JP5694109B2 - パターン形成方法 - Google Patents
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Description
図1は、第1の実施形態に係るパターン形成方法を示す断面図である。図1を参照して、第1の実施形態に係るパターン形成方法の概略について説明する。
続いて、図2を参照しながら、第2の実施形態の変形例について説明する。図2は、第2の実施形態に係るパターン形成方法を示す断面図である。
<熱架橋性分子の合成>
〔合成例1:4−ヒドロキシベンゼンスルホニルクロライド〕
アルゴン雰囲気下、チオニルクロライド(44.3 mL, 604 mmol, 6.91当量)とDMF(1mL)とを4−ヒドロキシベンゼンスルホン酸ナトリウム(20.3 g, 87.2 mmol, 1.00 当量)に加え、60℃で4時間、還流攪拌した。室温まで冷やし、氷(160 g)を加えて攪拌し、ジクロロメタン(1×60 mL, 2×40 mL)で水層を抽出した。得られた有機層を氷水(40 mL)で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。エバポレータで溶媒を除去して、オイル状の4−ヒドロキシベンゼンスルホニルクロライド(10.4 g, 53.8 mmol, 62%)を得た。
合成例1で合成した4−ヒドロキシベンゼンスルホニルクロライド(3.76 g, 19.5 mmol, 1.00 当量)をアセトン (50mL)に溶解させ、その後、水(50 mL)を加えた。得られた混合溶液を0℃まで冷やし、NaN3 (1.41 g, 21.7 mmol, 1.11 当量)を少しずつ加え、0℃で1時間攪拌した。攪拌後、エバポレータ(30℃, 150 mbar)でアセトンを除去し、ジクロロメタン (3×30 mL)で水層を抽出した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ジクロロメタンをエバポレータで除去した。オイル状の 生成物(3.06 g, 15.4 mmol, 79 %)を真空下で乾燥し、4−ヒドロキシベンゼンスルホニルアジドを得た。
合成例2で合成した4−ヒドロキシベンゼンスルホニルアジド(1.72 g, 8.63 mmol, 1.00 当量)をDMF(17 mL)に溶解させ、水酸化ナトリウム(354 mg, 8.85 mmol, 1.03 当量)とアリルブロミド(14.0 g, 116 mmol, 13.4 当量)を加えた。溶液を室温で16h攪拌し、水 (50 mL)を加えてジエチルエーテル(3×20 mL)で抽出した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、有機溶媒をエバポレータ(30℃)で除去した。生成物をカラムクロマトグラフィ(ヘキサン/エチルアセテート 10:1)で精製し、淡黄色のオイル状の4−アリルオキシベンゼンスルホニルアジド(0.89 g, 32 %)を得た。
合成例4で合成した4−アリルオキシベンゼンスルホニルアジドをシュレンク管に入れ、窒素雰囲気下、ジメチルクロロシラン(20 mL)と10 %Pt/C触媒(10 mg)を加えた。その混合溶液を40℃で5時間還流した。その後、10 %Pt/C触媒のフィルター除去および未反応のジメチルクロロシランの真空除去を行い、4−(3’クロロジメチルシリル)プロピルオキシベンゼンスルホニルアジド(CSBSA)を得た。
感光性ポリマー層に使用するポリマーとして、ポリスチレン(PS)とポリ(tert−ブチルアクリレート)(PtBA)からなるランダムコポリマー(PS−r−PtBA)を、以下のように合成した。
PtBAの体積分率が異なる各種PS−r−PtBA膜を作製し、UV照射前後におけるPS−r−PtBA膜表面の水の接触角を評価した。水滴の接触角が大きくなることは、膜の表面エネルギーが低くなる、すなわち疎水化されたことを意味する。一方、接触角が小さくなることは、膜の表面エネルギーが高くなる、すなわち親水化されたことを意味する。
シリコンウエハー上に、合成例4で合成した4−(3’クロロジメチルシリル)プロピルオキシベンゼンスルホニルアジド(CSBSA)のトルエン溶液(0.03 M、1 mL)を垂らした後、トリエチルアミンのトルエン溶液(0.2 M、1 mL)を続けて垂らした。1分間放置し、シリコンウエハーを回転して溶液を振り切った。その後、トルエン/メタノール/アセトンで全面をリンスし、シリコンウエハー上にCSBSAを含む熱架橋性分子層を形成した。続いて、ポリスチレン(PS)およびポリ(tert−ブチルアクリレート)(PtBA)からなるランダムコポリマー(PS−r−PtBA)と光酸発生剤であるTPS−105を含む溶液を調製した。この溶液は、PS−r−PtBAの濃度が0.3wt%になるように、PS−r−PtBAおよびTPS−105をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)に溶解して調製した。PS−r−PtBAは、ラジカル重合により合成し、重量平均分子量(Mw)は50000である。続いて、その溶液を、熱架橋性分子層上に回転数3000rpmで塗布した。塗布後に110℃で90秒間ベークして、TPS−105およびPS−r−PtBAを含む感光性ポリマー層を形成した。
CSBSAとPS−r−PtBAを熱架橋させた後、架橋反応しなかったPS−r−PtBAを除去したことを除き、実施例1と同様に行った。未反応のPS−r−PtBAを除去する溶剤としては、水酸化テトラアンモニウムあるいはイソプロピルアルコールを使用した。感光性ポリマー層の膜厚は、実施例1と同様に6.14 nmであった。得られたパターンは、実施例1と同様であった。
ArFエキシマレーザーによる露光後に、架橋反応しなかったPS−r−PtBAを除去したことを除き、実施例1と同様に行った。未反応のPS−r−PtBAを除去する溶剤としては、シクロヘキサノンを使用した。感光性ポリマーの膜厚は、実施例1と同様に6.14 nmであった。得られたパターンは、実施例1と同様であった。
CSBSAの代わりに4−(3’ジメトキシメチルシリル)プロピルベンゼンスルホニルアジド、4−(3’トリメトキシシリル)プロピルオキシベンゼンスルホニルアジド、4−(3’トリエトキシシリル)プロピルオキシベンゼンスルホニルアジドあるいは4−(3’ジエトキシメチルシリル)プロピルベンゼンスルホニルアジドを使用し、トリエチルアミンの代わりに硫酸あるいはギ酸を酸触媒として使用した以外は、実施例1と同様に行った。いずれの場合においても、得られたパターンは実施例1と同様であった。
シリコンウエハー上に金、銀、銅、あるいは白金からなる膜を形成すること、およびCSBSAの代わりに4−(プロピルチオール)ベンゼンスルホニルアジドまたは4−(プロピルオキシチオール)ベンゼンスルホニルアジドを使用することを除き、実施例1と同様に行った。いずれの場合においても、得られたパターンは実施例1と同様であった。
使用するブロックコポリマーを、ポリスチレンとポリ(n−プロピルメタクリレート)からなるブロックコポリマー、ポリスチレンとポリ(n−ブチルメタクリレート)からなるブロックコポリマー、またはポリスチレンとポリ(n−ヘキシルメタクリレート)からなるブロックコポリマーにした以外は、実施例1と同様に行った。いずれのブロックコポリマーを用いた場合においても、ブロックコポリマーの相分離パターンは、ハーフピッチ25nmのラメラ相であった。
シリコンウエハー上に、合成例4で合成した4−(3’クロロジメチルシリル)プロピルオキシベンゼンスルホニルアジド(CSBSA)のトルエン溶液(0.03 M、1 mL)を垂らした後、トリエチルアミンのトルエン溶液(0.2 M、1 mL)を続けて垂らした。1分間放置し、シリコンウエハーを回転して溶液を振り切った。その後、トルエン/メタノール/アセトンで全面をリンスし、シリコンウエハー上にCSBSAを含む熱架橋性分子層を形成した。続いて、その上にポリスチレン(PS)とポリメチルメタクリレート(PMMA)からなるランダムコポリマー(PS−r−PMMA)の溶液を回転塗布した。PS−r−PMMA溶液は、濃度が0.3wt%になるようにプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)に溶解させ、回転数3000rpmで回転塗布を行った。PS−r−PMMAは、Polymer Source社から購入したP9225−SMMAranを用いた。P9225−SMMAranは、数平均分子量(Mn)が7000、分散度(Mw/Mn)が1.20、PSの体積分率(f(PS))が0.63である。その後、200℃で3分間アニールして、CSBSAとPS−r−PMMAを熱架橋させた。続いて、PS−r−PMMA層上にフォトレジストを塗布し、ArFエキシマレーザーでパターン露光した。パターン露光により、ハーフピッチ90nmのコンタクトホールパターンをフォトレジストに転写した。露光量は、42mJ/cm2であった。露光後、多摩化学株式会社から購入した2.38%の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液(AD−10)で現像して、ハーフピッチ90nmのコンタクトホールパターン(1:1)を得た。そのパターン化したフォトレジスト膜を185℃で2分間ベークし、硬化させた。この処理により、フォトレジストがPGMEAに対して不溶となった。
CSBSAとPS−r−PMMAを熱架橋させた後、架橋反応しなかったPS−r−PMMAを除去したことを除き、実施例7と同様に行った。未反応のPS−r−PMMAを除去する溶剤としては、シクロヘキサノンを使用した。得られたパターンは、実施例7と同様であった。
ポリマー層に含まれるランダムコポリマーをポリスチレン(PS)とポリメチルアクリレート(PMA)からなるランダムコポリマー(PS−r−PMA)とした以外は、実施例7あるいは実施例8と同様に行った。
Claims (10)
- 基板上に熱架橋性分子を塗布し熱架橋性分子層を形成する工程と、
前記熱架橋性分子層上に露光によって表面エネルギーが変化する感光性ポリマーを塗布し感光性ポリマー層を形成する工程と、
前記熱架橋性分子層と前記感光性ポリマー層とを加熱による架橋反応により接着する工程と、
前記感光性ポリマー層を選択的に露光することにより、露光部および未露光部の感光性ポリマーパターンを形成する工程と、
前記感光性ポリマー層上に、第1および第2のブロック鎖を含むブロックコポリマー層を形成する工程と、
前記ブロックコポリマー層をミクロ相分離させ、前記感光性ポリマー層の表面エネルギーに基づいて前記第1および第2のブロック鎖のパターンを形成する工程と、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 前記感光性ポリマーパターンを形成する工程の後に、前記熱架橋性分子と接着されていない前記感光性ポリマーを除去する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記熱架橋性分子層と前記感光性ポリマー層とを加熱による架橋反応により接着する工程の後に、前記熱架橋性分子と接着されていない前記感光性ポリマーを除去する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- 基板上に熱架橋性分子を塗布し熱架橋性分子層を形成する工程と、
前記熱架橋性分子層上にポリマーを塗布しポリマー層を形成する工程と、
前記熱架橋性分子層と前記ポリマー層とを加熱による架橋反応により接着する工程と、
前記架橋反応により接着する工程の後に、前記ポリマー層上にフォトレジストを塗布し、前記フォトレジストをエネルギー線で選択的に露光して現像することにより、フォトレジストと前記ポリマー層の露出部とからなるガイドパターンを形成する工程と、
前記ポリマー層の露出部に第1および第2のブロック鎖を含むブロックコポリマー層を形成する工程と、
前記ブロックコポリマー層をミクロ相分離させ、前記第1および第2のブロック鎖のパターンを形成する工程と、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 前記熱架橋性分子層と前記ポリマー層とを加熱による架橋反応により接着する工程の後に、前記熱架橋性分子と接着されていない前記ポリマーを除去する工程を含むことを特徴とする請求項4に記載のパターン形成方法。
- 前記熱架橋性分子は、カップリング剤を含むことを特徴とする請求項1または5のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 前記カップリング剤は、シランカップリング剤またはチオールカップリング剤であることを特徴とする請求項6に記載のパターン形成方法。
- 前記第1および第2のブロック鎖のパターンを形成する工程の後に、さらに前記第1または第2のブロック鎖のパターンを選択的に除去し、残存した前記第2または第1のブロック鎖のパターンをエッチングマスクとして用いることを特徴とする請求項1または請求項4に記載のパターン形成方法。
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