JP5790500B2 - 導電性高分子、導電性高分子の品質管理方法、および導電性高分子の精製方法 - Google Patents
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Description
本発明は、導電性高分子、導電性高分子の品質管理方法、および導電性高分子の精製方法に関する。
本願は、２０１０年３月２４日に、日本に出願された特願２０１０−０６８１５９号、２０１０年３月３１日に、日本に出願された特願２０１０−０８０７３４号、２０１０年５月２０日に、日本に出願された特願２０１０−１１６４８３号、２０１０年１１月１１日に、日本に出願された特願２０１０−２５２７１７号、２０１１年２月１６日に、日本に出願された特願２０１１−０３１３８８号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
本願は、２０１０年３月２４日に、日本に出願された特願２０１０−０６８１５９号、２０１０年３月３１日に、日本に出願された特願２０１０−０８０７３４号、２０１０年５月２０日に、日本に出願された特願２０１０−１１６４８３号、２０１０年１１月１１日に、日本に出願された特願２０１０−２５２７１７号、２０１１年２月１６日に、日本に出願された特願２０１１−０３１３８８号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
導電性高分子としては、ドープされたポリアニリンがよく知られている。
ポリアニリンの製造法としては、スルホン酸基やカルボキシル基などの酸性基で置換されたアニリン（酸性基置換アニリン）を、塩基性化合物を含む溶液中で重合する方法が提案されている（例えば特許文献３、４参照）。
従来、酸性基置換アニリンは、それ単独では重合しにくく、高分子量化が困難とされていたが、塩基性化合物を含む溶液中で重合する方法によれば、高分子量の重合体の製造が可能である。この方法で得られるポリアニリンは高分子量であり、酸性からアルカリ性のいずれの水溶液にも優れた溶解性を示す。
しかし、塩基性化合物を含む溶液中で酸性基置換アニリンを重合する方法は、副反応の併発や、それに基づくと考えられるオリゴマー成分の副生等が完全には抑制されず、これが導電性高分子中への不純物混入の要因および導電性向上の妨げとなっていた。
ポリアニリンの製造法としては、スルホン酸基やカルボキシル基などの酸性基で置換されたアニリン（酸性基置換アニリン）を、塩基性化合物を含む溶液中で重合する方法が提案されている（例えば特許文献３、４参照）。
従来、酸性基置換アニリンは、それ単独では重合しにくく、高分子量化が困難とされていたが、塩基性化合物を含む溶液中で重合する方法によれば、高分子量の重合体の製造が可能である。この方法で得られるポリアニリンは高分子量であり、酸性からアルカリ性のいずれの水溶液にも優れた溶解性を示す。
しかし、塩基性化合物を含む溶液中で酸性基置換アニリンを重合する方法は、副反応の併発や、それに基づくと考えられるオリゴマー成分の副生等が完全には抑制されず、これが導電性高分子中への不純物混入の要因および導電性向上の妨げとなっていた。
これら課題点を解決する方法として、例えば特許文献１には、得られた導電性ポリマーをプロトン酸を含む溶液で酸処理したり、酸処理後にメタノールやアセトンなどの有機溶剤で洗浄したりして、不純物を精製する方法が開示されている。
また、特許文献２には、塩基性化合物を含む溶液中で酸性基置換アニリンを重合する際に、重合触媒である酸化剤の溶液に酸性基置換アニリンと塩基性化合物を含む溶液を滴下することで、不純物を抑制する方法が開示されている。
また、特許文献２には、塩基性化合物を含む溶液中で酸性基置換アニリンを重合する際に、重合触媒である酸化剤の溶液に酸性基置換アニリンと塩基性化合物を含む溶液を滴下することで、不純物を抑制する方法が開示されている。
しかしながら、特許文献１、２に記載の方法で得られた導電性高分子を基材などに塗布して塗膜を形成すると、時間の経過と共に塗膜に異物が発生して、導電性が低下するという問題があった。
また、特許文献１に記載の方法は煩雑であり、導電性高分子の精製も不十分であった。そのため、特に硫酸イオン、オリゴマー、未反応のモノマーなどが不純物として残ってしまい、導電性や溶解性が低下するという問題があった。
また、特許文献１に記載の方法は煩雑であり、導電性高分子の精製も不十分であった。そのため、特に硫酸イオン、オリゴマー、未反応のモノマーなどが不純物として残ってしまい、導電性や溶解性が低下するという問題があった。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、塗膜にした際に、時間が経過しても異物が発生しにくい導電性高分子、および導電性高分子の品質管理方法、及び高い導電性と溶解性を有する導電性高分子を得るための精製方法を提供することを目的とする。
[１] 本発明は、下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有し、かつ、下記工程（Ｉ）〜（ＶＩ）を含む評価方法にて算出した面積比（Ｙ／Ｘ）が０．６０以下である導電性高分子。
（Ｉ）ｐＨが１０以上となるように調製した溶離液に、導電性高分子を固形分濃度が０．１質量％となるように溶解させて試験溶液を調製する工程。
（ＩＩ）試験溶液について、ゲルパーミエーションクロマトグラフを備えた高分子材料評価装置を使用して分子量分布を測定し、クロマトグラムを得る工程。
（ＩＩＩ）工程（ＩＩ）により得られたクロマトグラムについて、保持時間をポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算の分子量（Ｍ）へと換算する工程。
（ＩＶ）ポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算した分子量（Ｍ）において、分子量（Ｍ）が５０００Ｄａ以上の領域の面積（Ｘ）を求める工程。
（Ｖ）ポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算した分子量（Ｍ）において、分子量（Ｍ）が５０００Ｄａ未満の領域の面積（Ｙ）を求める工程。
（ＶＩ）面積（Ｘ）と面積（Ｙ）との面積比（Ｙ／Ｘ）を求める工程。
式（１）中、Ｒ１〜Ｒ４は、各々独立に、−Ｈ、炭素数１〜２４の直鎖もしくは分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖もしくは分岐のアルコキシ基、酸性基、水酸基、ニトロ基、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒまたは−Ｉであり、Ｒ１〜Ｒ４のうちの少なくとも一つは酸性基またはその塩である。
[２] 下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有する導電性高分子の品質管理方法であって、
下記工程（Ｉ）〜（ＶＩ）を含む評価方法にて算出した面積比（Ｙ／Ｘ）が０．６０以下である導電性高分子を選択する導電性高分子の品質管理方法。
（Ｉ）ｐＨが１０以上となるように調製した溶離液に、導電性高分子を固形分濃度が０．１質量％となるように溶解させて試験溶液を調製する工程。
（ＩＩ）試験溶液について、ゲルパーミエーションクロマトグラフを備えた高分子材料評価装置を使用して分子量分布を測定し、クロマトグラムを得る工程。
（ＩＩＩ）工程（ＩＩ）により得られたクロマトグラムについて、保持時間をポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算の分子量（Ｍ）へと換算する工程。
（ＩＶ）ポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算した分子量（Ｍ）において、分子量（Ｍ）が５０００Ｄａ以上の領域の面積（Ｘ）を求める工程。
（Ｖ）ポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算した分子量（Ｍ）において、分子量（Ｍ）が５０００Ｄａ未満の領域の面積（Ｙ）を求める工程。
（ＶＩ）面積（Ｘ）と面積（Ｙ）との面積比（Ｙ／Ｘ）を求める工程。
式（１）中、Ｒ１〜Ｒ４は、各々独立に、−Ｈ、炭素数１〜２４の直鎖もしくは分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖もしくは分岐のアルコキシ基、酸性基、水酸基、ニトロ基、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒまたは−Ｉであり、Ｒ１〜Ｒ４のうちの少なくとも一つは酸性基またはその塩である。
[３] 下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有する導電性高分子を、下記（ｉ）〜（ｉｉｉ）から選択される少なくとも1つの工程によって精製する方法。
（ｉ）前記導電性高分子を膜ろ過する工程。
（ｉｉ）前記導電性高分子を溶媒に分散または溶解させた後に、前記導電性高分子を含む溶媒を強塩基性陰イオン交換樹脂に接触させる工程。
（ｉｉｉ）前記導電性高分子を含む溶媒を炭素材料に接触させる工程。
式（１）中、Ｒ１〜Ｒ４は、各々独立に、−Ｈ、炭素数１〜２４の直鎖もしくは分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖もしくは分岐のアルコキシ基、酸性基、水酸基、ニトロ基、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒまたは−Ｉであり、Ｒ１〜Ｒ４のうちの少なくとも一つは酸性基またはその塩である。
（Ｉ）ｐＨが１０以上となるように調製した溶離液に、導電性高分子を固形分濃度が０．１質量％となるように溶解させて試験溶液を調製する工程。
（ＩＩ）試験溶液について、ゲルパーミエーションクロマトグラフを備えた高分子材料評価装置を使用して分子量分布を測定し、クロマトグラムを得る工程。
（ＩＩＩ）工程（ＩＩ）により得られたクロマトグラムについて、保持時間をポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算の分子量（Ｍ）へと換算する工程。
（ＩＶ）ポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算した分子量（Ｍ）において、分子量（Ｍ）が５０００Ｄａ以上の領域の面積（Ｘ）を求める工程。
（Ｖ）ポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算した分子量（Ｍ）において、分子量（Ｍ）が５０００Ｄａ未満の領域の面積（Ｙ）を求める工程。
（ＶＩ）面積（Ｘ）と面積（Ｙ）との面積比（Ｙ／Ｘ）を求める工程。
[２] 下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有する導電性高分子の品質管理方法であって、
下記工程（Ｉ）〜（ＶＩ）を含む評価方法にて算出した面積比（Ｙ／Ｘ）が０．６０以下である導電性高分子を選択する導電性高分子の品質管理方法。
（Ｉ）ｐＨが１０以上となるように調製した溶離液に、導電性高分子を固形分濃度が０．１質量％となるように溶解させて試験溶液を調製する工程。
（ＩＩ）試験溶液について、ゲルパーミエーションクロマトグラフを備えた高分子材料評価装置を使用して分子量分布を測定し、クロマトグラムを得る工程。
（ＩＩＩ）工程（ＩＩ）により得られたクロマトグラムについて、保持時間をポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算の分子量（Ｍ）へと換算する工程。
（ＩＶ）ポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算した分子量（Ｍ）において、分子量（Ｍ）が５０００Ｄａ以上の領域の面積（Ｘ）を求める工程。
（Ｖ）ポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算した分子量（Ｍ）において、分子量（Ｍ）が５０００Ｄａ未満の領域の面積（Ｙ）を求める工程。
（ＶＩ）面積（Ｘ）と面積（Ｙ）との面積比（Ｙ／Ｘ）を求める工程。
[３] 下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有する導電性高分子を、下記（ｉ）〜（ｉｉｉ）から選択される少なくとも1つの工程によって精製する方法。
（ｉ）前記導電性高分子を膜ろ過する工程。
（ｉｉ）前記導電性高分子を溶媒に分散または溶解させた後に、前記導電性高分子を含む溶媒を強塩基性陰イオン交換樹脂に接触させる工程。
（ｉｉｉ）前記導電性高分子を含む溶媒を炭素材料に接触させる工程。
本発明によれば、塗膜にした際に、時間が経過しても異物が発生しにくい導電性高分子、導電性高分子の品質管理方法を提供できる。
また、本発明によれば、高い導電性と溶解性を有する導電性高分子の精製方法を提供できる。
また、本発明によれば、高い導電性と溶解性を有する導電性高分子の精製方法を提供できる。
以下、本発明を詳細に説明する。
[導電性高分子]
本発明の導電性高分子は、下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有する。
本発明において「導電性」とは、１０９Ω・ｃｍ以下の体積抵抗率を有することである。
[導電性高分子]
本発明の導電性高分子は、下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有する。
本発明において「導電性」とは、１０９Ω・ｃｍ以下の体積抵抗率を有することである。
式（１）中、Ｒ１〜Ｒ４は、各々独立に、−Ｈ、炭素数１〜２４の直鎖もしくは分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖もしくは分岐のアルコキシ基、酸性基、水酸基、ニトロ基、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒまたは−Ｉであり、Ｒ１〜Ｒ４のうちの少なくとも一つは酸性基またはその塩である。
ここで、「酸性基」とはスルホン酸基またはカルボキシ基である。つまり、式（１）中、Ｒ１〜Ｒ４のうちの少なくとも一つは、−ＳＯ３ −、−ＳＯ３Ｈ、−ＣＯＯＨまたは−ＣＯＯ−である。また、「塩」とはアルカリ金属塩、アンモニウム塩、および置換アンモニウム塩のいずれかである。
中でも、製造が容易な点で、Ｒ１〜Ｒ４のうち、いずれか一つが炭素数１〜４の直鎖または分岐のアルコキシ基であり、他のいずれか一つが−ＳＯ３ −または−ＳＯ３Ｈであり、残りがＨであるものが好ましい。
ここで、「酸性基」とはスルホン酸基またはカルボキシ基である。つまり、式（１）中、Ｒ１〜Ｒ４のうちの少なくとも一つは、−ＳＯ３ −、−ＳＯ３Ｈ、−ＣＯＯＨまたは−ＣＯＯ−である。また、「塩」とはアルカリ金属塩、アンモニウム塩、および置換アンモニウム塩のいずれかである。
中でも、製造が容易な点で、Ｒ１〜Ｒ４のうち、いずれか一つが炭素数１〜４の直鎖または分岐のアルコキシ基であり、他のいずれか一つが−ＳＯ３ −または−ＳＯ３Ｈであり、残りがＨであるものが好ましい。
導電性高分子は、当該導電性高分子を構成する全繰り返し単位（１００モル％）のうち、上記一般式（１）で表される繰り返し単位を２０〜１００モル％含有することが好ましく、５０〜１００モル％含有することがより好ましく、ｐＨに関係なく水および有機溶剤への溶解性に優れる点で、１００モル％含有することが特に好ましい。
また、導電性高分子は、導電性に優れる観点で、上記一般（１）で表される繰り返し単位を１分子中に１０以上含有することが好ましい。
また、導電性高分子は、導電性に優れる観点で、上記一般（１）で表される繰り返し単位を１分子中に１０以上含有することが好ましい。
導電性高分子としては、下記一般式（２）で表される構造を有する化合物が好ましい。
式（２）中、Ｒ５〜Ｒ２０は、各々独立に、酸性基、−Ｈ、炭素数１〜２４の直鎖もしくは分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖もしくは分岐のアルコキシ基、水酸基、ニトロ基、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒまたは−Ｉであり、Ｒ５〜Ｒ２０のうち少なくとも一つは酸性基である。また、ｎは重合度を示す。
上記一般式（２）で表される構造を有する化合物の中でも、溶解性に優れる点で、ポリ（２−スルホ−５−メトキシ−１，４−イミノフェニレン）が特に好ましい。
また、本発明の導電性高分子は、下記工程（Ｉ）〜（ＶＩ）を含む評価方法にて算出した面積比（Ｙ／Ｘ）が０．６０以下である。
（Ｉ）ｐＨが１０以上となるように調製した溶離液に、導電性高分子を固形分濃度が０．１質量％となるように溶解させて試験溶液を調製する工程（工程（Ｉ））。
（ＩＩ）試験溶液について、ゲルパーミエーションクロマトグラフを備えた高分子材料評価装置を使用して分子量分布を測定し、クロマトグラムを得る工程（工程（ＩＩ））。
（ＩＩＩ）工程（ＩＩ）により得られたクロマトグラムについて、保持時間をポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算の分子量（Ｍ）へと換算する工程（工程（ＩＩＩ））。
（ＩＶ）ポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算した分子量（Ｍ）において、分子量（Ｍ）が５０００Ｄａ以上の領域の面積（Ｘ）を求める工程（工程（ＩＶ））。
（Ｖ）ポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算した分子量（Ｍ）において、分子量（Ｍ）が５０００Ｄａ未満の領域の面積（Ｙ）を求める工程（工程（Ｖ））。
（ＶＩ）面積（Ｘ）と面積（Ｙ）との面積比（Ｙ／Ｘ）を求める工程（工程（ＶＩ））。
（Ｉ）ｐＨが１０以上となるように調製した溶離液に、導電性高分子を固形分濃度が０．１質量％となるように溶解させて試験溶液を調製する工程（工程（Ｉ））。
（ＩＩ）試験溶液について、ゲルパーミエーションクロマトグラフを備えた高分子材料評価装置を使用して分子量分布を測定し、クロマトグラムを得る工程（工程（ＩＩ））。
（ＩＩＩ）工程（ＩＩ）により得られたクロマトグラムについて、保持時間をポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算の分子量（Ｍ）へと換算する工程（工程（ＩＩＩ））。
（ＩＶ）ポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算した分子量（Ｍ）において、分子量（Ｍ）が５０００Ｄａ以上の領域の面積（Ｘ）を求める工程（工程（ＩＶ））。
（Ｖ）ポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算した分子量（Ｍ）において、分子量（Ｍ）が５０００Ｄａ未満の領域の面積（Ｙ）を求める工程（工程（Ｖ））。
（ＶＩ）面積（Ｘ）と面積（Ｙ）との面積比（Ｙ／Ｘ）を求める工程（工程（ＶＩ））。
工程（Ｉ）は、導電性高分子を溶離液に溶解させて、試験溶液を調製する工程である。
溶離液は、溶媒に溶質が溶解した液である。溶媒としては、水、アセトニトリル、アルコール（メタノール、エタノールなど）、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、およびこれらの混合溶媒などが挙げられる。
溶質としては、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、リン酸二水素ナトリウム、リン酸三ナトリウム、リン酸水素二ナトリウム、グリシン、水酸化ナトリウム、塩化カリウム、ホウ酸などが挙げられる。
溶離液は、溶媒に溶質が溶解した液である。溶媒としては、水、アセトニトリル、アルコール（メタノール、エタノールなど）、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、およびこれらの混合溶媒などが挙げられる。
溶質としては、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、リン酸二水素ナトリウム、リン酸三ナトリウム、リン酸水素二ナトリウム、グリシン、水酸化ナトリウム、塩化カリウム、ホウ酸などが挙げられる。
工程（Ｉ）で用いる溶離液のｐＨは１０以上である。ｐＨが１０未満であると、定量値がぶれることがある。ｐＨが１０以上の溶離液を用いることで、安定した測定結果が得られる。
ｐＨが１０以上の溶離液は、例えば以下のようにして調製することができる。
まず、水（超純水）とメタノールを、容積比が水：メタノール＝８：２となるように混合して、混合溶媒を得る。ついで、得られた混合溶媒に、炭酸ナトリウムと炭酸水素ナトリウムを、それぞれの固形分濃度が２０ｍｍｏｌ／Ｌ、３０ｍｍｏｌ／Ｌになるように添加して、溶離液を得る。
このようにして得られる溶離液は２５℃でのｐＨが１０．８である。
なお、溶離液のｐＨは、溶離液の温度を２５℃に保持した状態で、ｐＨメータを用いて測定した値である。
ｐＨが１０以上の溶離液は、例えば以下のようにして調製することができる。
まず、水（超純水）とメタノールを、容積比が水：メタノール＝８：２となるように混合して、混合溶媒を得る。ついで、得られた混合溶媒に、炭酸ナトリウムと炭酸水素ナトリウムを、それぞれの固形分濃度が２０ｍｍｏｌ／Ｌ、３０ｍｍｏｌ／Ｌになるように添加して、溶離液を得る。
このようにして得られる溶離液は２５℃でのｐＨが１０．８である。
なお、溶離液のｐＨは、溶離液の温度を２５℃に保持した状態で、ｐＨメータを用いて測定した値である。
ｐＨが１０以上の溶離液の調製方法は上述した方法に限定されず、例えば水とメタノールの混合溶媒（水：メタノール＝８：２）を用いて、固形分濃度が２０ｍｍｏｌ／Ｌの炭酸ナトリウムと、固形分濃度が３０ｍｍｏｌ／Ｌの炭酸水素ナトリウムを別々に調製し、これらを混合して溶離液としてもよい。
導電性高分子は、溶離液に加えたときの固形分濃度が０．１質量％になれば、固体状で溶離液に添加して溶解させてもよいし、予め溶媒に溶解させて導電性高分子溶液とし、この導電性高分子溶液を溶離液に添加してもよい。試験溶液中の導電性高分子の固形分濃度が０．１質量％であれば、溶離液のｐＨ緩衝作用が十分に発揮され、安定した測定結果が得られる。
なお、導電性高分子溶液を用いる場合、溶離液に加えたときに導電性高分子の固形分濃度が０．１質量％になれば、導電性高分子溶液の固形分濃度については特に制限されないが、１．０質量％以上が好ましい。導電性高分子溶液の固形分濃度が１．０質量％未満であると、溶離液に加えたときに溶離液のｐＨ緩衝作用が十分に働かず、試験溶液のｐＨが１０未満となり、定量値がぶれて、安定した測定結果が得られにくくなる。
また、導電性高分子溶液に用いる溶媒としては、後述する導電性高分子が可溶な溶媒が挙げられる。中でも、水が好ましい。
なお、導電性高分子溶液を用いる場合、溶離液に加えたときに導電性高分子の固形分濃度が０．１質量％になれば、導電性高分子溶液の固形分濃度については特に制限されないが、１．０質量％以上が好ましい。導電性高分子溶液の固形分濃度が１．０質量％未満であると、溶離液に加えたときに溶離液のｐＨ緩衝作用が十分に働かず、試験溶液のｐＨが１０未満となり、定量値がぶれて、安定した測定結果が得られにくくなる。
また、導電性高分子溶液に用いる溶媒としては、後述する導電性高分子が可溶な溶媒が挙げられる。中でも、水が好ましい。
工程（ＩＩ）は、試験溶液について、高分子材料評価装置を使用して、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により分子量分布を測定する工程である。
高分子材料評価装置は、ゲルパーミエーションクロマトグラフを備えており、分子量の大きさにより化合物（ポリマー、オリゴマー、モノマー）を分離して分析できる。
ゲルパーミエーションクロマトグラフには、フォトダイオードアレイ検出器、ＵＶ検出器などの検出器が接続されている。
高分子材料評価装置は、ゲルパーミエーションクロマトグラフを備えており、分子量の大きさにより化合物（ポリマー、オリゴマー、モノマー）を分離して分析できる。
ゲルパーミエーションクロマトグラフには、フォトダイオードアレイ検出器、ＵＶ検出器などの検出器が接続されている。
工程（ＩＩ）では、ＧＰＣにより例えば図１に示すようなクロマトグラムが得られる。
図１に示すクロマトグラムは、縦軸が吸光度、横軸が保持時間であり、高分子量体は比較的短い保持時間で検出され、低分子量体は比較的長い保持時間で検出される。
図１に示すクロマトグラムは、縦軸が吸光度、横軸が保持時間であり、高分子量体は比較的短い保持時間で検出され、低分子量体は比較的長い保持時間で検出される。
工程（ＩＩＩ）は、工程（ＩＩ）により得られたクロマトグラムについて、保持時間をポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算の分子量（Ｍ）へと換算する工程である。
具体的には、ピークトップ分子量が２０６、１０３０、４２１０、１３５００、３３５００、７８４００、１５８０００、２３５００００のポリスチレンスルホン酸ナトリウムを標準試料として用い、試験溶液と同様にして、各標準試料を固形分濃度が０．０５質量％、ただし、ピークトップ分子量が２０６の標準試料のみは固形分濃度が０．００２５質量％となるように溶離液に溶解させて、標準溶液を調製する。そして、各標準溶液についてＧＰＣにより保持時間と分子量の関係を求め、検量線を作成する。作成した検量線から、工程（ＩＩ）で得られたクロマトグラムについて、保持時間をポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算の分子量（Ｍ）へと換算する。
具体的には、ピークトップ分子量が２０６、１０３０、４２１０、１３５００、３３５００、７８４００、１５８０００、２３５００００のポリスチレンスルホン酸ナトリウムを標準試料として用い、試験溶液と同様にして、各標準試料を固形分濃度が０．０５質量％、ただし、ピークトップ分子量が２０６の標準試料のみは固形分濃度が０．００２５質量％となるように溶離液に溶解させて、標準溶液を調製する。そして、各標準溶液についてＧＰＣにより保持時間と分子量の関係を求め、検量線を作成する。作成した検量線から、工程（ＩＩ）で得られたクロマトグラムについて、保持時間をポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算の分子量（Ｍ）へと換算する。
工程（ＩＶ）は、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算した分子量（Ｍ）において、例えば図１に示すように、分子量（Ｍ）が５０００Ｄａ以上の領域（ｘ）の面積（Ｘ）を求める工程である。
また、工程（Ｖ）は、分子量（Ｍ）が５０００Ｄａ未満の領域（ｙ）の面積（Ｙ）を求める工程である。
工程（ＶＩ）は、面積（Ｘ）と面積（Ｙ）との面積比（Ｙ／Ｘ）を求める工程である。
また、工程（Ｖ）は、分子量（Ｍ）が５０００Ｄａ未満の領域（ｙ）の面積（Ｙ）を求める工程である。
工程（ＶＩ）は、面積（Ｘ）と面積（Ｙ）との面積比（Ｙ／Ｘ）を求める工程である。
本発明の導電性高分子は、上述した評価方法により算出した面積比（Ｙ／Ｘ）が０．６０以下である。面積比（Ｙ／Ｘ）が０．６０以下であれば、時間が経過しても導電性高分子より形成される塗膜に異物が発生しにくく、導電性の低下を抑制できる。かかる理由は以下のように考えられる。
導電性高分子には、その製造過程において副生するオリゴマーや、未反応のモノマーなどが不純物として含まれている。これらオリゴマーやモノマーは、塗膜の形成直後には現れないが、時間の経過と共に徐々に析出するため、異物として塗膜上に発生するものと考えられる。
面積（Ｙ）は、分子量（Ｍ）が５０００Ｄａ未満の領域の面積であり、この領域には主にオリゴマーやモノマーといった異物の原因となる低分子量体が存在する。面積比（Ｙ／Ｘ）が０．６０以下であれば、導電性高分子に含まれる低分子量体の割合が少ないので、時間が経過しても導電性高分子より形成される塗膜に異物が発生しにくい。
なお、面積比（Ｙ／Ｘ）の値が小さいほど、導電性高分子に含まれる低分子量体の割合が少ない。従って、面積比（Ｙ／Ｘ）の値は小さくなるほど好ましく、具体的には０．５０以下が好ましく、０．４０以下がより好ましい。
面積（Ｙ）は、分子量（Ｍ）が５０００Ｄａ未満の領域の面積であり、この領域には主にオリゴマーやモノマーといった異物の原因となる低分子量体が存在する。面積比（Ｙ／Ｘ）が０．６０以下であれば、導電性高分子に含まれる低分子量体の割合が少ないので、時間が経過しても導電性高分子より形成される塗膜に異物が発生しにくい。
なお、面積比（Ｙ／Ｘ）の値が小さいほど、導電性高分子に含まれる低分子量体の割合が少ない。従って、面積比（Ｙ／Ｘ）の値は小さくなるほど好ましく、具体的には０．５０以下が好ましく、０．４０以下がより好ましい。
面積比（Ｙ／Ｘ）が０．６０以下の導電性高分子を得るためには、製造過程に精製工程を取り入れればよい。なお、本発明において「精製」とは、モノマー、オリゴマー、低分子量体や不純物の除去をいう。
まず、化学重合または電解重合などの各種合成法によって、導電性高分子を合成する。具体的には、下記一般式（３）で表される酸性基置換アニリン、そのアルカリ金属塩、アンモニウム塩および置換アンモニウム塩よりなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物（モノマー）を、塩基性化合物の存在下、酸化剤を用いて重合する（重合工程）。
まず、化学重合または電解重合などの各種合成法によって、導電性高分子を合成する。具体的には、下記一般式（３）で表される酸性基置換アニリン、そのアルカリ金属塩、アンモニウム塩および置換アンモニウム塩よりなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物（モノマー）を、塩基性化合物の存在下、酸化剤を用いて重合する（重合工程）。
式（３）中、Ｒ２１〜Ｒ２５は、各々独立に、−Ｈ、炭素数１〜２４の直鎖もしくは分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖もしくは分岐のアルコキシ基、酸性基、水酸基、ニトロ基、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒまたは−Ｉであり、Ｒ２１〜Ｒ２５のうちの少なくとも一つは酸性基またはその塩である。
（モノマー）
上記一般式（３）で表される酸性基置換アニリンとしては、酸性基としてスルホン酸基を有するスルホン酸基置換アニリン、酸性基としてカルボキシ基を有するカルボキシ基置換アニリンが挙げられる。
スルホン基置換アニリンとして代表的なものはアミノベンゼンスルホン酸類であり、具体的にはｏ−，ｍ−，ｐ−アミノベンゼンスルホン酸、アニリン−２，６−ジスルホン酸、アニリン−２，５−ジスルホン酸、アニリン−３，５−ジスルホン酸、アニリン−２，４−ジスルホン酸、アニリン−３，４−ジスルホン酸などが好ましく用いられる。
アミノベンゼンスルホン酸類以外のその他のスルホン基置換アニリンとしては、例えはメチルアミノベンゼンスルホン酸、エチルアミノベンゼンスルホン酸、ｎ−プロピルアミノベンゼンスルホン酸、ｉｓｏ−プロピルアミノベンゼンスルホン酸、ｎ−ブチルアミノベンゼンスルホン酸、ｓｅｃ−ブチルアミノベンゼンスルホン酸、ｔ−ブチルアミノベンゼンスルホン酸等のアルキル基置換アミノベンゼンスルホン酸類；メトキシアミノベンゼンスルホン酸、エトキシアミノベンゼンスルホン酸、プロポキシアミノベンゼンスルホン酸等のアルコキシ基置換アミノベンゼンスルホン酸類；ヒドロキシ基置換アミノベンゼンスルホン酸類；ニトロ基置換アミノベンゼンスルホン酸類；フルオロアミノベンゼンスルホン酸、クロロアミノベンゼンスルホン酸、ブロムアミノベンゼンスルホン酸等のハロゲン置換アミノベンゼンスルホン酸類などを挙げることができる。その他のスルホン基置換アニリンの中では、導電性や溶解性に特に優れる導電性高分子が得られる点で、アルキル基置換アミノベンゼンスルホン酸類、アルコキシ基置換アミノベンゼンスルホン酸類、ヒドロキシ基置換アミノベンゼンスルホン酸類、またはハロゲン置換アミノベンゼンスルホン酸類が好ましい。
これらのスルホン酸基置換アニリンはそれぞれ単独で用いてもよく、２種以上を任意の割合で混合して用いてもよい。
上記一般式（３）で表される酸性基置換アニリンとしては、酸性基としてスルホン酸基を有するスルホン酸基置換アニリン、酸性基としてカルボキシ基を有するカルボキシ基置換アニリンが挙げられる。
スルホン基置換アニリンとして代表的なものはアミノベンゼンスルホン酸類であり、具体的にはｏ−，ｍ−，ｐ−アミノベンゼンスルホン酸、アニリン−２，６−ジスルホン酸、アニリン−２，５−ジスルホン酸、アニリン−３，５−ジスルホン酸、アニリン−２，４−ジスルホン酸、アニリン−３，４−ジスルホン酸などが好ましく用いられる。
アミノベンゼンスルホン酸類以外のその他のスルホン基置換アニリンとしては、例えはメチルアミノベンゼンスルホン酸、エチルアミノベンゼンスルホン酸、ｎ−プロピルアミノベンゼンスルホン酸、ｉｓｏ−プロピルアミノベンゼンスルホン酸、ｎ−ブチルアミノベンゼンスルホン酸、ｓｅｃ−ブチルアミノベンゼンスルホン酸、ｔ−ブチルアミノベンゼンスルホン酸等のアルキル基置換アミノベンゼンスルホン酸類；メトキシアミノベンゼンスルホン酸、エトキシアミノベンゼンスルホン酸、プロポキシアミノベンゼンスルホン酸等のアルコキシ基置換アミノベンゼンスルホン酸類；ヒドロキシ基置換アミノベンゼンスルホン酸類；ニトロ基置換アミノベンゼンスルホン酸類；フルオロアミノベンゼンスルホン酸、クロロアミノベンゼンスルホン酸、ブロムアミノベンゼンスルホン酸等のハロゲン置換アミノベンゼンスルホン酸類などを挙げることができる。その他のスルホン基置換アニリンの中では、導電性や溶解性に特に優れる導電性高分子が得られる点で、アルキル基置換アミノベンゼンスルホン酸類、アルコキシ基置換アミノベンゼンスルホン酸類、ヒドロキシ基置換アミノベンゼンスルホン酸類、またはハロゲン置換アミノベンゼンスルホン酸類が好ましい。
これらのスルホン酸基置換アニリンはそれぞれ単独で用いてもよく、２種以上を任意の割合で混合して用いてもよい。
カルボキシル基置換アニリンとして代表的なものはアミノベンゼンカルボン酸類であり、具体的にはｏ−，ｍ−，ｐ−アミノベンゼンカルボン酸、アニリン−２，６−ジカルボン酸、アニリン−２，５−ジカルボン酸、アニリン−３，５−ジカルボン酸、アニリン−２，４−ジカルボン酸、アニリン−３，４−ジカルボン酸などが好ましく用いられる。
アミノベンゼンカルボン酸類以外のその他のカルボキシル基置換アニリンとしては、例えばメチルアミノベンゼンカルボン酸、エチルアミノベンゼンカルボン酸，ｎ−プロピルアミノベンゼンカルボン酸、ｉｓｏ−プロピルアミノベンゼンカルボン酸、ｎ−ブチルアミノベンゼンカルボン酸、ｓｅｃ−ブチルアミノベンゼンカルボン酸、ｔ−ブチルアミノベンゼンカルボン酸等のアルキル基置換アミノベンゼンカルボン酸類；メトキシアミノベンゼンカルボン酸、エトキシアミノベンゼンカルボン酸、プロポキシアミノベンゼンカルボン酸等のアルコキシ基置換アミノベンゼンカルボン酸類；ヒドロキシ基置換アミノベンゼンカルボン酸類；ニトロ基置換アミノベンゼンカルボン酸類；フルオロアミノベンゼンカルボン酸、クロロアミノベンゼンカルボン酸、ブロムアミノベンゼンカルボン酸等のハロゲン基置換アミノベンゼンカルボン酸類などが挙げられる。その他のカルボキシル基置換アニリンの中では、導電性や溶解性に特に優れる導電性高分子が得られる点で、アルキル基置換アミノベンゼンカルボン酸類、アルコキシ基置換アミノベンゼンカルボン酸類またはハロゲン基置換アミノベンゼンスルホン酸類が実用上好ましい。
これらのカルボキシル基置換アニリンはそれぞれ１種単独で用いてもよいし、２種（異性体を含む。）以上を任意の割合で混合して用いてもよい。
アミノベンゼンカルボン酸類以外のその他のカルボキシル基置換アニリンとしては、例えばメチルアミノベンゼンカルボン酸、エチルアミノベンゼンカルボン酸，ｎ−プロピルアミノベンゼンカルボン酸、ｉｓｏ−プロピルアミノベンゼンカルボン酸、ｎ−ブチルアミノベンゼンカルボン酸、ｓｅｃ−ブチルアミノベンゼンカルボン酸、ｔ−ブチルアミノベンゼンカルボン酸等のアルキル基置換アミノベンゼンカルボン酸類；メトキシアミノベンゼンカルボン酸、エトキシアミノベンゼンカルボン酸、プロポキシアミノベンゼンカルボン酸等のアルコキシ基置換アミノベンゼンカルボン酸類；ヒドロキシ基置換アミノベンゼンカルボン酸類；ニトロ基置換アミノベンゼンカルボン酸類；フルオロアミノベンゼンカルボン酸、クロロアミノベンゼンカルボン酸、ブロムアミノベンゼンカルボン酸等のハロゲン基置換アミノベンゼンカルボン酸類などが挙げられる。その他のカルボキシル基置換アニリンの中では、導電性や溶解性に特に優れる導電性高分子が得られる点で、アルキル基置換アミノベンゼンカルボン酸類、アルコキシ基置換アミノベンゼンカルボン酸類またはハロゲン基置換アミノベンゼンスルホン酸類が実用上好ましい。
これらのカルボキシル基置換アニリンはそれぞれ１種単独で用いてもよいし、２種（異性体を含む。）以上を任意の割合で混合して用いてもよい。
また、上記一般式（３）で表される酸性基置換アニリンは、スルホン基置換アルキルアニリン、カルボキシル基置換アルキルアニリン、スルホン基置換アルコキシアニリン、カルボキシル基置換アルコキシアニリン、スルホン基置換ヒドロキシアニリン、カルボキシル基置換ヒドロキシアニリン、スルホン基置換ニトロアニリン、カルボキシル基置換ニトロアニリン、スルホン基置換フルオロアニリン、カルボキシル基置換フルオロアニリン、スルホン基置換クロロアニリン、カルボキシル基置換クロロアニリン、スルホン基置換ブロムアニリン、あるいはカルボキシル基置換ブロムアニリンの何れかとして表現することができる。これらの置換基の位置と組合せの具体例を表１に示す。
表１中の略号は以下の通りである。
Ａ：スルホン基またはカルボキシル基、そのアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩および置換アンモニウム塩から選ばれた一つの基を示す。
Ｂ：メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基 、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基などのアルコキシ基、ヒドロキシ基、フルオロ基、クロロ基、ブロム基などのハロゲン基から選ばれた一つの基を示す。
Ｈ：水素原子を示す。
Ａ：スルホン基またはカルボキシル基、そのアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩および置換アンモニウム塩から選ばれた一つの基を示す。
Ｂ：メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基 、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基などのアルコキシ基、ヒドロキシ基、フルオロ基、クロロ基、ブロム基などのハロゲン基から選ばれた一つの基を示す。
Ｈ：水素原子を示す。
（塩基性化合物）
塩基性化合物としては、無機塩基、アンモニア、脂式アミン類、環式飽和アミン類、環式不飽和アミン類などが用いられる。
無機塩基としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウムなどの水酸化物の塩などが挙げられる。これらのなかでも、水酸化ナトリウムが好ましい。
塩基性化合物としては、無機塩基、アンモニア、脂式アミン類、環式飽和アミン類、環式不飽和アミン類などが用いられる。
無機塩基としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウムなどの水酸化物の塩などが挙げられる。これらのなかでも、水酸化ナトリウムが好ましい。
脂式アミン類としては、下記一般式（４）で表される化合物、または下記一般式（５）で表されるアンモニウムヒドロキシド化合物などが挙げられる。
式（４）中、Ｒ26〜Ｒ28は、各々独立に、炭素数１〜４のアルキル基である。
式（５）中、Ｒ29〜Ｒ32は、各々独立に、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基である。
環式飽和アミン類としては、ピペリジン、ピロリジン、モルホリン、ピペラジンおよびこれらの骨格を有する誘導体、ならびにこれらのアンモニウムヒドロキシド化合物などが挙げられる。
環式不飽和アミン類としては、ピリジン、α−ピコリン、β−ピコリン、γ−ピコリン、キノリン、イソキノリン、ピロリンおよびこれらの骨格を有する誘導体、ならびにこれらのアンモニウムヒドロキシド化合物などが挙げられる。
環式不飽和アミン類としては、ピリジン、α−ピコリン、β−ピコリン、γ−ピコリン、キノリン、イソキノリン、ピロリンおよびこれらの骨格を有する誘導体、ならびにこれらのアンモニウムヒドロキシド化合物などが挙げられる。
塩基性化合物としては、無機塩基が好ましい。また、無機塩基以外の塩基性化合物の中では、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチルメチルアミン、エチルジメチルアミン、ジエチルメチルアミン、ピリジン、α−ピコリン、β−ピコリン、γ−ピコリン等が好ましく用いられる。
無機塩類やこれらの塩基性化合物も用いれば、高導電性で、かつ高純度な導電性高分子を得ることができる。
これらの塩基性化合物はそれぞれ１種単独で用いてもよいし、２種以上を任意の割合で混合して用いてもよい。
無機塩類やこれらの塩基性化合物も用いれば、高導電性で、かつ高純度な導電性高分子を得ることができる。
これらの塩基性化合物はそれぞれ１種単独で用いてもよいし、２種以上を任意の割合で混合して用いてもよい。
塩基性化合物の濃度は０．１ｍｏｌ／Ｌ以上が好ましく、より好ましくは０．１〜１０．０ｍｏｌ／Ｌであり、特に好ましくは０．２〜８．０ｍｏｌ／Ｌである。塩基性化合物の濃度が０．１ｍｏｌ／Ｌ以上であれば、導電性高分子を高収率で得ることができる。一方、塩基性化合物の濃度が１０．０ｍｏｌ／Ｌ以下であれば、得られる導電性高分子の導電性が向上する傾向にある。
前記モノマーと塩基性化合物の質量比は、モノマー：塩基性化合物＝１：１００〜１００：１であることが好ましく、より好ましくは１０：９０〜９０：１０である。ここで、塩基性化合物の割合が低いと反応性が低下したり、得られる導電性高分子の導電性が低下したりすることがある。一方、塩基性化合物の割合が高いと、得られる導電性高分子中の酸性基と塩基性化合物が塩を形成する割合が高くなり、導電性高分子の導電性が低下することがある。
（酸化剤）
酸化剤としては、標準電極電位が０．６Ｖ以上である酸化剤であれば限定はないが、例えばペルオキソ二硫酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸ナトリウム、ペルオキソ二硫酸カリウム等のペルオキソ二硫酸類；過酸化水素等を用いることが好ましい。
これらの酸化剤は、それぞれ１種単独で用いてもよいし、２種以上を任意の割合で混合して用いてもよい。
酸化剤としては、標準電極電位が０．６Ｖ以上である酸化剤であれば限定はないが、例えばペルオキソ二硫酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸ナトリウム、ペルオキソ二硫酸カリウム等のペルオキソ二硫酸類；過酸化水素等を用いることが好ましい。
これらの酸化剤は、それぞれ１種単独で用いてもよいし、２種以上を任意の割合で混合して用いてもよい。
酸化剤の使用量は、前記モノマー１モルに対して１〜５モルが好ましく、より好ましくは１〜３モルである。
本発明においては、モノマーに対して酸化剤がモル比で等モル以上存在している系にて重合を行うことが重要である。また、触媒として、鉄、銅などの遷移金属化合物を酸化剤と併用することも有効である。
本発明においては、モノマーに対して酸化剤がモル比で等モル以上存在している系にて重合を行うことが重要である。また、触媒として、鉄、銅などの遷移金属化合物を酸化剤と併用することも有効である。
（重合）
重合の方法としては、例えば酸化剤溶液中にモノマーと塩基性化合物の混合溶液を滴下する方法、モノマーと塩基性化合物の混合溶液に酸化剤溶液を滴下する方法、反応容器等にモノマーと塩基性化合物の混合溶液と、酸化剤溶液を同時に滴下する方法などが挙げられる。
重合の方法としては、例えば酸化剤溶液中にモノマーと塩基性化合物の混合溶液を滴下する方法、モノマーと塩基性化合物の混合溶液に酸化剤溶液を滴下する方法、反応容器等にモノマーと塩基性化合物の混合溶液と、酸化剤溶液を同時に滴下する方法などが挙げられる。
重合に使用する溶媒としては、水、または水と水溶性有機溶媒との混合溶媒が挙げられる。水溶性有機溶媒としては、水と混合するものであれば限定されず、例えばメタノール、エタノール、２−プロパノール、アセトン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどが挙げられる。
なお、溶媒として混合溶媒を用いる場合、水と水溶性有機溶媒との混合比は任意であるが、水：水溶性有機溶媒＝１：１００〜１００：１が好ましい。
なお、溶媒として混合溶媒を用いる場合、水と水溶性有機溶媒との混合比は任意であるが、水：水溶性有機溶媒＝１：１００〜１００：１が好ましい。
本発明においては、重合時の反応系内のｐＨが７以下となるように調整することが好ましく、より好ましくはｐＨが６以下である。ここで、反応系内のｐＨが７以下であれば、副反応が進行しにくくなり、不純物やオリゴマー成分の生成が抑制され、結果として、得られるポリマーの導電性や純度等が向上する。
重合時の反応系内のｐＨは、プロトン酸の添加により調整できる。
プロトン酸としては、塩酸、硝酸、硫酸、ホウ化フッ素酸等の鉱酸類、トリフルオロメタンスルホン酸等の超強酸類、メタンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、カンファスルホン酸等の有機スルホン酸類、およびポリスチレンスルホン酸、ポリアクリル酸、ポリビニルスルホン酸、ポリ−２−メチルプロパン−２−アクリルアミドスルホン酸等の高分子酸類などが挙げられる。これらの中でも、塩酸、硝酸、硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸等が好ましい。
プロトン酸としては、塩酸、硝酸、硫酸、ホウ化フッ素酸等の鉱酸類、トリフルオロメタンスルホン酸等の超強酸類、メタンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、カンファスルホン酸等の有機スルホン酸類、およびポリスチレンスルホン酸、ポリアクリル酸、ポリビニルスルホン酸、ポリ−２−メチルプロパン−２−アクリルアミドスルホン酸等の高分子酸類などが挙げられる。これらの中でも、塩酸、硝酸、硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸等が好ましい。
プロトン酸の添加量は、酸化剤の析出がない範囲であれば特に限定されない。特に、モル比でプロトン酸：酸化剤＝０．０１：１００〜５０：１００が好ましく、０．０１：１００〜４５：１００がより好ましい。プロトン酸の添加量が上記範囲内であれば、反応進行の妨げとなりにくく、不純物やオリゴマー成分の生成が抑制され、結果として、得られるポリマーの導電性や純度等が向上する。
重合後は、通常、遠心分離器等の濾過器により溶媒をろ別する。さらに、必要に応じてろ過物を洗浄液により洗浄した後、乾燥させて、重合体（導電性高分子）を得る。
洗浄液としては、例えばメタノール、エタノール、２−プロパノール、１−プロパノール、ｔ−ブタノール等のアルコール類、アセトン、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド，Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド等が、高純度のものが得られるため好ましい。特にメタノール、エタノール、２−プロパノール、アセトン、アセトニトリルが効果的である。
[導電性高分子精製方法]
洗浄液としては、例えばメタノール、エタノール、２−プロパノール、１−プロパノール、ｔ−ブタノール等のアルコール類、アセトン、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド，Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド等が、高純度のものが得られるため好ましい。特にメタノール、エタノール、２−プロパノール、アセトン、アセトニトリルが効果的である。
[導電性高分子精製方法]
このようにして得られた導電性高分子を精製して、本発明の導電性高分子とする（精製工程）。なお、精製前の導電性高分子を「未精製の導電性高分子」という。
本発明の導電性高分子の精製方法は、一般式（１）で表される繰り返し単位を有する導電性高分子を精製する方法である。また、「精製」とは、モノマー、オリゴマー、低分子量体や不純物等を含む粗な前記導電性高分子から、目的の前記導電性高分子以外の物質を除去することをいう。なお、本発明において表面抵抗率と体積抵抗率の関係は、「体積抵抗率＝表面抵抗率×測定試料の膜厚」を意味する。
尚、未精製の導電性高分子を精製する方法としては、膜ろ過法、陰イオン交換法、炭素材料処理法（活性炭処理法、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）処理法）などの方法が挙げられる。
未精製の導電性高分子を上述した方法で精製する場合は、水などの溶媒に溶解させた状態（試料液）で用いる。
（膜ろ過法）
本発明の導電性高分子の精製方法は、一般式（１）で表される繰り返し単位を有する導電性高分子を精製する方法である。また、「精製」とは、モノマー、オリゴマー、低分子量体や不純物等を含む粗な前記導電性高分子から、目的の前記導電性高分子以外の物質を除去することをいう。なお、本発明において表面抵抗率と体積抵抗率の関係は、「体積抵抗率＝表面抵抗率×測定試料の膜厚」を意味する。
尚、未精製の導電性高分子を精製する方法としては、膜ろ過法、陰イオン交換法、炭素材料処理法（活性炭処理法、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）処理法）などの方法が挙げられる。
未精製の導電性高分子を上述した方法で精製する場合は、水などの溶媒に溶解させた状態（試料液）で用いる。
（膜ろ過法）
膜ろ過で使用するろ過膜としては、透過膜を用いるのが好ましく、未反応モノマー、低分子量物（オリゴマー）、および不純物を除去することを考慮すると、限外ろ過膜が特に好ましい。
限外ろ過膜の材質としては、セルロース、セルロースアセテート、ポリサルホン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリエーテルスルホン、ポリフッ化ビニリデン等の有機膜やセラミック等の無機膜、もしくは有機-無機のハイブリッド膜等など、通常、限外ろ過膜の材質として使用するものであれば、特に制限はないが、特に耐溶剤性に優れており、薬液洗浄などのメンテナンスが容易であるセラミックス膜などが好適である。
また、限外ろ過膜としては、有機膜では、分画分子量が１０００〜１０００００の範囲内に収まる限外ろ過膜が好ましく、より好ましくは、５０００〜５００００の範囲内に収まる限外ろ過膜であり、さらに好ましくは１００００〜５００００の範囲内に収まる限外ろ過膜であり、特に好ましくは１００００〜３００００の範囲内に収まる限外ろ過膜である。セラミック膜の場合は、孔径１００ｎｍ以下1ｎｍ以上、より好ましくは５０ｎｍ以下２ｎｍ以上、さらに好ましくは２０ｎｍ以下５ｎｍ以上のろ過膜である。
なお、限外ろ過膜の分画分子量の値が大きくなるほど、限界透過流束は高くなり、精製後に得られる導電性ポリマーの導電性が高くなる傾向があるが、収率は低下する傾向にある。
同様に限外ろ過膜の孔径の値が大きくなるほど、限界透過流束は高くなり、精製後に得られる導電性ポリマーの導電性が高くなる傾向があるが、収率は低下する傾向にある。
限外ろ過膜の材質としては、セルロース、セルロースアセテート、ポリサルホン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリエーテルスルホン、ポリフッ化ビニリデン等の有機膜やセラミック等の無機膜、もしくは有機-無機のハイブリッド膜等など、通常、限外ろ過膜の材質として使用するものであれば、特に制限はないが、特に耐溶剤性に優れており、薬液洗浄などのメンテナンスが容易であるセラミックス膜などが好適である。
また、限外ろ過膜としては、有機膜では、分画分子量が１０００〜１０００００の範囲内に収まる限外ろ過膜が好ましく、より好ましくは、５０００〜５００００の範囲内に収まる限外ろ過膜であり、さらに好ましくは１００００〜５００００の範囲内に収まる限外ろ過膜であり、特に好ましくは１００００〜３００００の範囲内に収まる限外ろ過膜である。セラミック膜の場合は、孔径１００ｎｍ以下1ｎｍ以上、より好ましくは５０ｎｍ以下２ｎｍ以上、さらに好ましくは２０ｎｍ以下５ｎｍ以上のろ過膜である。
なお、限外ろ過膜の分画分子量の値が大きくなるほど、限界透過流束は高くなり、精製後に得られる導電性ポリマーの導電性が高くなる傾向があるが、収率は低下する傾向にある。
同様に限外ろ過膜の孔径の値が大きくなるほど、限界透過流束は高くなり、精製後に得られる導電性ポリマーの導電性が高くなる傾向があるが、収率は低下する傾向にある。
膜ろ過の方式としては、生産性を考慮すると、連続式のクロスフロー方式（溶液を透過膜に沿って流動させ、溶液の一部が透過膜を透過することにより、溶液を濃縮する（精製する）方式）が好ましい。
また、クロスフロー方式は、ポリマー溶液を繰り返し連続的に透過膜と接触させることができ、精製度を高めることができる。なお、ポリマー溶液中の溶媒は、透過膜を透過するため、精製の過程でポリマー溶液は濃縮されて高粘度化し、運転上支障が出ることがある。このような場合には、適宜、溶媒（水等）を濃縮液側に供給して適度な濃度に希釈することで、精製処理を継続することができる。
また、クロスフロー方式は、ポリマー溶液を繰り返し連続的に透過膜と接触させることができ、精製度を高めることができる。なお、ポリマー溶液中の溶媒は、透過膜を透過するため、精製の過程でポリマー溶液は濃縮されて高粘度化し、運転上支障が出ることがある。このような場合には、適宜、溶媒（水等）を濃縮液側に供給して適度な濃度に希釈することで、精製処理を継続することができる。
クロスフロー方式により膜ろ過する場合、ろ過圧力は、限外ろ過膜やろ過装置にもよるが、生産性を考慮し、およそ０．０１〜１．０ＭＰａとすることが好ましい。
また、ろ過時間については特に制限されないが、その他の条件が同じであれば、時間が長くなるほど精製度は高くなり、精製後に得られる導電性ポリマーの導電性が高くなる傾向にある。
また、ろ過時間については特に制限されないが、その他の条件が同じであれば、時間が長くなるほど精製度は高くなり、精製後に得られる導電性ポリマーの導電性が高くなる傾向にある。
ろ過時間の目安としては、一定時間置きに濃縮液をサンプリングし、ＧＰＣ（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ：ゲルパーミエーションクロマトグラフィーの略称）を用いて分子量分布を評価した際に、残存する未反応モノマー、分画分子量以下の低分子量物（オリゴマー）等のピークが見られなくなるまでの時間とすることが好ましい。
具体的には、ＧＰＣにより得られたクロマトグラムについて、保持時間をポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算した分子量のうち、５０００Ｄａ以上の領域の面積（Ｘ）と、５０００Ｄａ未満の領域の面積（Ｙ）との面積比（Ｙ／Ｘ）が０．６０以下となるまで膜ろ過するのが好ましい。面積比（Ｙ／Ｘ）が０．６０以下となれば、未反応モノマー、低分子量物（オリゴマー）、および不純物等が十分に除去され、高い導電性を有する導電性ポリマーが得られる。
具体的には、ＧＰＣにより得られたクロマトグラムについて、保持時間をポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算した分子量のうち、５０００Ｄａ以上の領域の面積（Ｘ）と、５０００Ｄａ未満の領域の面積（Ｙ）との面積比（Ｙ／Ｘ）が０．６０以下となるまで膜ろ過するのが好ましい。面積比（Ｙ／Ｘ）が０．６０以下となれば、未反応モノマー、低分子量物（オリゴマー）、および不純物等が十分に除去され、高い導電性を有する導電性ポリマーが得られる。
また、ろ過時間の目安として、ＧＰＣを用いる方法以外にも、例えば一定時間毎にサンプリングした濃縮液を簡易的な限外ろ過キットを使用してろ過し、ろ過液（及び濃縮液：膜の上に残った濃縮液）の固形分を計測し、これをろ過時間の目安とする方法を用いてもよい。
具体的には、膜ろ過の透過液（ろ過膜通過後のろ過液）に含まれる固形分が１０質量％以下となるまで膜ろ過するのが好ましく、より好ましくは５質量％以下であり、さらに好ましくは１質量％以下である。固形分が１０質量％以下となれば、未反応モノマー、低分子量物（オリゴマー）、および不純物等が十分に除去され、高い導電性を有する導電性ポリマーが得られる。
具体的には、膜ろ過の透過液（ろ過膜通過後のろ過液）に含まれる固形分が１０質量％以下となるまで膜ろ過するのが好ましく、より好ましくは５質量％以下であり、さらに好ましくは１質量％以下である。固形分が１０質量％以下となれば、未反応モノマー、低分子量物（オリゴマー）、および不純物等が十分に除去され、高い導電性を有する導電性ポリマーが得られる。
なお、透過液の色は、固形分が１０質量％程度の場合は黒色から茶色、５質量％程度の場合は赤茶色からオレンジ色、１質量％以下の場合は黄色から透明となる。従って、透過液の色を目視によって確認することでも、おおよそのろ過時間の目安とすることができる。透過液の色としては、黄色から透明が好ましい。
また、ろ過時間の目安として、導電性ポリマーより形成される塗膜の表面抵抗値が１０６Ω／ｓｑ．以下、より好ましくは１０５Ω／ｓｑ．以下、さらに好ましくは１０４Ω／ｓｑ．以下となるまで膜ろ過を継続することが好ましい。
膜ろ過のろ過時間が長くなるほど、未反応モノマー、低分子量物（オリゴマー）、および不純物等の割合が少なくなり、導電性ポリマーの導電性が向上する。なお、ＧＰＣの測定により、未反応モノマー、低分子量物（オリゴマー）、および不純物等のピークが見られなくなった時点で、導電性が最も向上する。
このようにして得られる導電性ポリマーは、酸性基が遊離酸、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩および置換アンモニウム塩よりなる群から独立して選ばれた基である。従ってこれらの基が単一ではなく混在した状態のポリマーも得ることができる。
具体的には、重合工程において酸性基置換アニリン系化合物を水酸化ナトリウム存在下で重合した場合、単離されたポリマー中のスルホン基またはカルボキシル基は、そのほとんどがナトリウム塩になっている。同様に、アンモニア存在下で重合した場合、スルホン基またはカルボキシル基の大部分はアンモニウム塩であり、トリメチルアミン存在下で重合した場合、大部分はトリメチルアンモニウム塩であり、キノリン存在下で重合した場合、大部分はキノリニウム塩の形で得られる。
このように酸性基の一部ないし全部が塩を形成しているポリマーは、精製工程の前または後でさらに精製処理することによって高純度なポリマーとすることで、さらに導電性を向上させることができる。
このように酸性基の一部ないし全部が塩を形成しているポリマーは、精製工程の前または後でさらに精製処理することによって高純度なポリマーとすることで、さらに導電性を向上させることができる。
（陰イオン交換法）
前記未精製の導電性高分子を溶媒に分散または溶解させた後に、強塩基性陰イオン交換樹脂に接触させて、導電性高分子を精製することができる。
前記未精製の導電性高分子を溶媒に分散または溶解させた後に、強塩基性陰イオン交換樹脂に接触させて、導電性高分子を精製することができる。
未精製の導電性高分子を分散または溶解させる溶媒としては、水、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、イソブタノール、２−ブタノール、３−ブタノール、ｔ−ブタノール、１−ペンタノール、３−メチル−１−ブタノール、２−ペンタノール、ｎ−ヘキサノール、４−メチル−２−ペンタノール、２−エチルブチノール、ベンジルアルコール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、エチルイソブチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメトキシエタノール、プロピレングリコールモノエチルエーテル、グリセリルモノアセテート等の多価アルコール誘導体、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド類、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−エチルピロリドン等のピロリドン類、乳酸メチル、乳酸エチル、β−メトキシイソ酪酸メチル、α−ヒドロキシイソ酪酸メチル等のヒドロキシエステル類等及びこれらを混合したものが好ましく用いられる。
導電性高分子を上述した溶媒に溶解または分散させる際の濃度としては、０．１〜２０質量％が好ましく、０．１〜１０質量％がより好ましい。導電性高分子の濃度が０．１質量％未満であると、精製後の導電製高分子の回収が困難となる。一方、導電性高分子の濃度が２０質量％を超えると、粘度が上がりすぎ、強塩基性陰イオン交換樹脂との接触が悪くなるため、イオン交換の効果が十分に発揮されにくくなる。
陰イオン交換樹脂は、樹脂母体の表面または内部に、樹脂母体に固定された無数のイオン交換基（固定イオン）を有する。このイオン交換基が、未精製の導電性高分子に含まれるオリゴマーやモノマーを選択的にイオン交換（吸着）して、除去することができる。また、イオン交換基は不純物となる陰イオンを選択的にイオン交換してこれを捕捉でき、導電性高分子から陰イオンを除去することもできる。
陰イオン交換樹脂は、樹脂母体の表面または内部に、樹脂母体に固定された無数のイオン交換基（固定イオン）を有する。このイオン交換基が、未精製の導電性高分子に含まれるオリゴマーやモノマーを選択的にイオン交換（吸着）して、除去することができる。また、イオン交換基は不純物となる陰イオンを選択的にイオン交換してこれを捕捉でき、導電性高分子から陰イオンを除去することもできる。
陰イオン交換樹脂としては、強塩基性陰イオン交換樹脂、弱塩基性陰イオン交換樹脂が挙げられる。これらの中でも、イオン交換能が高く、オリゴマーやモノマーを十分に除去できる点で、強塩基性陰イオン交換樹脂が好ましい。
ここで、「強塩基」とは、塩基解離定数の大きい塩基のことであり、具体的には、水溶液中において電離度が１に近く、水酸化物イオンを定量的に生成し、塩基解離定数（ｐＫｂ）がｐＫｂ＜０（Ｋｂ＞１）のものをいう。一方、「弱塩基」とは、塩基解離定数の小さい塩基のことであり、具体的には、水溶液中において電離度が１よりも小さく、０に近いもので、他の物質から水素イオンを奪う能力が弱いものをいう。
ここで、「強塩基」とは、塩基解離定数の大きい塩基のことであり、具体的には、水溶液中において電離度が１に近く、水酸化物イオンを定量的に生成し、塩基解離定数（ｐＫｂ）がｐＫｂ＜０（Ｋｂ＞１）のものをいう。一方、「弱塩基」とは、塩基解離定数の小さい塩基のことであり、具体的には、水溶液中において電離度が１よりも小さく、０に近いもので、他の物質から水素イオンを奪う能力が弱いものをいう。
強塩基性陰イオン交換樹脂としては、例えばイオン交換基として４級アンモニウム塩、第３級スルホニウム塩基、４級ピリジニウム塩基等を有する陰イオン交換樹脂などが挙げられる。また、市販品としては、オルガノ株式会社製の「オルライトＤＳ−２」；三菱化学株式会社製の「ダイヤイオンＳＡ１０Ａ」などが挙げられる。
一方、弱塩基性陰イオン交換樹脂としては、例えばイオン交換基として１〜３級のアミノ基を有する陰イオン交換樹脂などが挙げられる。また、市販品としては、三菱化学株式会社製の「ダイヤイオンＷＡ２０」；オルガノ株式会社製の「アンバーライト ＩＲＡ６７」などが挙げられる。
一方、弱塩基性陰イオン交換樹脂としては、例えばイオン交換基として１〜３級のアミノ基を有する陰イオン交換樹脂などが挙げられる。また、市販品としては、三菱化学株式会社製の「ダイヤイオンＷＡ２０」；オルガノ株式会社製の「アンバーライト ＩＲＡ６７」などが挙げられる。
（炭素材料処理法）
前記未精製の導電性高分子を溶媒に分散または溶解させた後に、炭素材料に接触させて、導電性高分子を精製することができる。
前記未精製の導電性高分子を溶媒に分散または溶解させた後に、炭素材料に接触させて、導電性高分子を精製することができる。
未精製の導電性高分子を分散または溶解させる溶媒としては、水、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、イソブタノール、２−ブタノール、３−ブタノール、ｔ−ブタノール、１−ペンタノール、３−メチル−１−ブタノール、２−ペンタノール、ｎ−ヘキサノール、４−メチル−２−ペンタノール、２−エチルブチノール、ベンジルアルコール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、エチルイソブチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメトキシエタノール、プロピレングリコールモノエチルエーテル、グリセリルモノアセテート等の多価アルコール誘導体、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド類、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−エチルピロリドン等のピロリドン類、乳酸メチル、乳酸エチル、β−メトキシイソ酪酸メチル、α−ヒドロキシイソ酪酸メチル等のヒドロキシエステル類等及びこれらを混合したものが好ましく用いられる。
導電性高分子を上述した溶媒に溶解または分散させる際の濃度としては、０．１〜２０質量％が好ましく、０．１〜１０質量％がより好ましい。導電性高分子の濃度が０．１質量％未満であると、精製後の導電製高分子の回収が困難となる。一方、導電性高分子の濃度が２０質量％を超えると、粘度が上がりすぎ、炭素材料との接触が悪くなるため、導電性高分子の精製の効果が十分に発揮されにくくなる。
＜炭素材料＞
本発明の炭素材料としては、活性炭、カーボンブラック、グラファイト、グラフェン、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、カーボンファイバー、カーボンナノホーン、カーボンナノウォール、フラーレンなどの炭素を主成分とする材料が挙げられる。
（活性炭）
活性炭処理法は、活性炭を用いる。
活性炭は、その内部に無数の微細孔を有する多孔性の炭素物質であり、特定の成分を選択的に吸着して分離することができる。
活性炭としては、試料液中のオリゴマーやモノマーを吸着し、試料液から分離できるものであれば特に制限されないが、例えば日本エンバイロケミカルズ株式会社製の「精製白鷺」などが好適である。
本発明の炭素材料としては、活性炭、カーボンブラック、グラファイト、グラフェン、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、カーボンファイバー、カーボンナノホーン、カーボンナノウォール、フラーレンなどの炭素を主成分とする材料が挙げられる。
（活性炭）
活性炭処理法は、活性炭を用いる。
活性炭は、その内部に無数の微細孔を有する多孔性の炭素物質であり、特定の成分を選択的に吸着して分離することができる。
活性炭としては、試料液中のオリゴマーやモノマーを吸着し、試料液から分離できるものであれば特に制限されないが、例えば日本エンバイロケミカルズ株式会社製の「精製白鷺」などが好適である。
（カーボンナノチューブ）
カーボンナノチューブは、２〜数十層のグラファイト状炭素が積み重なってできた外径がｎｍオーダーのチューブである。
カーボンナノチューブとしては、通常のカーボンナノチューブ、すなわち、単層カーボンナノチューブ、単層のカーボンナノチューブが同心円状に多層に重なった多層カーボンナノチューブ、これらがコイル状になったものが挙げられる。
さらには、カーボンナノチューブには、カーボンナノチューブの片側が閉じた形をしたカーボンナノホーン、その頭部に穴があいたコップ型のナノカーボン物質、カーボンナノチューブの類縁体であるフラーレン、カーボンナノファイバーも含まれる。
これらの中でも、導電性がより高くなる点では、単層カーボンナノチューブ及び多層カーボンナノチューブが好ましい。
カーボンナノチューブは、２〜数十層のグラファイト状炭素が積み重なってできた外径がｎｍオーダーのチューブである。
カーボンナノチューブとしては、通常のカーボンナノチューブ、すなわち、単層カーボンナノチューブ、単層のカーボンナノチューブが同心円状に多層に重なった多層カーボンナノチューブ、これらがコイル状になったものが挙げられる。
さらには、カーボンナノチューブには、カーボンナノチューブの片側が閉じた形をしたカーボンナノホーン、その頭部に穴があいたコップ型のナノカーボン物質、カーボンナノチューブの類縁体であるフラーレン、カーボンナノファイバーも含まれる。
これらの中でも、導電性がより高くなる点では、単層カーボンナノチューブ及び多層カーボンナノチューブが好ましい。
カーボンナノチューブの製造方法としては、例えば、二酸化炭素の接触水素還元、アーク放電法、レーザー蒸発法、化学気相成長法（ＣＶＤ法）、気相成長法、一酸化炭素を高温高圧化で鉄触媒と共に反応させて気相で成長させるＨｉＰｃｏ法等が挙げられる。
また、カーボンナノチューブを製造する際には、洗浄法、遠心分離法、ろ過法、酸化法、クロマトグラフ法等の種々の精製法によって、高純度化することが好ましい。
また、カーボンナノチューブを製造する際には、洗浄法、遠心分離法、ろ過法、酸化法、クロマトグラフ法等の種々の精製法によって、高純度化することが好ましい。
カーボンナノチューブは、ボールミル、振動ミル、サンドミル、ロールミル等のボール型混練装置等によって粉砕されていてもよい。また、カーボンナノチューブは、化学的、物理的処理によって短く切断されていてもよい。
カーボンナノチューブの市販品としては、例えば、米国ユニダイム社製のＨｉＰｃｏ単層カーボンナノチューブ及び二層カーボンナノチューブ；韓国イルジンナノテク社製のＳＷＮＴ及びＭＷＮＴ；韓国ＣＮＴ社製のＣ−１００及びＣ−２００；中国シンセンナノテクポート社製のカーボンナノチューブ；及びベルギーナノシル社製のＮＣ７１００が挙げられる。
カーボンナノチューブの製造方法としては、例えば、二酸化炭素の接触水素還元法、アーク放電法、レーザー蒸発法、化学気相成長法（ＣＶＤ法）、気相成長法及び一酸化炭素を高温高圧化で鉄触媒と共に反応させて気相で成長させるＨｉＰｃｏ法が挙げられる。
＜接触方法＞
本発明の活性炭処理法、カーボンナノチューブ法において、「接触」とは、導電性高分子の分散液または溶解液と、炭素材料とを混合させた状態に置くことを意味する。導電性高分子の分散液または溶解液と、炭素材料とを混合した後に、攪拌や超音波照射などを用いて、導電性高分子と炭素材料の接触を加速させるような処理を行っても良い。
本発明の活性炭処理法、カーボンナノチューブ法において、「接触」とは、導電性高分子の分散液または溶解液と、炭素材料とを混合させた状態に置くことを意味する。導電性高分子の分散液または溶解液と、炭素材料とを混合した後に、攪拌や超音波照射などを用いて、導電性高分子と炭素材料の接触を加速させるような処理を行っても良い。
導電性高分子に対する炭素材料の量は、導電性高分子の分散液または溶解液１００質量部に対して、０．１〜１００質量部が好ましく、０．５〜１０質量部がより好ましい。炭素材料の量が０．５質量部未満であると、オリゴマーやモノマーなどの不純物が十分に除去されにくい。一方、炭素材料の量が１００質量部を超えると、導電性高分子の分散液または溶解液に対し過剰量となるため、炭素材料に接触させた後に、分離液または溶離液の回収が困難となる。
導電性高分子の分散液または溶解液と、炭素材料の接触方法としては、例えば、容器に導電性高分子の分散液または溶解液と炭素材料を入れ、スタラーを用いて撹拌させたり、シーソー回転式ローターなどを用いて回転させたりして、炭素材料と接触させる方法が挙げられる。
導電性高分子の分散液または溶解液と、炭素材料を接触させる時間は０．１時間以上が好ましく、０．５時間以上がより好ましい。接触時間が０．１時間未満であると、オリゴマーやモノマーなどの不純物が十分に除去されにくい。
なお、接触時間の上限値については特に制限されず、導電性高分子の分散液または溶離液の濃度、炭素材料の量、後述する接触温度などの条件に併せて、適宜設定すればよい。
なお、接触時間の上限値については特に制限されず、導電性高分子の分散液または溶離液の濃度、炭素材料の量、後述する接触温度などの条件に併せて、適宜設定すればよい。
導電性高分子の分散液または溶解液と、炭素材料を接触させる際の温度は、１０〜１００℃が好ましく、１０〜６０℃がより好ましい。接触温度が１０℃未満であると、分離液または溶離液の粘度が上昇し、炭素材料と接触しにくくなる。さらに低温になると、分散液または溶解液が凍結するおそれがある。一方、接触温度が１００℃を超えると、分散液または溶解液が蒸発する恐れがある。
導電性高分子の分散液または溶解液と炭素材料を接触させた後に、精製した導電性高分子を得る為に炭素材料を取り除くには、フィルターろ過する等の一般的なろ過方法や、遠心分離などを行う事で炭素材料を除去することができる。ろ過用のフィルターとしては、細孔サイズ０．５μｍ以下のフィルターを用いるのが好ましい。
このようにして精製された導電性高分子は、オリゴマーやモノマーなどの不純物が十分に除去されているので、高い導電性と溶解性を示す。
上述した方法により未精製の導電性高分子を精製することで、前記面積比（Ｙ／Ｘ）が０．６０以下の導電性高分子が得られる。
なお、上述したように、導電性高分子は塩基性化合物の存在下、モノマーを重合することで得られる。そのため、導電性高分子、オリゴマー、モノマー中の酸性基の一部が、塩基性化合物と塩を形成することがある。特に、オリゴマーやモノマー中の酸性基と塩基性化合物が塩を形成すると、導電性高分子より形成される塗膜に異物として現れやすくなる。また、導電性高分子中の酸性基と塩基性化合物が塩を形成すると、導電性が低下する場合がある。
なお、上述したように、導電性高分子は塩基性化合物の存在下、モノマーを重合することで得られる。そのため、導電性高分子、オリゴマー、モノマー中の酸性基の一部が、塩基性化合物と塩を形成することがある。特に、オリゴマーやモノマー中の酸性基と塩基性化合物が塩を形成すると、導電性高分子より形成される塗膜に異物として現れやすくなる。また、導電性高分子中の酸性基と塩基性化合物が塩を形成すると、導電性が低下する場合がある。
塩基性化合物は、未精製の導電性高分子を精製する際に、オリゴマーやモノマー等の不純物と共に概ね除去されるが、塩基性化合物をより除去する目的で、精製工程の後に、さらに脱塩処理を行ってもよい（脱塩工程）。なお、脱塩処理を行う際は、精製工程後の試料液をそのまま用いることができる。
（脱塩工程）
脱塩処理の方法としてはイオン交換法が挙げられ、具体的には、陽イオン交換樹脂を用いたイオン交換法、電気透析法などである。
陽イオン交換樹脂を用いたイオン交換法の場合、陽イオン交換樹脂に対する試料液の量は、例えば５％の導電性高分子水溶液の場合、陽イオン交換樹脂に対して１０倍の容積までが好ましく、５倍の容積までがより好ましい。
陽イオン交換樹脂としては、例えば三菱化学株式会社製の「ダイアイオンＳＫ１Ｂ」、オルガノ株式会社製の「アンバーライトＩＲ−１２０Ｈ」などが挙げられる。
脱塩処理の方法としてはイオン交換法が挙げられ、具体的には、陽イオン交換樹脂を用いたイオン交換法、電気透析法などである。
陽イオン交換樹脂を用いたイオン交換法の場合、陽イオン交換樹脂に対する試料液の量は、例えば５％の導電性高分子水溶液の場合、陽イオン交換樹脂に対して１０倍の容積までが好ましく、５倍の容積までがより好ましい。
陽イオン交換樹脂としては、例えば三菱化学株式会社製の「ダイアイオンＳＫ１Ｂ」、オルガノ株式会社製の「アンバーライトＩＲ−１２０Ｈ」などが挙げられる。
電気透析法の場合、電気透析法のイオン交換膜は特に限定はされないが、不純物の拡散による浸透を抑制するために、一価イオン選択透過処理が施されたイオン交換膜であって、分画分子量が３００以下のものを使用することが好ましい。このようなイオン交換膜としては、例えば株式会社アストム製の「ネオセプタＣＭＫ（カチオン交換膜、分画分子量３００）」、「ネオセプタＡＭＸ（アニオン交換膜、分画分子量３００）」などが好適である。
また、電気透析法に用いるイオン交換膜として、アニオン交換層、カチオン交換層を張り合わせた構造を持ったイオン交換膜であるバイポーラ膜を用いてもよい。このようなバイポーラ膜としては、例えば株式会社アストム製の「ＰＢ−１Ｅ／ＣＭＢ」などが好適である。
電気透析における電流密度は限界電流密度以下であることが好ましい。バイポーラ膜での印加電圧は、１０〜５０Ｖが好ましく、２５〜３５Ｖより好ましい。
また、電気透析法に用いるイオン交換膜として、アニオン交換層、カチオン交換層を張り合わせた構造を持ったイオン交換膜であるバイポーラ膜を用いてもよい。このようなバイポーラ膜としては、例えば株式会社アストム製の「ＰＢ−１Ｅ／ＣＭＢ」などが好適である。
電気透析における電流密度は限界電流密度以下であることが好ましい。バイポーラ膜での印加電圧は、１０〜５０Ｖが好ましく、２５〜３５Ｖより好ましい。
上述した脱塩処理により、導電性高分子から塩基性物質を効果的に除去することができ、導電性高分子から形成される塗膜の導電性がより向上する。
なお、精製工程や脱塩処理を行った後の導電性高分子は、水などの溶媒に溶解した状態であるので、エバポレータなどで溶媒を除去すれば固体状の導電性高分子が得られるが、溶媒に溶解した状態のものを導電性高分子溶液としてそのまま用いてもよい。
また、精製工程や脱塩処理後の、溶媒に溶解した導電性高分子を導電性高分子溶液として、上述した評価方法に用いることもできる。
また、精製工程や脱塩処理後の、溶媒に溶解した導電性高分子を導電性高分子溶液として、上述した評価方法に用いることもできる。
このようにして得られる導電性高分子の質量平均分子量は、３０００〜１００００００が好ましい。質量平均分子量が３０００以上であれば、導電性、成膜性および膜強度に優れる。一方、質量平均分子量が１００００００以下であれば、溶媒への溶解性に優れる。
導電性高分子の質量平均分子量は、上述した工程（Ｉ）〜（ＩＩＩ）を実施して測定される値である。
導電性高分子の質量平均分子量は、上述した工程（Ｉ）〜（ＩＩＩ）を実施して測定される値である。
また、導電性高分子は、可溶性である。ここで、「可溶」とは、１０ｇの水または有機溶媒（液温２５℃）に、０．１ｇ以上均一に溶解することを意味する。
溶媒としては、水、有機溶媒、水と有機溶媒との混合溶媒が挙げられる。
有機溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、２−プロパノール、１−プロパノール、１−ブタノール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、エチルイソブチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類；エチレングリコール、エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル等のエチレングリコール類；プロピレングリコール、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールブチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル等のプロピレングリコール類；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド類；Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−エチルピロリドン等のピロリドン類；乳酸メチル、乳酸エチル、β−メトキシイソ酪酸メチル、α−ヒドロキシイソ酪酸メチル等のヒドロキシエステル類などが挙げられる。これら有機溶剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。ただし、これらの有機溶媒の中には、１種単独で用いると導電性高分子が溶解しにくいものもある（例えばメタノールなど）。そのような場合は、水と混合して混合溶媒として用いる。
溶媒としては、水、有機溶媒、水と有機溶媒との混合溶媒が挙げられる。
有機溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、２−プロパノール、１−プロパノール、１−ブタノール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、エチルイソブチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類；エチレングリコール、エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル等のエチレングリコール類；プロピレングリコール、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールブチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル等のプロピレングリコール類；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド類；Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−エチルピロリドン等のピロリドン類；乳酸メチル、乳酸エチル、β−メトキシイソ酪酸メチル、α−ヒドロキシイソ酪酸メチル等のヒドロキシエステル類などが挙げられる。これら有機溶剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。ただし、これらの有機溶媒の中には、１種単独で用いると導電性高分子が溶解しにくいものもある（例えばメタノールなど）。そのような場合は、水と混合して混合溶媒として用いる。
本発明の導電性高分子は、上述した溶媒に溶解させて導電性高分子溶液（導電性組成物）とし、または精製工程や脱塩処理後の、溶媒に溶解した導電性高分子を導電性高分子溶液とし、該導電性高分子溶液を基材などの上に塗布し、乾燥させて塗膜を形成する。
導電性高分子溶液を塗工する基材としては、特に限定されず、高分子化合物、木材、紙材、セラミックス及びそのフィルムまたはガラス板などが用いられる。
導電性高分子溶液を塗工する基材としては、特に限定されず、高分子化合物、木材、紙材、セラミックス及びそのフィルムまたはガラス板などが用いられる。
導電性高分子溶液の塗工方法としては、一般の塗料に用いられる方法が利用できる。例えばスプレーコート法、デイップコート法、ロールコート法、グラビアコート法、リバースコート法、ロールブラッシュ法、エアーナイフコート法、カーテンコート法等が用いられる。
さらに、導電性高分子より形成される塗膜に耐水性を付与する目的で、１２０〜２８０℃で塗膜を加熱するのが好ましく、より好ましくは１３０〜２５０℃である。加熱温度が１２０℃未満であると、塗膜の耐水性が十分に得られにくい。一方、加熱温度が２８０℃を超えると、塗膜の導電性が低下しやすくなる。
以上説明したように、本発明の導電性高分子は、前記評価方法により算出した面積比（Ｙ／Ｘ）が０．６０以下であり、オリゴマーやモノマー等の不純物の割合が少ない。従って、本発明の導電性高分子であれば、塗膜にした際に、時間が経過しても異物が発生しにくく、優れた導電性を維持できる。
本発明の導電性高分子、およびこれを含む導電性高分子溶液は、各種帯電防止剤、機能性高分子コンデンサの固体電解質及びその添加剤、機能性高分子コンデンサの電解質形成時のプライマー、機能性高分子コンデンサのカーボン層の添加剤、電気二重層キャパシタ、スーパーキャパシター、各種電池の電極及びその補助剤、高分子電解質、高分子電解質膜及びそれを用いた燃料電池、電極層、触媒層、ガス拡散層、ガス拡散電極層、セパレーター等の部材、ＥＭＩシールド、化学センサー、表示素子、非線形材料、防食剤、接着剤、繊維、紡糸用材料、帯電防止塗料、防食塗料、電着塗料、メッキプライマー、静電塗装用導電性プライマー、電気防食、電池の蓄電能力、半導体、電器電子部品等の工業用包装材料、半導体製造のクリーンルーム等で使用される透明導電性樹脂板、オーバーヘッドプロジェクター用フィルム、電子写真記録材料等向けのスライドフィルム等の帯電防止フィルム、透明導電性フィルム、オーディオテープ、ビデオテープ、コンピュータ用テープ、フロッピィディスク等の磁気記録用帯電防止テープ、ウール、ナイロン等の酸性可染性繊維の帯電防止剤、液晶ディスプレイ偏向板の帯電防止剤、偏向版プロテクトフィルムの帯電防止剤、電子部品の剥離フィルムの帯電防止剤、電子デバイスのＬＳＩ配線、透明タッチパネル、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、液晶ディスプレイ等のフラットパネルディスプレイの入力又は表示デバイス表面のディスプレイ保護板、前面板、帯電防止材、透明電極、透明電極フィルム又は有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する発光材料、バッファ材料、電子輸送材料、正孔輸送材料及び蛍光材料、熱転写シート、転写シート、熱転写受像シート並びに受像シート、有機薄膜太陽電池の透明電極、色素増感太陽電池の対極及びその補助剤、リチウムイオン電池の正、負電極材料及びその補助剤、カーボン材料の分散性向上剤等に適応可能である。
［導電性高分子の品質管理方法］
本発明の導電性高分子の品質管理方法（以下、単に「品質管理方法」という。）は、前記工程（Ｉ）〜（ＶＩ）を含む評価方法にて算出した面積比（Ｙ／Ｘ）が０．６０以下である導電性高分子を選択する方法である。すなわち、面積比（Ｙ／Ｘ）が０．６０以下の導電性高分子を合格、面積比（Ｙ／Ｘ）が０．６０超の導電性高分子を不合格と判定し、合格と評価されたものを本発明の導電性高分子とする。
なお、本発明により品質管理される対象物は、一般式（１）で表される繰り返し単位を有する導電性高分子である。
本発明の導電性高分子の品質管理方法（以下、単に「品質管理方法」という。）は、前記工程（Ｉ）〜（ＶＩ）を含む評価方法にて算出した面積比（Ｙ／Ｘ）が０．６０以下である導電性高分子を選択する方法である。すなわち、面積比（Ｙ／Ｘ）が０．６０以下の導電性高分子を合格、面積比（Ｙ／Ｘ）が０．６０超の導電性高分子を不合格と判定し、合格と評価されたものを本発明の導電性高分子とする。
なお、本発明により品質管理される対象物は、一般式（１）で表される繰り返し単位を有する導電性高分子である。
本発明の品質管理方法により選択された導電性高分子は、面積比（Ｙ／Ｘ）が０．６０以下であり、オリゴマーやモノマー等の不純物の割合が少ない。従って、この導電性高分子は、塗膜にした際に、時間が経過しても異物が発生しにくく、優れた導電性を維持できる。
このように、本発明の品質管理方法は、導電性高分子を製造する過程において精製工程が不十分で、オリゴマーやモノマーなどの不純物が十分に除去されず、導電体として不向きな導電性高分子が得られたとしても、この導電性高分子を事前に排除できる。従って、塗膜にした際に、時間が経過しても異物が発生しにくく、優れた導電性を維持できる導電性高分子を安定して提供できる。
なお、不合格と判定された導電性高分子は、合格と判定されるまで精製工程を繰り返し行えばよいので、製造した導電性高分子を無駄なく利用できる。
なお、不合格と判定された導電性高分子は、合格と判定されるまで精製工程を繰り返し行えばよいので、製造した導電性高分子を無駄なく利用できる。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
なお、実施例および比較例における評価・測定方法、および導電性高分子の重合方法は以下の通りである。
なお、実施例および比較例における評価・測定方法、および導電性高分子の重合方法は以下の通りである。
[膜ろ過法、イオン交換法、炭素材料処理法により精製された導電性高分子]
＜評価および測定＞
（面積比（Ｙ／Ｘ）の算出）
まず、水（超純水）とメタノールを、容積比が水：メタノール＝８：２となるように混合した混合溶媒に、炭酸ナトリウムと炭酸水素ナトリウムを、それぞれの固形分濃度が２０ｍｍｏｌ／Ｌ、３０ｍｍｏｌ／Ｌになるように添加して、溶離液を調製した。得られた溶離液は、２５℃でのｐＨが１０．８であった。
この溶離液に、導電性高分子溶液を固形分濃度が０．１質量％となるように溶解させ、試験溶液を調製した（工程（Ｉ））。
得られた試験溶液について、フォトダイオードアレイ（ＰＤＡ）検出器が接続されたゲルパーミエーションクロマトグラフを備えた高分子材料評価装置（Ｗａｔｅｒｓ社製、「Ｗａｔｅｒｓ Ａｌｌｉａｎｃｅ２６９５、２４１４（屈折率計）、２９９６（ＰＤＡ）」）を使用して分子量分布を測定し、クロマトグラムを得た（工程（ＩＩ））。
ついで、得られたクロマトグラムについて、保持時間をポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算の分子量（Ｍ）へと換算した（工程（ＩＩＩ））。具体的には、ピークトップ分子量が２０６、１０３０、４２１０、１３５００、３３５００、７８４００、１５８０００、２３５００００のポリスチレンスルホン酸ナトリウムを標準試料として用い、試験溶液と同様にして、各標準試料を固形分濃度が０．０５質量％、ただし、ピークトップ分子量が２０６の標準試料のみは固形分濃度が０．００２５質量％となるように溶離液に溶解させて、標準溶液を調製した。そして、各標準溶液についてＧＰＣにより保持時間と分子量の関係を求め、検量線を作成した。作成した検量線から、工程（ＩＩ）で得られたクロマトグラムについて、保持時間をポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算の分子量（Ｍ）へと換算した。
そして、分子量（Ｍ）が５０００Ｄａ以上の領域の面積（Ｘ）と、５０００Ｄａ未満の領域の面積（Ｙ）をそれぞれ求めた（工程（ＩＶ）、（Ｖ））。
これら面積（Ｘ）と面積（Ｙ）との面積比（Ｙ／Ｘ）を求めた（工程（ＶＩ））。
＜評価および測定＞
（面積比（Ｙ／Ｘ）の算出）
まず、水（超純水）とメタノールを、容積比が水：メタノール＝８：２となるように混合した混合溶媒に、炭酸ナトリウムと炭酸水素ナトリウムを、それぞれの固形分濃度が２０ｍｍｏｌ／Ｌ、３０ｍｍｏｌ／Ｌになるように添加して、溶離液を調製した。得られた溶離液は、２５℃でのｐＨが１０．８であった。
この溶離液に、導電性高分子溶液を固形分濃度が０．１質量％となるように溶解させ、試験溶液を調製した（工程（Ｉ））。
得られた試験溶液について、フォトダイオードアレイ（ＰＤＡ）検出器が接続されたゲルパーミエーションクロマトグラフを備えた高分子材料評価装置（Ｗａｔｅｒｓ社製、「Ｗａｔｅｒｓ Ａｌｌｉａｎｃｅ２６９５、２４１４（屈折率計）、２９９６（ＰＤＡ）」）を使用して分子量分布を測定し、クロマトグラムを得た（工程（ＩＩ））。
ついで、得られたクロマトグラムについて、保持時間をポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算の分子量（Ｍ）へと換算した（工程（ＩＩＩ））。具体的には、ピークトップ分子量が２０６、１０３０、４２１０、１３５００、３３５００、７８４００、１５８０００、２３５００００のポリスチレンスルホン酸ナトリウムを標準試料として用い、試験溶液と同様にして、各標準試料を固形分濃度が０．０５質量％、ただし、ピークトップ分子量が２０６の標準試料のみは固形分濃度が０．００２５質量％となるように溶離液に溶解させて、標準溶液を調製した。そして、各標準溶液についてＧＰＣにより保持時間と分子量の関係を求め、検量線を作成した。作成した検量線から、工程（ＩＩ）で得られたクロマトグラムについて、保持時間をポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算の分子量（Ｍ）へと換算した。
そして、分子量（Ｍ）が５０００Ｄａ以上の領域の面積（Ｘ）と、５０００Ｄａ未満の領域の面積（Ｙ）をそれぞれ求めた（工程（ＩＶ）、（Ｖ））。
これら面積（Ｘ）と面積（Ｙ）との面積比（Ｙ／Ｘ）を求めた（工程（ＶＩ））。
（異物発生の評価）
５ｃｍ×５ｃｍのガラス基板上に、導電性高分子溶液をスピンコート塗布（２０００ｒｐｍ×６０ｓｅｃ）し、ホットプレート上で１００℃×２分間加熱して、厚さ０．１μｍの塗膜がガラス基板上に形成された試験片を得た。
得られた試験片を２３℃にて放置し、塗膜形成から１週間および３ヶ月経過した後の塗膜の状態について顕微鏡（倍率：１０００倍）にて観察し、塗膜１ｍｍ２あたりに発生した異物の数を数え、下記評価基準にて評価した。
なお、異物としては最長径が１μｍ以上のものをカウントした。また、「Ａ」と評価された塗膜の状態の一例を図２に、「Ｂ」と評価された塗膜の状態の一例を図３に、「Ｃ」と評価された塗膜の状態の一例を図４にそれぞれ示す。
Ａ：異物の数が０個である。
Ｂ：異物の数が１〜５個である。
Ｃ：異物の数が６〜５０個である。
Ｄ：異物の数が５１〜１００個である。
Ｅ：異物の数が１００個超である。
５ｃｍ×５ｃｍのガラス基板上に、導電性高分子溶液をスピンコート塗布（２０００ｒｐｍ×６０ｓｅｃ）し、ホットプレート上で１００℃×２分間加熱して、厚さ０．１μｍの塗膜がガラス基板上に形成された試験片を得た。
得られた試験片を２３℃にて放置し、塗膜形成から１週間および３ヶ月経過した後の塗膜の状態について顕微鏡（倍率：１０００倍）にて観察し、塗膜１ｍｍ２あたりに発生した異物の数を数え、下記評価基準にて評価した。
なお、異物としては最長径が１μｍ以上のものをカウントした。また、「Ａ」と評価された塗膜の状態の一例を図２に、「Ｂ」と評価された塗膜の状態の一例を図３に、「Ｃ」と評価された塗膜の状態の一例を図４にそれぞれ示す。
Ａ：異物の数が０個である。
Ｂ：異物の数が１〜５個である。
Ｃ：異物の数が６〜５０個である。
Ｄ：異物の数が５１〜１００個である。
Ｅ：異物の数が１００個超である。
（表面抵抗値の測定）
異物発生の評価と同様にして試験片を作製した。
得られた試験片の表面抵抗値（初期値）を、抵抗率計（株式会社三菱アナリテック製、「ロレスタＧＰ」）に直列四探針プローブを装着して測定した。
異物発生の評価と同様にして試験片を作製した。
得られた試験片の表面抵抗値（初期値）を、抵抗率計（株式会社三菱アナリテック製、「ロレスタＧＰ」）に直列四探針プローブを装着して測定した。
＜導電性高分子の重合＞
（重合例１）
２−アミノアニソールー４−スルホン酸１００ｍｍｏｌを、２ｍｏｌ／Ｌ濃度のトリエチルアミンの水／アセトニトリル＝５：５の溶液５０ｍＬに溶解し、モノマー溶液を得た。次に、ペルオキソ二硫酸アンモニウム１００ｍｍｏｌを、水／アセトニトリル＝５：５の溶液８０ｍＬに溶解し、さらに濃硫酸（９８質量％）０．５ｇを加え、酸化剤溶液を得た。
ついで、酸化剤溶液を５℃に冷却しながら、モノマー溶液を１時間かけて滴下した。このときの反応時の最高到達温度は２０℃であった。滴下終了後、室温で１２時間さらに攪拌した後に反応生成物を遠心濾過器にてろ別した。さらに、メタノールにて洗浄した後乾燥させ、重合体（未精製の導電性高分子）１Ａの粉末約１３ｇを得た。
なお、「室温」とは２３℃のことである。
（重合例１）
２−アミノアニソールー４−スルホン酸１００ｍｍｏｌを、２ｍｏｌ／Ｌ濃度のトリエチルアミンの水／アセトニトリル＝５：５の溶液５０ｍＬに溶解し、モノマー溶液を得た。次に、ペルオキソ二硫酸アンモニウム１００ｍｍｏｌを、水／アセトニトリル＝５：５の溶液８０ｍＬに溶解し、さらに濃硫酸（９８質量％）０．５ｇを加え、酸化剤溶液を得た。
ついで、酸化剤溶液を５℃に冷却しながら、モノマー溶液を１時間かけて滴下した。このときの反応時の最高到達温度は２０℃であった。滴下終了後、室温で１２時間さらに攪拌した後に反応生成物を遠心濾過器にてろ別した。さらに、メタノールにて洗浄した後乾燥させ、重合体（未精製の導電性高分子）１Ａの粉末約１３ｇを得た。
なお、「室温」とは２３℃のことである。
（重合例２）
２−アミノアニソールー４−スルホン酸１００ｍｍｏｌを、２ｍｏｌ／Ｌ濃度のトリエチルアミンの水／アセトニトリル＝４：６の溶液５０ｍＬに溶解し、モノマー溶液を得た。次に、ペルオキソ二硫酸アンモニウム１００ｍｍｏｌを、水／アセトニトリル＝４：６の溶液８０ｍＬに溶解し、さらに濃硫酸（９８質量％）０．５ｇを加え、酸化剤溶液を得た。
得られたモノマー溶液および酸化剤溶液を用いた以外は重合例１と同様にして、重合体（未精製の導電性高分子）１Ｂの粉末約１１ｇを得た。
２−アミノアニソールー４−スルホン酸１００ｍｍｏｌを、２ｍｏｌ／Ｌ濃度のトリエチルアミンの水／アセトニトリル＝４：６の溶液５０ｍＬに溶解し、モノマー溶液を得た。次に、ペルオキソ二硫酸アンモニウム１００ｍｍｏｌを、水／アセトニトリル＝４：６の溶液８０ｍＬに溶解し、さらに濃硫酸（９８質量％）０．５ｇを加え、酸化剤溶液を得た。
得られたモノマー溶液および酸化剤溶液を用いた以外は重合例１と同様にして、重合体（未精製の導電性高分子）１Ｂの粉末約１１ｇを得た。
（重合例３）
重合例１と同様のモノマー溶液および酸化剤溶液を用い、この酸化剤溶液を５℃に冷却しながら、モノマー溶液を１時間かけて滴下した。このときの反応時の最高到達温度は２０℃であった。滴下終了後、室温で１２時間さらに攪拌し、重合体（未精製の導電性高分子）溶液１Ｃを得た。
重合例１と同様のモノマー溶液および酸化剤溶液を用い、この酸化剤溶液を５℃に冷却しながら、モノマー溶液を１時間かけて滴下した。このときの反応時の最高到達温度は２０℃であった。滴下終了後、室温で１２時間さらに攪拌し、重合体（未精製の導電性高分子）溶液１Ｃを得た。
［実施例１］
重合例１で得られた重合体１Ａを、固形分濃度が２質量％となるように、超純水（ミリポア）に溶解させ、３００ｇの水溶液を得た。
分画分子量が１００００Ｄａのクロスフロー式限外ろ過膜を備えたクロスフロー式限外ろ過ユニット（ザルトリウス・ステディム・ジャパン株式会社製、「ビバフロー５０」）を２つ直列に接続したろ過装置を用い、得られた水溶液をろ過時間７０分、ろ過圧力０．４ＭＰａの条件で循環ろ過させ、未精製の導電性高分子を精製し、ろ過膜を通過しなかった方を導電性高分子溶液１Ａ−１として回収した。
重合例１で得られた重合体１Ａを、固形分濃度が２質量％となるように、超純水（ミリポア）に溶解させ、３００ｇの水溶液を得た。
分画分子量が１００００Ｄａのクロスフロー式限外ろ過膜を備えたクロスフロー式限外ろ過ユニット（ザルトリウス・ステディム・ジャパン株式会社製、「ビバフロー５０」）を２つ直列に接続したろ過装置を用い、得られた水溶液をろ過時間７０分、ろ過圧力０．４ＭＰａの条件で循環ろ過させ、未精製の導電性高分子を精製し、ろ過膜を通過しなかった方を導電性高分子溶液１Ａ−１として回収した。
得られた導電性高分子溶液１Ａ−１の一部を採取し、導電性高分子の固形分濃度が０．１質量％となるように、先に調製した溶離液に溶解させて試験溶液を調製した。この試験溶液について面積比（Ｙ／Ｘ）を算出した。結果を表２に示す。
また、導電性高分子溶液１Ａ−１について、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
また、導電性高分子溶液１Ａ−１について、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
［実施例２］
重合例１で得られた重合体１Ａを、固形分濃度が２質量％となるように、超純水（ミリポア）に溶解させ、３００ｇの水溶液を得た。
分画分子量が１００００Ｄａの加圧式限外ろ過膜（アドバンテック株式会社製、「ウルトラフィルターＱ０１００」）を備えた加圧式限外ろ過ユニット（アドバンテック株式会社製、「攪拌型ウルトラフォルダー」）に、得られた水溶液をセットし、水溶液が１５０ｇになるまで０．３５ＭＰａの圧力を加圧しながらろ過した。その後圧力を解除し、水溶液に超純水を１５０ｇ加え、再度加圧しながらろ過した。この操作を３回繰り返して未精製の導電性高分子を精製し、ろ過膜を通過しなかった方を導電性高分子溶液１Ａ−２として回収した。
得られた導電性高分子溶液１Ａ−２について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
重合例１で得られた重合体１Ａを、固形分濃度が２質量％となるように、超純水（ミリポア）に溶解させ、３００ｇの水溶液を得た。
分画分子量が１００００Ｄａの加圧式限外ろ過膜（アドバンテック株式会社製、「ウルトラフィルターＱ０１００」）を備えた加圧式限外ろ過ユニット（アドバンテック株式会社製、「攪拌型ウルトラフォルダー」）に、得られた水溶液をセットし、水溶液が１５０ｇになるまで０．３５ＭＰａの圧力を加圧しながらろ過した。その後圧力を解除し、水溶液に超純水を１５０ｇ加え、再度加圧しながらろ過した。この操作を３回繰り返して未精製の導電性高分子を精製し、ろ過膜を通過しなかった方を導電性高分子溶液１Ａ−２として回収した。
得られた導電性高分子溶液１Ａ−２について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
［実施例３］
重合例１で得られた重合体１Ａを２質量部、水９８質量部に室温で溶解させ、水溶液を得た。この水溶液１００質量部に、強塩基性陰イオン交換樹脂（オルガノ株式会社製、「オルライトＤＳ−２」）１０質量部を加え、ミックスローターバリアブル（ＶＭＲ−３Ｒ）を用いて５０ｒｐｍの回転速度で、室温で１時間回転させ、未精製の導電性高分子を精製した。
ついで、混合液をフィルターろ過することにより強塩基性陰イオン交換樹脂を除去し、導電性高分子溶液１Ａ−３を得た。
得られた導電性高分子溶液１Ａ−３について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
重合例１で得られた重合体１Ａを２質量部、水９８質量部に室温で溶解させ、水溶液を得た。この水溶液１００質量部に、強塩基性陰イオン交換樹脂（オルガノ株式会社製、「オルライトＤＳ−２」）１０質量部を加え、ミックスローターバリアブル（ＶＭＲ−３Ｒ）を用いて５０ｒｐｍの回転速度で、室温で１時間回転させ、未精製の導電性高分子を精製した。
ついで、混合液をフィルターろ過することにより強塩基性陰イオン交換樹脂を除去し、導電性高分子溶液１Ａ−３を得た。
得られた導電性高分子溶液１Ａ−３について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
［実施例４］
重合例１で得られた重合体１Ａを２質量部、水９８質量部に室温で溶解させ、水溶液を得た。この水溶液１００質量部に、活性炭（日本エンバイロケミカルズ株式会社製、「精製白鷺」）１質量部を加え、ミックスローターバリアブル（ＶＭＲ−３Ｒ）を用いて５０ｒｐｍの回転速度で、室温で１時間回転させ、未精製の導電性高分子を精製した。
ついで、混合液をフィルターろ過することにより活性炭を除去し、導電性高分子溶液１Ａ−４を得た。
得られた導電性高分子溶液１Ａ−４について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
重合例１で得られた重合体１Ａを２質量部、水９８質量部に室温で溶解させ、水溶液を得た。この水溶液１００質量部に、活性炭（日本エンバイロケミカルズ株式会社製、「精製白鷺」）１質量部を加え、ミックスローターバリアブル（ＶＭＲ−３Ｒ）を用いて５０ｒｐｍの回転速度で、室温で１時間回転させ、未精製の導電性高分子を精製した。
ついで、混合液をフィルターろ過することにより活性炭を除去し、導電性高分子溶液１Ａ−４を得た。
得られた導電性高分子溶液１Ａ−４について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
［実施例５］
重合例１で得られた重合体１Ａを２質量部、水９８質量部に室温で溶解させ、水溶液を得た。この水溶液１００質量部に、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ、株式会社昭和電工製、「ＶＧＣＦ」）１質量部を加え、ミックスローターバリアブル（ＶＭＲ−３Ｒ）を用いて５０ｒｐｍの回転速度で、室温で１時間回転させ、未精製の導電性高分子を精製した。
ついで、混合液をフィルターろ過することによりＣＮＴを除去し、導電性高分子溶液１Ａ−５を得た。
得られた導電性高分子溶液１Ａ−５について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
重合例１で得られた重合体１Ａを２質量部、水９８質量部に室温で溶解させ、水溶液を得た。この水溶液１００質量部に、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ、株式会社昭和電工製、「ＶＧＣＦ」）１質量部を加え、ミックスローターバリアブル（ＶＭＲ−３Ｒ）を用いて５０ｒｐｍの回転速度で、室温で１時間回転させ、未精製の導電性高分子を精製した。
ついで、混合液をフィルターろ過することによりＣＮＴを除去し、導電性高分子溶液１Ａ−５を得た。
得られた導電性高分子溶液１Ａ−５について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
［実施例６］
重合例２で得られた重合体１Ｂを用いた以外は、実施例１と同様にして未精製の導電性高分子を精製し、ろ過膜を通過しなかった方を導電性高分子溶液１Ｂ−１として回収した。この導電性高分子溶液１Ｂ−１について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
重合例２で得られた重合体１Ｂを用いた以外は、実施例１と同様にして未精製の導電性高分子を精製し、ろ過膜を通過しなかった方を導電性高分子溶液１Ｂ−１として回収した。この導電性高分子溶液１Ｂ−１について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
［実施例７］
重合例３で得られた重合体溶液１Ｃを用い、固形分濃度が２質量％となるように超純水（ミリポア）をさらに加えた以外は、実施例１と同様にして未精製の導電性高分子を精製し、ろ過膜を通過しなかった方を導電性高分子溶液１Ｃ−１として回収した。この導電性高分子溶液１Ｃ−１について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
重合例３で得られた重合体溶液１Ｃを用い、固形分濃度が２質量％となるように超純水（ミリポア）をさらに加えた以外は、実施例１と同様にして未精製の導電性高分子を精製し、ろ過膜を通過しなかった方を導電性高分子溶液１Ｃ−１として回収した。この導電性高分子溶液１Ｃ−１について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
［実施例８］
実施例１で得られた導電性高分子溶液１Ａ−１の１００質量部に対して１０質量部となるように、酸性陽イオン交換樹脂（オルガノ株式会社製、「アンバーライトＩＲ−１２０Ｈ」）をカラムに充填し、該カラムに導電性高分子溶液１Ａ−１をＳＶ＝５の速度で通過させて脱塩を行い、導電性高分子溶液１Ａ−６を得た。なお、１ＳＶ（スベルドラップ）は１×１０６ｍ３／ｓ（＝１ＧＬ／ｓ）である。
得られた導電性高分子溶液１Ａ−６について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
実施例１で得られた導電性高分子溶液１Ａ−１の１００質量部に対して１０質量部となるように、酸性陽イオン交換樹脂（オルガノ株式会社製、「アンバーライトＩＲ−１２０Ｈ」）をカラムに充填し、該カラムに導電性高分子溶液１Ａ−１をＳＶ＝５の速度で通過させて脱塩を行い、導電性高分子溶液１Ａ−６を得た。なお、１ＳＶ（スベルドラップ）は１×１０６ｍ３／ｓ（＝１ＧＬ／ｓ）である。
得られた導電性高分子溶液１Ａ−６について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
［実施例９］
実施例２で得られた導電性高分子溶液１Ａ−２を用いた以外は、実施例８と同様にして脱塩を行い、導電性高分子溶液１Ａ−７を得た。
得られた導電性高分子溶液１Ａ−７について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
実施例２で得られた導電性高分子溶液１Ａ−２を用いた以外は、実施例８と同様にして脱塩を行い、導電性高分子溶液１Ａ−７を得た。
得られた導電性高分子溶液１Ａ−７について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
［実施例１０］
実施例３で得られた導電性高分子溶液１Ａ−３を用いた以外は、実施例８と同様にして脱塩を行い、導電性高分子溶液１Ａ−８を得た。
得られた導電性高分子溶液１Ａ−８について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
実施例３で得られた導電性高分子溶液１Ａ−３を用いた以外は、実施例８と同様にして脱塩を行い、導電性高分子溶液１Ａ−８を得た。
得られた導電性高分子溶液１Ａ−８について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
［実施例１１］
実施例４で得られた導電性高分子溶液１Ａ−４を用いた以外は、実施例８と同様にして脱塩を行い、導電性高分子溶液１Ａ−９を得た。
得られた導電性高分子溶液１Ａ−９について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
実施例４で得られた導電性高分子溶液１Ａ−４を用いた以外は、実施例８と同様にして脱塩を行い、導電性高分子溶液１Ａ−９を得た。
得られた導電性高分子溶液１Ａ−９について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
［実施例１２］
実施例５で得られた導電性高分子溶液１Ａ−５を用いた以外は、実施例８と同様にして脱塩を行い、導電性高分子溶液１Ａ−１０を得た。
得られた導電性高分子溶液１Ａ−１０について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
実施例５で得られた導電性高分子溶液１Ａ−５を用いた以外は、実施例８と同様にして脱塩を行い、導電性高分子溶液１Ａ−１０を得た。
得られた導電性高分子溶液１Ａ−１０について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
［実施例１３］
実施例６で得られた導電性高分子溶液１Ｂ−１を用いた以外は、実施例８と同様にして脱塩を行い、導電性高分子溶液１Ｂ−２を得た。
得られた導電性高分子溶液１Ｂ−２について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
実施例６で得られた導電性高分子溶液１Ｂ−１を用いた以外は、実施例８と同様にして脱塩を行い、導電性高分子溶液１Ｂ−２を得た。
得られた導電性高分子溶液１Ｂ−２について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
［実施例１４］
実施例７で得られた導電性高分子溶液１Ｃ−１を用いた以外は、実施例８と同様にして脱塩を行い、高分子溶液１Ｃ−２を得た。
得られた導電性高分子溶液１Ｃ−２について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
実施例７で得られた導電性高分子溶液１Ｃ−１を用いた以外は、実施例８と同様にして脱塩を行い、高分子溶液１Ｃ−２を得た。
得られた導電性高分子溶液１Ｃ−２について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
［比較例１］
重合例１で得られた重合体１Ａを、固形分濃度が２質量％となるように、超純水（ミリポア）に溶解させ、３００ｇの水溶液を得た。この水溶液を導電性高分子溶液１Ｄ−１とした。
導電性高分子溶液１Ｄ−１について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
重合例１で得られた重合体１Ａを、固形分濃度が２質量％となるように、超純水（ミリポア）に溶解させ、３００ｇの水溶液を得た。この水溶液を導電性高分子溶液１Ｄ−１とした。
導電性高分子溶液１Ｄ−１について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
［比較例２］
実施例１と同様にして未精製の導電性高分子（重合体１Ａ）を精製した。ろ過膜を通過した方を導電性高分子溶液１Ｄ−２として回収した。
導電性高分子溶液１Ｄ−２について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
実施例１と同様にして未精製の導電性高分子（重合体１Ａ）を精製した。ろ過膜を通過した方を導電性高分子溶液１Ｄ−２として回収した。
導電性高分子溶液１Ｄ−２について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
［比較例３］
重合例２で得られた重合体１Ｂを、固形分濃度が２質量％となるように、超純水（ミリポア）に溶解させ、３００ｇの水溶液を得た。この水溶液を導電性高分子溶液１Ｄ−３とした。
導電性高分子溶液１Ｄ−３について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
重合例２で得られた重合体１Ｂを、固形分濃度が２質量％となるように、超純水（ミリポア）に溶解させ、３００ｇの水溶液を得た。この水溶液を導電性高分子溶液１Ｄ−３とした。
導電性高分子溶液１Ｄ−３について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
［比較例４］
比較例２で得られた導電性高分子溶液１Ｄ−２を用いた以外は、実施例８と同様にして脱塩を行い、高分子溶液１Ｄ−４を得た。
得られた導電性高分子溶液１Ｄ−４について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
比較例２で得られた導電性高分子溶液１Ｄ−２を用いた以外は、実施例８と同様にして脱塩を行い、高分子溶液１Ｄ−４を得た。
得られた導電性高分子溶液１Ｄ−４について、実施例１と同様にして面積比（Ｙ／Ｘ）を算出し、異物発生の評価および表面抵抗値を測定した。これらの結果を表２に示す。
表２から明らかなように、各実施例で得られた導電性高分子溶液は、塗膜を形成してから３ヶ月経過しても異物の発生数が塗膜１ｍｍ２あたり５個以下であり、異物の発生を抑制できた。特に、未精製の導電性高分子を精製した後、脱塩を行った実施例８〜１４の場合は、塗膜を形成してから１週間までは異物が発生しなかった。
また、各実施例で得られた導電性高分子溶液から形成された塗膜は、表面抵抗値が低く、高い導電性を示した。特に、未精製の導電性高分子を精製した後、脱塩を行った実施例８〜１４の場合は、表面抵抗値がさらに低下し、より高い導電性を発現できた。
また、各実施例で得られた導電性高分子溶液から形成された塗膜は、表面抵抗値が低く、高い導電性を示した。特に、未精製の導電性高分子を精製した後、脱塩を行った実施例８〜１４の場合は、表面抵抗値がさらに低下し、より高い導電性を発現できた。
一方、未精製の導電性高分子を精製しなかった比較例１、３で得られた導電性高分子溶液は、塗膜を形成してから１週間経過すると異物が発生した。さらに３ヶ月経過すると異物の数が増えた。これは、導電性高分子中に含まれているオリゴマーやモノマーなどが異物となって現れたものと考えられる。また、塗膜の表面抵抗値が各実施例に比べて若干高かった。
比較例２で得られた導電性高分子溶液は、実施例１でクロスフロー方式により未精製の導電性高分子を精製した後のろ液（ろ過膜を通過した液）に相当する。比較例３により得られた導電性高分子は、面積比（Ｙ／Ｘ）が３．００であり、オリゴマーやモノマーなどの低分子量体の割合が多かった。この導電性高分子の溶液は、塗膜を形成してから１週間で塗膜１ｍｍ２あたり１００個超の異物が発生した。また、塗膜の表面抵抗値が各実施例に比べて著しく高く、導電性が不十分であった。
比較例４は、比較例２で得られた導電性高分子溶液を脱塩した例である。比較例４より得られた導電性高分子の面積比（Ｙ／Ｘ）は３．００であり、脱塩ではオリゴマーやモノマーを除去することはできなかった。また、比較例４の場合は、脱塩によって塩基性化合物が除去されたため、比較例２に比べれば異物の発生数は少なかったが、各実施例に比べるとはるかに多かった。さらに、塗膜の表面抵抗値が各実施例に比べて著しく高く、導電性が不十分であった。
比較例２で得られた導電性高分子溶液は、実施例１でクロスフロー方式により未精製の導電性高分子を精製した後のろ液（ろ過膜を通過した液）に相当する。比較例３により得られた導電性高分子は、面積比（Ｙ／Ｘ）が３．００であり、オリゴマーやモノマーなどの低分子量体の割合が多かった。この導電性高分子の溶液は、塗膜を形成してから１週間で塗膜１ｍｍ２あたり１００個超の異物が発生した。また、塗膜の表面抵抗値が各実施例に比べて著しく高く、導電性が不十分であった。
比較例４は、比較例２で得られた導電性高分子溶液を脱塩した例である。比較例４より得られた導電性高分子の面積比（Ｙ／Ｘ）は３．００であり、脱塩ではオリゴマーやモノマーを除去することはできなかった。また、比較例４の場合は、脱塩によって塩基性化合物が除去されたため、比較例２に比べれば異物の発生数は少なかったが、各実施例に比べるとはるかに多かった。さらに、塗膜の表面抵抗値が各実施例に比べて著しく高く、導電性が不十分であった。
［膜ろ過により精製された導電性高分子］
＜評価および測定＞
（面積比（Ｙ／Ｘ）の算出）
まず、水（超純水）とメタノールを、容積比が水：メタノール＝８：２となるように混合した混合溶媒に、炭酸ナトリウムと炭酸水素ナトリウムを、それぞれの固形分濃度が２０ｍｍｏｌ／Ｌ、３０ｍｍｏｌ／Ｌになるように添加して、溶離液を調製した。得られた溶離液は、２５℃でのｐＨが１０．８であった。
この溶離液に、導電性ポリマー溶液を固形分濃度が０．１質量％となるように溶解させ、試験溶液を調製した（工程（Ｉ））。
得られた試験溶液について、フォトダイオードアレイ（ＰＤＡ）検出器が接続されたゲルパーミエーションクロマトグラフを備えた高分子材料評価装置（Ｗａｔｅｒｓ社製、「Ｗａｔｅｒｓ Ａｌｌｉａｎｃｅ２６９５、２４１４（屈折率計）、２９９６（ＰＤＡ）」）を使用して分子量分布を測定し、クロマトグラムを得た（工程（ＩＩ））。
ついで、得られたクロマトグラムについて、保持時間をポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算の分子量（Ｍ）へと換算した（工程（ＩＩＩ））。具体的には、ピークトップ分子量が２０６、１０３０、４２１０、１３５００、３３５００、７８４００、１５８０００、２３５００００のポリスチレンスルホン酸ナトリウムを標準試料として用い、試験溶液と同様にして、各標準試料を固形分濃度が０．０５質量％となるように溶離液に溶解させて、標準溶液を調製した。そして、各標準溶液についてＧＰＣにより保持時間と分子量の関係を求め、検量線を作成した。作成した検量線から、工程（ＩＩ）で得られたクロマトグラムについて、保持時間をポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算の分子量（Ｍ）へと換算した。
そして、分子量（Ｍ）が５０００Ｄａ以上の領域の面積（Ｘ）と、５０００Ｄａ未満の領域の面積（Ｙ）をそれぞれ求めた（工程（ＩＶ））。
これら面積（Ｘ）と面積（Ｙ）との面積比（Ｙ／Ｘ）を求めた（工程（Ｖ））。結果を表３に示す。
＜評価および測定＞
（面積比（Ｙ／Ｘ）の算出）
まず、水（超純水）とメタノールを、容積比が水：メタノール＝８：２となるように混合した混合溶媒に、炭酸ナトリウムと炭酸水素ナトリウムを、それぞれの固形分濃度が２０ｍｍｏｌ／Ｌ、３０ｍｍｏｌ／Ｌになるように添加して、溶離液を調製した。得られた溶離液は、２５℃でのｐＨが１０．８であった。
この溶離液に、導電性ポリマー溶液を固形分濃度が０．１質量％となるように溶解させ、試験溶液を調製した（工程（Ｉ））。
得られた試験溶液について、フォトダイオードアレイ（ＰＤＡ）検出器が接続されたゲルパーミエーションクロマトグラフを備えた高分子材料評価装置（Ｗａｔｅｒｓ社製、「Ｗａｔｅｒｓ Ａｌｌｉａｎｃｅ２６９５、２４１４（屈折率計）、２９９６（ＰＤＡ）」）を使用して分子量分布を測定し、クロマトグラムを得た（工程（ＩＩ））。
ついで、得られたクロマトグラムについて、保持時間をポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算の分子量（Ｍ）へと換算した（工程（ＩＩＩ））。具体的には、ピークトップ分子量が２０６、１０３０、４２１０、１３５００、３３５００、７８４００、１５８０００、２３５００００のポリスチレンスルホン酸ナトリウムを標準試料として用い、試験溶液と同様にして、各標準試料を固形分濃度が０．０５質量％となるように溶離液に溶解させて、標準溶液を調製した。そして、各標準溶液についてＧＰＣにより保持時間と分子量の関係を求め、検量線を作成した。作成した検量線から、工程（ＩＩ）で得られたクロマトグラムについて、保持時間をポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算の分子量（Ｍ）へと換算した。
そして、分子量（Ｍ）が５０００Ｄａ以上の領域の面積（Ｘ）と、５０００Ｄａ未満の領域の面積（Ｙ）をそれぞれ求めた（工程（ＩＶ））。
これら面積（Ｘ）と面積（Ｙ）との面積比（Ｙ／Ｘ）を求めた（工程（Ｖ））。結果を表３に示す。
（導電性の評価）
得られた導電性ポリマー溶液を、スピンコータ（Ａｃｔｅｓ ｉｎｃ．製、「マニュアルスピンナーＡＳＣ−４０００」）を用いてガラス基板上に塗布し、ホットプレート上で１００℃×２分間加熱して、表３に示す膜厚の塗膜がガラス基板上に形成された試験片を得た。
得られた試験片の表面抵抗値を、抵抗率計（株式会社三菱化学アナリテック製、「ロレスタＧＰ」）に直列四探針プローブを装着して測定した。結果を表３に示す。
得られた導電性ポリマー溶液を、スピンコータ（Ａｃｔｅｓ ｉｎｃ．製、「マニュアルスピンナーＡＳＣ−４０００」）を用いてガラス基板上に塗布し、ホットプレート上で１００℃×２分間加熱して、表３に示す膜厚の塗膜がガラス基板上に形成された試験片を得た。
得られた試験片の表面抵抗値を、抵抗率計（株式会社三菱化学アナリテック製、「ロレスタＧＰ」）に直列四探針プローブを装着して測定した。結果を表３に示す。
［実施例１５］
＜導電性ポリマーの製造＞
ペルオキソ二硫酸アンモニウム１ｍｏｌ／Ｌの水溶液１３４ｋｇと、９８質量％硫酸（２６．８ｍｏｌ）を仕込んだ容量３００ＬのＳＵＳ製の丸底攪拌槽（槽径０．６ｍ）の反応器内温度を０℃に調整後、４．５ｍｏｌ／Ｌトリエチルアミン水溶液６５ｋｇに溶解した２−アミノアニソール−４−スルホン酸１３１ｍｏｌを１時間かけて滴下した。攪拌翼はＳＵＳ製のアンカー翼（攪拌翼径０．５ｍ）で、攪拌回転数は４５ｒｐｍで行った。滴下終了後、２時間攪拌し、１２時間熟成させ、ポリマー溶液を得た。
＜導電性ポリマーの製造＞
ペルオキソ二硫酸アンモニウム１ｍｏｌ／Ｌの水溶液１３４ｋｇと、９８質量％硫酸（２６．８ｍｏｌ）を仕込んだ容量３００ＬのＳＵＳ製の丸底攪拌槽（槽径０．６ｍ）の反応器内温度を０℃に調整後、４．５ｍｏｌ／Ｌトリエチルアミン水溶液６５ｋｇに溶解した２−アミノアニソール−４−スルホン酸１３１ｍｏｌを１時間かけて滴下した。攪拌翼はＳＵＳ製のアンカー翼（攪拌翼径０．５ｍ）で、攪拌回転数は４５ｒｐｍで行った。滴下終了後、２時間攪拌し、１２時間熟成させ、ポリマー溶液を得た。
＜有機膜ろ過工程＞
前記導電性ポリマーの製造工程で得られたポリマー溶液を膜ろ過した。
膜ろ過には、図６に示す膜ろ過装置１０を用いた。この膜ろ過装置１０は、クロスフロー方式を採用した装置であり、ろ過部１１と、ポンプ１２と、３つの容器１３、１４、１５を備えている。
ろ過部１１としては、ザルトリウス社製の「ビバフロー２００」を用いた。また、ろ過膜として、分画分子量が５０００Ｄａの限外ろ過膜（材質：ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ））を用いた。
容器１３はポリマー溶液と、ろ過膜を通過しなかったろ過液を収容する容器であり、容器１４はろ過膜を通過したろ過液（透過液）を回収する容器であり、容器１５は希釈液（水など）を貯蔵する容器である。
前記導電性ポリマーの製造工程で得られたポリマー溶液を膜ろ過した。
膜ろ過には、図６に示す膜ろ過装置１０を用いた。この膜ろ過装置１０は、クロスフロー方式を採用した装置であり、ろ過部１１と、ポンプ１２と、３つの容器１３、１４、１５を備えている。
ろ過部１１としては、ザルトリウス社製の「ビバフロー２００」を用いた。また、ろ過膜として、分画分子量が５０００Ｄａの限外ろ過膜（材質：ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ））を用いた。
容器１３はポリマー溶液と、ろ過膜を通過しなかったろ過液を収容する容器であり、容器１４はろ過膜を通過したろ過液（透過液）を回収する容器であり、容器１５は希釈液（水など）を貯蔵する容器である。
膜ろ過装置１０を用い、以下のようにしてポリマー溶液を膜ろ過した。
すなわち、ポンプ１２を稼働させ、容器１３に収容されたポリマー溶液をろ過部１１に供給し、ろ過部１１のろ過膜を通過したろ過液を容器１４に回収し、通過しなかったろ過液を容器１３に返送した。容器１３に返送されたろ過液は、ポリマー溶液と混合され、再度、ろ過部１１に供給されて膜ろ過される。
ろ過圧力０．１８ＭＰａ、ろ過時間４２０分の条件で、連続して膜ろ過を行った。なお、時間が経過するに従って、ろ過部１１に供給されるポリマー溶液は濃縮されるので、容器１５に貯蔵された希釈液（水）を容器１３に供給し、ポリマー溶液の濃度が所望の値になるように希釈した。
膜ろ過の終了後、容器１３内の溶液を導電性ポリマー溶液として回収した。
すなわち、ポンプ１２を稼働させ、容器１３に収容されたポリマー溶液をろ過部１１に供給し、ろ過部１１のろ過膜を通過したろ過液を容器１４に回収し、通過しなかったろ過液を容器１３に返送した。容器１３に返送されたろ過液は、ポリマー溶液と混合され、再度、ろ過部１１に供給されて膜ろ過される。
ろ過圧力０．１８ＭＰａ、ろ過時間４２０分の条件で、連続して膜ろ過を行った。なお、時間が経過するに従って、ろ過部１１に供給されるポリマー溶液は濃縮されるので、容器１５に貯蔵された希釈液（水）を容器１３に供給し、ポリマー溶液の濃度が所望の値になるように希釈した。
膜ろ過の終了後、容器１３内の溶液を導電性ポリマー溶液として回収した。
＜評価＞
（面積比（Ｙ／Ｘ）の算出）
まず、水（超純水）とメタノールを、容積比が水：メタノール＝８：２となるように混合した混合溶媒に、炭酸ナトリウムと炭酸水素ナトリウムを、それぞれの固形分濃度が２０ｍｍｏｌ／Ｌ、３０ｍｍｏｌ／Ｌになるように添加して、溶離液を調製した。得られた溶離液は、２５℃でのｐＨが１０．８であった。
この溶離液に、導電性ポリマー溶液を固形分濃度が０．１質量％となるように溶解させ、試験溶液を調製した（工程（Ｉ））。
得られた試験溶液について、フォトダイオードアレイ（ＰＤＡ）検出器が接続されたゲルパーミエーションクロマトグラフを備えた高分子材料評価装置（Ｗａｔｅｒｓ社製、「Ｗａｔｅｒｓ Ａｌｌｉａｎｃｅ２６９５、２４１４（屈折率計）、２９９６（ＰＤＡ）」）を使用して分子量分布を測定し、クロマトグラムを得た（工程（ＩＩ））。
ついで、得られたクロマトグラムについて、保持時間をポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算の分子量（Ｍ）へと換算した（工程（ＩＩＩ））。具体的には、ピークトップ分子量が２０６、１０３０、４２１０、１３５００、３３５００、７８４００、１５８０００、２３５００００のポリスチレンスルホン酸ナトリウムを標準試料として用い、試験溶液と同様にして、各標準試料を固形分濃度が０．０５質量％、ただし、ピークトップ分子量が２０６の標準試料のみは固形分濃度が０．００２５質量％となるように溶離液に溶解させて、標準溶液を調製した。そして、各標準溶液についてＧＰＣにより保持時間と分子量の関係を求め、検量線を作成した。作成した検量線から、工程（ＩＩ）で得られたクロマトグラムについて、保持時間をポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算の分子量（Ｍ）へと換算した。
そして、分子量（Ｍ）が５０００Ｄａ以上の領域の面積（Ｘ）と、５０００Ｄａ未満の領域の面積（Ｙ）をそれぞれ求めた（工程（ＩＶ））。
これら面積（Ｘ）と面積（Ｙ）との面積比（Ｙ／Ｘ）を求めた（工程（Ｖ））。結果を表３に示す。
本発明の導電性ポリマーには、その製造過程において副生するオリゴマーや、未反応のモノマーなどが不純物として含まれている。上記面積（Ｙ）は、分子量（Ｍ）が５０００Ｄａ未満の領域の面積であり、この領域には主にオリゴマーやモノマー等の低分子量体が存在する。従って、当該面積比（Ｙ／Ｘ）は未反応モノマーや低分子量物（オリゴマー）の指標を示すものであり、この値が小さいほど、導電性高分子に含まれる低分子量体の割合が少ないことを示す。
（面積比（Ｙ／Ｘ）の算出）
まず、水（超純水）とメタノールを、容積比が水：メタノール＝８：２となるように混合した混合溶媒に、炭酸ナトリウムと炭酸水素ナトリウムを、それぞれの固形分濃度が２０ｍｍｏｌ／Ｌ、３０ｍｍｏｌ／Ｌになるように添加して、溶離液を調製した。得られた溶離液は、２５℃でのｐＨが１０．８であった。
この溶離液に、導電性ポリマー溶液を固形分濃度が０．１質量％となるように溶解させ、試験溶液を調製した（工程（Ｉ））。
得られた試験溶液について、フォトダイオードアレイ（ＰＤＡ）検出器が接続されたゲルパーミエーションクロマトグラフを備えた高分子材料評価装置（Ｗａｔｅｒｓ社製、「Ｗａｔｅｒｓ Ａｌｌｉａｎｃｅ２６９５、２４１４（屈折率計）、２９９６（ＰＤＡ）」）を使用して分子量分布を測定し、クロマトグラムを得た（工程（ＩＩ））。
ついで、得られたクロマトグラムについて、保持時間をポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算の分子量（Ｍ）へと換算した（工程（ＩＩＩ））。具体的には、ピークトップ分子量が２０６、１０３０、４２１０、１３５００、３３５００、７８４００、１５８０００、２３５００００のポリスチレンスルホン酸ナトリウムを標準試料として用い、試験溶液と同様にして、各標準試料を固形分濃度が０．０５質量％、ただし、ピークトップ分子量が２０６の標準試料のみは固形分濃度が０．００２５質量％となるように溶離液に溶解させて、標準溶液を調製した。そして、各標準溶液についてＧＰＣにより保持時間と分子量の関係を求め、検量線を作成した。作成した検量線から、工程（ＩＩ）で得られたクロマトグラムについて、保持時間をポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算の分子量（Ｍ）へと換算した。
そして、分子量（Ｍ）が５０００Ｄａ以上の領域の面積（Ｘ）と、５０００Ｄａ未満の領域の面積（Ｙ）をそれぞれ求めた（工程（ＩＶ））。
これら面積（Ｘ）と面積（Ｙ）との面積比（Ｙ／Ｘ）を求めた（工程（Ｖ））。結果を表３に示す。
本発明の導電性ポリマーには、その製造過程において副生するオリゴマーや、未反応のモノマーなどが不純物として含まれている。上記面積（Ｙ）は、分子量（Ｍ）が５０００Ｄａ未満の領域の面積であり、この領域には主にオリゴマーやモノマー等の低分子量体が存在する。従って、当該面積比（Ｙ／Ｘ）は未反応モノマーや低分子量物（オリゴマー）の指標を示すものであり、この値が小さいほど、導電性高分子に含まれる低分子量体の割合が少ないことを示す。
（導電性の評価）
得られた導電性ポリマー溶液を、スピンコータ（Ａｃｔｅｓ ｉｎｃ．製、「マニュアルスピンナーＡＳＣ−４０００」）を用いてガラス基板上に塗布し、ホットプレート上で１００℃×２分間加熱して、表３に示す膜厚の塗膜がガラス基板上に形成された試験片を得た。
得られた試験片の表面抵抗値を、抵抗率計（株式会社三菱化学アナリテック製、「ロレスタＧＰ」）に直列四探針プローブを装着して測定した。結果を表３に示す。
得られた導電性ポリマー溶液を、スピンコータ（Ａｃｔｅｓ ｉｎｃ．製、「マニュアルスピンナーＡＳＣ−４０００」）を用いてガラス基板上に塗布し、ホットプレート上で１００℃×２分間加熱して、表３に示す膜厚の塗膜がガラス基板上に形成された試験片を得た。
得られた試験片の表面抵抗値を、抵抗率計（株式会社三菱化学アナリテック製、「ロレスタＧＰ」）に直列四探針プローブを装着して測定した。結果を表３に示す。
［実施例１６］
ろ過膜として分画分子量が１００００Ｄａの限外ろ過膜を用い、ろ過圧力およびろ過時間を表３に示すように変更した以外は、実施例１５と同様にして導電性ポリマーを得た。得られた導電性ポリマーについて、各種評価を行った。結果を表３に示す。
ろ過膜として分画分子量が１００００Ｄａの限外ろ過膜を用い、ろ過圧力およびろ過時間を表３に示すように変更した以外は、実施例１５と同様にして導電性ポリマーを得た。得られた導電性ポリマーについて、各種評価を行った。結果を表３に示す。
［実施例１７］
膜ろ過としてセラミック膜を使用する以外は実施例１５と同様にして導電性ポリマーを得た。
＜無機膜ろ過工程＞
セラミック膜ろ過には、図６に示すものと同様な膜ろ過装置を用いた。ただし、ろ過膜として膜孔径１０ｎｍである日本ポール社製の「メンブラロックス」(材質：セラミック)を用いた。この膜は長さ２５０ｍｍ、直径１０ｍｍ、内径７ｍｍの筒型であり、筒の内側が限外ろ過膜として機能するようになっている。ろ過部１１は１６に示すような外形のＳＵＳ製ハウジングであり透過液を容器１４へ回収できるようになっている。
膜ろ過装置を用い、実施例１５と同様にポリマー溶液を膜ろ過した。
ろ過圧力０．３ＭＰａ、ろ過時間７４６分の条件で、連続して膜ろ過を行い、得られた導電性ポリマーについて、各種評価を行った。結果を表３に示す。
膜ろ過としてセラミック膜を使用する以外は実施例１５と同様にして導電性ポリマーを得た。
＜無機膜ろ過工程＞
セラミック膜ろ過には、図６に示すものと同様な膜ろ過装置を用いた。ただし、ろ過膜として膜孔径１０ｎｍである日本ポール社製の「メンブラロックス」(材質：セラミック)を用いた。この膜は長さ２５０ｍｍ、直径１０ｍｍ、内径７ｍｍの筒型であり、筒の内側が限外ろ過膜として機能するようになっている。ろ過部１１は１６に示すような外形のＳＵＳ製ハウジングであり透過液を容器１４へ回収できるようになっている。
膜ろ過装置を用い、実施例１５と同様にポリマー溶液を膜ろ過した。
ろ過圧力０．３ＭＰａ、ろ過時間７４６分の条件で、連続して膜ろ過を行い、得られた導電性ポリマーについて、各種評価を行った。結果を表３に示す。
［比較例５］
実施例１５の工程（ａ）と同様にしてポリマー溶液を得た。このポリマー溶液を膜ろ過せずに、導電性ポリマーとして用い、各種評価を行った。
結果を表３に示す。
実施例１５の工程（ａ）と同様にしてポリマー溶液を得た。このポリマー溶液を膜ろ過せずに、導電性ポリマーとして用い、各種評価を行った。
結果を表３に示す。
表３から明らかなように、実施例１５〜１７で得られた導電性ポリマーは、上記面積比（Ｙ／Ｘ）の値が０．６０以下であった。この結果より、導電性ポリマー中には、未反応モノマーや低分子量物（オリゴマー）などが十分に除去されていることが示された。
また、これら導電性ポリマーから形成された塗膜は、表面抵抗値が低く、高い導電性を示していた。
特に、分画分子量が１００００Ｄａの限外ろ過膜を用いて膜ろ過を行った実施例１６は、実施例１５に比べてろ過時間が短いにもかかわらず、上記面積比（Ｙ／Ｘ）の値がより小さく、塗膜の表面抵抗値がより低下した。すなわち、実施例１６では、未反応モノマーやオリゴマーなどが実施例１５よりもさらに除去され、より高い導電性を示す導電性ポリマーが得られたことが示された。
また、セラミック膜ろ過を用いて膜ろ過を行った実施例１７は、ろ過効率（単位膜面積に対するろ過時間換算）が、実施例１５とほぼ同等であるが、実施例１５および１６よりも、上記面積比（Ｙ／Ｘ）の値がより小さくなり、塗膜の表面抵抗値がより低下した。すなわち、より効率的にろ過を行うことができ、高い導電性を示す導電性ポリマーが得られたことが示された。
また、これら導電性ポリマーから形成された塗膜は、表面抵抗値が低く、高い導電性を示していた。
特に、分画分子量が１００００Ｄａの限外ろ過膜を用いて膜ろ過を行った実施例１６は、実施例１５に比べてろ過時間が短いにもかかわらず、上記面積比（Ｙ／Ｘ）の値がより小さく、塗膜の表面抵抗値がより低下した。すなわち、実施例１６では、未反応モノマーやオリゴマーなどが実施例１５よりもさらに除去され、より高い導電性を示す導電性ポリマーが得られたことが示された。
また、セラミック膜ろ過を用いて膜ろ過を行った実施例１７は、ろ過効率（単位膜面積に対するろ過時間換算）が、実施例１５とほぼ同等であるが、実施例１５および１６よりも、上記面積比（Ｙ／Ｘ）の値がより小さくなり、塗膜の表面抵抗値がより低下した。すなわち、より効率的にろ過を行うことができ、高い導電性を示す導電性ポリマーが得られたことが示された。
一方、ポリマー溶液を膜ろ過しなかった比較例５では、上記面積比（Ｙ／Ｘ）の値が０．７２と大きく、ポリマー溶液中に未反応モノマーやオリゴマーなどが多く含まれていた。
このポリマー溶液から形成された塗膜は、表面抵抗値が実施例１５〜１７に比べて高く、導電性が不十分であった。
このポリマー溶液から形成された塗膜は、表面抵抗値が実施例１５〜１７に比べて高く、導電性が不十分であった。
［イオン交換法により精製された導電性高分子］
＜測定方法＞
（残留オリゴマーおよび残留モノマーの測定）
導電性高分子の質量平均分子量をＧＰＣにより測定し、標準試料の検量線からポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算で求め、以下のようにして２５４ｎｍの波長のクロマトグラム比較を行った。検出器にはＵＶ検出器を用いた。
なお、以下のクロマトグラム比較の説明においては、図５に示すクロマトグラムを用いて説明する。
＜測定方法＞
（残留オリゴマーおよび残留モノマーの測定）
導電性高分子の質量平均分子量をＧＰＣにより測定し、標準試料の検量線からポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算で求め、以下のようにして２５４ｎｍの波長のクロマトグラム比較を行った。検出器にはＵＶ検出器を用いた。
なお、以下のクロマトグラム比較の説明においては、図５に示すクロマトグラムを用いて説明する。
まず、強塩基性陰イオン交換樹脂による精製前の導電性高分子溶液について、質量平均分子量をＧＰＣにより測定し、２５４ｎｍの波長のクロマトグラムを得た。図５に示すクロマトグラムは、縦軸が吸光度、横軸が保持時間である。また、ピーク１はポリマー（導電性高分子）、ピーク２はオリゴマー、ピーク３はモノマーのピークを示す。
そして、得られたクロマトグラムに検出ピーク全体のベースラインＸを引き、全てのピーク面積を求め、これを全体のピーク面積とした。
また、ピーク２のベースライン（ピーク２の谷と谷を繋いだ線）Ｙを引き、オリゴマーのピーク面積（ｙ）を求め、全体のピーク面積に対するオリゴマーのピーク面積（ｙ）の面積率（ｙ１）を求めた。
また、ピーク３のベースライン（ピーク３の谷と谷を繋いだ線）Ｚを引き、モノマーのピーク面積（ｚ）を求め、全体のピーク面積に対するモノマーのピーク面積（ｚ）の面積率（ｚ１）を求めた。
ついで、精製後の導電性高分子溶液についても同様にして質量平均分子量を測定し、得られたクロマトグラムから、全体のピーク面積に対するオリゴマーのピーク面積の面積率（ｙ２）、およびモノマーのピーク面積の面積率（ｚ２）を求めた。
そして、面積率（ｙ１）、（ｚ１）を１００としたときの、面積率（ｙ２）、（ｚ２）の割合を算出し、これらを精製後の導電性高分子中の残留オリゴマー割合、および残留モノマー割合とした。
そして、得られたクロマトグラムに検出ピーク全体のベースラインＸを引き、全てのピーク面積を求め、これを全体のピーク面積とした。
また、ピーク２のベースライン（ピーク２の谷と谷を繋いだ線）Ｙを引き、オリゴマーのピーク面積（ｙ）を求め、全体のピーク面積に対するオリゴマーのピーク面積（ｙ）の面積率（ｙ１）を求めた。
また、ピーク３のベースライン（ピーク３の谷と谷を繋いだ線）Ｚを引き、モノマーのピーク面積（ｚ）を求め、全体のピーク面積に対するモノマーのピーク面積（ｚ）の面積率（ｚ１）を求めた。
ついで、精製後の導電性高分子溶液についても同様にして質量平均分子量を測定し、得られたクロマトグラムから、全体のピーク面積に対するオリゴマーのピーク面積の面積率（ｙ２）、およびモノマーのピーク面積の面積率（ｚ２）を求めた。
そして、面積率（ｙ１）、（ｚ１）を１００としたときの、面積率（ｙ２）、（ｚ２）の割合を算出し、これらを精製後の導電性高分子中の残留オリゴマー割合、および残留モノマー割合とした。
（表面抵抗値の測定）
５ｃｍ×５ｃｍのガラス基板上に、導電性高分子溶液をスピンコート塗布（２０００ｒｐｍ×６０ｓｅｃ）し、ホットプレート上で１００℃×２分間加熱して、厚さ０．１μｍの塗膜がガラス基板上に形成された試験片を得た。
得られた試験片の表面抵抗値（初期値）を、抵抗率計（株式会社三菱アナリテック製、「ロレスタＧＰ」）に直列四探針プローブを装着して測定した。
５ｃｍ×５ｃｍのガラス基板上に、導電性高分子溶液をスピンコート塗布（２０００ｒｐｍ×６０ｓｅｃ）し、ホットプレート上で１００℃×２分間加熱して、厚さ０．１μｍの塗膜がガラス基板上に形成された試験片を得た。
得られた試験片の表面抵抗値（初期値）を、抵抗率計（株式会社三菱アナリテック製、「ロレスタＧＰ」）に直列四探針プローブを装着して測定した。
＜導電性高分子の重合＞
２−アミノアニソール−４−スルホン酸１ｍｏｌを、０℃で４ｍｏｌ／Ｌ濃度のトリエチルアミンの水／アセトニトリル＝３：７の溶液３００ｍＬに溶解し、モノマー溶液を得た。
別途、ペルオキソ二硫酸アンモニウム１ｍｏｌを、水／アセトニトリル＝３：７の溶液１Ｌに溶解し、酸化剤溶液を得た。
ついで、酸化剤溶液を５℃に冷却しながら、モノマー溶液を滴下した。滴下終了後、２５℃で１２時間さらに攪拌した後に、反応生成物を遠心濾過器にてろ別した。さらに、メタノールにて洗浄した後乾燥させ、重合体（未精製の導電性高分子）の粉末約１８５ｇを得た。
２−アミノアニソール−４−スルホン酸１ｍｏｌを、０℃で４ｍｏｌ／Ｌ濃度のトリエチルアミンの水／アセトニトリル＝３：７の溶液３００ｍＬに溶解し、モノマー溶液を得た。
別途、ペルオキソ二硫酸アンモニウム１ｍｏｌを、水／アセトニトリル＝３：７の溶液１Ｌに溶解し、酸化剤溶液を得た。
ついで、酸化剤溶液を５℃に冷却しながら、モノマー溶液を滴下した。滴下終了後、２５℃で１２時間さらに攪拌した後に、反応生成物を遠心濾過器にてろ別した。さらに、メタノールにて洗浄した後乾燥させ、重合体（未精製の導電性高分子）の粉末約１８５ｇを得た。
［実施例１８］
先に得られた重合体（未精製の導電性高分子）２質量部を、水９８質量部に室温で溶解させ、水溶液を得た。この水溶液１００質量部に、強塩基性陰イオン交換樹脂（オルガノ株式会社製、「オルライトＤＳ−２」）１０質量部を加え、ミックスローターバリアブル（ＶＭＲ−３Ｒ）を用いて５０ｒｐｍの回転速度で、室温で１時間回転させ、未精製の導電性高分子を精製した。
ついで、混合液をフィルターろ過することにより強塩基性陰イオン交換樹脂を除去し、導電性高分子溶液３Ａ−１を得た。
得られた導電性高分子溶液３Ａ−１について、導電性高分子中の残留オリゴマーおよび残留モノマーの割合を求め、表面抵抗値を測定した。これらの結果を表４に示す。
なお、「室温」とは、２５℃のことである。
先に得られた重合体（未精製の導電性高分子）２質量部を、水９８質量部に室温で溶解させ、水溶液を得た。この水溶液１００質量部に、強塩基性陰イオン交換樹脂（オルガノ株式会社製、「オルライトＤＳ−２」）１０質量部を加え、ミックスローターバリアブル（ＶＭＲ−３Ｒ）を用いて５０ｒｐｍの回転速度で、室温で１時間回転させ、未精製の導電性高分子を精製した。
ついで、混合液をフィルターろ過することにより強塩基性陰イオン交換樹脂を除去し、導電性高分子溶液３Ａ−１を得た。
得られた導電性高分子溶液３Ａ−１について、導電性高分子中の残留オリゴマーおよび残留モノマーの割合を求め、表面抵抗値を測定した。これらの結果を表４に示す。
なお、「室温」とは、２５℃のことである。
［実施例１９］
実施例１８で得られた導電性高分子溶液３Ａ−１の１００質量部に対して１０質量部となるように、酸性陽イオン交換樹脂（オルガノ株式会社製、「アンバーライトＩＲ−１２０Ｈ」）をカラムに充填し、該カラムに導電性高分子溶液３Ａ−１をＳＶ＝５の速度で通過させて脱塩を行い、導電性高分子溶液３Ａ−２を得た。
得られた導電性高分子溶液３Ａ−２について、導電性高分子中の残留オリゴマーおよび残留モノマーの割合を求め、表面抵抗値を測定した。これらの結果を表４に示す。
実施例１８で得られた導電性高分子溶液３Ａ−１の１００質量部に対して１０質量部となるように、酸性陽イオン交換樹脂（オルガノ株式会社製、「アンバーライトＩＲ−１２０Ｈ」）をカラムに充填し、該カラムに導電性高分子溶液３Ａ−１をＳＶ＝５の速度で通過させて脱塩を行い、導電性高分子溶液３Ａ−２を得た。
得られた導電性高分子溶液３Ａ−２について、導電性高分子中の残留オリゴマーおよび残留モノマーの割合を求め、表面抵抗値を測定した。これらの結果を表４に示す。
［比較例６］
先に得られた重合体（未精製の導電性高分子）２質量部を、水９８質量部に室温で溶解させ、水溶液を得た。この水溶液を導電性高分子溶液３Ｂ−１とした。
導電性高分子溶液３Ｂ−１について、表面抵抗値を測定した。この結果を表４に示す。
なお、比較例６において、導電性高分子中の残留オリゴマーおよび残留モノマーの割合は、それぞれ１００である。
先に得られた重合体（未精製の導電性高分子）２質量部を、水９８質量部に室温で溶解させ、水溶液を得た。この水溶液を導電性高分子溶液３Ｂ−１とした。
導電性高分子溶液３Ｂ−１について、表面抵抗値を測定した。この結果を表４に示す。
なお、比較例６において、導電性高分子中の残留オリゴマーおよび残留モノマーの割合は、それぞれ１００である。
［比較例７］
強塩基性陰イオン交換樹脂の代わりに、弱塩基性陰イオン交換樹脂（三菱化学株式会社製、「ダイヤイオンＷＡ２０」）を用いた以外は、実施例１７と同様にして未精製の導電性高分子を精製し、導電性高分子溶液３Ｃ−１を得た。
導電性高分子溶液３Ｃ−１について、導電性高分子中の残留オリゴマーおよび残留モノマーの割合を求め、表面抵抗値を測定した。これらの結果を表４に示す。
強塩基性陰イオン交換樹脂の代わりに、弱塩基性陰イオン交換樹脂（三菱化学株式会社製、「ダイヤイオンＷＡ２０」）を用いた以外は、実施例１７と同様にして未精製の導電性高分子を精製し、導電性高分子溶液３Ｃ−１を得た。
導電性高分子溶液３Ｃ−１について、導電性高分子中の残留オリゴマーおよび残留モノマーの割合を求め、表面抵抗値を測定した。これらの結果を表４に示す。
表４から明らかなように、各実施例では、導電性高分子中の残留オリゴマーおよび残留モノマーの割合が少なく、オリゴマーおよびモノマーを十分に除去することができた。
また、導電性高分子溶液から形成された塗膜は、表面抵抗値が低く、高い導電性を示した。特に、未精製の導電性高分子を精製した後、酸性陽イオン交換樹脂でイオン交換をさらに行った実施例１９の場合は、表面抵抗値がさらに低下し、より高い導電性を発現できた。
また、導電性高分子溶液から形成された塗膜は、表面抵抗値が低く、高い導電性を示した。特に、未精製の導電性高分子を精製した後、酸性陽イオン交換樹脂でイオン交換をさらに行った実施例１９の場合は、表面抵抗値がさらに低下し、より高い導電性を発現できた。
一方、未精製の導電性高分子を精製しなかった比較例６で得られた導電性高分子溶液には、各実施例に比べてオリゴマーおよびモノマーが多く含まれており、塗膜の表面抵抗値が各実施例に比べて高く、導電性が不十分であった。
弱塩基性陰イオン交換樹脂を用いて未精製の導電性高分子を精製した比較例７は、比較例６に比べるとオリゴマーやモノマーを除去することはできたが、各実施例に比べると不十分であり、塗膜の表面抵抗値が各実施例に比べて高く、導電性が不十分であった。
弱塩基性陰イオン交換樹脂を用いて未精製の導電性高分子を精製した比較例７は、比較例６に比べるとオリゴマーやモノマーを除去することはできたが、各実施例に比べると不十分であり、塗膜の表面抵抗値が各実施例に比べて高く、導電性が不十分であった。
［炭素材料により精製された導電性高分子］
＜測定方法＞
（残留オリゴマーおよび残留モノマーの測定）
導電性高分子の質量平均分子量をＧＰＣにより測定し、標準試料の検量線からポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算で求め、以下のようにして２５４ｎｍの波長のクロマトグラム比較を行った。検出器にはＵＶ検出器を用いた。
なお、以下のクロマトグラム比較の説明においては、図５に示すクロマトグラムを用いて説明する。
＜測定方法＞
（残留オリゴマーおよび残留モノマーの測定）
導電性高分子の質量平均分子量をＧＰＣにより測定し、標準試料の検量線からポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算で求め、以下のようにして２５４ｎｍの波長のクロマトグラム比較を行った。検出器にはＵＶ検出器を用いた。
なお、以下のクロマトグラム比較の説明においては、図５に示すクロマトグラムを用いて説明する。
まず、炭素材料による精製前の導電性高分子溶液について、質量平均分子量をＧＰＣにより測定し、２５４ｎｍの波長のクロマトグラムを得た。図５に示すクロマトグラムは、縦軸が吸光度、横軸が保持時間である。また、ピーク１はポリマー（導電性高分子）、ピーク２はオリゴマー、ピーク３はモノマーのピークを示す。
そして、得られたクロマトグラムに検出ピーク全体のベースラインＸを引き、全てのピーク面積を求め、これを全体のピーク面積とした。
また、ピーク２のベースライン（ピーク２の谷と谷を繋いだ線）Ｙを引き、オリゴマーのピーク面積（ｙ）を求め、全体のピーク面積に対するオリゴマーのピーク面積（ｙ）の面積率（ｙ１）を求めた。
また、ピーク３のベースライン（ピーク３の谷と谷を繋いだ線）Ｚを引き、モノマーのピーク面積（ｚ）を求め、全体のピーク面積に対するモノマーのピーク面積（ｚ）の面積率（ｚ１）を求めた。
ついで、精製後の導電性高分子溶液についても同様にして質量平均分子量を測定し、得られたクロマトグラムから、全体のピーク面積に対するオリゴマーのピーク面積の面積率（ｙ２）、およびモノマーのピーク面積の面積率（ｚ２）を求めた。
そして、面積率（ｙ１）、（ｚ１）を１００としたときの、面積率（ｙ２）、（ｚ２）の割合を算出し、これらを精製後の導電性高分子中の残留オリゴマー割合、および残留モノマー割合とした。
そして、得られたクロマトグラムに検出ピーク全体のベースラインＸを引き、全てのピーク面積を求め、これを全体のピーク面積とした。
また、ピーク２のベースライン（ピーク２の谷と谷を繋いだ線）Ｙを引き、オリゴマーのピーク面積（ｙ）を求め、全体のピーク面積に対するオリゴマーのピーク面積（ｙ）の面積率（ｙ１）を求めた。
また、ピーク３のベースライン（ピーク３の谷と谷を繋いだ線）Ｚを引き、モノマーのピーク面積（ｚ）を求め、全体のピーク面積に対するモノマーのピーク面積（ｚ）の面積率（ｚ１）を求めた。
ついで、精製後の導電性高分子溶液についても同様にして質量平均分子量を測定し、得られたクロマトグラムから、全体のピーク面積に対するオリゴマーのピーク面積の面積率（ｙ２）、およびモノマーのピーク面積の面積率（ｚ２）を求めた。
そして、面積率（ｙ１）、（ｚ１）を１００としたときの、面積率（ｙ２）、（ｚ２）の割合を算出し、これらを精製後の導電性高分子中の残留オリゴマー割合、および残留モノマー割合とした。
（表面抵抗値の測定）
５ｃｍ×５ｃｍのガラス基板上に、導電性高分子溶液をスピンコート塗布（２０００ｒｐｍ×６０ｓｅｃ）し、ホットプレート上で１００℃×２分間加熱して、厚さ０．１μｍの塗膜がガラス基板上に形成された試験片を得た。
得られた試験片の表面抵抗値（初期値）を、抵抗率計（株式会社三菱アナリテック製、「ロレスタＧＰ」）に直列四探針プローブを装着して測定した。
５ｃｍ×５ｃｍのガラス基板上に、導電性高分子溶液をスピンコート塗布（２０００ｒｐｍ×６０ｓｅｃ）し、ホットプレート上で１００℃×２分間加熱して、厚さ０．１μｍの塗膜がガラス基板上に形成された試験片を得た。
得られた試験片の表面抵抗値（初期値）を、抵抗率計（株式会社三菱アナリテック製、「ロレスタＧＰ」）に直列四探針プローブを装着して測定した。
＜導電性高分子の重合＞
２−アミノアニソール−４−スルホン酸１ｍｏｌを、０℃で４ｍｏｌ／Ｌ濃度のトリエチルアミンの水／アセトニトリル＝３：７の溶液３００ｍＬに溶解し、モノマー溶液を得た。
別途、ペルオキソ二硫酸アンモニウム１ｍｏｌを、水／アセトニトリル＝３：７の溶液１Ｌに溶解し、酸化剤溶液を得た。
ついで、酸化剤溶液を５℃に冷却しながら、モノマー溶液を滴下した。滴下終了後、２５℃で１２時間さらに攪拌した後に、反応生成物を遠心濾過器にてろ別した。さらに、メタノールにて洗浄した後乾燥させ、重合体（未精製の導電性高分子）の粉末約１８５ｇを得た。
２−アミノアニソール−４−スルホン酸１ｍｏｌを、０℃で４ｍｏｌ／Ｌ濃度のトリエチルアミンの水／アセトニトリル＝３：７の溶液３００ｍＬに溶解し、モノマー溶液を得た。
別途、ペルオキソ二硫酸アンモニウム１ｍｏｌを、水／アセトニトリル＝３：７の溶液１Ｌに溶解し、酸化剤溶液を得た。
ついで、酸化剤溶液を５℃に冷却しながら、モノマー溶液を滴下した。滴下終了後、２５℃で１２時間さらに攪拌した後に、反応生成物を遠心濾過器にてろ別した。さらに、メタノールにて洗浄した後乾燥させ、重合体（未精製の導電性高分子）の粉末約１８５ｇを得た。
［実施例２０］
先に得られた重合体（未精製の導電性高分子）１質量部を、水９９質量部に室温で溶解させ、水溶液を得た。この水溶液１００質量部に、活性炭（日本エンバイロケミカルズ社製 精製白鷺）１質量部を加え、室温で半日放置し、未精製の導電性高分子を精製した。
ついで、混合液をフィルターろ過することにより活性炭を除去し、導電性高分子溶液４Ａ−１を得た。
得られた導電性高分子溶液４Ａ−１について、導電性高分子中の残留オリゴマーおよび残留モノマーの割合を求め、表面抵抗値を測定した。これらの結果を表５に示す。
なお、「室温」とは、２５℃のことである。
先に得られた重合体（未精製の導電性高分子）１質量部を、水９９質量部に室温で溶解させ、水溶液を得た。この水溶液１００質量部に、活性炭（日本エンバイロケミカルズ社製 精製白鷺）１質量部を加え、室温で半日放置し、未精製の導電性高分子を精製した。
ついで、混合液をフィルターろ過することにより活性炭を除去し、導電性高分子溶液４Ａ−１を得た。
得られた導電性高分子溶液４Ａ−１について、導電性高分子中の残留オリゴマーおよび残留モノマーの割合を求め、表面抵抗値を測定した。これらの結果を表５に示す。
なお、「室温」とは、２５℃のことである。
［実施例２１］
先に得られた重合体（未精製の導電性高分子）１質量部を、水９９質量部に室温で溶解させ、水溶液を得た。この水溶液１００質量部に、多層カーボンナノチューブ（昭和電工社製 ＶＧＣＦ-Ｘ）１質量部を加え、室温で半日放置し、未精製の導電性高分子を精製した。ついで、混合液をフィルターろ過することにより多層カーボンナノチューブを除去し、導電性高分子溶液４Ａ−２を得た。
得られた導電性高分子溶液４Ａ−２について、導電性高分子中の残留オリゴマーおよび残留モノマーの割合を求め、表面抵抗値を測定した。これらの結果を表５に示す。
なお、「室温」とは、２５℃のことである。
先に得られた重合体（未精製の導電性高分子）１質量部を、水９９質量部に室温で溶解させ、水溶液を得た。この水溶液１００質量部に、多層カーボンナノチューブ（昭和電工社製 ＶＧＣＦ-Ｘ）１質量部を加え、室温で半日放置し、未精製の導電性高分子を精製した。ついで、混合液をフィルターろ過することにより多層カーボンナノチューブを除去し、導電性高分子溶液４Ａ−２を得た。
得られた導電性高分子溶液４Ａ−２について、導電性高分子中の残留オリゴマーおよび残留モノマーの割合を求め、表面抵抗値を測定した。これらの結果を表５に示す。
なお、「室温」とは、２５℃のことである。
［比較例８］
先に得られた重合体（未精製の導電性高分子）１質量部を、水９９質量部に室温で溶解させ、水溶液を得た。この水溶液を導電性高分子溶液４Ｂ−１とした。
導電性高分子溶液４Ｂ−１について、表面抵抗値を測定した。この結果を表５に示す。なお、比較例８において、導電性高分子中の残留オリゴマーおよび残留モノマーの割合は、それぞれ１００である。
先に得られた重合体（未精製の導電性高分子）１質量部を、水９９質量部に室温で溶解させ、水溶液を得た。この水溶液を導電性高分子溶液４Ｂ−１とした。
導電性高分子溶液４Ｂ−１について、表面抵抗値を測定した。この結果を表５に示す。なお、比較例８において、導電性高分子中の残留オリゴマーおよび残留モノマーの割合は、それぞれ１００である。
表５から明らかなように、各実施例では、導電性高分子中の残留オリゴマーおよび残留モノマーの割合が少なく、オリゴマーおよびモノマーを十分に除去することができた。
また、導電性高分子溶液から形成された塗膜は、表面抵抗値が低く、高い導電性を示した。
また、導電性高分子溶液から形成された塗膜は、表面抵抗値が低く、高い導電性を示した。
一方、未精製の導電性高分子（比較例８）で得られた導電性高分子溶液には、各実施例に比べてオリゴマーおよびモノマーが多く含まれており、塗膜の表面抵抗値が各実施例に比べて高く、導電性が不十分であった。
本発明によれば、塗膜にした際に、時間が経過しても異物が発生しにくい導電性高分子、および導電性高分子の品質管理方法、及び高い導電性と溶解性を有する導電性高分子を得るための精製方法を提供できる。
１：ポリマーのピーク
２：オリゴマーのピーク
３：モノマーのピーク
Ｘ、Ｙ、Ｚ：ベースライン
ｙ：オリゴマーのピーク面積
ｚ：モノマーのピーク面積
１０：膜ろ過装置
１１：ろ過部
１２：ポンプ
１３、１４、１５：容器
１６：ろ過部（ＳＵＳ製ハウジング）
１７：セラミック膜
２：オリゴマーのピーク
３：モノマーのピーク
Ｘ、Ｙ、Ｚ：ベースライン
ｙ：オリゴマーのピーク面積
ｚ：モノマーのピーク面積
１０：膜ろ過装置
１１：ろ過部
１２：ポンプ
１３、１４、１５：容器
１６：ろ過部（ＳＵＳ製ハウジング）
１７：セラミック膜
Claims (6)
- 下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有し、かつ、下記工程（Ｉ）〜（ＶＩ）を含む評価方法にて算出した面積比（Ｙ／Ｘ）が０．６０以下である導電性高分子。
（Ｉ）ｐＨが１０以上となるように調製した溶離液に、導電性高分子を固形分濃度が０．１質量％となるように溶解させて試験溶液を調製する工程。
（ＩＩ）試験溶液について、ゲルパーミエーションクロマトグラフを備えた高分子材料評価装置を使用して分子量分布を測定し、クロマトグラムを得る工程。
（ＩＩＩ）工程（ＩＩ）により得られたクロマトグラムについて、保持時間をポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算の分子量（Ｍ）へと換算する工程。
（ＩＶ）ポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算した分子量（Ｍ）において、分子量（Ｍ）が５０００Ｄａ以上の領域の面積（Ｘ）を求める工程。
（Ｖ）ポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算した分子量（Ｍ）において、分子量（Ｍ）が５０００Ｄａ未満の領域の面積（Ｙ）を求める工程。
（ＶＩ）面積（Ｘ）と面積（Ｙ）との面積比（Ｙ／Ｘ）を求める工程。
- 下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有する導電性高分子の品質管理方法であって、
下記工程（Ｉ）〜（ＶＩ）を含む評価方法にて算出した面積比（Ｙ／Ｘ）が０．６０以下である導電性高分子を選択する導電性高分子の品質管理方法。
（Ｉ）ｐＨが１０以上となるように調製した溶離液に、導電性高分子を固形分濃度が０．１質量％となるように溶解させて試験溶液を調製する工程。
（ＩＩ）試験溶液について、ゲルパーミエーションクロマトグラフを備えた高分子材料評価装置を使用して分子量分布を測定し、クロマトグラムを得る工程。
（ＩＩＩ）工程（ＩＩ）により得られたクロマトグラムについて、保持時間をポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算の分子量（Ｍ）へと換算する工程。
（ＩＶ）ポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算した分子量（Ｍ）において、分子量（Ｍ）が５０００Ｄａ以上の領域の面積（Ｘ）を求める工程。
（Ｖ）ポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算した分子量（Ｍ）において、分子量（Ｍ）が５０００Ｄａ未満の領域の面積（Ｙ）を求める工程。
（ＶＩ）面積（Ｘ）と面積（Ｙ）との面積比（Ｙ／Ｘ）を求める工程。
- 下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有する導電性高分子を、下記工程（Ｉ）〜（ＶＩ）を含む評価方法にて算出した面積比（Ｙ／Ｘ）が０．６０以下になるように、下記（ｉ）〜（ｉｉｉ）から選択される少なくとも1つの工程によって精製する方法。
（ｉ）前記導電性高分子を膜ろ過する工程。
（ｉｉ）前記導電性高分子を溶媒に分散または溶解させた後に、前記導電性高分子を含む溶媒を強塩基性陰イオン交換樹脂に接触させる工程。
（ｉｉｉ）前記導電性高分子を含む溶媒を炭素材料に接触させる工程。
（評価方法）
（Ｉ）ｐＨが１０以上となるように調製した溶離液に、精製後の導電性高分子を固形分濃度が０．１質量％となるように溶解させて試験溶液を調製する工程。
（ＩＩ）試験溶液について、ゲルパーミエーションクロマトグラフを備えた高分子材料評価装置を使用して分子量分布を測定し、クロマトグラムを得る工程。
（ＩＩＩ）工程（ＩＩ）により得られたクロマトグラムについて、保持時間をポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算の分子量（Ｍ）へと換算する工程。
（ＩＶ）ポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算した分子量（Ｍ）において、分子量（Ｍ）が５０００Ｄａ以上の領域の面積（Ｘ）を求める工程。
（Ｖ）ポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算した分子量（Ｍ）において、分子量（Ｍ）が５０００Ｄａ未満の領域の面積（Ｙ）を求める工程。
（ＶＩ）面積（Ｘ）と面積（Ｙ）との面積比（Ｙ／Ｘ）を求める工程。
- ガラス基板上に、前記導電性高分子を含む導電性高分子溶液を塗布し、加熱してガラス基板上に塗膜を形成し、２３℃にて１週間放置したときに、前記塗膜１ｍｍ ２ あたりに発生する最長径が１μｍ以上の異物数が５個以下である、請求項１に記載の導電性高分子。
- 前記選択された導電性高分子が、ガラス基板上に、前記選択された導電性高分子を含む導電性高分子溶液を塗布し、加熱してガラス基板上に塗膜を形成し、２３℃にて１週間放置したときに、前記塗膜１ｍｍ ２ あたりに発生する最長径が１μｍ以上の異物数が５個以下である高分子である、請求項２に記載の導電性高分子の品質管理方法。
- 前記精製後の導電性高分子が、ガラス基板上に、前記精製後の導電性高分子を含む導電性高分子溶液を塗布し、加熱してガラス基板上に塗膜を形成し、２３℃にて１週間放置したときに、前記塗膜１ｍｍ ２ あたりに発生する最長径が１μｍ以上の異物数が５個以下である高分子である、請求項３に記載の導電性高分子の精製方法。
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