JP5761215B2 - ゲート駆動回路 - Google Patents

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Description

本発明は、トランジスタのゲート駆動回路に関する。
ブリッジ回路を構成する上アームトランジスタと下アームトランジスタのいずれ一方が短絡故障した場合において、故障していない他方のトランジスタがオンすると、それらトランジスタに短絡電流が流れて二次的な故障が生じるおそれがある。これは、負荷接続用の出力端子が電源線に短絡した場合、負荷であるモータの巻線が短絡故障した場合などにおいても同様である。
そこで、トランジスタがIGBTの場合、オン指令が与えられると、しきい値電圧を僅かに超えるゲート電圧を印加して活性領域でオン動作させ、その時の検出電流に基づいて短絡故障の有無を検出する技術がある。そして、短絡故障がないと判定した後、十分に高いゲート電圧を印加して飽和領域でオン動作させる(特許文献1参照)。
上記構成において、ゲート電圧が高過ぎてIGBTのゲート耐圧VGESを超えると、IGBTの故障や寿命の低下が生じる。そこで、従来のゲート駆動回路では、そのゲートにクランプ回路を接続することにより、過渡的なゲート電圧の上昇からIGBTを保護することが行われていた。上記クランプ回路は、ゲート電圧を所定電圧にクランプ(制限)するものである。
特開2009−071956号公報
短絡等による過電流状態からの保護(短絡保護)においては、次のような点に注意が必要である。すなわち、過電流状態から電流を抑制して遮断する際、短絡電流が流れる電流経路のL成分と短絡電流の変化率(di/dt)とに応じたサージ(=−L×(di/dt))が発生する。そのサージがIGBTの耐圧を超える場合、IGBTが破壊に至る可能性がある。そこで、過電流状態から電流を抑制して遮断する際には、短絡電流が急峻に変化しないように遮断し、サージがIGBTの耐圧を超えないようにする必要がある。
また、上述した短絡故障などの異常時には、IGBTのコレクタ電圧が変化する。そのため、IGBTのコレクタ・ゲート間の寄生容量(ミラー容量)を通じてゲート容量に電荷が注入され(ミラー電流が流れ)、ゲート電圧が上昇する。そうすると、IGBTのオン状態が一層深くなり(IGBTのオン抵抗が一層小さい状態となり)、コレクタ電流(短絡電流)が増加する。そのため、前述したクランプ回路などを通じてミラー電流を引き抜く経路が必要となる。
しかし、上述したような故障が生じた際に短絡電流が流れる電流経路は、故障の種類に応じて異なる経路となる。そして、それら各電流経路のL成分は、それぞれ異なる場合がある。そうすると、故障の種類に応じて、短絡電流の変化率が異なり、短絡電流が過電流状態であると判定する判定値に達するまでに要する時間も異なってくる。
このようなことから、上記した従来の技術では、以下のような問題が生じる。すなわち、電流経路のL成分が比較的大きい場合、短絡故障が生じても、一定時間後には、未だ過電流に到達せずに正常状態であると誤判定される。そして、その後、ゲート電圧の制限が解除されて十分に高いゲート電圧が印加された状態において、ようやく過電流に達する。そうすると、ミラー電流を引き抜く経路がなく、ゲート電圧が一層上昇するため、短絡電流の増加、IGBTの遮断の遅延などが生じる。そうすると、最悪の場合、トランジスタが破壊してしまうという事態に至る可能性がある。
また、このようにゲート電圧が高い状態において過電流であると判定された場合に、その過電流状態を解消するべく、ゲート電圧を制限して急峻に低下させようとすると、IGBTのコレクタ電流が急激に制限される。そうすると、コレクタ電流が非常に高い変化率でもって低下し、高いサージ電圧が発生してしまう。このような問題を回避するため、IGBTのオン期間においてクランプ回路を常時動作させることも考えられる。しかしながら、そうすると、クランプ回路を通じて電流を流す期間がむやみに長くなり、消費電流の増大に繋がる。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、消費電流の増加を抑制しつつ、オン期間の全体において短絡保護を行うことができるゲート駆動回路を提供することにある。
請求項1に記載のゲート駆動回路は、駆動電圧生成回路、ゲートオン駆動回路およびゲート電圧制限回路を備えている。駆動電圧生成回路は、トランジスタをオン駆動するための駆動電圧を生成する。ゲートオン駆動回路は、オン指令が入力されると駆動電圧生成回路の出力端子からトランジスタのゲート端子に至る電圧供給経路を導通させ、オフ指令が入力されると上記電圧供給経路を遮断する。
ゲート電圧制限回路は、オン指令が入力されると、少なくともトランジスタに故障判定基準値を超える電流が流れるか否かの判定が終了するまでの第1期間、トランジスタのゲート電圧を、トランジスタへの印加電圧にかかわらずトランジスタに流れる電流が最大許容電流以下になるように決められた第1制限電圧以下に制限する。ゲート電圧制限回路は、第1期間の後の第2期間、トランジスタへの印加電圧にかかわらずトランジスタのゲート電圧を第1制限電圧より高い第2制限電圧以下に制限する。
駆動電圧生成回路は、第2期間にあっては、トランジスタのゲート耐圧およびトランジスタの飽和領域でのオン動作時における損失に基づいて決定される第2設定値の駆動電圧を生成する。そして、ゲート電圧制限回路における第2制限電圧は、駆動電圧の第2設定値よりも所定値だけ高い値に設定される。
このような構成によれば、本トランジスタとともにブリッジ回路を構成する他のトランジスタ、負荷接続用の出力端子、負荷などに短絡故障が生じた場合、トランジスタに流れる電流を最大許容電流以下に制限しながら短絡故障の有無を判定することができる。また、短絡故障が発生した場合、ミラー電流に伴うゲート電圧の上昇は、ゲート電圧制限回路の制限動作により、第1期間では第1制限電圧以下に制限され、第2期間では第2制限電圧以下に制限される。従って、短絡電流の流れる経路のL成分の値にかかわらず、ミラー電流によるゲート電圧の上昇を抑え、その結果、短絡電流の増加を抑えることができる。
また、第2期間において、駆動電圧生成回路は、第2設定値の駆動電圧を生成する。そのため、通常動作時、第2期間におけるゲート電圧は最大でも第2設定値となる。一方、ゲート電圧制限回路は、第2期間にあっては、トランジスタのゲート電圧を、第2設定値よりも所定値だけ高い値の第2制限電圧以下に制限する。従って、少なくとも、通常動作時の第2期間中は、ゲート電圧制限回路が制限動作を行うことはない。このようなことから、本手段によれば、トランジスタのオン期間においてゲート電圧制限回路を常時動作させる構成に比べ、消費電流の増加を抑制しつつ、オン期間全体において短絡保護を行うことができるという効果が得られる。
さらに、駆動電圧生成回路は、第1期間にあっては、トランジスタの閾値電圧より高く且つ第2設定値より低い第1設定値の駆動電圧を生成する。そして、第1制限電圧は、駆動電圧の第1設定値よりも所定値だけ高い値に設定される。このような構成によれば、通常動作時、第1期間におけるゲート電圧は最大でも第1設定値となる。一方、ゲート電圧制限回路は、第1期間にあっては、トランジスタのゲート電圧を、第1設定値よりも所定値だけ高い値の第1制限電圧以下に制限する。従って、本手段によれば、通常動作時、ゲート電圧制限回路が制限動作を行うことはない。このようなことから、本手段によれば、消費電流の増加を抑制するという点において一層顕著な効果が得られる。
第1の実施形態を示すもので、インバータ装置の構成図 ゲート駆動回路の構成図 通常時における各部の信号および電圧を示す図 上下アーム短絡時の短絡経路の一例を示す図 出力短絡時の短絡経路の一例を示す図 出力地絡時の短絡経路の一例を示す図 短絡故障時における各部の信号、電圧および電流を示す図(その1) 短絡故障時における各部の信号、電圧および電流を示す図(その2) 第2の実施形態を示す図2相当図 第3の実施形態を示す図2相当図 第4の実施形態を示す図2相当図
以下、ゲート駆動回路の複数の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各実施形態において実質的に同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
(第1の実施形態)
以下、本発明の第1の実施形態について図1〜図8を参照して説明する。
図1に示すインバータ装置1は、車載バッテリから電源線2、3を介してバッテリ電圧VBATの供給を受け、マイコンなどから構成される制御部(図2に符号4を付して示す)からフォトカプラを介して与えられるPWM制御信号Dup、Dvp、Dwp、Dun、Dvn、Dwnに従ってブラシレスDCモータ5に交流電圧を出力する。
電源線2、3間には、上アームのIGBT6up、6vp、6wpと下アームのIGBT6un、6vn、6wnとが三相ブリッジ接続されている。IGBT6up〜6wnには還流用ダイオードが並列に接続されている。IGBT6up〜6wnは、それぞれ電流センス用のIGBTを含んで個別のモジュールとして構成されている。IGBT6up〜6wnは、それぞれ個別のICとして構成されたゲート駆動回路7up〜7wnにより駆動される。
上アームのゲート駆動回路7up、7vp、7wpには、それぞれ出力ノードnu、nv、nwを基準電位とする電源線8u、8v、8wを介して電源電圧VDu、VDv、VDwが供給されている。また、下アームのゲート駆動回路7un、7vn、7wnには、グランドを基準電位とする電源線8を介して電源電圧VDが供給されている。ゲート駆動回路7up〜7wnは、同一構成である。そのため、それらを一般化してゲート駆動回路7とし、同様にIGBT6up〜6wnをIGBT6(トランジスタに相当)とし、PWM制御信号Dup〜Dwnを制御信号Dとして以下に詳述する。
図2に示すように、ゲート駆動回路7は、ゲート電圧生成回路11(駆動電圧生成回路に相当)、ゲートオン駆動回路12、ゲートオフ駆動回路13、ゲート電圧制限回路14および過電流判定回路15を備えている。ICの端子P1は制御信号Dの入力端子であり、端子P2はゲート電圧VGの出力端子である。制御信号DがHレベルのときは、ゲート駆動回路7にオフ指令が与えられた状態である。また、制御信号DがLレベルのときは、ゲート駆動回路7にオン指令が与えられた状態である。また、ICの端子P3およびP4は、それぞれ電圧切替信号Saおよび異常判定信号Sbの入力端子であり、端子P5は過電流判定信号Scの出力端子である(各信号についてはいずれも後述する)。
ゲート電圧生成回路11は、入力端子Piを通じて入力される電源電圧VDを所望の電圧に降圧し、出力端子Poを通じて出力するシリーズレギュレータ形式の電源回路である。ゲート電圧生成回路11の出力端子Poから出力される電圧は、IGBT6をオン駆動するための駆動電圧VOMとなる。
また、ゲート電圧生成回路11は、制御部4から与えられる電圧切替信号Saのレベルに応じて、出力する駆動電圧VOMの値を切り替える機能を有している。具体的には、ゲート電圧生成回路11は、電圧切替信号SaがHレベルのときに駆動電圧VOMの値を第1設定値VOM1に切り替える。また、ゲート電圧生成回路11は、電圧切替信号SaがLレベルのときに駆動電圧VOMの値を第2設定値VOM2に切り替える。
第2設定値VOM2は、IGBT6のゲート耐圧およびフルオン(飽和領域でのオン動作)時における損失に基づいて決定される。具体的には、第2設定値VOM2は、IGBT6のゲート酸化膜の信頼性を低下させないという条件と、IGBT6のフルオン時における損失を所望する値以下に抑えることができるという条件とを満たす値に設定されている。また、第1設定値VOM1は、IGBT6の閾値電圧およびミラー電圧より高い値であり、且つ、第2設定値VOM2よりも小さい値である。つまり、第1設定値VOM1は、IGBT6を活性領域でオン動作させることができる範囲の値に設定されている。
ゲート電圧生成回路11は、トランジスタ16、基準電圧生成部17、18、切替スイッチ19、OPアンプ20および電圧検出回路21を備えている。トランジスタ16は、NPN形のバイポーラトランジスタであり、入力端子Piおよび出力端子Poの間に接続されている。基準電圧生成部17、18は、例えばバンドギャップリファレンス回路などから構成されている。
基準電圧生成部17は、駆動電圧VOMの第1の目標値である第1設定値VOM1を指令するための第1基準電圧Vr1を生成する。基準電圧生成部18は、駆動電圧VOMの第2の目標値である第2設定値VOM2を指令するための第2基準電圧Vr2を生成する。基準電圧生成部17から出力される第1基準電圧Vr1は、切替スイッチ19の一方の切替端子に与えられる。基準電圧生成部18から出力される第2基準電圧Vr2は、切替スイッチ19の他方の切替端子に与えられる。切替スイッチ19の共通端子は、OPアンプ20の非反転入力端子に接続されている。
切替スイッチ19は、制御部4から与えられる電圧切替信号Saのレベルに応じて切り替えられる。具体的には、切替スイッチ19は、電圧切替信号SaがHレベルであるとき、一方の切替端子および共通端子の間を導通するように切り替えられる。これにより、第1基準電圧Vr1がOPアンプ20の非反転入力端子に与えられる。また、切替スイッチ19は、電圧切替信号SaがLレベルであるとき、他方の切替端子および共通端子の間を導通するように切り替えられる。これにより、第2基準電圧Vr2がOPアンプ20の非反転入力端子に与えられる。
電圧検出回路21は、抵抗R1およびR2の直列回路により構成されている。その直列回路は、出力端子Poとグランドとの間に接続されている。抵抗R1およびR2の共通接続点N1の電圧、つまり駆動電圧VOMを抵抗R1および抵抗R2により分圧して得られる検出電圧Vdは、OPアンプ20の反転入力端子に与えられている。抵抗R1およびR2の抵抗比(分圧比)は、駆動電圧VOMが第1設定値VOM1のときに検出電圧Vdが第1基準電圧Vr1に一致するとともに、駆動電圧VOMが第2設定値VOM2のときに検出電圧Vdが第2基準電圧Vr2に一致するような値に設定されている。OPアンプ20は、与えられた検出電圧Vdと第1基準電圧Vr1または第2基準電圧Vr2との差に応じた誤差増幅信号をトランジスタ16のベースに出力する。その誤差増幅信号により、トランジスタ16の駆動が制御される。
ゲートオン駆動回路12は、定電流源22およびスイッチ23を備えている。定電流源22およびスイッチ23は、ゲート電圧生成回路11の出力端子PoおよびIGBT6のゲートの間に直列に接続されている。定電流源22は、出力端子PoからIGBT6のゲートに向けて一定の電流Iaを出力する。スイッチ23の開閉(オン/オフ)は、制御部4から与えられる制御信号Dに応じて制御される。具体的には、スイッチ23は、制御信号DがHレベルのときにオフされるとともに、制御信号DがLレベルであるときにオンされる。
上記構成により、ゲートオン駆動回路12は、制御信号DがLレベルであるとき(オン指令が入力されたとき)、ゲート電圧生成回路11の出力端子PoからIGBT6のゲート端子に至る電圧供給経路を導通させる。これにより、定電流源22が出力する一定の電流Iaによりゲート容量が充電されてゲート電圧VGが上昇し、IGBT6がターンオンされる。つまり、本実施形態のゲート駆動回路7は、ターンオンする際、IGBT6のゲートを定電流駆動する。このとき、IGBT6のゲート電圧VGは、駆動電圧VOMに達するまで上昇する。また、ゲートオン駆動回路12は、制御信号DがHレベルであるとき(オフ指令が入力されたとき)、上記電圧供給経路を遮断する。
ゲートオフ駆動回路13は、通常時オフ回路24、異常時オフ回路25およびNOT回路26を備えている。通常時オフ回路24は、トランジスタ27、抵抗28およびAND回路29を備えている。トランジスタ27は、Nチャネル型のMOSトランジスタであり、そのドレインは抵抗28を介してIGBT6のゲートに接続され、そのソースはグランドに接続されている。トランジスタ27のゲートには、AND回路29の出力信号が与えられる。AND回路29の一方の入力端子には制御信号Dが与えられる。AND回路29の他方の入力端子には、異常判定信号Sbが与えられる。
異常時オフ回路25は、トランジスタ30、抵抗31およびAND回路32を備えている。トランジスタ30は、Nチャネル型のMOSトランジスタであり、そのドレインは抵抗31を介してIGBT6のゲートに接続され、そのソースはグランドに接続されている。トランジスタ30のゲートには、AND回路32の出力信号が与えられる。AND回路32の一方の入力端子には制御信号Dが与えられる。AND回路32の他方の入力端子には、NOT回路26を通じて反転された異常判定信号Sbが与えられる。異常時オフ回路25の抵抗31の抵抗値は、通常時オフ回路24の抵抗28の抵抗値に比べ、高い値に設定されている。
異常判定信号Sbは、制御部4から与えられる信号であり、IGBT6に過電流が流れる異常が発生しているか否かに応じてレベルが変化する。具体的には、異常判定信号Sbは、通常時、つまり異常が発生していないときにHレベルとなり、異常時、つまり異常が発生しているときにLレベルとなる。
上記構成によれば、制御信号DがHレベルであり且つ異常判定信号SbがHレベルであるとき、つまり通常時にオフ指令が入力されたとき、IGBT6のゲートから通常時オフ回路24を通じてグランド(=IGBT6のエミッタ)へと至る通電経路(第1経路に相当)が形成される。これにより、比較的小さい抵抗値の抵抗28により定まる時定数でもってゲート容量が放電される。従って、通常時にオフ指令が入力されると、ゲート電圧VGが比較的急峻に低下し、IGBT6が急峻にターンオフされる。
また、制御信号DがHレベルであり且つ異常判定信号SbがLレベルであるとき、つまり異常時にオフ指令が入力されたとき、IGBT6のゲートから異常時オフ回路25を通じてグランド(=IGBT6のエミッタ)へと至る通電経路(第2経路に相当)が形成される。これにより、比較的高い抵抗値の抵抗31により定まる時定数でもってゲート容量が放電される。従って、異常時にオフ指令が入力されると、ゲート電圧VGが比較的緩やかに低下し、IGBT6が緩やかにターンオフされる。
ゲート電圧制限回路14は、クランプ回路基準電圧生成部33(制限電圧生成回路に相当)およびゲートクランプ回路34を備えている。クランプ回路基準電圧生成部33は、駆動電圧VOMを基準とした定電圧回路により構成される。クランプ回路基準電圧生成部33は、駆動電圧VOMに定電圧回路の電圧Vαを加えた基準電圧Vrc(=VOM+Vα)を生成し、ゲートクランプ回路34に供給する。このように生成される基準電圧Vrcの電圧値は、駆動電圧VOMの電圧値に追従して変化する。具体的には、基準電圧Vrcは、駆動電圧VOMが第1設定値VOM1であるとき、第1設定値VOM1に電圧Vαを加えた電圧値となる。また、基準電圧Vrcは、駆動電圧VOMが第2設定値VOM2であるとき、第2設定値VOM2に電圧Vαを加えた電圧値となる。
ゲートクランプ回路34は、トランジスタ35(電圧制限用トランジスタに相当)およびOPアンプ36(電圧制限動作制御回路に相当)を備えている。トランジスタ35は、Nチャネル型のMOSトランジスタであり、そのドレインはIGBT6のゲートに接続され、そのソースはグランドに接続されている。トランジスタ35のゲートには、OPアンプ36の出力信号が与えられる。OPアンプ36の非反転入力端子は、IGBT6のゲート(トランジスタ35のドレイン)に接続されている。OPアンプ36の反転入力端子には、基準電圧Vrcが与えられる。
上記構成によれば、OPアンプ36は、IGBT6のゲート電圧VGが基準電圧Vrcを上回るとトランジスタ35をオンするとともに、ゲート電圧VGが基準電圧Vrcを下回るとトランジスタ35をオフする。すなわち、上記構成によれば、OPアンプ36の誤差増幅動作によりトランジスタ35の駆動が制御され、IGBT6への印加電圧にかかわらず、IGBT6のゲート電圧VGが所定の制限電圧以下に制限(クランプ)される。
上記制限電圧は、クランプ回路基準電圧生成部33から与えられる基準電圧Vrcに応じて2段階に切り替えられる。つまり、基準電圧Vrcが第1設定値VOM1に電圧Vαを加えた電圧値であるとき、制限電圧は、第1制限電圧VCL1(=VOM1+Vα)となる。また、基準電圧Vrcが第2設定値VOM2に電圧Vαを加えた電圧値であるとき、制限電圧は、第2制限電圧VCL2(=VOM2+Vα)となる。
第1制限電圧VCL1は、駆動電圧VOMの第1設定値VOM1より電圧Vαだけ高い値であり、IGBT6に流れる電流が最大許容電流以下になるような値に設定される。なお、最大許容電流は、IGBT6に固有の電流であり、故障が生じることなくIGBT6に流し得る最大電流である。第2制限電圧VCL2は、駆動電圧VOMの第2設定値VOM2より電圧Vαだけ高い値であり、第1制限電圧VCL2より高い値に設定される。
駆動電圧VOMの第1設定値VOM1と第1制限電圧VCL1との差および駆動電圧VOMの第2設定値VOM2と第2制限電圧VCL2との差、つまり電圧Vαの値は、小さいほうが望ましい。なぜなら、電圧Vαが小さいほどIGBT6のゲート電圧VGが低い値でクランプされるため、短絡電流などの過電流をより低く抑えることができるからである。ただし、電圧Vα、前述した駆動電圧VOMの第1設定値VOM1および第2設定値VOM2は、製品毎における各構成部品などのばらつきを考慮し、公差を設ける必要がある。
従って、駆動電圧VOMの第1設定値VOM1および第2設定値VOM2と、電圧Vαとは、上述した公差を考慮した上で、第1制限電圧VCL1および第1設定値VOM1の関係と、第2制限電圧VCL2および第2設定値VOM2の関係とが、それぞれ下記(1)式および(2)式の条件を確実に満たしつつ、極力小さい値に設定すればよい。
VOM1<VCL1 …(1)
VOM2<VCL2 …(2)
過電流判定回路15は、IGBT6に故障判定基準値を超える電流が流れているか否かを判定し、その判定結果を表す過電流判定信号Scを制御部4に出力する。過電流判定信号Scは、IGBT6に故障判定基準値を超える電流が流れていないときにLレベルとなる。また、過電流判定信号Scは、IGBT6に故障判定基準値を超える電流が流れているときにHレベルとなる。
過電流判定回路15は、抵抗37、コンパレータ38および基準電圧生成部39を備えている。抵抗37は、IGBT6の電流センス用のエミッタおよびグランドの間に接続されている。抵抗37および上記エミッタの相互接続点の電圧、つまり、電流センス用のエミッタに流れる電流が抵抗37に流れることにより生じる電圧(グランドを基準とした電圧)は、コンパレータ38の非反転入力端子に与えられる。
基準電圧生成部39は、グランドを基準電位とした基準電圧Vriを生成する定電圧回路により構成されている。基準電圧生成部39が生成する基準電圧Vriは、コンパレータ38の反転入力端子に与えられる。コンパレータ38の出力信号は、過電流検出信号Scとして制御部4に与えられる。
続いて、通常時におけるゲート駆動回路7の動作について、図3を参照しながら説明する。図3には、制御信号D、電源電圧VD、駆動電圧VOMおよびゲート電圧VGの波形が実線にて示されている。また、図3には、ゲートクランプ回路34のクランプ動作における制限電圧VCLが破線にて示されている。
制御信号DがHレベル(オフ指令)からLレベル(オン指令)に転じると、ゲートオン駆動回路12のスイッチ23がオンし、ゲート容量の充電が開始されてゲート電圧VGが上昇し始める。なお、オン指令が与えられた時点(時刻t1)から実際にゲート電圧VGが上昇を開始する時点(時刻t2)までの間には、スイッチ23の動作などによる遅延時間が存在する。その後、ゲート電圧VGがIGBT6の閾値電圧に達するとIGBT6がターンオンする。ターンオン時には、ゲート電圧VGがミラー電圧に維持されるミラー期間(時刻t3〜t4)が存在する。ミラー期間(ミラー領域)の終了後、ゲート電圧VGは再び上昇を開始する。
オン駆動開始直後の第1期間T1(時刻t1〜t5)は、本IGBT6(例えばIGBT6un)とともにブリッジ回路を構成する他方アームのIGBT6(例えばIGBT6up)、出力ノードnx(x:u、v、w)、ブラシレスDCモータ5の巻線などに短絡故障が生じた場合、IGBT6に流れる電流を当該素子の最大許容電流以下に制限しながら(短絡保護)短絡故障の有無を判定するのに必要な期間である。
制御部4は、過電流判定回路15から与えられる過電流判定信号Scに基づいて短絡故障の判定を行う。すなわち、制御部4は、IGBT6に流れるコレクタ電流が故障判定基準値を超えるか否かの判定を行う。故障判定基準値は、上述した短絡故障が生じていないときにIGBT6に流れる最大電流よりも大きく、短絡故障が生じているときにIGBT6に流れる電流(最大許容電流以下)よりも小さい電流の範囲内の値に設定されている。制御部4は、コレクタ電流が故障判定基準値を超えていると判定すると、制御信号DをHレベルにするとともに異常判定信号SbをHレベルにする。これにより、ゲートオフ駆動回路13の異常時オフ回路25のトランジスタ30がオンし、IGBT6が緩やかにターンオフされる。
第1期間T1において、ゲート電圧生成回路11は、第1設定値VOM1の駆動電圧VOMを出力する状態になっている。従って、第1期間T1において、IGBT6は、活性領域でオン動作することになる。第1期間T1において、ゲート電圧VGは、第1設定値VOM1に至るまで上昇する。
また、駆動電圧VOMが第1設定値VOM1に設定されたことに伴い、ゲートクランプ回路34のクランプ動作における制限電圧VCLは、第1制限電圧VCL1となる。従って、第1期間T1において、短絡故障などが原因で過大な短絡電流が流れる状態(過電流状態)になった場合であっても、ゲート電圧VGが第1制限電圧VCL1以下に制限されるため、その短絡電流(コレクタ電流)のピーク値が抑制される。
第2期間T2(時刻t5以降)は、第1期間T1が終了し且つ短絡故障がないと判定された場合に開始される。第2期間T2では、損失を低減するため、IGBT6を飽和領域でオンさせるのに十分なゲート電圧VGを必要とする。しかし、IGBT6にゲート耐圧VGESを超えるゲート電圧VGを印加すると故障の原因となる。そこで、第2期間T2が開始されると、ゲート電圧生成回路11は、第2設定値VOM2の駆動電圧VOMを出力する状態に切り替えられる。従って、第2期間T2において、ゲート電圧VGは、第2設定値VOM2に至るまで上昇し、IGBT6は、飽和領域でオン動作することになる。
また、駆動電圧VOMが第2設定値VOM2に設定されたことに伴い、ゲートクランプ回路34のクランプ動作における制限電圧VCLは、第2制限電圧VCL2となる。従って、第2期間T2において、短絡故障などが原因で過大な短絡電流が流れる状態(過電流状態)になった場合であっても、ゲート電圧VGが第2制限電圧VCL2以下に制限されるため、その短絡電流(コレクタ電流)のピーク値が抑制される。
図3には示していないが、制御信号DがLレベル(オン指令)からHレベル(オフ指令)に転じると、ゲートオフ駆動回路13の通常時オフ回路24のトランジスタ27がオンし、IGBT6が急峻にターンオフされる。
上記構成において、第1期間T1の終了時点、つまり第1期間T1から第2期間T2への切替タイミングは、駆動対象となるIGBT6に固有の値(閾値電圧の値、ミラー期間の長さなど)などを考慮して決定する必要がある。上記切替タイミングは、以下の2つの方法により設定することができる。第1の方法としては、制御信号DがLレベルに転じた時点(時刻t1)から一定時間経過後の時点を上記切替タイミングとして設定する方法である。また、第2の方法としては、ゲート電圧VGを検出する電圧検出回路を別途設け、その検出値が所定の判定値(オフ時の電圧(=0V)より高い値)に達した時点から一定時間経過後の時点を上記切替タイミングとして設定する方法である。
第1の方法によれば、ゲート電圧VGを検出する電圧検出回路を別途設ける必要がないため、回路構成を簡素化することができるというメリットがある。ただし、第1の方法では、オン指令が与えられた時点(時刻t1)から実際にゲート電圧VGが上昇を開始する時点(時刻t2)までの遅延を考慮して上記一定時間を設定する必要がある。一方、第2の方法によれば、オン指令が与えられた時点から実際にゲート電圧VGが上昇を開始するまでの遅延を考慮する必要がないため、切替タイミングを精度よく最適に設定することができるというメリットがある。ただし、第2の方法では、ゲート電圧VGを検出する電圧検出回路を別途設ける必要がある。
続いて、短絡故障が発生した場合の短絡経路の違いについて図4〜図6を参照しながら説明する。図4は、上下アーム短絡時の短絡電流の経路(短絡経路)の一例を示している。この場合、IGBT6unが短絡状態になった上で、IGBT6upがオンすることにより、図4に矢印で示す経路で短絡電流が流れる。IGBT6unが短絡状態になる原因としては、IGBT6unのトランジスタまたは還流用ダイオードの故障、ゲート駆動回路7(例えば制御部4)の故障、ノイズによる誤動作などが考えられる。
図5は、出力短絡時の短絡電流の経路の一例を示している。この場合、出力ノードnuおよびnv間またはブラシレスDCモータ5のU相巻き線およびV相巻線間に短絡故障が生じた上で、IGBT6up、6vnがオンすることにより、図5に矢印で示す経路で短絡電流が流れる。上記短絡故障が生じる原因としては、モータ巻線の絶縁破壊、人為的なミスなどが考えられる。
図6は、出力地絡時の短絡電流の経路の一例を示している。この場合、出力ノードnuまたはブラシレスDCモータ5のU相巻線に地絡故障が生じた上で、IGBT6upがオンすることにより、図6に矢印で示す経路で短絡電流が流れる。上記短絡故障が生じる原因としては、図5に示した出力短絡時と同様の原因が考えられる。
このように、短絡故障が生じた際に短絡電流が流れる電流経路は、故障の種類に応じて互いに異なる経路となる。そして、それら各電流経路のL成分は、それぞれ異なることになる。以下、短絡経路のL成分が互いに異なる2つのパターンの短絡故障が発生した場合におけるゲート駆動回路7の動作を説明する。
まず、短絡故障が発生した場合であって、その短絡経路のL成分が比較的小さい場合におけるゲート駆動回路7の動作について、図7を参照しながら説明する。図7には、制御信号D、電源電圧VD、駆動電圧VOM、ゲート電圧VG、IGBT6のコレクタ電流およびコレクタ電圧の波形が実線にて示されている。また、図7には、ゲートクランプ回路34のクランプ動作における制限電圧VCLが破線にて示されている。
この場合、短絡経路のL成分が小さいため、IGBT6のコレクタ電流が急峻に上昇する。そのため、第1期間T1においてコレクタ電流が故障判定基準値を超える。そうすると、制御部4により短絡故障が検出されてIGBT6が緩やかにターンオフされることになる。しかし、上記短絡故障検出を行うための回路などの動作に伴う遅延により、実際にターンオフが開始されるまでの間に短絡電流のピーク値を抑制できない可能性がある。
さらに、この場合、IGBT6のコレクタ電圧の変化に伴い、ゲート容量に電荷が注入される(ミラー電流が流れる)。そのため、ゲート電圧VGが、第1設定値VOM1の駆動電圧VOMを超えて上昇する。そうすると、IGBT6のオン状態が一層深くなり、コレクタ電流がさらに増加するおそれがある。しかし、本実施形態では、第1期間T1において、ゲートクランプ回路34のクランプ動作により、ゲート電圧VGが第1制限電圧VCL1以下に制限される。そのため、第1期間T1において、短絡故障が検出されてからIGBT6が実際にターンオフされるまでの間、ミラー電流によるゲート電圧VGの持ち上がりが抑制され、その結果、短絡電流のピーク値が低く抑えられる。
続いて、短絡故障が発生した場合であって、その短絡経路のL成分が比較的大きい場合におけるゲート駆動回路7の動作について、図8を参照しながら説明する。図8には、制御信号D、電源電圧VD、駆動電圧VOM、ゲート電圧VG、IGBT6のコレクタ電流およびコレクタ電圧の波形が実線にて示されている。また、図8には、ゲートクランプ回路34のクランプ動作における制限電圧VCLが破線にて示されている。
この場合、短絡経路のL成分が大きいため、IGBT6のコレクタ電流が緩やかに上昇する。そのため、コレクタ電流は、第1期間T1では故障判定基準値を超えずに、第2期間T2において故障判定基準値を超える。そうすると、第2期間T2において制御部4により短絡故障が検出されて、IGBT6が緩やかにターンオフされることになる。しかし、上記短絡故障検出を行うための回路などの動作に伴う遅延により、実際にターンオフが開始されるまでの間に短絡電流のピーク値を抑制できない可能性がある。
さらに、この場合、IGBT6のコレクタ電圧の変化に伴い、ゲート容量に電荷が注入される(ミラー電流が流れる)。そのため、ゲート電圧VGが、第2設定値VOM2の駆動電圧VOMを超えて上昇する。そうすると、IGBT6のオン状態が一層深くなり、コレクタ電流がさらに増加するおそれがある。しかし、本実施形態では、第2期間T2において、ゲートクランプ回路34のクランプ動作により、ゲート電圧VGが第2制限電圧VCL2以下に制限される。そのため、第2期間T2において、短絡故障が検出されてからIGBT6が実際にターンオフされるまでの間、ミラー電流によるゲート電圧VGの持ち上がりが抑制され、その結果、短絡電流のピーク値が低く抑えられる。
以上説明したように、本実施形態のゲート駆動回路7によれば、短絡故障が発生した場合、ミラー電流に伴うゲート電圧VGの上昇は、ゲートクランプ回路34のクランプ動作により、第1期間T1では第1制限電圧VCL1以下に制限され、第2期間T2では第2制限電圧VCL2以下に制限される。従って、短絡電流が流れる経路のL成分の値にかかわらず、ミラー電流によるゲート電圧VGの上昇を抑え、その結果、短絡電流のピーク値を低く抑えることができる。また、短絡故障などの異常時には、ゲートオフ駆動回路13の異常時オフ回路25のトランジスタ30がオンされることにより、比較的高い抵抗値の抵抗31により定まる時定数でもってゲート容量が放電される。これにより、IGBT6は、コレクタ電流(短絡電流)の変化率(di/dt)が低く抑えられた状態で緩やかにターンオフされるため、IGBT6の耐圧を超えるサージが発生することがなくなる。
ゲート電圧生成回路11は、第1期間T1にあっては第1設定値VOM1の駆動電圧VOMを生成する。そのため、通常動作時、第1期間T1におけるゲート電圧VGは、最大でも第1設定値VOM1となる。一方、ゲートクランプ回路34は、第1期間T1にあっては、IGBT6のゲート電圧VGが、第1設定値VOM1よりも電圧Vαだけ高い値の第1制限電圧VCL1を上回る場合に、ゲート電圧VGを第1制限電圧VCL1以下に制限するクランプ動作を行う。
また、ゲート電圧生成回路11は、第2期間T2にあっては第2設定値VOM2の駆動電圧VOMを生成する。そのため、通常動作時、第2期間T2におけるゲート電圧VGは、最大でも第2設定値VOM2となる。一方、ゲートクランプ回路34は、第2期間T2にあっては、IGBT6のゲート電圧VGが、第2設定値VOM2よりも電圧Vαだけ高い値の第2制限電圧VCL2を上回る場合に、ゲート電圧VGを第2制限電圧VCL2以下に制限するクランプ動作を行う。
従って、通常動作時、ゲートクランプ回路34は、第1期間T1および第2期間T2のいずれの期間においてもクランプ動作を行うことはない。言い換えれば、ゲートクランプ回路34は、短絡故障などが生じた異常時にだけクランプ動作を行う。このようなことから、本実施形態によれば、IGBT6のオン期間にゲートクランプ回路34を常時動作させる構成に比べ、消費電流の増加を抑制しつつ、オン期間全体において短絡保護を行うことができるという効果が得られる。
(第2の実施形態)
以下、本発明の第2の実施形態について図9を参照して説明する。
図9に示すように、本実施形態のゲート駆動回路41は、第1の実施形態のゲート駆動回路7に対し、ゲート電圧生成回路11に代えてゲート電圧生成回路42を備えている点が異なる。
ゲート電圧生成回路42は、トランジスタ16、OPアンプ20、基準電圧生成部43および電圧検出回路44を備えている。基準電圧生成部43は、駆動電圧VOMの目標値を指令するための基準電圧Vrを生成する。基準電圧生成部43から出力される基準電圧Vrは、OPアンプ20の非反転入力端子に与えられる。
電圧検出回路44は、抵抗R41、R42、R43の直列回路およびスイッチ45により構成されている。上記直列回路は、出力端子Poとグランドとの間に接続されている。抵抗R41およびR42の共通接続点N41の電圧はOPアンプ20の反転入力端子に与えられている。スイッチ45は、抵抗R42およびR43の共通接続点N42およびグランドの間に接続されている。
スイッチ45は、制御部4から与えられる電圧切替信号Saのレベルに応じて切り替えられる。具体的には、スイッチ45は、電圧切替信号SaがHレベルであるときにオフされる。これにより、抵抗R41と、抵抗R42およびR43の直列合成抵抗とにより駆動電圧VOMを分圧して得られる検出電圧VdがOPアンプ20の反転入力端子に与えられる。また、スイッチ45は、電圧切替信号SaがLレベルであるときにオンされる。これにより、抵抗R41と抵抗R42とにより駆動電圧VOMを分圧して得られる検出電圧VdがOPアンプ20の反転入力端子に与えられる。
抵抗R41〜R43の抵抗比(分圧比)は、スイッチ45がオフであり且つ駆動電圧VOMが第1設定値VOM1のときに検出電圧Vdが基準電圧Vrに一致するとともに、スイッチ45がオンであり且つ駆動電圧VOMが第2設定値VOM2のときに検出電圧Vdが基準電圧Vrに一致するような値に設定されている。
第1の実施形態のゲート電圧生成回路11は、シリーズレギュレータ形式の電源回路における基準電圧を2段階に切り替えることにより、駆動電圧VOMを第1設定値VOM1または第2設定値VOM2に切り替える構成であった。これに対し、本実施形態のゲート電圧生成回路42は、シリーズレギュレータ形式の電源回路における検出電圧(帰還電圧)のゲインを2段階に切り替えることにより、駆動電圧VOMを第1設定値VOM1または第2設定値VOM2に切り替える構成となっている。従って、このような本実施形態の構成によっても、第1の実施形態と同様の作用および効果が得られる。
(第3の実施形態)
以下、本発明の第3の実施形態について図10を参照して説明する。
図10に示すように、本実施形態のゲート駆動回路51は、第1の実施形態のゲート駆動回路7に対し、ゲートオン駆動回路12に代えてゲートオン駆動回路52を備えている点が異なる。
ゲートオン駆動回路52は、トランジスタ53、抵抗54およびバッファ回路55を備えている。トランジスタ53は、Pチャネル型のMOSトランジスタであり、そのソースはゲート電圧生成回路11の出力端子Poに接続され、そのドレインは抵抗54を介してIGBT6のゲートに接続されている。トランジスタ53のゲートには、バッファ回路55を通じて制御信号Dが与えられる。トランジスタ53は、制御信号DがHレベルであるときにオフされるとともに、制御信号DがLレベルであるときにオンされる。
上記構成により、ゲートオン駆動回路52は、制御信号DがLレベルであるとき(オン指令が入力されたとき)、出力端子PoからIGBT6のゲートに至る電圧供給経路を導通させる。これにより、駆動電圧VOM、ゲート電圧VGおよび抵抗54の抵抗値により定まる電流によりゲート容量が充電されてゲート電圧VGが上昇し、IGBT6がターンオンされる。つまり、本実施形態のゲート駆動回路51は、ターンオンする際、IGBT6のゲートを定電圧駆動する。従って、このような本実施形態の構成によっても、第1の実施形態と同様の作用および効果が得られる。
(第4の実施形態)
以下、本発明の第4の実施形態について図11を参照して説明する。
図11に示すように、本実施形態のゲート駆動回路61は、第1の実施形態のゲート駆動回路7に対し、ゲート電圧生成回路11に代えてゲート電圧生成回路62を備えている点と、ゲート電圧制限回路14に代えてゲート電圧制限回路63を備えている点とが異なる。
ゲート電圧生成回路62は、第2設定値VOM2の駆動電圧VOMを出力する構成であって、出力する駆動電圧VOMの値を切り替える機能を有していない。ゲート電圧生成回路62は、トランジスタ16、基準電圧生成部18、OPアンプ20および電圧検出回路21を備えている。基準電圧生成部18は、駆動電圧VOMの目標値である第2設定値VOM2を指令するための第2基準電圧Vr2を生成する。基準電圧生成部18から出力される第2基準電圧Vr2は、OPアンプ20の非反転入力端子に与えられる。電圧検出回路21の抵抗R1およびR2の抵抗比(分圧比)は、駆動電圧VOMが第2設定値VOM2のときに検出電圧Vdが第2基準電圧Vr2に一致するような値に設定されている。
ゲート電圧制限回路63は、ゲートクランプ回路34およびクランプ回路基準電圧生成部64(制限電圧生成回路に相当)を備えている。クランプ回路基準電圧生成部64は、定電圧回路65、66および切替スイッチ67により構成される。定電圧回路65は、駆動電圧VOMを基準とした電圧Vβを発生する。定電圧回路65の高電位側端子には駆動電圧VOMが与えられる。定電圧回路65の低電位側端子の電圧は、切替スイッチ67の一方の切替端子に与えられる。
定電圧回路66は、駆動電圧VOMを基準とした電圧Vαを発生する。定電圧回路66の低電位側端子には駆動電圧VOMが与えられる。定電圧回路66の高電位側端子の電圧は、切替スイッチ67の他方の切替端子に与えられる。切替スイッチ67の共通端子は、基準電圧Vrcの出力端子としてゲートクランプ回路34のOPアンプ36の反転入力端子に接続されている。
切替スイッチ67は、制御部4から与えられる電圧切替信号Saのレベルに応じて切り替えられる。具体的には、切替スイッチ67は、電圧切替信号SaがHレベルであるとき、一方の切替端子および共通端子の間を導通するように切り替えられる。これにより、駆動電圧VOMから電圧Vβだけ低下した基準電圧VrcがOPアンプ36の反転入力端子に与えられる。本実施形態では、このときの基準電圧Vrc(=VOM2−Vβ)が、第1の実施形態における第1制限電圧VCL1に一致するように、定電圧回路65が発生する電圧Vβの値が設定されている。
また、切替スイッチ67は、電圧切替信号SaがLレベルであるとき、他方の切替端子および共通端子の間を導通するように切り替えられる。これにより、駆動電圧VOMに電圧Vαを加えた基準電圧VrcがOPアンプ36の反転入力端子に与えられる。このような構成によっても、ゲートクランプ回路34によるクランプ動作における各制限電圧(第1制限電圧VCL1および第2制限電圧VCL2)は、第1の実施形態と同様の値となる。従って、本実施形態の構成によっても第1の実施形態と同様の作用および効果が得られる。
ただし、上記構成において、ゲート電圧生成回路62は、駆動電圧VOMの値を切り替える機能を有しておらず、常に第2設定値VOM2の駆動電圧VOMを生成する。つまり、駆動電圧VOMの値は、第1期間T1および第2期間T2を通じて、第2設定値VOM2となる。そのため、通常動作時であっても、ミラー期間の終了後(時刻t4)から第1期間T1の終了時点(時刻t5)までの間において、ゲート電圧VGが第1制限電圧VCL1を超えて上昇しようとする。
従って、通常動作時、第1期間T1の終盤においてゲートクランプ回路34によるクランプ動作が行われることになる。つまり、通常動作時であっても、第1期間T1ではゲートクランプ回路34のクランプ動作によりゲート電圧VGの制限が行われる。このように、本実施形態の構成は、第1の実施形態に対し、通常動作時の上記期間(時刻t4〜t5)においてゲートクランプ回路34が動作する分だけ消費電流の低減効果が少なくなるものの、第1期間T1においてゲート電圧VGを高い精度で制限することができる。
(その他の実施形態)
なお、本発明は上記し且つ図面に記載した各実施形態に限定されるものではなく、次のような変形または拡張が可能である。
ゲート駆動回路の駆動対象としては、IGBTに限らずともよく、例えばMOSトランジスタなど、電圧駆動型半導体素子(トランジスタ)であればよい。
ゲート電圧生成回路11、42、62は、図2、図9、図11に示した構成に限らずともよく、同様の機能を発揮するものであれば、他の回路構成であってもよい。例えば、ゲート電圧生成回路11、42、62は、シリーズレギュレータ形式の電源回路であったが、これに代えて、スイッチングレギュレータ形式の電源回路であってもよい。トランジスタ16については、PNP形のバイポーラトランジスタ、MOSトランジスタなどに変更することが可能である。ゲートオン駆動回路52は、図10に示した構成に限らずともよく、同様の機能を発揮するものであれば、他の回路構成であってもよい。例えば、トランジスタ53については、Nチャネル型のMOSトランジスタ、バイポーラトランジスタなどに変更することが可能である。
ゲートクランプ回路34は、図2、図9、図10、図11に示した構成に限らずともよく、同様の機能を発揮するものであれば、他の回路構成であってもよい。例えば、トランジスタ35については、NPN形のバイポーラトランジスタに変更することが可能である。ゲートオフ駆動回路13は、図2、図9、図10、図11に示した構成に限らずともよく、同様の機能を発揮するものであれば、他の回路構成であってもよい。例えば、トランジスタ27、30については、NPN形のバイポーラトランジスタに変更することができる。過電流判定回路15は、図2、図9、図10、図11に示した構成に限らずともよく、同様の機能を発揮するものであれば、他の回路構成であってもよい。
図面中、6、6up〜6wnはIGBT(トランジスタ)、7、7up〜7wn、41、51、61はゲート駆動回路、11、42、62はゲート電圧生成回路(駆動電圧生成回路)、12、52はゲートオン駆動回路、13はゲートオフ駆動回路、14、63はゲート電圧制限回路、33、64はクランプ回路基準電圧生成部(制限電圧生成回路)、35はトランジスタ(電圧制限用トランジスタ)、36はOPアンプ(電圧制限動作制御回路)を示す。

Claims (9)

  1. トランジスタ(6、6up〜6wn)をオン駆動するための駆動電圧を生成する駆動電圧生成回路(11、42)と、
    オン指令が入力されると前記駆動電圧生成回路(11、42)の出力端子から前記トランジスタ(6、6up〜6wn)のゲート端子に至る電圧供給経路を導通させ、オフ指令が入力されると前記電圧供給経路を遮断するゲートオン駆動回路(12、52)と、
    前記オン指令が入力されると、少なくとも前記トランジスタ(6、6up〜6wn)に故障判定基準値を超える電流が流れるか否かの判定が終了するまでの第1期間、前記トランジスタ(6、6up〜6wn)のゲート電圧を、前記トランジスタ(6、6up〜6wn)への印加電圧にかかわらず前記トランジスタ(6、6up〜6wn)に流れる電流が最大許容電流以下になるように決められた第1制限電圧以下に制限し、その後の第2期間、前記トランジスタ(6、6up〜6wn)への印加電圧にかかわらず前記トランジスタ(6、6up〜6wn)のゲート電圧を前記第1制限電圧より高い第2制限電圧以下に制限するゲート電圧制限回路(14)と、
    を備え、
    前記駆動電圧生成回路(11、42)は、前記第2期間にあっては、前記トランジスタ(6、6up〜6wn)のゲート耐圧および前記トランジスタ(6、6up〜6wn)の飽和領域でのオン動作時における損失に基づいて決定される第2設定値の駆動電圧を生成し、
    前記第2制限電圧は、前記駆動電圧の第2設定値よりも所定値だけ高い値に設定され
    前記駆動電圧生成回路(11、42)は、前記第1期間にあっては、前記トランジスタ(6、6up〜6wn)の閾値電圧より高く且つ前記第2設定値より低い第1設定値の駆動電圧を生成し、
    前記第1制限電圧は、前記駆動電圧の第1設定値よりも所定値だけ高い値に設定されることを特徴とするゲート駆動回路。
  2. 前記ゲート電圧制限回路(14)は、
    前記トランジスタのゲートおよびグランド線の間に接続された電圧制限用トランジスタ(35)と、
    前記駆動電圧を基準とした定電圧回路により構成され、前記第2制限電圧を生成する制限電圧生成回路(33)と、
    前記制限電圧生成回路(33)の出力電圧および前記トランジスタ(6、6up〜6wn)のゲート電圧を比較し、前記ゲート電圧が前記制限電圧生成回路(33)の出力電圧以上のときに前記電圧制限用トランジスタ(35)をオンする電圧制限動作制御回路(36)と、
    を備えていることを特徴とする請求項1に記載のゲート駆動回路。
  3. トランジスタ(6、6up〜6wn)をオン駆動するための駆動電圧を生成する駆動電圧生成回路(11、42)と、
    オン指令が入力されると前記駆動電圧生成回路(11、42)の出力端子から前記トランジスタ(6、6up〜6wn)のゲート端子に至る電圧供給経路を導通させ、オフ指令が入力されると前記電圧供給経路を遮断するゲートオン駆動回路(12、52)と、
    前記オン指令が入力されると、少なくとも前記トランジスタ(6、6up〜6wn)に故障判定基準値を超える電流が流れるか否かの判定が終了するまでの第1期間、前記トランジスタ(6、6up〜6wn)のゲート電圧を、前記トランジスタ(6、6up〜6wn)への印加電圧にかかわらず前記トランジスタ(6、6up〜6wn)に流れる電流が最大許容電流以下になるように決められた第1制限電圧以下に制限し、その後の第2期間、前記トランジスタ(6、6up〜6wn)への印加電圧にかかわらず前記トランジスタ(6、6up〜6wn)のゲート電圧を前記第1制限電圧より高い第2制限電圧以下に制限するゲート電圧制限回路(14)と、
    を備え、
    前記駆動電圧生成回路(11、42)は、前記第2期間にあっては、前記トランジスタ(6、6up〜6wn)のゲート耐圧および前記トランジスタ(6、6up〜6wn)の飽和領域でのオン動作時における損失に基づいて決定される第2設定値の駆動電圧を生成し、
    前記第2制限電圧は、前記駆動電圧の第2設定値よりも所定値だけ高い値に設定され、
    前記ゲート電圧制限回路(14)は、
    前記トランジスタのゲートおよびグランド線の間に接続された電圧制限用トランジスタ(35)と、
    前記駆動電圧を基準とした定電圧回路により構成され、前記第2制限電圧を生成する制限電圧生成回路(33)と、
    前記制限電圧生成回路(33)の出力電圧および前記トランジスタ(6、6up〜6wn)のゲート電圧を比較し、前記ゲート電圧が前記制限電圧生成回路(33)の出力電圧以上のときに前記電圧制限用トランジスタ(35)をオンする電圧制限動作制御回路(36)と、
    を備えていることを特徴とするゲート駆動回路。
  4. 前記ゲート電圧制限回路(14)は、
    前記トランジスタのゲートおよびグランド線の間に接続された電圧制限用トランジスタ(35)と、
    前記駆動電圧を基準とした定電圧回路により構成され、前記第1制限電圧および前記第2制限電圧を生成する制限電圧生成回路(33)と、
    前記制限電圧生成回路(33)の出力電圧および前記トランジスタ(6、6up〜6wn)のゲート電圧を比較し、前記ゲート電圧が前記制限電圧生成回路(33)の出力電圧以上のときに前記電圧制限用トランジスタ(35)をオンする電圧制限動作制御回路(36)と、
    を備えていることを特徴とする請求項に記載のゲート駆動回路。
  5. トランジスタ(6、6up〜6wn)をオン駆動するための駆動電圧を生成する駆動電圧生成回路(62)と、
    オン指令が入力されると前記駆動電圧生成回路(62)の出力端子から前記トランジスタ(6、6up〜6wn)のゲート端子に至る電圧供給経路を導通させ、オフ指令が入力されると前記電圧供給経路を遮断するゲートオン駆動回路(12)と、
    前記オン指令が入力されると、少なくとも前記トランジスタ(6、6up〜6wn)に故障判定基準値を超える電流が流れるか否かの判定が終了するまでの第1期間、前記トランジスタ(6、6up〜6wn)のゲート電圧を、前記トランジスタ(6、6up〜6wn)への印加電圧にかかわらず前記トランジスタ(6、6up〜6wn)に流れる電流が最大許容電流以下になるように決められた第1制限電圧以下に制限し、その後の第2期間、前記トランジスタ(6、6up〜6wn)への印加電圧にかかわらず前記トランジスタ(6、6up〜6wn)のゲート電圧を前記第1制限電圧より高い第2制限電圧以下に制限するゲート電圧制限回路(63)と、
    を備え、
    前記駆動電圧生成回路(62)は、前記第2期間にあっては、前記トランジスタ(6、6up〜6wn)のゲート耐圧および前記トランジスタ(6、6up〜6wn)の飽和領域でのオン動作時における損失に基づいて決定される第2設定値の駆動電圧を生成し、
    前記第2制限電圧は、前記駆動電圧の第2設定値よりも所定値だけ高い値に設定され、
    前記駆動電圧生成回路(62)は、
    前記第1期間および前記第2期間のいずれにおいても、前記第2設定値の駆動電圧を生成することを特徴とするゲート駆動回路。
  6. 前記駆動電圧生成回路(11)は、
    レギュレータ形式の電源回路により構成されており、その基準電圧を2段階に切り替えることにより、前記駆動電圧を前記第1設定値または前記第2設定値に切り替えることを特徴とする請求項記載のゲート駆動回路。
  7. 前記駆動電圧生成回路(42)は、
    レギュレータ形式の電源回路により構成されており、その帰還電圧のゲインを2段階に切り替えることにより、前記駆動電圧を前記第1設定値または前記第2設定値に切り替えることを特徴とする請求項記載のゲート駆動回路。
  8. オフ指令が入力されると前記トランジスタ(6、6up〜6wn)のゲート容量を放電するゲートオフ駆動回路(13)を備え、
    前記ゲートオフ駆動回路(13)は、
    通常時にオフ指令が入力された場合、第1経路を介してゲート容量を放電し、
    前記トランジスタ(6、6up〜6wn)に故障判定基準値を超える電流が流れていると判定されている時にオフ指令が入力された場合、前記第1経路より抵抗値の高い第2経路を介してゲート容量を放電することを特徴とする請求項1からのいずれか一項に記載のゲート駆動回路。
  9. トランジスタ(6、6up〜6wn)をオン駆動するための駆動電圧を生成する駆動電圧生成回路(11、42、62)と、
    オン指令が入力されると前記駆動電圧生成回路(11、42、62)の出力端子から前記トランジスタ(6、6up〜6wn)のゲート端子に至る電圧供給経路を導通させ、オフ指令が入力されると前記電圧供給経路を遮断するゲートオン駆動回路(12、52)と、
    前記オン指令が入力されると、少なくとも前記トランジスタ(6、6up〜6wn)に故障判定基準値を超える電流が流れるか否かの判定が終了するまでの第1期間、前記トランジスタ(6、6up〜6wn)のゲート電圧を、前記トランジスタ(6、6up〜6wn)への印加電圧にかかわらず前記トランジスタ(6、6up〜6wn)に流れる電流が最大許容電流以下になるように決められた第1制限電圧以下に制限し、その後の第2期間、前記トランジスタ(6、6up〜6wn)への印加電圧にかかわらず前記トランジスタ(6、6up〜6wn)のゲート電圧を前記第1制限電圧より高い第2制限電圧以下に制限するゲート電圧制限回路(14、63)と、
    を備え、
    前記駆動電圧生成回路(11、42、62)は、前記第2期間にあっては、前記トランジスタ(6、6up〜6wn)のゲート耐圧および前記トランジスタ(6、6up〜6wn)の飽和領域でのオン動作時における損失に基づいて決定される第2設定値の駆動電圧を生成し、
    前記第2制限電圧は、前記駆動電圧の第2設定値よりも所定値だけ高い値に設定され、
    オフ指令が入力されると前記トランジスタ(6、6up〜6wn)のゲート容量を放電するゲートオフ駆動回路(13)を備え、
    前記ゲートオフ駆動回路(13)は、
    通常時にオフ指令が入力された場合、第1経路を介してゲート容量を放電し、
    前記トランジスタ(6、6up〜6wn)に故障判定基準値を超える電流が流れていると判定されている時にオフ指令が入力された場合、前記第1経路より抵抗値の高い第2経路を介してゲート容量を放電することを特徴とするゲート駆動回路。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB201416011D0 (en) * 2014-09-10 2014-10-22 Trw Ltd Motor drive circuitry
GB2532215A (en) * 2014-11-11 2016-05-18 Reinhausen Maschf Scheubeck Gate boost
WO2016075056A1 (en) * 2014-11-11 2016-05-19 Maschinenfabrik Reinhausen Gmbh Resistor emulation and gate boost
US9496864B2 (en) * 2014-12-18 2016-11-15 General Electric Company Gate drive circuit and method of operating same
JP2016181986A (ja) * 2015-03-24 2016-10-13 株式会社豊田自動織機 インバータ回路
PL3317967T3 (pl) * 2015-06-30 2020-11-02 Fronius International Gmbh Układ połączeń do sterowania tranzystorem
JP6468150B2 (ja) * 2015-09-29 2019-02-13 株式会社デンソー 負荷駆動装置
KR102636083B1 (ko) * 2015-10-21 2024-02-13 마이크로칩 테크날러지 인코포레이티드 불포화 또는 단락 결함을 제어하는 SiC 및 IGBT 전력 디바이스용 게이트 드라이브 제어 시스템
CN108432134B (zh) * 2015-12-18 2021-11-12 三菱电机株式会社 半导体器件驱动电路
US10071652B2 (en) * 2016-05-11 2018-09-11 Ford Global Technologies, Llc Dual mode IGBT gate drive to reduce switching loss
US10144296B2 (en) * 2016-12-01 2018-12-04 Ford Global Technologies, Llc Gate driver with temperature compensated turn-off
KR101871408B1 (ko) * 2017-06-05 2018-06-26 주식회사 맵스 스윙 제어 게이트 드라이버 장치
US11184000B2 (en) * 2018-01-10 2021-11-23 Texas Instruments Incorporated Adaptive voltage clamps and related methods
US10425077B1 (en) * 2018-06-06 2019-09-24 Analog Devices Global Unlimited Company Transistor gate driver
CN110854811A (zh) * 2018-08-21 2020-02-28 南京德朔实业有限公司 电动工具
JP6962308B2 (ja) * 2018-12-10 2021-11-05 株式会社デンソー ゲート駆動回路
JP2021005950A (ja) * 2019-06-26 2021-01-14 株式会社デンソー トランジスタ駆動回路及びトランジスタのゲート電圧制御方法
CN110350771A (zh) * 2019-08-05 2019-10-18 珠海格力电器股份有限公司 带电荷泄放支路的igbt电路、压缩机及空调
JP2023062811A (ja) * 2021-10-22 2023-05-09 富士電機株式会社 試験回路、及び試験方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3468067B2 (ja) 1997-11-25 2003-11-17 株式会社日立製作所 電圧駆動型半導体素子の過電流抑制回路
JP3568024B2 (ja) 1998-06-26 2004-09-22 富士電機システムズ株式会社 電圧駆動型半導体素子のゲート駆動回路
JP4899662B2 (ja) 2006-06-28 2012-03-21 日本精工株式会社 電動パワーステアリング装置の制御装置
JP4916860B2 (ja) 2006-12-08 2012-04-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 負荷駆動回路および負荷駆動回路の製造方法
WO2008155917A1 (ja) 2007-06-19 2008-12-24 Panasonic Corporation スイッチング素子駆動回路
JP2009071956A (ja) 2007-09-12 2009-04-02 Mitsubishi Electric Corp ゲート駆動回路
JP2009087293A (ja) * 2007-10-03 2009-04-23 Nec Electronics Corp 安定化電源回路
CN101686044B (zh) * 2009-03-25 2011-10-26 深圳市科陆变频器有限公司 一种igbt驱动保护电路
KR20110037367A (ko) * 2009-10-06 2011-04-13 페어차일드코리아반도체 주식회사 스위치 구동 회로 및 구동 방법
JP5671950B2 (ja) * 2010-11-04 2015-02-18 株式会社デンソー 電子装置
US8633755B2 (en) * 2010-11-22 2014-01-21 Denso Corporation Load driver with constant current variable structure
JP5605242B2 (ja) * 2011-01-31 2014-10-15 株式会社デンソー 電子装置
JP2012161184A (ja) 2011-02-01 2012-08-23 Lapis Semiconductor Co Ltd 半導体回路、半導体装置、及び電池監視システム
US20120242376A1 (en) * 2011-03-24 2012-09-27 Denso Corporation Load drive apparatus and semiconductor switching device drive apparatus

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