所定の温度でのゲート閾値電圧を測定し、且つ、前記トランジスタを所定のゲート電圧値でオンさせ、前記端子間の前記所定のゲート電圧値での抵抗値を測定する測定ステップと、
前記測定ステップで測定されたゲート閾値電圧を用いて、前記端子間の各ゲート電圧値での抵抗値を推定する推定ステップと、
前記二次電池の充放電電流の前記トランジスタのゲート電圧依存性をキャンセルする調整データを、前記測定ステップで測定された抵抗値と前記推定ステップで推定された抵抗値とを用いて算出する算出ステップと、
前記算出ステップで算出された調整データを用いて、前記過電流検出電圧を補正する補正ステップとを有する、過電流検出電圧補正方法が提供される。

さらに、もう一つの案として、
第１の端子と第２の端子との端子間の電流経路と、
前記電流経路に直列に挿入され、二次電池の電流を制御するトランジスタと、
前記トランジスタがオンしているときの前記端子間の電圧と、前記二次電池の過電流の検出用に設定された過電流検出電圧との大小関係を監視する過電流検出回路と、
前記大小関係の反転が前記過電流検出回路により検出された場合、前記トランジスタをオフさせる制御回路と、
前記トランジスタのオン抵抗の個体ばらつきを補正する調整データが書き込まれた不揮発性のメモリと、
前記メモリから読み出された前記調整データに従って前記過電流検出電圧を調整する調整回路とを内蔵する電池保護集積回路が提供される。

一態様によれば、個々の電池保護集積回路間での過電流検出値のばらつきを抑制することができる。

温度の変動による過電流検出値のばらつきの一例を示す図である。 ゲート電圧の変動による過電流検出値のばらつきの一例を示す図である。 電池保護集積回路を備える電池パックの構成の一例を示す図である。 過電流検出電圧補正方法の第一例を示すフローチャートである。 過電流検出電圧補正方法の第一例の作用効果の一例を示す図である。 各温度でのＲｓｓｏｎの一例を示す図である。 Ｒｓｓｏｎの温度変化に対する勾配データの一例を示す図である。 調整回路の構成の第一例を示す図である。 過電流検出電圧補正方法の第二例を示すフローチャートである。 過電流検出電圧補正方法の第二例の作用効果の一例を示す図である。 調整回路の構成の第二例をを示す図である。 各ゲート電圧値でのＲｓｓｏｎの一例を示す図である。 ＲｓｓｏｎのＶＧＳ変化に対する勾配データの一例を示す図である。 調整回路の構成の第三例をを示す図である。

以下、本発明の実施形態を図面に従って説明する。

図３は、電池保護集積回路１２０を備える電池パック１００の一例を示す構成図である。電池パック１００は、負荷接続端子５，６に接続される不図示の外部負荷に電力を供給可能な二次電池２００と、二次電池２００を保護する電池保護装置１１０とを内蔵して備える。電池パック１００は、外部負荷に内蔵されてもよいし、外付けされてもよい。外部負荷の具体例として、携帯可能な携帯端末装置などが挙げられる。携帯端末装置の具体例として、携帯電話、スマートフォン、タブレット型コンピュータ、ゲーム機、テレビ、音楽や映像のプレーヤー、カメラなどの電子機器が挙げられる。

二次電池２００は、負荷接続端子５，６に接続される不図示の充電器によって充電可能である。二次電池２００の具体例として、リチウムイオン電池やリチウムポリマ電池などが挙げられる。

電池保護装置１１０は、負荷接続端子５と、負荷接続端子６と、セル接続端子３，４とを備え、セル接続端子３，４に接続された二次電池２００を過電流等から保護する電池保護装置の一例である。セル接続端子３は、負荷接続端子５に電源経路８を介して繋がる。セル接続端子４は、負荷接続端子６に電源経路７を介して繋がる。セル接続端子３は、二次電池２００の正極に接続される。セル接続端子４は、二次電池２００の負極に接続される。

電池保護装置１１０は、トランジスタ１１，１２を備える。トランジスタ１１は、二次電池２００の充電経路を遮断可能な充電経路遮断部の一例であり、トランジスタ１２は、二次電池２００の放電経路を遮断可能な放電経路遮断部の一例である。図示の場合、トランジスタ１１は、二次電池２００の充電電流が流れる電源経路７を遮断でき、トランジスタ１２は、二次電池２００の放電電流が流れる電源経路７を遮断できる。トランジスタ１１，１２は、電源経路７の導通／遮断を切り替え可能なスイッチング素子であり、電源経路７に直列に挿入される。

トランジスタ１１，１２は、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）である。トランジスタ１１は、トランジスタ１１の寄生ダイオードの順方向を二次電池２００の放電方向に一致させて電源経路７に挿入される。トランジスタ１２は、トランジスタ１２の寄生ダイオードの順方向を二次電池２００の充電方向に一致させて電源経路７に挿入される。

電池保護装置１１０は、キャパシタ１０，１３を備えてもよい。キャパシタ１０は、トランジスタ１１とトランジスタ１２との直列回路に並列に接続される。キャパシタ１３は、負荷接続端子５に接続される一端と、負荷接続端子６に接続される他端とを有する。キャパシタ１０又はキャパシタ１３を備えることで、電圧変動や外来ノイズに対する耐量を向上させることができる。

電池保護装置１１０は、電池保護集積回路１２０を備える。電池保護集積回路１２０は、二次電池２００を電源として動作し、二次電池２００の充放電を制御することによって二次電池２００を過電流等から保護する電池保護集積回路の一例である。電池保護集積回路１２０は、二次電池２００から給電されて二次電池２００を保護する。

電池保護集積回路１２０は、例えば、電源端子９１と、グランド端子９２と、電流検出端子９５と、第１のソース端子９６と、第２のソース端子９７と、ドレイン端子１５と、メモリ電源端子１４とを備える。

電源端子９１は、抵抗１を介して、セル接続端子３又は電源経路８に接続される正極側電源端子であり、ＶＤＤ端子と呼ばれることがある。電源端子９１は、例えば、電源経路８に一端が接続される抵抗１の他端と、電源経路７に一端が接続されるキャパシタ２の他端との接続点に接続される。キャパシタ２の一端は、セル接続端子４とトランジスタ１２との間の電源経路７に接続される。

グランド端子９２は、セル接続端子４とトランジスタ１２との間の電源経路７に接続される負側電源端子であり、ＶＳＳ端子と呼ばれることがある。

電流検出端子９５は、二次電池２００に流れる電流に応じた検出電圧が入力される端子であり、Ｖ−端子と呼ばれることがある。電流検出端子９５は、負荷接続端子６とトランジスタ１１との間の電源経路７に抵抗９を介して接続される。

第１のソース端子９６は、電池保護集積回路１２０内の放電制御用のトランジスタ１２のソースに接続される端子であり、Ｓ１端子と呼ばれることがある。

第２のソース端子９７は、電池保護集積回路１２０内の充電制御用のトランジスタ１１のソースに接続される端子であり、Ｓ２端子と呼ばれることがある。

ドレイン端子１５は、トランジスタ１１のドレインとトランジスタ１２のドレインとの接続点から引き出される端子であり、Ｄ端子と呼ばれることがある。ドレイン端子１５は、電池保護集積回路１２０のテスト用端子である。

メモリ電源端子１４は、メモリ６０の電源入力端子であり、ＶＰＰ端子と呼ばれることがある。メモリ電源端子１４は、電池保護集積回路１２０の仕様を決定する選別テスト工程において、メモリ６０にデータを書き込むモード、もしくはメモリ６０からデータを読み込むモードにするための電圧が入力される端子である。選別テスト工程は、電池保護集積回路１２０が電池保護装置１１０の基板に実装される前又は実装された後の製造工程内の一工程である。選別テスト工程を終えた後は、メモリ６０への誤書き込みを防止するため、メモリ電源端子１４は、図３に示されるように、端子ＶＳＳ及び端子Ｓ１と同電位に接続される。

電池保護集積回路１２０は、例えば、メモリ６０と、調整回路６１と、電池保護制御回路９８とを備える。メモリ６０は、例えば、メモリ電源端子１４に入力される書き込み電圧によって、データの書き込みが可能な不揮発性メモリの一例である。メモリ６０の具体例として、ＯＴＰＲＯＭ（One Time Programmable ROM）、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable ROM）などが挙げられる。

メモリ６０に書き込まれるデータとして、例えば、電池保護集積回路１２０の仕様を設定するための仕様設定データが挙げられる。調整回路６１は、例えば、メモリ６０から読み出された仕様設定データの内容に対応する電池保護仕様に、電池保護集積回路１２０の仕様を設定する設定回路を含む回路である。電池保護制御回路９８は、例えば、メモリ６０から調整回路６１により読み出された仕様設定データによって設定される電池保護仕様に従って、二次電池２００の保護動作を制御する保護動作回路である。

したがって、メモリ６０に書き込まれる仕様設定データが変われば、二次電池２００の保護動作を変えることができるので、複数の異なる仕様に共通の回路構成で対応できる。例えば、二次電池２００の種類や電池保護集積回路１２０が搭載される製品の種類が異なっても、電池保護集積回路１２０のハードウェアの共通化ができる。

また、電池保護集積回路１２０は、仕様設定データを書き込み可能なメモリ６０を備えるので、例えば、仕様をカスタマイズするために、ＩＣチップのメタル配線変更やフューズのレーザートリミングが不要になる。その結果、開発や製造のリードタイムやコストの低減が可能である。

メモリ６０に書き込まれる仕様設定データとして、例えば、後述の異常検出回路２１の検出仕様を設定するためのデータが挙げられる。

異常検出回路２１の検出仕様を設定するための仕様設定データとして、例えば、後述の放電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ３等の過電流検出電圧（過電流検出用の閾値電圧）を設定するための閾値電圧設定データが挙げられる。例えば、調整回路６１は、メモリ６０から読み出された過電流検出電圧の設定のための閾値電圧設定データに従って、過電流検出電圧のティピカル値（代表値）を設定できる。したがって、メモリ６０に書き込まれる閾値電圧設定データの内容を変えることで、過電流検出電圧等の閾値電圧のティピカル値を共通の回路構成で変更することができる。

また、異常検出回路２１の検出仕様を設定するための仕様設定データとして、例えば、後述の放電過電流検出遅延時間ｔＶｄｅｔ３等の遅延時間を設定するための遅延時間設定データが挙げられる。例えば、調整回路６１は、メモリ６０から読み出された遅延時間設定データに従って、遅延時間のティピカル値（代表値）を設定できる。したがって、メモリ６０に書き込まれる遅延時間設定データの内容を変えることで、遅延時間のティピカル値を共通の回路構成で変更することができる。

また、メモリ６０に書き込まれるデータとして、例えば、電池保護集積回路１２０の回路特性の個体差を吸収するための特性調整データが挙げられる。調整回路６１は、例えば、メモリ６０から読み出された特性調整データの内容に従って、電池保護集積回路１２０の回路特性を微調整する。

メモリ６０に書き込まれる特性調整データとして、例えば、後述の異常検出回路２１の検出特性の個体差を吸収するためのデータが挙げられる。

異常検出回路２１の検出特性の個体差を吸収するための特性調整データとして、例えば、後述の放電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ３等の過電流検出電圧の個体差を吸収するための閾値電圧調整データが挙げられる。例えば、調整回路６１は、メモリ６０から読み出された過電流検出電圧の調整のための閾値電圧調整データに従って、メモリ６０から読み出された仕様設定データによって設定された過電流検出電圧のティピカル値を微調整できる。

また、異常検出回路２１の検出特性の個体差を吸収するための特性調整データとして、例えば、後述の放電過電流検出遅延時間ｔＶｄｅｔ３等の遅延時間の個体差を吸収するための遅延時間調整データが挙げられる。例えば、調整回路６１は、メモリ６０から読み出された遅延時間調整データに従って、メモリ６０から読み出された仕様設定データによって設定された遅延時間のティピカル値を微調整できる。

電池保護制御回路９８は、二次電池２００の電流又は電圧の異常を検出する異常検出回路２１と、異常検出回路２１による異常検出結果に基づいてトランジスタ１１，１２のオン及びオフを制御する論理回路４４とを備える。異常検出回路２１は、例えば、過充電検出回路２２と、過放電検出回路２７と、放電過電流検出回路３２と、充電過電流検出回路３５と、短絡検出回路３８とを備える。

電池保護制御回路９８は、例えば、二次電池２００を過充電から保護する動作（過充電保護動作）を行う。例えば、過充電検出回路２２は、電源端子９１とグランド端子９２との間の電圧を抵抗２３，２４により検出することによって、二次電池２００の電池電圧（セル電圧）を監視する。過充電検出回路２２は、メモリ６０から読み出される閾値電圧設定データに応じて設定される過充電検出電圧Ｖｄｅｔ１以上のセル電圧を検知することにより、二次電池２００の過充電が検出されたとして、過充電検出信号を出力する。過充電検出電圧Ｖｄｅｔ１以上のセル電圧の検知及び過充電検出信号の出力は、基準電圧２６及び比較器２５によって行われる。

過充電検出信号を検知した論理回路４４は、メモリ６０から読み出される遅延時間設定データに応じて設定される過充電検出遅延時間ｔＶｄｅｔ１の経過を待って、トランジスタ１１をオフさせるローレベルの制御信号をトランジスタ１１のゲートに出力する過充電保護動作を実行する。トランジスタ１１がオフされることにより、トランジスタ１２のオン状態及びオフ状態にかかわらず、二次電池２００が過充電されることを防止することができる。論理回路４４は、トランジスタ４６をオフし且つトランジスタ４７をオンすることによって、トランジスタ１１をオフさせる。

電池保護制御回路９８は、例えば、二次電池２００を過放電から保護する動作（過放電保護動作）を行う。例えば、過放電検出回路２７は、電源端子９１とグランド端子９２との間の電圧を抵抗２８，２９により検出することによって、二次電池２００の電池電圧（セル電圧）を監視する。過放電検出回路２７は、メモリ６０から読み出される閾値電圧設定データに応じて設定される過放電検出電圧Ｖｄｅｔ２以下のセル電圧を検知することにより、二次電池２００の過放電が検出されたとして、過放電検出信号を出力する。過放電検出電圧Ｖｄｅｔ２以下のセル電圧の検知及び過放電検出信号の出力は、基準電圧３１及び比較器３０によって行われる。

過放電検出信号を検知した論理回路４４は、メモリ６０から読み出される遅延時間設定データに応じて設定される過放電検出遅延時間ｔＶｄｅｔ２の経過を待って、トランジスタ１２をオフさせるローレベルの制御信号をトランジスタ１２のゲートに出力する過放電保護動作を実行する。トランジスタ１２がオフされることにより、トランジスタ１１のオン状態及びオフ状態にかかわらず、二次電池２００が過放電されることを防止することができる。論理回路４４は、トランジスタ４８をオフし且つトランジスタ４９をオンすることによって、トランジスタ１２をオフさせる。

電池保護制御回路９８は、例えば、二次電池２００を放電過電流から保護する動作（放電過電流保護動作）を行う。例えば、放電過電流検出回路３２は、電流検出端子９５とグランド端子９２との間の電圧を検出することによって、負荷接続端子６とセル接続端子４との間の電圧Ｐ−を監視する。放電過電流検出回路３２は、メモリ６０から読み出される閾値電圧設定データに応じて設定される放電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ３以上の電圧Ｐ−を検知することにより、負荷接続端子６に流れる異常電流として放電過電流が検出されたとして、放電過電流検出信号を出力する。放電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ３以上の電圧Ｐ−の検知及び放電過電流検出信号の出力は、基準電圧３４及び比較器３３によって行われる。

放電過電流検出信号を検知した論理回路４４は、メモリ６０から読み出される遅延時間設定データに応じて設定される放電過電流検出遅延時間ｔＶｄｅｔ３の経過を待って、トランジスタ１２をオフさせるローレベルの制御信号をトランジスタ１２のゲートに出力する放電過電流保護動作を実行する。トランジスタ１２がオフされることにより、トランジスタ１１のオン状態及びオフ状態にかかわらず、二次電池２００を放電する方向に過電流が流れることを防止することができる。

ここで、トランジスタ１２がオンしている状態で、二次電池２００を放電する放電電流が流れることにより電圧Ｐ−が上昇するのは、トランジスタ１２のオン抵抗による電圧上昇が生ずるからである。

電池保護制御回路９８は、例えば、二次電池２００を充電過電流から保護する動作（充電過電流保護動作）を行う。例えば、充電過電流検出回路３５は、電流検出端子９５とグランド端子９２との間の電圧を検出することによって、負荷接続端子６とセル接続端子４との間の電圧Ｐ−を監視する。充電過電流検出回路３５は、メモリ６０から読み出される閾値電圧設定データに応じて設定される充電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ４以下の電圧Ｐ−を検知することにより、負荷接続端子６に流れる異常電流として充電過電流が検出されたとして、充電過電流検出信号を出力する。充電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ４以下の電圧Ｐ−の検知及び充電過電流検出信号の出力は、基準電圧３７及び比較器３６によって行われる。

充電過電流検出信号を検知した論理回路４４は、メモリ６０から読み出される遅延時間設定データに応じて設定される充電過電流検出遅延時間ｔＶｄｅｔ４の経過を待って、トランジスタ１１をオフさせるローレベルの制御信号を充電制御端子９３から出力する充電過電流保護動作を実行する。トランジスタ１１がオフされることにより、トランジスタ１２のオン状態及びオフ状態にかかわらず、二次電池２００を充電する方向に過電流が流れることを防止することができる。

ここで、トランジスタ１１がオンしている状態で、二次電池２００を充電する充電電流が流れることにより電圧Ｐ−が低下するのは、トランジスタ１１のオン抵抗による電圧低下が生ずるからである。

電池保護制御回路９８は、例えば、二次電池２００を短絡電流から保護する動作（短絡保護動作）を行う。例えば、短絡検出回路３８は、電流検出端子９５とグランド端子９２との間の電圧を検出することによって、負荷接続端子６とセル接続端子４との間の電圧Ｐ−を監視する。短絡検出回路３８は、メモリ６０から読み出される閾値電圧設定データに応じて設定される短絡検出電圧Ｖｓｈｏｒｔ以上の電圧Ｐ−を検知することにより、負荷接続端子５と負荷接続端子６との間の短絡が検出されたとして、短絡検出信号を出力する。短絡検出電圧Ｖｓｈｏｒｔ以上の電圧Ｐ−の検知及び短絡検出信号の出力は、基準電圧４０及び比較器３９によって行われる。

短絡検出信号は、遅延回路４１に入力されてから短絡検出遅延時間ｔｓｈｏｒｔの経過後に遅延回路４１から出力される。短絡検出遅延時間ｔｓｈｏｒｔは、メモリ６０から読み出される遅延時間設定データに応じて設定される時間である。

遅延回路４１を介して短絡検出信号を検知した論理回路４４は、トランジスタ１２をオフさせるローレベルの制御信号をトランジスタ１２のゲートに出力する短絡保護動作を実行する。トランジスタ１２がオフされることにより、トランジスタ１１のオン状態及びオフ状態にかかわらず、二次電池２００を放電する方向に短絡電流が流れることを防止することができる。

過充電検出電圧Ｖｄｅｔ１、過放電検出電圧Ｖｄｅｔ２、放電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ３、充電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ４、短絡検出電圧Ｖｓｈｏｒｔ等の閾値電圧を設定するための閾値電圧設定データは、メモリ６０に予め書き込まれる。

例えば、調整回路６１は、メモリ６０から読み出された過充電検出電圧Ｖｄｅｔ１の閾値電圧設定データに基づいて、抵抗２３の抵抗値、抵抗２４の抵抗値、基準電圧２６の電圧値の少なくとも一つを変更する。これにより、調整回路６１は、過充電検出電圧Ｖｄｅｔ１を、過充電検出電圧Ｖｄｅｔ１の閾値電圧設定データによって決まる電圧値に設定できる。過放電検出電圧Ｖｄｅｔ２、放電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ３、充電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ４、短絡検出電圧Ｖｓｈｏｒｔ等の閾値電圧の設定についても同様である。

過充電検出遅延時間ｔＶｄｅｔ１、過放電検出遅延時間ｔＶｄｅｔ２、放電過電流検出遅延時間ｔＶｄｅｔ３、充電過電流検出遅延時間ｔＶｄｅｔ４、短絡検出遅延時間ｔｓｈｏｒｔ等の遅延時間を設定するための遅延時間設定データは、メモリ６０に予め書き込まれる。

例えば、調整回路６１は、メモリ６０から読み出された過充電検出遅延時間ｔＶｄｅｔ１の遅延時間設定データに従って、カウンタ４２により生成される遅延時間を選択する。これより、調整回路６１は、過充電検出遅延時間ｔＶｄｅｔ１を、過充電検出遅延時間ｔＶｄｅｔ１の遅延時間設定データによって決まる値に設定できる。過放電検出遅延時間ｔＶｄｅｔ２、放電過電流検出遅延時間ｔＶｄｅｔ３、充電過電流検出遅延時間ｔＶｄｅｔ４、短絡検出遅延時間ｔｓｈｏｒｔ等の遅延時間の設定についても同様である。

カウンタ４２は、例えば、複数のフリップフロップが直列に接続された回路を有し、複数の異なる遅延時間を生成できる。カウンタ４２は、発振器４３からのクロックに従って動作する。

遅延回路４１は、メモリ６０から読み出された短絡検出遅延時間ｔｓｈｏｒｔの遅延時間設定データに従って、遅延回路４１内の一次遅れ回路の時定数を変更する。これにより、遅延回路４１は、短絡検出遅延時間ｔｓｈｏｒｔを、短絡検出遅延時間ｔｓｈｏｒｔの遅延時間設定データによって決まる値に設定できる。

このように、電池保護集積回路１２０は、電流経路７ａ（電源経路７の一部）と、一対のトランジスタ１１，１２と、放電過電流検出回路３２と、充電過電流検出回路３５と、論理回路４４と、メモリ６０と、調整回路６１とを内蔵する。電池保護集積回路１２０は、例えば、これらの要素を一つのパッケージ（例えば、レジン封止体）内に備えたものである。

電流経路７ａは、第１のソース端子９６と第２のソース端子９７との間の端子間充放電経路である。互いに直列に接続された両トランジスタ１１，１２は、電流経路７ａに直列に挿入され、二次電池２００の電流を制御する。トランジスタ１１は、二次電池２００の充電方向の電流を制御する充電制御トランジスタの一例であり、トランジスタ１２は、二次電池２００の放電方向の電流を制御する放電制御トランジスタの一例である。

放電過電流検出回路３２は、トランジスタ１１，１２がいずれもオンしているときの電圧Ｐ−と、二次電池２００の放電方向の過電流（放電過電流）の検出用に設定された放電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ３との第１の大小関係を監視する。電圧Ｐ−は、第１のソース端子９６と第２のソース端子９７との端子間電圧（言い換えれば、負荷接続端子６とセル接続端子４との間の端子間電圧）である。放電過電流検出回路３２は、第１の大小関係の監視結果に基づいて、放電過電流を検出する。

充電過電流検出回路３５は、トランジスタ１１，１２がいずれもオンしているときの電圧Ｐ−と、二次電池２００の充電方向の過電流（充電過電流）の検出用に設定された充電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ４との第２の大小関係を監視する。充電過電流検出回路３５は、第２の大小関係の監視結果に基づいて、充電過電流を検出する。

論理回路４４は、第１の大小関係の反転が放電過電流検出回路３２により検出された場合、トランジスタ１２をオフさせ、第２の大小関係の反転が充電過電流検出回路３５により検出された場合、トランジスタ１１をオフさせる制御回路の一例である。

調整回路６１は、メモリ６０から読み出された放電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ３用の閾値電圧調整データに従って、放電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ３を調整し、メモリ６０から読み出された充電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ４用の閾値電圧調整データに従って、充電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ４を調整する。

次に、放電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ３と充電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ４を補正する過電流検出電圧補正方法について複数例示して説明する。

図４は、電池保護集積回路１２０用の過電流検出電圧補正方法の第一例を示すフローチャートである。図４は、電池保護集積回路１２０の仕様を決定する選別テスト工程において、電池保護集積回路１２０をテストする検査装置が実行する処理工程の流れの一例を示す。検査装置は、電池保護集積回路１２０の各々に対して、本補正方法を実行する。図５は、過電流検出電圧補正方法の第一例の作用効果の一例を示す図である。図４及び図５を参照して、過電流検出電圧補正方法の第一例について以下説明する。

測定ステップＳ１１で、検査装置は、トランジスタ１１，１２を所定の基準温度Ｔ０且つ所定の基準ゲート電圧値Ｖｇｓ０でオンさせ、基準温度Ｔ０且つ基準ゲート電圧値Ｖｇｓ０でのトランジスタ１１，１２のＲｓｓｏｎを測定する。

トランジスタ１１，１２のＲｓｓｏｎとは、トランジスタ１１のオン抵抗の抵抗値とトランジスタ１２のオン抵抗の抵抗値との和である。検査装置は、トランジスタ１２のソースが接続される第１のソース端子９６とトランジスタ１１のソースが接続される第２のソース端子９７との間の電圧を測定することによって、トランジスタ１１，１２のＲｓｓｏｎを測定できる。

基準温度Ｔ０は、所定値（例えば、２５℃）に設定され、基準ゲート電圧値Ｖｇｓ０は、所定値（例えば、３．５Ｖ）に設定される。ゲート電圧値とは、トランジスタのゲート‐ソース間の電圧（ＶＧＳ又はゲート電圧とも称する）の電圧値を表し、基準ゲート電圧値Ｖｇｓ０とは、ＶＧＳの基準電圧値を表す。

推定ステップＳ１２で、検査装置は、測定ステップＳ１１で測定された基準温度Ｔ０且つ基準ゲート電圧値Ｖｇｓ０でのトランジスタ１１，１２のＲｓｓｏｎを用いて、所定の式（１）に従って、他の各温度でのトランジスタ１１，１２のＲｓｓｏｎを算出する。

式（１）は、例えば、
Ｒｏｎ（Ｔ）＝Ｒｏｎ（Ｔ０）×（１＋α×（Ｔ−Ｔ０））
で表わされる。Ｒｏｎ（Ｔ）は、任意の温度Ｔでのトランジスタ１１，１２のＲｓｓｏｎを表し、Ｒｏｎ（Ｔ０）は、測定ステップＳ１１で測定されたＲｓｓｏｎを表し、αは、トランジスタ１１，１２の種類によって予め決められた固有の定数である。αは、Ｒｏｎ（Ｔ０）が高いほど大きくなる予め決められた変数でもよい。

検査装置は、測定ステップＳ１１で測定されたＲｏｎ（Ｔ０）を式（１）に代入することにより、図６に示されるように、他の各温度Ｔ１〜ＴＮでのトランジスタ１１，１２のＲｓｓｏｎを算出する。図６において、例えば、Ｒｏｎ（Ｔ１）は、温度Ｔ１でのトランジスタ１１，１２のＲｓｓｏｎを表し、Ｒｏｎ（ＴＮ）は、温度ＴＮでのトランジスタ１１，１２のＲｓｓｏｎを表す。検査装置は、式（１）に従って、他の各温度でのトランジスタ１１，１２のＲｓｓｏｎを算出することによって、実際に温度を変化させなくても、基準温度Ｔ０以外の他の各温度Ｔ１〜ＴＮでのトランジスタ１１，１２のＲｓｓｏｎを推定できる。

このように、検査装置は、各温度Ｔ０〜ＴＮでのトランジスタ１１，１２のＲｓｓｏｎを導出することによって、トランジスタ１１，１２のＲｓｓｏｎの温度変化に対する勾配データ（図５参照）を推定できる。

推定ステップＳ１２で、検査装置は、例えば図７に示される勾配データΔＲｏｎ（Ｔ）を算出する。ΔＲｏｎ（Ｔ）は、温度Ｔでのトランジスタ１１，１２のＲｓｓｏｎと測定ステップＳ１１で測定されたＲｏｎ（Ｔ０）との差分データである。

算出ステップＳ１３で、検査装置は、二次電池２００の充放電電流の温度依存性をキャンセルする調整データを、測定ステップＳ１１で測定されたＲｏｎ（Ｔ０）と推定ステップＳ１２で推定されたＲｏｎ（Ｔ１）〜Ｒｏｎ（ＴＮ）とを用いて、算出する。例えば、算出ステップＳ１３で、検査装置は、過電流検出値Ｉｏｖｅｒの温度依存性を任意の温度Ｔでキャンセルする過電流検出電圧値Ｖｉｏｖｅｒ（Ｔ）を算出し、算出した過電流検出電圧値Ｖｉｏｖｅｒ（Ｔ）に過電流検出電圧Ｖｉｏｖｅｒを調整するための温度調整データを算出する。温度調整データは、上述の閾値電圧調整データの一例である。

検査装置は、例えば、測定ステップＳ１１で測定されたＲｏｎ（Ｔ０）と推定ステップＳ１２で推定されたＲｏｎ（Ｔ１）〜Ｒｏｎ（ＴＮ）とを用いて、過電流検出値Ｉｏｖｅｒの温度依存性を任意の温度Ｔでキャンセルする過電流検出電圧値Ｖｉｏｖｅｒ（Ｔ）を算出する。具体的には、検査装置は、過電流検出値Ｉｏｖｅｒを温度依存性のない電流値に近づける過電流検出電圧値Ｖｉｏｖｅｒ（Ｔ）を、例えば図７に示される勾配データΔＲｏｎ（Ｔ）を用いて、算出する。

任意の温度ＴでのＲｏｎ（Ｔ）は、
Ｒｏｎ（Ｔ）＝Ｒｏｎ（Ｔ０）＋ΔＲｏｎ（Ｔ） ・・・式（２）
で表わされる。

よって、過電流検出値Ｉｏｖｅｒを温度依存性のない電流値（例えば、電流値Ｉｃ）に近づける過電流検出電圧値Ｖｉｏｖｅｒ（Ｔ）は、
Ｖｉｏｖｅｒ（Ｔ）
＝Ｒｏｎ（Ｔ）×Ｉｃ
＝（Ｒｏｎ（Ｔ０）＋ΔＲｏｎ（Ｔ））×Ｉｃ
＝Ｒｏｎ（Ｔ０）×Ｉｃ＋ΔＲｏｎ（Ｔ）×Ｉｃ
・・・式（３）
と表される。つまり、算出ステップＳ１３で、検査装置は、式（３）で算出される過電流検出電圧値Ｖｉｏｖｅｒ（Ｔ）に過電流検出電圧Ｖｉｏｖｅｒを調整するための温度調整データを算出する。

このように、算出ステップＳ１３で、検査装置は、温度依存性のない電流値に放電過電流検出値を近づける過電流検出電圧値Ｖｉｏｖｅｒ（Ｔ）を算出し、その算出した過電流検出電圧値Ｖｉｏｖｅｒ（Ｔ）に放電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ３を調整するための温度調整データＤ３ａを算出する。放電過電流検出値とは、放電過電流検出回路３２で検出される放電過電流の電流値を表す。同様に、算出ステップＳ１３で、検査装置は、温度依存性のない電流値に充電過電流検出値を近づける過電流検出電圧値Ｖｉｏｖｅｒ（Ｔ）を算出し、その算出した過電流検出電圧値Ｖｉｏｖｅｒ（Ｔ）に充電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ４を調整するための温度調整データＤ４ａを算出する。充電過電流検出値とは、充電過電流検出回路３５で検出される充電過電流の電流値を表す。

補正ステップＳ１４で、検査装置は、算出ステップＳ１３で算出された温度調整データＤ３ａを用いて、放電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ３を補正する。これにより、調整回路６１は、図５に示されるように、所定の温度範囲内で温度Ｔが変動しても、温度Ｔが高くなるほど放電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ３を高く調整できる。これにより、温度依存性のない電流値に放電過電流検出値を近づけることができる。例えば、補正ステップＳ１４で、検査装置は、算出ステップＳ１３で算出された温度調整データＤ３ａをメモリ６０に読み出し可能に書き込む。これにより、調整回路６１は、メモリ６０から温度調整データＤ３ａを読み出して、放電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ３を調整できる。

同様に、補正ステップＳ１４で、検査装置は、算出ステップＳ１３で算出された温度調整データＤ４ａを用いて、充電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ４を補正する。これにより、調整回路６１は、図５に示されるように、所定の温度範囲内で温度Ｔが変動しても、温度Ｔが高くなるほど充電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ４を高く調整できる。これにより、温度依存性のない電流値に充電過電流検出値を近づけることができる。例えば、補正ステップＳ１４で、検査装置は、算出ステップＳ１３で算出された温度調整データＤ４ａをメモリ６０に読み出し可能に書き込む。これにより、調整回路６１は、メモリ６０から温度調整データＤ４ａを読み出して、充電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ４を調整できる。

このように、本補正方法によれば、Ｒｓｓｏｎが製造ばらつきや温度の変動によってばらついても、Ｒｓｓｏｎの実測結果に基づいて過電流検出電圧を温度で補正しているので、個々の電池保護集積回路間での過電流検出値のばらつきを抑制できる。

図８は、調整回路６１の構成の第一例を示す図である。調整回路６１は、基準電圧生成回路６２と、温度補正回路６３と、電圧加算回路６４とを有する。

基準電圧生成回路６２は、メモリ６０から読み出された温度調整データに従って、所定の電圧Ｖ１１を生成する回路である。電圧Ｖ１１は、式（３）の右辺の第１項「Ｒｏｎ（Ｔ０）×Ｉｃ」に相当する所定の基準電圧である。つまり、電圧Ｖ１１は、温度Ｔによらずに不変な定数である。なお、基準電圧生成回路６２は、メモリ６０に予め書き込まれた温度調整データを用いずに、回路的に予め固定された電圧Ｖ１１を生成するものでもよい。

温度補正回路６３は、メモリ６０から読み出された温度調整データに従って、電圧Ｖ１２を生成する回路である。電圧Ｖ１２は、式（３）の右辺の第２項「ΔＲｏｎ（Ｔ）×Ｉｃ」に相当する補正電圧である。つまり、電圧Ｖ１２は、温度Ｔに応じて変化する変数である。

電圧加算回路６４は、電圧Ｖ１１と電圧Ｖ１２とを加算することにより、式（３）に従って変化する過電流検出電圧を生成する。つまり、電圧加算回路６４は、式（３）に従って変化する過電流検出電圧に、充電過電流検出回路３５の充電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ４を設定できる。同様に、電圧加算回路６４は、式（３）に従って変化する過電流検出電圧に、放電過電流検出回路３２の放電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ３を設定できる。

図９は、電池保護集積回路１２０用の過電流検出電圧補正方法の第二例を示すフローチャートである。図９は、電池保護集積回路１２０の仕様を決定する選別テスト工程において、電池保護集積回路１２０をテストする検査装置が実行する処理工程の流れの一例を示す。検査装置は、電池保護集積回路１２０の各々に対して、本補正方法を実行する。図１０は、過電流検出電圧補正方法の第二例の作用効果の一例を示す図である。図９及び図１０を参照して、過電流検出電圧補正方法の第二例について以下説明する。なお、上述の第一例と同様の点については、上述の説明を援用する。

測定ステップＳ２１で、検査装置は、基準温度Ｔ０でのトランジスタ１１，１２のゲート閾値電圧Ｖｔｈを測定し、且つ、トランジスタ１１，１２を所定の基準温度Ｔ０且つ所定の基準ゲート電圧値Ｖｇｓ０でオンさせ、基準温度Ｔ０且つ基準ゲート電圧値Ｖｇｓ０でのトランジスタ１１，１２のＲｓｓｏｎ（＝Ｒｏｎ（Ｖｇｓ０））を測定する。

推定ステップＳ２２で、検査装置は、測定ステップＳ２１で測定された基準温度Ｔ０でのゲート閾値電圧Ｖｔｈを用いて、所定の式（４）に従って、基準ゲート電圧値Ｖｇｓ０以外の他の各ゲート電圧値でのトランジスタ１１，１２のＲｓｓｏｎを算出する。

式（４）は、例えば、
Ｒｏｎ（ＶＧＳ）＝Ａ／（ＶＧＳ−Ｖｔｈ）＋Ｃ
で表わされる。Ｒｏｎ（ＶＧＳ）は、任意のゲート電圧ＶＧＳでのトランジスタ１１，１２のＲｓｓｏｎを表し、Ｖｔｈは、測定ステップＳ２１で測定されたゲート閾値電圧を表し、Ａ，Ｃは、トランジスタ１１，１２の種類によって予め決められた固有の定数である。Ａ，Ｃは、Ｒｏｎ（Ｖｇｓ０）が高いほど小さくなる予め決められた変数でもよい。

検査装置は、測定ステップＳ２１で測定されたＶｔｈを式（４）に代入することにより、図１２に示されるように、他の各ゲート電圧値Ｖｇｓ１〜ＶｇｓＮでのトランジスタ１１，１２のＲｓｓｏｎを算出する。図１２において、例えば、Ｒｏｎ（Ｖｇｓ１）は、ゲート電圧値Ｖｇｓ１でのトランジスタ１１，１２のＲｓｓｏｎを表し、Ｒｏｎ（ＶｇｓＮ）は、ゲート電圧値ＶｇｓＮでのトランジスタ１１，１２のＲｓｓｏｎを表す。検査装置は、式（４）に従って、他の各ゲート電圧値でのトランジスタ１１，１２のＲｓｓｏｎを算出することによって、実際にゲート電圧値を変化させなくても、基準ゲート電圧値Ｖｇｓ０以外の他の各ゲート電圧値Ｖｇｓ１〜ＶｇｓＮでのトランジスタ１１，１２のＲｓｓｏｎを推定できる。

このように、検査装置は、各ゲート電圧値Ｖｇｓ０〜ＶｇｓＮでのトランジスタ１１，１２のＲｓｓｏｎを導出することによって、トランジスタ１１，１２のＲｓｓｏｎのＶＧＳ変化に対する勾配データ（図１０参照）を推定できる。

推定ステップＳ２２で、検査装置は、例えば図１３に示される勾配データΔＲｏｎ（ＶＧＳ）を算出する。ΔＲｏｎ（ＶＧＳ）は、ゲート電圧ＶＧＳでのトランジスタ１１，１２のＲｓｓｏｎと測定ステップＳ２１で測定されたＲｏｎ（Ｖｇｓ０）との差分データである。

算出ステップＳ２３で、検査装置は、二次電池２００の充放電電流のトランジスタ１１，１２のゲート電圧依存性をキャンセルする調整データを、測定ステップＳ２１で測定されたＲｏｎ（Ｖｇｓ０）と推定ステップＳ２２で推定されたＲｏｎ（Ｖｇｓ１）〜Ｒｏｎ（ＶｇｓＮ）とを用いて、算出する。例えば、算出ステップＳ２３で、検査装置は、過電流検出値Ｉｏｖｅｒのゲート電圧依存性を任意のゲート電圧ＶＧＳでキャンセルする過電流検出電圧値Ｖｉｏｖｅｒ（ＶＧＳ）を算出し、算出した過電流検出電圧値Ｖｉｏｖｅｒ（ＶＧＳ）に過電流検出電圧Ｖｉｏｖｅｒを調整するためのＶＧＳ調整データを算出する。ＶＧＳ調整データは、上述の閾値電圧調整データの一例である。

検査装置は、例えば、測定ステップＳ２１で測定されたＲｏｎ（Ｖｇｓ０）と推定ステップＳ２２で推定されたＲｏｎ（Ｖｇｓ１）〜Ｒｏｎ（ＶｇｓＮ）とを用いて、過電流検出値Ｉｏｖｅｒのゲート電圧依存性を任意のゲート電圧ＶＧＳでキャンセルする過電流検出電圧値Ｖｉｏｖｅｒ（ＶＧＳ）を算出する。具体的には、検査装置は、過電流検出値Ｉｏｖｅｒをゲート電圧依存性のない電流値に近づける過電流検出電圧値Ｖｉｏｖｅｒ（ＶＧＳ）を、例えば図１３に示される勾配データΔＲｏｎ（ＶＧＳ）を用いて、算出する。

任意のゲート電圧ＶＧＳでのＲｏｎ（ＶＧＳ）は、
Ｒｏｎ（ＶＧＳ）＝Ｒｏｎ（Ｖｇｓ０）＋ΔＲｏｎ（ＶＧＳ） ・・・式（５）
で表わされる。

よって、過電流検出値Ｉｏｖｅｒをゲート電圧依存性のない電流値（例えば、電流値Ｉｃ）に近づける過電流検出電圧値Ｖｉｏｖｅｒ（ＶＧＳ）は、
Ｖｉｏｖｅｒ（ＶＧＳ）
＝Ｒｏｎ（ＶＧＳ）×Ｉｃ
＝（Ｒｏｎ（Ｖｇｓ０）＋ΔＲｏｎ（ＶＧＳ））×Ｉｃ
＝Ｒｏｎ（Ｖｇｓ０）×Ｉｃ＋ΔＲｏｎ（ＶＧＳ）×Ｉｃ
・・・式（６）
と表される。つまり、算出ステップＳ２３で、検査装置は、式（６）で算出される過電流検出電圧値Ｖｉｏｖｅｒ（ＶＧＳ）に過電流検出電圧Ｖｉｏｖｅｒを調整するためのＶＧＳ調整データを算出する。

このように、算出ステップＳ２３で、検査装置は、ゲート電圧依存性のない電流値に放電過電流検出値を近づける過電流検出電圧値Ｖｉｏｖｅｒ（ＶＧＳ）を算出し、その算出した過電流検出電圧値Ｖｉｏｖｅｒ（ＶＧＳ）に放電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ３を調整するためのＶＧＳ調整データＤ３ｂを算出する。同様に、算出ステップＳ２３で、検査装置は、ゲート電圧依存性のない電流値に充電過電流検出値を近づける過電流検出電圧値Ｖｉｏｖｅｒ（Ｔ）を算出し、その算出した過電流検出電圧値Ｖｉｏｖｅｒ（Ｔ）に充電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ４を調整するためのＶＧＳ調整データＤ４ｂを算出する。

補正ステップＳ２４で、検査装置は、算出ステップＳ２３で算出されたＶＧＳ調整データＤ３ｂを用いて、放電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ３を補正する。これにより、調整回路６１は、図１０に示されるように、所定のゲート電圧範囲内でゲート電圧ＶＧＳが変動しても、ゲート電圧ＶＧＳが高くなるほど放電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ３を低く調整できる。これにより、ゲート電圧依存性のない電流値に放電過電流検出値を近づけることができる。例えば、補正ステップＳ２４で、検査装置は、算出ステップＳ２３で算出されたＶＧＳ調整データＤ３ｂをメモリ６０に読み出し可能に書き込む。これにより、調整回路６１は、メモリ６０からＶＧＳ調整データＤ３ｂを読み出して、放電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ３を調整できる。

同様に、補正ステップＳ２４で、検査装置は、算出ステップＳ２３で算出されたＶＧＳ調整データＤ４ｂを用いて、充電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ４を補正する。これにより、調整回路６１は、図１０に示されるように、所定のゲート電圧範囲内でゲート電圧ＶＧＳが変動しても、温度Ｔが高くなるほど充電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ４を低く調整できる。これにより、ゲート電圧依存性のない電流値に充電過電流検出値を近づけることができる。例えば、補正ステップＳ２４で、検査装置は、算出ステップＳ２３で算出されたＶＧＳ調整データＤ４ｂをメモリ６０に読み出し可能に書き込む。これにより、調整回路６１は、メモリ６０からＶＧＳ調整データＤ４ｂを読み出して、充電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ４を調整できる。

このように、本補正方法によれば、Ｒｓｓｏｎが製造ばらつきやＶＧＳの変動によってばらついても、Ｒｓｓｏｎの実測結果に基づいて過電流検出電圧をＶＧＳで補正しているので、個々の電池保護集積回路間での過電流検出値のばらつきを抑制できる。

図１１は、調整回路６１の構成の第二例を示す図である。調整回路６１は、基準電圧生成回路６２と、ＶＧＳ補正回路６５と、電圧加算回路６６とを有する。

基準電圧生成回路６２は、メモリ６０から読み出されたＶＧＳ調整データに従って、所定の電圧Ｖ２１を生成する回路である。電圧Ｖ２１は、式（６）の右辺の第１項「Ｒｏｎ（Ｖｇｓ０）×Ｉｃ」に相当する所定の基準電圧である。つまり、電圧Ｖ２１は、ゲート電圧ＶＧＳによらずに不変な定数である。なお、基準電圧生成回路６２は、メモリ６０に予め書き込まれたＶＧＳ調整データを用いずに、回路的に予め固定された電圧Ｖ２１を生成するものでもよい。

ＶＧＳ補正回路６５は、メモリ６０から読み出されたＶＧＳ調整データに従って、電圧Ｖ２２を生成する回路である。電圧Ｖ２２は、式（６）の右辺の第２項「ΔＲｏｎ（ＶＧＳ）×Ｉｃ」に相当する補正電圧である。つまり、電圧Ｖ２２は、ゲート電圧ＶＧＳに応じて変化する変数である。

電圧加算回路６６は、電圧Ｖ２１と電圧Ｖ２２とを加算することにより、式（６）に従って変化する過電流検出電圧を生成する。つまり、電圧加算回路６６は、式（６）に従って変化する過電流検出電圧に、充電過電流検出回路３５の充電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ４を設定できる。同様に、電圧加算回路６６は、式（６）に従って変化する過電流検出電圧に、放電過電流検出回路３２の放電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ３を設定できる。

以上、過電流検出電圧補正方法を実施形態により説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。他の実施形態の一部又は全部との組み合わせや置換などの種々の変形及び改良が、本発明の範囲内で可能である。

例えば、図４の過電流検出電圧補正方法の第一例と図９の過電流検出電圧補正方法の第二例とを組み合わせてもよい。具体的には、検査装置は、図４内の各ステップと図９内の各ステップを両方実施する。

この場合、任意の温度Ｔ且つ任意のゲート電圧ＶＧＳでのトランジスタ１１，１２のＲｓｓｏｎ（＝Ｒｏｎ（Ｔ，ＶＧＳ））は、
Ｒｏｎ（Ｔ，ＶＧＳ）
＝Ｒｏｎ（Ｔ０，Ｖｇｓ０）＋ΔＲｏｎ（Ｔ）＋ΔＲｏｎ（ＶＧＳ）
・・・式（７）
で表わされる。Ｒｏｎ（Ｔ０，Ｖｇｓ０）は、測定ステップＳ１１で測定されたＲｏｎ（Ｔ）、又は測定ステップＳ２１で測定されたＲｏｎ（Ｖｇｓ０）と等しい。

よって、過電流検出値Ｉｏｖｅｒを温度依存性及びゲート電圧依存性のない電流値（例えば、電流値Ｉｃ）に近づける過電流検出電圧値Ｖｉｏｖｅｒ（Ｔ，ＶＧＳ）は、
Ｖｉｏｖｅｒ（Ｔ，ＶＧＳ）
＝Ｒｏｎ（Ｔ，ＶＧＳ）×Ｉｃ
＝（Ｒｏｎ（Ｔ０，Ｖｇｓ０）＋ΔＲｏｎ（Ｔ）＋ΔＲｏｎ（ＶＧＳ））×Ｉｃ
＝Ｒｏｎ（Ｔ０，Ｖｇｓ０）×Ｉｃ＋ΔＲｏｎ（Ｔ）×Ｉｃ＋ΔＲｏｎ（ＶＧＳ）×Ｉｃ
・・・式（８）
と表される。つまり、算出ステップＳ１３（Ｓ２３）で、検査装置は、式（８）で算出される過電流検出電圧値Ｖｉｏｖｅｒ（Ｔ，ＶＧＳ）に過電流検出電圧Ｖｉｏｖｅｒを調整するための温度調整データを算出する。以下の処理工程は、上述と同様であるため、上述の説明を援用する。

図１４は、調整回路６１の構成の第三例を示す図である。調整回路６１は、基準電圧生成回路６２と、温度補正回路６３と、ＶＧＳ補正回路６５と、電圧加算回路６７とを有する。

基準電圧生成回路６２は、メモリ６０から読み出された閾値電圧調整データに従って、所定の電圧Ｖ３１を生成する回路である。電圧Ｖ３１は、式（８）の右辺の第１項「Ｒｏｎ（Ｔ０，Ｖｇｓ０）×Ｉｃ」に相当する所定の基準電圧である。つまり、電圧Ｖ３１は、温度Ｔによらずに不変な定数である。なお、基準電圧生成回路６２は、メモリ６０に予め書き込まれた閾値電圧調整データを用いずに、回路的に予め固定された電圧Ｖ３１を生成するものでもよい。

温度補正回路６３は、メモリ６０から読み出された閾値電圧調整データに従って、電圧Ｖ３２を生成する回路である。電圧Ｖ３２は、式（８）の右辺の第２項「ΔＲｏｎ（Ｔ）×Ｉｃ」に相当する補正電圧である。つまり、電圧Ｖ３２は、温度Ｔに応じて変化する変数である。

ＶＧＳ補正回路６５は、メモリ６０から読み出された閾値電圧調整データに従って、電圧Ｖ３３を生成する回路である。電圧Ｖ３３は、式（８）の右辺の第３項「ΔＲｏｎ（ＶＧＳ）×Ｉｃ」に相当する補正電圧である。つまり、電圧Ｖ３３は、ゲート電圧ＶＧＳに応じて変化する変数である。

電圧加算回路６７は、電圧Ｖ３１と電圧Ｖ３２と電圧Ｖ３３を加算することにより、式（８）に従って変化する過電流検出電圧を生成する。つまり、電圧加算回路６７は、式（８）に従って変化する過電流検出電圧に、充電過電流検出回路３５の充電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ４を設定できる。同様に、電圧加算回路６４は、式（８）に従って変化する過電流検出電圧に、放電過電流検出回路３２の放電過電流検出電圧Ｖｄｅｔ３を設定できる。

また、メモリ６０が無い場合、過電流検出電圧補正方法において、検査装置は、補正ステップの段階で、算出ステップで算出された調整データを用いて、過電流検出電圧をレーザートリミング等により補正してもよい。

２１ 異常検出回路
２２ 過充電検出回路
２７ 過放電検出回路
３２ 放電過電流検出回路
３５ 充電過電流検出回路
３８ 短絡検出回路
４４ 論理回路
６０ メモリ
６１ 調整回路
９８ 電池保護制御回路
１００ 電池パック
１１０ 電池保護装置
１２０ 電池保護集積回路
２００ 二次電池

Claims (7)

1. 第１の端子と第２の端子との端子間の電流経路と、
   前記電流経路に直列に挿入され、二次電池の電流を制御するトランジスタと、
   前記トランジスタがオンしているときの前記端子間の電圧と、前記二次電池の過電流の検出用に設定された過電流検出電圧との大小関係を監視する過電流検出回路と、
   前記大小関係の反転が前記過電流検出回路により検出された場合、前記トランジスタをオフさせる制御回路とを内蔵する電池保護集積回路に関し、前記過電流検出電圧を補正する方法であって、
   前記トランジスタを所定の温度でオンさせ、前記端子間の前記所定の温度での抵抗値を測定する測定ステップと、
   前記測定ステップで測定された抵抗値を用いて、前記端子間の各温度での抵抗値を推定する推定ステップと、
   前記二次電池の充放電電流の温度依存性をキャンセルする調整データを、前記測定ステップで測定された抵抗値と前記推定ステップで推定された抵抗値とを用いて算出する算出ステップと、
   前記算出ステップで算出された調整データを用いて、前記過電流検出電圧を補正する補正ステップとを有する、過電流検出電圧補正方法。
2. 第１の端子と第２の端子との端子間の電流経路と、
   前記電流経路に直列に挿入され、二次電池の電流を制御するトランジスタと、
   前記トランジスタがオンしているときの前記端子間の電圧と、前記二次電池の過電流の検出用に設定された過電流検出電圧との大小関係を監視する過電流検出回路と、
   前記大小関係の反転が前記過電流検出回路により検出された場合、前記トランジスタをオフさせる制御回路とを内蔵する電池保護集積回路に関し、前記過電流検出電圧を補正する方法であって、
   前記トランジスタの所定の温度でのゲート閾値電圧を測定し、且つ、前記トランジスタを所定のゲート電圧値でオンさせ、前記端子間の前記所定のゲート電圧値での抵抗値を測定する測定ステップと、
   前記測定ステップで測定されたゲート閾値電圧を用いて、前記端子間の各ゲート電圧値での抵抗値を推定する推定ステップと、
   前記二次電池の充放電電流の前記トランジスタのゲート電圧依存性をキャンセルする調整データを、前記測定ステップで測定された抵抗値と前記推定ステップで推定された抵抗値とを用いて算出する算出ステップと、
   前記算出ステップで算出された調整データを用いて、前記過電流検出電圧を補正する補正ステップとを有する、過電流検出電圧補正方法。
3. 前記電池保護集積回路は、不揮発性のメモリと、前記メモリから読み出されたデータに従って前記過電流検出電圧を調整する調整回路とを備え、
   前記補正ステップは、前記算出ステップで算出された調整データを、前記メモリに読み出し可能に書き込む、請求項１又は２に記載の過電流検出電圧補正方法。
4. 前記トランジスタは、
   前記二次電池の充電方向の電流を制御する充電制御トランジスタと、前記二次電池の放電方向の電流を制御する放電制御トランジスタとの両トランジスタが直列に接続される構成を有し、
   前記過電流検出回路は、
   前記両トランジスタがいずれもオンしているときの前記端子間の電圧と、前記放電方向の前記過電流の検出用に設定された放電過電流検出電圧との第１の大小関係を監視する放電過電流検出回路と、
   前記両トランジスタがいずれもオンしているときの前記端子間の電圧と、前記充電方向の前記過電流の検出用に設定された充電過電流検出電圧との第２の大小関係を監視する充電過電流検出回路とを有し、
   前記制御回路は、
   前記第１の大小関係の反転が前記放電過電流検出回路により検出された場合、前記放電制御トランジスタをオフさせ、前記第２の大小関係の反転が前記充電過電流検出回路により検出された場合、前記充電制御トランジスタをオフさせるものであり、
   前記放電過電流検出電圧と前記充電過電流検出電圧を補正する、請求項１から３のいずれか一項に記載の過電流検出電圧補正方法。
5. 第１の端子と第２の端子との端子間の電流経路と、
   前記電流経路に直列に挿入され、二次電池の電流を制御するトランジスタと、
   前記トランジスタがオンしているときの前記端子間の電圧と、前記二次電池の過電流の検出用に設定された過電流検出電圧との大小関係を監視する過電流検出回路と、
   前記大小関係の反転が前記過電流検出回路により検出された場合、前記トランジスタをオフさせる制御回路と、
   前記トランジスタのオン抵抗の個体ばらつきを補正する調整データが書き込まれた不揮発性のメモリと、
   前記メモリから読み出された前記調整データに従って前記過電流検出電圧を調整する調整回路とを内蔵する電池保護集積回路。
6. 前記調整回路は、
   所定の基準電圧を生成する生成回路と、
   前記メモリから読み出された前記調整データに従って、温度又は前記トランジスタのゲート電圧値に応じて変化する補正電圧を生成する補正回路と、
   前記基準電圧と前記補正電圧とを加算することにより、前記過電流検出電圧を設定する加算回路とを有する、請求項５に記載の電池保護集積回路。
7. 前記調整データは、更に、前記トランジスタのオン抵抗の温度依存性と前記トランジスタのゲート電圧依存性の少なくとも一方を補正するデータである、請求項５又は６に記載の電池保護集積回路。

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