JP3212266B2 - バンプ形成装置およびバンプ形成方法 - Google Patents
バンプ形成装置およびバンプ形成方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
製造過程におけるバンプ形成に関し、詳しくは、均一な
高さのバンプを形成するためのバンプ形成装置およびバ
ンプ形成方法に関するものである。
製造過程におけるバンプ形成に関し、詳しくは、均一な
高さのバンプを形成するためのバンプ形成装置およびバ
ンプ形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体デバイス上にバンプを形成
する方法としては、半導体ウェハに金等をメッキする方
法が採用されている。以下、その従来のメッキ方法に使
用されているメッキ装置、およびそれを用いたメッキ処
理方法について説明する。
する方法としては、半導体ウェハに金等をメッキする方
法が採用されている。以下、その従来のメッキ方法に使
用されているメッキ装置、およびそれを用いたメッキ処
理方法について説明する。
【０００３】図９は、従来技術に係る噴流式メッキ装置
を示す概略構成図である。図９に示すように、従来の噴
流式メッキ装置においては、メッキ用カップ８とメッキ
液槽１１とが動力ポンプ１０を介して接続されており、
メッキ液槽１１中には、メッキ液９が貯留されている。
メッキ用カップ８は上下端が開口しており、上端開口部
の周縁部には複数のカソード１３が設けられ、下端開口
部には動力ポンプ１０が接続されている。また、メッキ
用カップ８の内部には、アノード１２が設けられてい
る。そして、カソード１３上にウェハ７を設置してメッ
キ処理が行われる。
を示す概略構成図である。図９に示すように、従来の噴
流式メッキ装置においては、メッキ用カップ８とメッキ
液槽１１とが動力ポンプ１０を介して接続されており、
メッキ液槽１１中には、メッキ液９が貯留されている。
メッキ用カップ８は上下端が開口しており、上端開口部
の周縁部には複数のカソード１３が設けられ、下端開口
部には動力ポンプ１０が接続されている。また、メッキ
用カップ８の内部には、アノード１２が設けられてい
る。そして、カソード１３上にウェハ７を設置してメッ
キ処理が行われる。
【０００４】以下に、上記のように構成された噴流式メ
ッキ装置の動作を説明する。まず、動力ポンプ１０を動
かすことにより、メッキ液９をメッキ液槽１１からメッ
キ用カップ８へ噴流させ、ウェハ７にメッキ液９をあて
る。そして、カソード１３とアノード１２とに電流が供
給され、カソード１３に接しているウェハ７にメッキ液
９の成分中の金属イオンが析出し、ウェハ７にメッキ処
理が行われる。なお、無電解のメッキ液を用いれば、電
流を供給しなくてもメッキを行うことが可能である。
ッキ装置の動作を説明する。まず、動力ポンプ１０を動
かすことにより、メッキ液９をメッキ液槽１１からメッ
キ用カップ８へ噴流させ、ウェハ７にメッキ液９をあて
る。そして、カソード１３とアノード１２とに電流が供
給され、カソード１３に接しているウェハ７にメッキ液
９の成分中の金属イオンが析出し、ウェハ７にメッキ処
理が行われる。なお、無電解のメッキ液を用いれば、電
流を供給しなくてもメッキを行うことが可能である。
【０００５】図１０は、従来技術に係るディップ式メッ
キ装置を示す概略構成図である。図１０に示すように、
従来のディップ式メッキ装置においては、メッキ液槽１
１中にメッキ液９が貯留されており、そのメッキ液９中
には、直流電源に接続されたウェハ７とアノード１２と
が対向して配置されている。
キ装置を示す概略構成図である。図１０に示すように、
従来のディップ式メッキ装置においては、メッキ液槽１
１中にメッキ液９が貯留されており、そのメッキ液９中
には、直流電源に接続されたウェハ７とアノード１２と
が対向して配置されている。
【０００６】以下に、上記のように構成されたディップ
式メッキ装置の動作を説明する。まず、アノード１２と
ウェハ７との間に一定電流を流す。すると、カソード部
分であるウェハ７にメッキ液９の成分中の金属イオンが
析出し、ウェハ７にメッキ処理が行われる。
式メッキ装置の動作を説明する。まず、アノード１２と
ウェハ７との間に一定電流を流す。すると、カソード部
分であるウェハ７にメッキ液９の成分中の金属イオンが
析出し、ウェハ７にメッキ処理が行われる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術に係る噴流メッキ装置を用いてウェハ７にバンプ
を形成する場合、噴流メッキ装置を構成するアノード１
２には全面に亘って均一な径を有する孔が形成されてい
る（均等なメッシュ状となっている）ため、メッキ液９
が、ウェハ７の中央部に過剰に供給されてしまう。そう
すると、形成されるバンプは、ウェハ７の中央部の方が
外周部よりも高さが高くなってしまう。
来技術に係る噴流メッキ装置を用いてウェハ７にバンプ
を形成する場合、噴流メッキ装置を構成するアノード１
２には全面に亘って均一な径を有する孔が形成されてい
る（均等なメッシュ状となっている）ため、メッキ液９
が、ウェハ７の中央部に過剰に供給されてしまう。そう
すると、形成されるバンプは、ウェハ７の中央部の方が
外周部よりも高さが高くなってしまう。
【０００８】また、上記従来技術に係るディップ式メッ
キ装置を用いてウェハ７にバンプを形成する場合、メッ
キ液槽１１に貯留されているメッキ液９中のウェハ７
（カソード）に形成されるバンプは、メッキ液９中に深
く入っていけばいくほど、その高さが低くなる。
キ装置を用いてウェハ７にバンプを形成する場合、メッ
キ液槽１１に貯留されているメッキ液９中のウェハ７
（カソード）に形成されるバンプは、メッキ液９中に深
く入っていけばいくほど、その高さが低くなる。
【０００９】以上のように、従来のメッキ処理装置を用
いてバンプを形成する場合には、ウェハ７内に形成され
るバンプの高さの均一性等は、基本的にメッキ装置の性
能に頼る形となる。つまり、そのメッキ装置の有する性
能以上に、バンプ高さの調整等を行うことはできない。
したがって、異なる大きさのウェハあるいは大インチの
ウェハにメッキ処理を行う場合、ウェハ内に形成される
バンプの高さにばらつきが生じ、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏ
ｎ Ｇｌａｓｓ）等の高精度のバンプ高さを要求される
ものに対して、十分な対応ができなかった。
いてバンプを形成する場合には、ウェハ７内に形成され
るバンプの高さの均一性等は、基本的にメッキ装置の性
能に頼る形となる。つまり、そのメッキ装置の有する性
能以上に、バンプ高さの調整等を行うことはできない。
したがって、異なる大きさのウェハあるいは大インチの
ウェハにメッキ処理を行う場合、ウェハ内に形成される
バンプの高さにばらつきが生じ、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏ
ｎ Ｇｌａｓｓ）等の高精度のバンプ高さを要求される
ものに対して、十分な対応ができなかった。
【００１０】本発明は、このような課題を解決するため
になされたもので、バンプ高さの調整を高精度で行うこ
とができるバンプ形成装置およびバンプ形成方法を提供
することを目的とする。
になされたもので、バンプ高さの調整を高精度で行うこ
とができるバンプ形成装置およびバンプ形成方法を提供
することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明に係るバンプ形成装置の第一の構成は、上下端
が開口しているメッキ用カップと、前記メッキ用カップ
の内部に設けられたアノードと、前記メッキ用カップの
下端開口部から上端開口部に向かって噴流するメッキ液
とを備え、前記メッキ用カップの上端開口部の上にウェ
ハを配置し、前記アノードと前記ウェハとの間に電圧を
印加することによって前記ウェハにメッキを施してバン
プを形成するバンプ形成装置において、前記アノード
が、前記メッキ液の流れが前記ウェハの全面でほぼ均一
となるように調整する手段を備える。前記メッキ液の流
れを調整する手段として、前記アノードが湾曲状に形成
され、前記アノードと前記ウェハの中央部との距離の方
が前記アノードと前記ウェハの外周部との距離よりも大
きい。このバンプ形成装置によれば、ウェハの中央部に
おけるウェハとアノードの距離を遠めに設定し、ウェハ
の中央部に供給過剰になりがちなメッキ液の流れを調整
することが可能となるため、バンプの高さを高精度に調
整することができる。
の本発明に係るバンプ形成装置の第一の構成は、上下端
が開口しているメッキ用カップと、前記メッキ用カップ
の内部に設けられたアノードと、前記メッキ用カップの
下端開口部から上端開口部に向かって噴流するメッキ液
とを備え、前記メッキ用カップの上端開口部の上にウェ
ハを配置し、前記アノードと前記ウェハとの間に電圧を
印加することによって前記ウェハにメッキを施してバン
プを形成するバンプ形成装置において、前記アノード
が、前記メッキ液の流れが前記ウェハの全面でほぼ均一
となるように調整する手段を備える。前記メッキ液の流
れを調整する手段として、前記アノードが湾曲状に形成
され、前記アノードと前記ウェハの中央部との距離の方
が前記アノードと前記ウェハの外周部との距離よりも大
きい。このバンプ形成装置によれば、ウェハの中央部に
おけるウェハとアノードの距離を遠めに設定し、ウェハ
の中央部に供給過剰になりがちなメッキ液の流れを調整
することが可能となるため、バンプの高さを高精度に調
整することができる。
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】さらに、上記目的を達成するための本発明
に係るバンプ形成装置の第二の構成は、メッキ液が貯留
されたメッキ液槽と、前記メッキ液槽中に設けられたア
ノードとを備え、前記アノードと対向するようにウェハ
を配置し、前記アノードと前記ウェハとの間に電圧を印
加することによって前記ウェハにメッキを施してバンプ
を形成するバンプ形成装置において、前記アノードと前
記メッキ液槽中の浅い部分における前記ウェハとの距離
の方が、前記アノードと前記メッキ液槽中の深い部分に
おける前記ウェハとの距離よりも大きいことを特徴とす
る。このバンプ形成装置によれば、前記アノードと前記
ウェハとの距離を、前記メッキ液中の浅い部分において
は遠めに、深い部分においては近めになるように、前記
アノードを設置しているため、前記メッキ液の浅い部分
における金属イオンの析出を抑制し、前記メッキ液の深
い部分における金属イオンの析出を促進することができ
る。したがって、前記ウェハの全面において、バンプの
高さを高精度に調整することができる。
に係るバンプ形成装置の第二の構成は、メッキ液が貯留
されたメッキ液槽と、前記メッキ液槽中に設けられたア
ノードとを備え、前記アノードと対向するようにウェハ
を配置し、前記アノードと前記ウェハとの間に電圧を印
加することによって前記ウェハにメッキを施してバンプ
を形成するバンプ形成装置において、前記アノードと前
記メッキ液槽中の浅い部分における前記ウェハとの距離
の方が、前記アノードと前記メッキ液槽中の深い部分に
おける前記ウェハとの距離よりも大きいことを特徴とす
る。このバンプ形成装置によれば、前記アノードと前記
ウェハとの距離を、前記メッキ液中の浅い部分において
は遠めに、深い部分においては近めになるように、前記
アノードを設置しているため、前記メッキ液の浅い部分
における金属イオンの析出を抑制し、前記メッキ液の深
い部分における金属イオンの析出を促進することができ
る。したがって、前記ウェハの全面において、バンプの
高さを高精度に調整することができる。
【００１７】また、本発明に係るバンプ形成装置の第二
の構成においては、前記アノードが、湾曲状に形成され
ていることが好ましい。この好ましい例によれば、前記
アノードと前記ウェハとの距離が、前記メッキ液中の浅
い部分においては遠めに、深い部分においては近めにな
るように、前記アノードを前記バンプ形成装置に容易に
設置することができる。
の構成においては、前記アノードが、湾曲状に形成され
ていることが好ましい。この好ましい例によれば、前記
アノードと前記ウェハとの距離が、前記メッキ液中の浅
い部分においては遠めに、深い部分においては近めにな
るように、前記アノードを前記バンプ形成装置に容易に
設置することができる。
【００１８】さらに、本発明に係るバンプの第一の形成
方法は、ウェハにメッキ液を噴流させる工程と、前記ウ
ェハに電圧を印加する工程とにより前記ウェハにメッキ
を施してバンプを形成するバンプ形成方法において、あ
らかじめダミーバンプが形成された前記ウェハを用いる
ことを特徴とする。このバンプ形成方法によれば、前記
ダミーバンプにメッキ生成物（Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ等）の
イオンを集中させ、前記ダミーバンプのまわりに供給さ
れるイオンを減少させることができるため、前記ウェハ
内に均一なイオンの供給を行うことが可能となる。した
がって、前記ウェハの全面において、バンプの高さを高
精度に調整することができる。
方法は、ウェハにメッキ液を噴流させる工程と、前記ウ
ェハに電圧を印加する工程とにより前記ウェハにメッキ
を施してバンプを形成するバンプ形成方法において、あ
らかじめダミーバンプが形成された前記ウェハを用いる
ことを特徴とする。このバンプ形成方法によれば、前記
ダミーバンプにメッキ生成物（Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ等）の
イオンを集中させ、前記ダミーバンプのまわりに供給さ
れるイオンを減少させることができるため、前記ウェハ
内に均一なイオンの供給を行うことが可能となる。した
がって、前記ウェハの全面において、バンプの高さを高
精度に調整することができる。
【００１９】また、本発明に係るバンプの第一の形成方
法においては、前記ウェハに複数のダミーバンプを形成
し、前記複数のダミーバンプの面積を、前記ウェハの中
央部から外周部に向けて徐々に小さくなるように形成す
ることが好ましい。この好ましい例によれば、前記ウェ
ハの中央部に供給過剰になりがちなメッキ生成物イオン
を前記ダミーバンプに集中させ、前記ダミーバンプのま
わりに供給されるイオンを減少させることが可能である
ため、前記ウェハに供給されるメッキ生成物イオンを前
記ウェハの全面において均一にすることができる。
法においては、前記ウェハに複数のダミーバンプを形成
し、前記複数のダミーバンプの面積を、前記ウェハの中
央部から外周部に向けて徐々に小さくなるように形成す
ることが好ましい。この好ましい例によれば、前記ウェ
ハの中央部に供給過剰になりがちなメッキ生成物イオン
を前記ダミーバンプに集中させ、前記ダミーバンプのま
わりに供給されるイオンを減少させることが可能である
ため、前記ウェハに供給されるメッキ生成物イオンを前
記ウェハの全面において均一にすることができる。
【００２０】さらに、本発明に係るバンプの第二の形成
方法は、メッキ液中にウェハとアノードとを対向して設
ける工程と、前記ウェハと前記アノードとの間に電圧を
印加する工程とにより前記ウェハにメッキを施してバン
プを形成するバンプ形成方法において、あらかじめダミ
ーバンプが形成された前記ウェハを用いることを特徴と
する。このバンプ形成方法によれば、前記ダミーバンプ
にメッキ生成物イオンを集中させ（金属イオンの析出を
集中させ）、前記ダミーバンプのまわりに供給（析出）
されるイオンを減少させることができるため、前記ウェ
ハ内に均一なメッキ生成物イオンの供給を行うことが可
能となる。
方法は、メッキ液中にウェハとアノードとを対向して設
ける工程と、前記ウェハと前記アノードとの間に電圧を
印加する工程とにより前記ウェハにメッキを施してバン
プを形成するバンプ形成方法において、あらかじめダミ
ーバンプが形成された前記ウェハを用いることを特徴と
する。このバンプ形成方法によれば、前記ダミーバンプ
にメッキ生成物イオンを集中させ（金属イオンの析出を
集中させ）、前記ダミーバンプのまわりに供給（析出）
されるイオンを減少させることができるため、前記ウェ
ハ内に均一なメッキ生成物イオンの供給を行うことが可
能となる。
【００２１】また、本発明に係るバンプの第二の形成方
法においては、前記ウェハに複数のダミーバンプを形成
し、前記複数のダミーバンプの面積を、前記ウェハを前
記メッキ液槽中に入れたときの前記メッキ液槽中の深い
部分から浅い部分に向けて徐々に大きくなるように形成
することが好ましい。この好ましい例によれば、前記メ
ッキ液中の浅い部分の金属イオンの析出が抑制されるの
で、前記ウェハの全面における金属イオンの析出が均一
化され、バンプの高さを高精度に調整することができ
る。
法においては、前記ウェハに複数のダミーバンプを形成
し、前記複数のダミーバンプの面積を、前記ウェハを前
記メッキ液槽中に入れたときの前記メッキ液槽中の深い
部分から浅い部分に向けて徐々に大きくなるように形成
することが好ましい。この好ましい例によれば、前記メ
ッキ液中の浅い部分の金属イオンの析出が抑制されるの
で、前記ウェハの全面における金属イオンの析出が均一
化され、バンプの高さを高精度に調整することができ
る。
【００２２】また、本発明に係るバンプの第一および第
二の形成方法における前記ダミーバンプの形状として
は、三角形、矩形および円形等の形状があげられる。
二の形成方法における前記ダミーバンプの形状として
は、三角形、矩形および円形等の形状があげられる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施の形
態を図面に基づいて説明する。 （第一の実施形態）図１は、本発明の第一の実施形態に
係るバンプ形成装置を構成する噴流メッキ装置に使用す
るアノード５の平面図を示したものである。本実施形態
に係る噴流メッキ装置の構造は、基本的には、図９に示
した噴流メッキ装置と同様であり、アノードとして図１
に示す電極を使用したところが異なる。
態を図面に基づいて説明する。 （第一の実施形態）図１は、本発明の第一の実施形態に
係るバンプ形成装置を構成する噴流メッキ装置に使用す
るアノード５の平面図を示したものである。本実施形態
に係る噴流メッキ装置の構造は、基本的には、図９に示
した噴流メッキ装置と同様であり、アノードとして図１
に示す電極を使用したところが異なる。
【００２４】図１に示すアノード５は、白金等のメッキ
されにくい材料を用いて形成されており、本実施形態に
係るアノード５には複数の孔（以下「メッシュ孔」とい
う）６が形成されている。つまり、アノード５に形成さ
れているメッシュを、部分的に粗く形成している（粗く
形成している部分がメッシュ孔６である）。このメッシ
ュ孔６は、アノード５の全面に亘って形成されており、
その大きさ（面積）は、中央部のものは小さく、中央部
から外周部に向けて徐々に大きくなるように形成されて
いる。
されにくい材料を用いて形成されており、本実施形態に
係るアノード５には複数の孔（以下「メッシュ孔」とい
う）６が形成されている。つまり、アノード５に形成さ
れているメッシュを、部分的に粗く形成している（粗く
形成している部分がメッシュ孔６である）。このメッシ
ュ孔６は、アノード５の全面に亘って形成されており、
その大きさ（面積）は、中央部のものは小さく、中央部
から外周部に向けて徐々に大きくなるように形成されて
いる。
【００２５】本実施形態においては、以上のように形成
されたアノード５を用いて噴流メッキ装置（図９参照）
が構成されているので、中央部のメッシュ孔６を小さく
形成したことにより、メッキ処理を行う際、中央部に供
給過剰になりがちなメッキ液９を抑えることが可能とな
り、メッキ液９の流れを均一にすることができる。した
がって、ウェハ内全体に対するイオン供給が均一となる
ため、バンプ高さを容易に調整することが可能となる。
されたアノード５を用いて噴流メッキ装置（図９参照）
が構成されているので、中央部のメッシュ孔６を小さく
形成したことにより、メッキ処理を行う際、中央部に供
給過剰になりがちなメッキ液９を抑えることが可能とな
り、メッキ液９の流れを均一にすることができる。した
がって、ウェハ内全体に対するイオン供給が均一となる
ため、バンプ高さを容易に調整することが可能となる。
【００２６】なお、本実施形態においては、メッシュ孔
６を円形に形成した場合について説明したが、本発明は
これに限定されるものではなく、例えば、三角形や矩形
等の他の形状として、メッキ液９の流れを調整してもよ
い（図７および図８参照）。また、本実施形態において
は、アノード５に形成されているメッシュ孔６の面積が
中央部から外周部に向かって徐々に大きくなる場合につ
いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、使用する噴流メッキ装置の特性等に応じて、メッキ
液９の流れを適当に調整することができるように、アノ
ード５に適当な大きさおよび分布のメッシュ孔６を形成
すればよい。
６を円形に形成した場合について説明したが、本発明は
これに限定されるものではなく、例えば、三角形や矩形
等の他の形状として、メッキ液９の流れを調整してもよ
い（図７および図８参照）。また、本実施形態において
は、アノード５に形成されているメッシュ孔６の面積が
中央部から外周部に向かって徐々に大きくなる場合につ
いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、使用する噴流メッキ装置の特性等に応じて、メッキ
液９の流れを適当に調整することができるように、アノ
ード５に適当な大きさおよび分布のメッシュ孔６を形成
すればよい。
【００２７】（第二の実施形態）図２は、本発明の第二
の実施形態に係るバンプ形成装置を構成する噴流メッキ
装置を示す概略構成図である。本実施形態に係る噴流メ
ッキ装置の構造は、基本的には、図９に示した噴流メッ
キ装置と同様であり、アノードの構造のみが異なる。
の実施形態に係るバンプ形成装置を構成する噴流メッキ
装置を示す概略構成図である。本実施形態に係る噴流メ
ッキ装置の構造は、基本的には、図９に示した噴流メッ
キ装置と同様であり、アノードの構造のみが異なる。
【００２８】図２の噴流メッキ装置を構成しているアノ
ード１５は、中央部を凹ませたように湾曲させて形成さ
れている。そして、ウェハ７とアノード１５との距離
が、中央部においては遠めに、外周部においては近めに
なるように、アノード１５が噴流メッキ装置に装着され
ている。つまり、本実施形態においては、アノード１５
とウェハ７の中央部との距離の方が、アノード１５とウ
ェハ７の外周部との距離よりも大きくなるように、アノ
ード１５が噴流メッキ装置に装着されている。
ード１５は、中央部を凹ませたように湾曲させて形成さ
れている。そして、ウェハ７とアノード１５との距離
が、中央部においては遠めに、外周部においては近めに
なるように、アノード１５が噴流メッキ装置に装着され
ている。つまり、本実施形態においては、アノード１５
とウェハ７の中央部との距離の方が、アノード１５とウ
ェハ７の外周部との距離よりも大きくなるように、アノ
ード１５が噴流メッキ装置に装着されている。
【００２９】本実施形態においては、以上のように形成
されたアノード１５を用いて噴流メッキ装置が構成され
ているので、中央部よりも外周部の方が金属イオンの析
出速度が早くなり、ウェハ７の中央部への金属イオンの
析出過剰を抑えることが可能となり、バンプの高さを均
一に調整することができる。
されたアノード１５を用いて噴流メッキ装置が構成され
ているので、中央部よりも外周部の方が金属イオンの析
出速度が早くなり、ウェハ７の中央部への金属イオンの
析出過剰を抑えることが可能となり、バンプの高さを均
一に調整することができる。
【００３０】（第三の実施形態）図３は、本発明の第三
の実施形態に係るバンプ形成装置を構成するディップ式
メッキ装置を示す概略構成図である。本実施形態に係る
ディップ式メッキ装置の構造は、基本的には、図１０に
示したディップ式メッキ装置と同様であり、アノードの
構造のみが異なる。
の実施形態に係るバンプ形成装置を構成するディップ式
メッキ装置を示す概略構成図である。本実施形態に係る
ディップ式メッキ装置の構造は、基本的には、図１０に
示したディップ式メッキ装置と同様であり、アノードの
構造のみが異なる。
【００３１】図１０に示した従来技術に係るディップ式
メッキ装置において、メッキ液槽１１に貯留されている
メッキ液９中に設けられたウェハ７（カソード）は、メ
ッキ液９中に深く入っていけばいくほど、バンプ高さが
低くなることが知られている。そこで本実施形態は、図
３に示すような形状のアノード１５を用いている。
メッキ装置において、メッキ液槽１１に貯留されている
メッキ液９中に設けられたウェハ７（カソード）は、メ
ッキ液９中に深く入っていけばいくほど、バンプ高さが
低くなることが知られている。そこで本実施形態は、図
３に示すような形状のアノード１５を用いている。
【００３２】図３のディップ式メッキ装置を構成してい
るアノード２５は、メッキ液９中に深く入っている部分
を湾曲させている。そして、ウェハ７とアノード２５と
の距離が、メッキ液９中の浅い部分においては遠めに、
メッキ液９中の深い部分においては近めになるように、
アノード２５がディップ式メッキ装置に装着されてい
る。つまり、本実施形態においては、アノード２５とメ
ッキ液９中の浅い部分におけるウェハ７との距離の方
が、アノード２５とメッキ液９中の深い部分におけるウ
ェハ７との距離よりも大きくなるように、アノード２５
がディップ式メッキ装置に装着されている。
るアノード２５は、メッキ液９中に深く入っている部分
を湾曲させている。そして、ウェハ７とアノード２５と
の距離が、メッキ液９中の浅い部分においては遠めに、
メッキ液９中の深い部分においては近めになるように、
アノード２５がディップ式メッキ装置に装着されてい
る。つまり、本実施形態においては、アノード２５とメ
ッキ液９中の浅い部分におけるウェハ７との距離の方
が、アノード２５とメッキ液９中の深い部分におけるウ
ェハ７との距離よりも大きくなるように、アノード２５
がディップ式メッキ装置に装着されている。
【００３３】本実施形態においては、以上のように形成
されたアノード２５を用いてディップ式メッキ装置が構
成されているので、メッキ液９中の浅い部分よりも深い
部分の方が金属イオンの析出速度が早くなり、、バンプ
の高さを均一に調整することができる。
されたアノード２５を用いてディップ式メッキ装置が構
成されているので、メッキ液９中の浅い部分よりも深い
部分の方が金属イオンの析出速度が早くなり、、バンプ
の高さを均一に調整することができる。
【００３４】なお、本実施形態においては、メッキ液９
中の浅い部分と深い部分におけるウェハ７とアノード２
５との距離を変化させるために、アノード２５を湾曲さ
せる場合について説明したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、例えば、平板状のアノードを用いて、
そのアノードを傾けて取り付け、アノードとメッキ液９
中の浅い部分におけるウェハ７との距離の方が、アノー
ドとメッキ液９中の深い部分におけるウェハ７との距離
よりも大きくなるように、アノードをディップ式メッキ
装置に装着してもよい。
中の浅い部分と深い部分におけるウェハ７とアノード２
５との距離を変化させるために、アノード２５を湾曲さ
せる場合について説明したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、例えば、平板状のアノードを用いて、
そのアノードを傾けて取り付け、アノードとメッキ液９
中の浅い部分におけるウェハ７との距離の方が、アノー
ドとメッキ液９中の深い部分におけるウェハ７との距離
よりも大きくなるように、アノードをディップ式メッキ
装置に装着してもよい。
【００３５】（第四の実施形態）図４は、本発明の第四
の実施形態に係るバンプ形成方法（メッキ方法）を行う
際に使用するウェハの平面図を示したものである。本実
施形態に係るメッキ方法においては、図９に示した噴流
メッキ装置を用い、ウェハ１７上に図４に示すようなダ
ミーバンプ４を形成する。図４に示すウェハ１７には、
ウェハ１７の全面に亘って複数のダミーバンプ４が形成
されている。そして、このダミーバンプ４の面積は、中
央部のものは大きく、中央部から外周部に向けて徐々に
小さくなるように形成されている。
の実施形態に係るバンプ形成方法（メッキ方法）を行う
際に使用するウェハの平面図を示したものである。本実
施形態に係るメッキ方法においては、図９に示した噴流
メッキ装置を用い、ウェハ１７上に図４に示すようなダ
ミーバンプ４を形成する。図４に示すウェハ１７には、
ウェハ１７の全面に亘って複数のダミーバンプ４が形成
されている。そして、このダミーバンプ４の面積は、中
央部のものは大きく、中央部から外周部に向けて徐々に
小さくなるように形成されている。
【００３６】本実施形態に係るメッキ方法においては、
以上のように形成されたウェハ１７を噴流メッキ装置
（図９参照）に設置して、バンプを形成するためのメッ
キ処理を行う。こうすることにより、ウェハ１７の中央
部に形成されるバンプの高さを抑制する（ウェハ１７に
形成されるバンプの高さを調整する）ことができる。す
なわち、本実施形態にかかるウェハ１７の中央部には大
きめのダミーバンプ４が形成されており、そのダミーバ
ンプ４にメッキ液９が集中するため、結果的にウェハ１
７の中央部（中央部のダミーバンプ４の周辺）に形成さ
れるバンプの高さを抑制し、延いてはウェハ１７の全面
に形成されるバンプの高さを適当に調整することができ
る。
以上のように形成されたウェハ１７を噴流メッキ装置
（図９参照）に設置して、バンプを形成するためのメッ
キ処理を行う。こうすることにより、ウェハ１７の中央
部に形成されるバンプの高さを抑制する（ウェハ１７に
形成されるバンプの高さを調整する）ことができる。す
なわち、本実施形態にかかるウェハ１７の中央部には大
きめのダミーバンプ４が形成されており、そのダミーバ
ンプ４にメッキ液９が集中するため、結果的にウェハ１
７の中央部（中央部のダミーバンプ４の周辺）に形成さ
れるバンプの高さを抑制し、延いてはウェハ１７の全面
に形成されるバンプの高さを適当に調整することができ
る。
【００３７】なお、本実施形態においては、ダミーバン
プ４を矩形に形成した場合について説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、例えば、円形や三角
形等の他の形状として、メッキ液９の流れを抑制（調
整）し、バンプ高さを調整してもよい。また、本実施形
態においては、ダミーバンプ４の面積が中央部から外周
部に向かって徐々に小さくなる場合について説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、使用する
噴流メッキ装置の特性等に応じて、メッキ液９の流れを
適当に調整することができるように、ウェハ１７上に適
当な大きさおよび分布のダミーバンプ４を形成すればよ
い。
プ４を矩形に形成した場合について説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、例えば、円形や三角
形等の他の形状として、メッキ液９の流れを抑制（調
整）し、バンプ高さを調整してもよい。また、本実施形
態においては、ダミーバンプ４の面積が中央部から外周
部に向かって徐々に小さくなる場合について説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、使用する
噴流メッキ装置の特性等に応じて、メッキ液９の流れを
適当に調整することができるように、ウェハ１７上に適
当な大きさおよび分布のダミーバンプ４を形成すればよ
い。
【００３８】（第五の実施形態）図５は、本発明の第五
の実施形態に係るバンプ形成方法（メッキ方法）を行う
際に使用するウェハの平面図を示したものである。本実
施形態に係るメッキ方法においては、図１０に示したデ
ィップ式メッキ装置を用い、ウェハ２７上に図５に示す
ようなダミーバンプ４を形成する。図５に示すウェハ２
７に形成されるダミーバンプ４の面積は、ウェハ２７を
メッキ液槽１１のメッキ液９中に入れた際に、メッキ液
９中の深い部分に入る領域に小さく、深い部分から浅い
部分に向けて徐々に大きくなるように形成されている。
ウェハ２７上にこのような形状のダミーバンプ４を形成
したのは、図１０に示した従来技術に係るディップ式メ
ッキ装置においては、メッキ液９中に設けられたウェハ
７（カソード部）に形成されるバンプの高さが、メッキ
液９中に深く入っていけばいくほど、低くなることが知
られているからである。
の実施形態に係るバンプ形成方法（メッキ方法）を行う
際に使用するウェハの平面図を示したものである。本実
施形態に係るメッキ方法においては、図１０に示したデ
ィップ式メッキ装置を用い、ウェハ２７上に図５に示す
ようなダミーバンプ４を形成する。図５に示すウェハ２
７に形成されるダミーバンプ４の面積は、ウェハ２７を
メッキ液槽１１のメッキ液９中に入れた際に、メッキ液
９中の深い部分に入る領域に小さく、深い部分から浅い
部分に向けて徐々に大きくなるように形成されている。
ウェハ２７上にこのような形状のダミーバンプ４を形成
したのは、図１０に示した従来技術に係るディップ式メ
ッキ装置においては、メッキ液９中に設けられたウェハ
７（カソード部）に形成されるバンプの高さが、メッキ
液９中に深く入っていけばいくほど、低くなることが知
られているからである。
【００３９】すなわち、本実施形態に係るメッキ方法に
おいては、以上のようにウェハ２７にダミーバンプ４が
形成されているので、メッキ液９の浅い部分ではダミー
バンプ４にメッキ液９が集中し、メッキ液９の深い部分
では浅い部分ほどダミーバンプ４にメッキ液９は集中し
ないため、ウェハ２７のメッキ液９の浅い部分に形成さ
れるバンプの高さを抑制し、延いてはウェハ２７の全面
に形成されるバンプの高さを適当に調整することができ
る。
おいては、以上のようにウェハ２７にダミーバンプ４が
形成されているので、メッキ液９の浅い部分ではダミー
バンプ４にメッキ液９が集中し、メッキ液９の深い部分
では浅い部分ほどダミーバンプ４にメッキ液９は集中し
ないため、ウェハ２７のメッキ液９の浅い部分に形成さ
れるバンプの高さを抑制し、延いてはウェハ２７の全面
に形成されるバンプの高さを適当に調整することができ
る。
【００４０】なお、本実施形態においては、ダミーバン
プ４を矩形に形成した場合について説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、例えば、円形や三角
形等の他の形状としてもよい。
プ４を矩形に形成した場合について説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、例えば、円形や三角
形等の他の形状としてもよい。
【００４１】また、以上の各実施形態において使用され
るメッキ液としては、主成分であるＡｕ、Ａｇ、半田の
他に、亜硫酸、硫酸、タリウム等が溶解したメッキ液や
シアンが溶解したメッキ液が用いられる。そして、以上
の各実施形態によれば、例えば図６に示すように、ウェ
ハ１における製品チップ２上に、Ａｕ、Ａｇ、半田等で
形成された均一な高さを有するバンプ３が析出して構成
される。また、このようにバンプ高さが均一な製品チッ
プ２を提供することができれば、後工程のＩＬＢ（Ｉｎ
ｎｅｒ Ｌｅａｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）等の製品加工がよ
り簡単となり、製造工程の削減およびコストダウン等を
図ることができる。
るメッキ液としては、主成分であるＡｕ、Ａｇ、半田の
他に、亜硫酸、硫酸、タリウム等が溶解したメッキ液や
シアンが溶解したメッキ液が用いられる。そして、以上
の各実施形態によれば、例えば図６に示すように、ウェ
ハ１における製品チップ２上に、Ａｕ、Ａｇ、半田等で
形成された均一な高さを有するバンプ３が析出して構成
される。また、このようにバンプ高さが均一な製品チッ
プ２を提供することができれば、後工程のＩＬＢ（Ｉｎ
ｎｅｒ Ｌｅａｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）等の製品加工がよ
り簡単となり、製造工程の削減およびコストダウン等を
図ることができる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
バンプ高さの調整を高精度で行うことができるバンプ形
成装置およびバンプ形成方法を得ることができる。
バンプ高さの調整を高精度で行うことができるバンプ形
成装置およびバンプ形成方法を得ることができる。
【図１】本発明の第一の実施形態に係るバンプ形成装置
（噴流メッキ装置）を構成するアノードを示す平面図
（噴流メッキ装置）を構成するアノードを示す平面図
【図２】本発明の第二の実施形態に係るバンプ形成装置
（噴流メッキ装置）を示す概略構成図
（噴流メッキ装置）を示す概略構成図
【図３】本発明の第三の実施形態に係るバンプ形成装置
（ディップ式メッキ装置）を示す概略構成図
（ディップ式メッキ装置）を示す概略構成図
【図４】本発明の第四の実施形態に係るバンプ形成方法
（メッキ方法）を行う際に使用するウェハを示す平面図
（メッキ方法）を行う際に使用するウェハを示す平面図
【図５】本発明の第五の実施形態に係るバンプ形成方法
（メッキ方法）を行う際に使用するウェハを示す平面図
（メッキ方法）を行う際に使用するウェハを示す平面図
【図６】本発明を実施することにより得られるバンプを
有するウェハの一例を示す平面図
有するウェハの一例を示す平面図
【図７】本発明の第一の実施形態に係るバンプ形成装置
（噴流メッキ装置）を構成するアノードの他の形状を示
す平面図
（噴流メッキ装置）を構成するアノードの他の形状を示
す平面図
【図８】本発明の第一の実施形態に係るバンプ形成装置
（噴流メッキ装置）を構成するアノードの他の形状を示
す平面図
（噴流メッキ装置）を構成するアノードの他の形状を示
す平面図
【図９】従来技術に係る噴流メッキ装置を示す概略構成
図
図
【図１０】従来技術に係るディップ式メッキ装置を示す
概略構成図
概略構成図
１，７，１７，２７ ウェハ ４ ダミーバンプ ５，１２，１５，２５ アノード ６ メッシュ孔 ８ メッキ用カップ ９ メッキ液 １０ 動力ポンプ １１ メッキ液槽 １３ カソード
Claims (8)
- 【請求項１】 上下端が開口しているメッキ用カップ
と、前記メッキ用カップの内部に設けられたアノード
と、前記メッキ用カップの下端開口部から上端開口部に
向かって噴流するメッキ液とを備え、前記メッキ用カッ
プの上端開口部の上にウェハを配置し、前記アノードと
前記ウェハとの間に電圧を印加することによって前記ウ
ェハにメッキを施してバンプを形成するバンプ形成装置
において、前記アノードが、前記メッキ液の流れが前記
ウェハの全面でほぼ均一となるように調整する手段を備
え、前記メッキ液の流れを調整する手段として、前記ア
ノードが湾曲状に形成され、前記アノードと前記ウェハ
の中央部との距離の方が前記アノードと前記ウェハの外
周部との距離よりも大きいことを特徴とするバンプ形成
装置。 - 【請求項２】 メッキ液が貯留されたメッキ液槽と、前
記メッキ液槽中に設けられたアノードとを備え、前記ア
ノードと対向するようにウェハを配置し、前記アノード
と前記ウェハとの間に電圧を印加することによって前記
ウェハにメッキを施してバンプを形成するバンプ形成装
置において、前記アノードと前記メッキ液槽中の浅い部
分における前記ウェハとの距離の方が、前記アノードと
前記メッキ液槽中の深い部分における前記ウェハとの距
離よりも大きいことを特徴とするパンブ形成装置。 - 【請求項３】 前記アノードが湾曲状に形成されている
請求項２に記載のバンプ形成装置。 - 【請求項４】 ウェハにメッキ液を噴流させる工程と、
前記ウェハに電圧を印加する工程とにより前記ウェハに
メッキを施してバンプを形成するバンプ形成方法におい
て、あらかじめダミーバンプが形成された前記ウェハを
用いることを特徴とするバンプ形成方法。 - 【請求項５】 前記ウェハに複数のダミーバンプを形成
し、前記複数のダミーバンプの面積を、前記ウェハの中
央部から外周部に向けて徐々に小さくなるように形成す
る請求項４に記載のバンプ形成方法。 - 【請求項６】 メッキ液中にウェハとアノードとを対向
して設ける工程と、前記ウェハと前記アノードとの間に
電圧を印加する工程とにより前記ウェハにメッキを施し
てバンプを形成するバンプ形成方法において、あらかじ
めダミーパンブが形成された前記ウェハを用いることを
特徴とするバンプ形成方法。 - 【請求項７】 前記ウェハに複数のダミーバンプを形成
し、前記複数のダミーバンプの面積を、前記ウェハを前
記メッキ液槽中に入れたときの前記メッキ液槽中の深い
部分から浅い部分に向けて徐々に大きくなるように形成
する請求項６に記載のバンプ形成方法。 - 【請求項８】 前記ダミーバンプの形状を、三角形、矩
形および円形のいずれかとする請求項４から７のいずれ
か１項に記載のバンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12897097A JP3212266B2 (ja) | 1997-05-19 | 1997-05-19 | バンプ形成装置およびバンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12897097A JP3212266B2 (ja) | 1997-05-19 | 1997-05-19 | バンプ形成装置およびバンプ形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10321632A JPH10321632A (ja) | 1998-12-04 |
| JP3212266B2 true JP3212266B2 (ja) | 2001-09-25 |
Family
ID=14997918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12897097A Expired - Lifetime JP3212266B2 (ja) | 1997-05-19 | 1997-05-19 | バンプ形成装置およびバンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3212266B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100423721B1 (ko) * | 2001-10-11 | 2004-03-22 | 한국전자통신연구원 | 전극링을 가진 도금장치 |
| CN104313668B (zh) * | 2014-09-30 | 2017-03-15 | 苏州芯航元电子科技有限公司 | 电子产线用电化学处理槽 |
| JP2016089186A (ja) * | 2014-10-30 | 2016-05-23 | 京セラサーキットソリューションズ株式会社 | 電解めっき装置 |
| CN106550546B (zh) * | 2016-11-04 | 2020-03-27 | 奥士康精密电路（惠州）有限公司 | 一种低耗铜的印制线路板成型方法 |
-
1997
- 1997-05-19 JP JP12897097A patent/JP3212266B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10321632A (ja) | 1998-12-04 |
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