JP4479570B2 - 保護機能付きスイッチング回路および保護回路 - Google Patents
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Description
2,12 駆動回路
50 ICチップ
M1,M11 NチャネルMOSトランジスタ
Q1,Q11 トランジスタ
Q2,Q12 IGBTスイッチ
Z1,Z11 ツェナーダイオード
3,13 ソフトシャットダウン回路
Claims (4)
- 負荷への電力供給をスイッチングするスイッチング素子と,前記スイッチング素子を操作する駆動回路と,過電流に対する保護を行う保護回路とを有する保護機能付きスイッチング回路において,前記保護回路は,
前記駆動回路による前記スイッチング素子のオン動作によりオンされる第1のトランジスタと,
前記第1のトランジスタの電流経路上に設けられ,通常時には電流を阻止するとともに,前記スイッチング素子の端子間電圧が所定値以上になると電流を許容する検出素子と, 前記第1のトランジスタにより流れる電流が所定値以上になると前記スイッチング素子をシャットダウンさせるシャットダウン回路とを有することを特徴とする保護機能付きスイッチング回路。 - 請求項1に記載の保護機能付きスイッチング回路において,
前記駆動回路による前記スイッチング素子のオン動作に対し所定時間遅延して前記第1のトランジスタをオンさせる遅延オン手段と,
前記第1のトランジスタにより流れる電流が所定値以上になると前記シャットダウン回路によるシャットダウンを行わせる第2のトランジスタとを有し,
前記シャットダウン回路は,前記スイッチング素子をソフトシャットダウンさせるソフトシャットダウン回路であることを特徴とする保護機能付きスイッチング回路。 - 請求項1または請求項2に記載の保護機能付きスイッチング回路において,
前記第1のトランジスタの耐圧が,前記スイッチング素子の耐圧以上であることを特徴とする保護機能付きスイッチング回路。 - 負荷への電力供給をスイッチングするスイッチング素子の過電流に対する保護を行う保護回路において,
スイッチング素子のオン動作によりオンされる第1のトランジスタと,
前記第1のトランジスタの電流経路上に設けられ,通常時には電流を阻止するとともに,スイッチング素子の端子間電圧が所定値以上になると電流を許容する検出素子と,
前記第1のトランジスタにより流れる電流が所定値以上になるとスイッチング素子をシャットダウンさせるシャットダウン回路とを有することを特徴とする保護回路。
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