JP5822212B2 - 電解メッキ装置 - Google Patents
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Description
また、半導体ウェハ上に対する金属膜の形成において、高密度実装、高性能化、および高収率を追求するため、膜厚さの面内均一性も厳格に求められている。
したがって、このような限界性により、メッキ厚さ偏差を効果的に改善することができない現状である。
また、前記アノードケースは、上部が開口され、開口された上部を通してアノードから発生したガスが排出されるように構成されてもよい。
また、前記隔膜は、アノード挿入部に各々密着するように分割構成されてもよい。
図1は本発明の実施形態による電解メッキ装置の構成要素のうちアノードとノズルパイプの配置状態を示す分解斜視図であり、図2は図1が結合された状態を示す部分断面図であり、図3は図1が結合された後に電解メッキ装置に並列配置された状態を示す例示図であり、図4は本発明の実施形態によるアノードとカソードの極間距離の縮小を通じてメッキされた状態を示すシミュレーション結果図である。
このようなノズルパイプ30は、アノードケース40に嵌められた状態でメッキ液を基板20に向かって噴射するようになる。
嵌合孔42は、ノズル32だけが嵌められるようにノズル32の外径と対応する大きさに穿孔されるか、ノズルパイプ30の全体が嵌められる大きさに形成されてもよい。
開口部44aは、図面に図示してはいないが、アノード挿入部44の長さ方向に沿って所定間隔離れた状態で穿孔された複数の通孔で構成されることができる。
開口部44aの形状は、アノード挿入部44に結合されるアノード50の大きさと形状またはアノード挿入部44の設計事項に応じて選択的に異なってもよい。
また、アノード挿入部44の前面には、アノード50とカソード10間の化学反応によって発生する酸素ガスを遮断するように隔膜60が密着して設けられる。
カソード10に設けられた基板20の表面に電解メッキが進行される場合は、メッキ液がノズルパイプのノズル32を介して噴射し始める。
また、カソード10と化学反応をするアノード50の電流は、微細通孔62が形成された隔膜を通過してカソード10と電気的に反応をするようになる。
20 基板
30 ノズルパイプ
32 ノズル
34 パイプ
40 アノードケース
42 嵌合孔
44 アノード挿入部
44a 開口部
50 アノード
60 隔膜
62 微細通孔
70 隔膜固定ブロック
72 貫通孔
80 メッキ槽
100 電解メッキ装置
Claims (9)
- 治具及び基板が固定されたカソードと、
前記カソードに固定された前記基板にメッキ液を噴射するノズルパイプと、
前記ノズルパイプが嵌められる嵌合孔が形成され、前記嵌合孔の両側にアノード挿入部が形成されたアノードケースと、
前記アノードケースの前記アノード挿入部に挿入されるアノード、および
前記アノード挿入部に密着して設けられ、前記アノードから発生する酸素ガスを遮断する隔膜を含む、電解メッキ装置。 - 前記アノード挿入部には、挿入されたアノードの前面が露出するように開口部が形成される、請求項1に記載の電解メッキ装置。
- 前記開口部は、前記アノード挿入部の長さ方向に沿って連続して形成された複数個の通孔である、請求項2に記載の電解メッキ装置。
- 前記開口部は、前記アノード挿入部の長さ方向に沿って形成された通孔である、請求項2に記載の電解メッキ装置。
- 前記アノードケースは、上部が開口され、開口された上部を通して前記アノードから発生したガスが排出されるように構成される、請求項1から4のいずれか一項に記載の電解メッキ装置。
- 前記隔膜には、前記アノードから発生する電流が通過するように微細通孔が形成される、請求項1から5のいずれか一項に記載の電解メッキ装置。
- 前記隔膜は、隔膜固定ブロックを介して前記アノード挿入部と密着する、請求項1から6のいずれか一項に記載の電解メッキ装置。
- 前記隔膜固定ブロックは、中央部位に貫通孔が形成される、請求項7に記載の電解メッキ装置。
- 前記隔膜は、前記アノード挿入部に各々密着するように分割構成される、請求項1から8のいずれか一項に記載の電解メッキ装置。
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