JP5656501B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5656501B2 JP5656501B2 JP2010176865A JP2010176865A JP5656501B2 JP 5656501 B2 JP5656501 B2 JP 5656501B2 JP 2010176865 A JP2010176865 A JP 2010176865A JP 2010176865 A JP2010176865 A JP 2010176865A JP 5656501 B2 JP5656501 B2 JP 5656501B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- semiconductor chip
- semiconductor
- semiconductor device
- stepped portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 207
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 16
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 14
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3114—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the device being a chip scale package, e.g. CSP
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
本実施形態の半導体装置50について図1及び図3に基づいて以下に説明する。図1は半導体装置50を裏面側から見たときの概略の平面図の一部を拡大して示している。図3は図1のA−A断面図である。本発明の半導体装置50はCSP(Chip Size Package)型の半導体装置である。また、図2に、比較のために、本発明と異なり、問題を抱える半導体装置の裏面側から見たときの概略の平面図を示す。
[第2の実施形態]
本発明の第2の実施形態について図15に基づいて説明する。図15は本実施形態の半導体装置50を裏面側から見た場合の拡大した平面図の一部である。第1の実施形態の場合、前述の如く、段差部D1の上の面の第2の配線と切り込み形成用ブレードが接触しないようにブレードの幅等を厳重に管理しなければならない。
4 ガラス基板 5 樹脂 6 第2の絶縁膜 7 緩衝部材 8 第2の配線
8a 細り部 8b ダミー配線 8c 第2の配線材料膜 9 Ni−Auメッキ層 10 保護膜 11 導電端子 20 ウインドウ 30 切り込み
CH コンタクトホール D,D1,D2 段差部 E 半導体装置の端面
H0 露光光 H1 反射光 S ダイシングライン 50 半導体装置
Claims (8)
- 半導体チップの側面部の近傍であって、当該半導体チップの表面に第1の絶縁膜を介して形成された第1の配線と、
前記第1の配線を含む前記半導体チップ上に接着剤を介して接着された支持板と、
前記半導体チップの側面部に形成され、該半導体チップの裏面が狭く、表面が広い傾斜壁面からなる段差部を有し、且つ、少なくとも前記第1の配線の裏面の一部を露出する凹部と、
前記凹部に露出された第1の配線に接続され、第2の絶縁膜を介して前記凹部の3つの前記段差部上を一体となり被覆し該半導体チップの裏面上まで延在して形成された第2の配線と、を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体チップの側面から前記支持板に向かって形成された支持板側が広くなる傾斜面からなる切り込みを具備することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2の配線が前記半導体装置の端面に対し垂直方向に延びる前記段差部の内、前記半導体チップの側面に形成された前記切り込みより内側部分の該段差部上から 該半導体チップの裏面上まで延在し形成されたことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 半導体チップの側面部の近傍であって、当該半導体チップの表面に第1の絶縁膜を介して形成された第1の配線と、
前記第1の配線を含む前記半導体チップ上に接着剤を介して接着された支持板と、
前記半導体チップの側面部に形成され、該半導体チップの裏面が狭く、表面が広い傾斜壁面からなる段差部を有し、且つ、少なくとも前記第1の配線の裏面の一部を露出する凹部と、
前記凹部に露出された第1の配線に接続され、第2の絶縁膜を介して前記凹部の半導体装置の端面と平行方向に延びる段差部を介して前記半導体チップの裏面上まで延在して形成された第2の配線と、
前記凹部の前記半導体装置の端面に対して垂直方向に延在する2つの段差部を被覆するダミー配線と、を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体チップの側面から前記支持板に向かって形成された支持板側が広くなる傾斜面からなる切り込み、を具備することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 複数の半導体チップを含む半導体基板の第1の面上に形成し、前記複数の半導体チップのダイシングライン近傍に配置した第1の配線上を覆うように、接着剤を介して 支持板を接着する工程と、
第2の面より前記半導体基板の一部を選択的に除去して、該半導体基板の第2の面側が狭く、第1の面側が広くなる傾斜部を有し、且つ前記第1の配線の下部にある第2の絶縁膜を露出するダイシングラインに跨る開口部を形成する工程と、
前記第1の配線に接続し、第2の絶縁膜を介して前記開口部の前記段差部の内、前記ダイシングラインの該段差部及び該ダイシングラインの近傍部分の前記半導体チップの段差部を除く該段差部を一体となり被覆し前記半導体基板の第2の面上まで延在する第2の配線を形成する工程と、
前記半導体基板の第2の面上に、前記ダイシングラインに沿って切り込みを入れる工程と、
前記切り込みに沿ってダイシングを行い、各々の前記半導体チップを分離する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ダイシングラインの近傍部分の前記半導体チップの段差部が、該ダイシングラインに対し垂直方向に延びる該段差部の内、該ダイシングラインと隣接する部分から前記切り込みの該ダイシングラインと反対側となる内側近傍部分まで延在する該半導体チップの該段差部であることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体チップの側面部の近傍であって、当該半導体チップの表面に第1の絶縁膜を介して第1の配線を形成する工程と、
前記第1の配線を含む前記半導体チップ上に接着剤を介して支持板を接着する工程と、
前記半導体チップの側面部に該半導体チップの裏面が狭く、表面が広い傾斜壁面からなる段差部を有し、且つ、少なくとも前記第1の配線の裏面の一部を露出する凹部を形成する工程と、
前記凹部に露出された第1の配線に接続され、第2の絶縁膜を介して前記凹部のダイシングラインに対し平行方向に延在する前記段差部を介して前記半導体チップの裏面上まで延在する第2の配線を形成し、前記凹部のダイシングラインに対して垂直方向に延在する2つの段差部のそれぞれを被覆するダミー配線を前記第2の配線と同時に形成する工程と、
前記半導体チップの側面から前記支持板に向かって支持板側が広くなる傾斜面からなる切り込みを形成する工程と、
前記切り込みに沿ってダイシングを行い、各々の前記半導体チップを分離する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010176865A JP5656501B2 (ja) | 2010-08-06 | 2010-08-06 | 半導体装置及びその製造方法 |
US13/204,199 US8796869B2 (en) | 2010-08-06 | 2011-08-05 | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010176865A JP5656501B2 (ja) | 2010-08-06 | 2010-08-06 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012038872A JP2012038872A (ja) | 2012-02-23 |
JP5656501B2 true JP5656501B2 (ja) | 2015-01-21 |
Family
ID=45555526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010176865A Active JP5656501B2 (ja) | 2010-08-06 | 2010-08-06 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8796869B2 (ja) |
JP (1) | JP5656501B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI523208B (zh) * | 2013-01-10 | 2016-02-21 | 精材科技股份有限公司 | 影像感測晶片封裝體及其製作方法 |
KR102194727B1 (ko) | 2015-04-29 | 2020-12-23 | 삼성전기주식회사 | 인덕터 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0969479A (ja) | 1995-08-31 | 1997-03-11 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH09211849A (ja) | 1996-02-07 | 1997-08-15 | Nec Corp | レジスト材料およびパターン形成方法 |
JPH10135270A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-22 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US6444489B1 (en) * | 2000-12-15 | 2002-09-03 | Charles W. C. Lin | Semiconductor chip assembly with bumped molded substrate |
TWI227050B (en) * | 2002-10-11 | 2005-01-21 | Sanyo Electric Co | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP4401181B2 (ja) * | 2003-08-06 | 2010-01-20 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2005101268A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2006093367A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2008166381A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2009212481A (ja) * | 2007-04-27 | 2009-09-17 | Sharp Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2010103300A (ja) * | 2008-10-23 | 2010-05-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
TWI471977B (zh) * | 2009-05-15 | 2015-02-01 | Xintec Inc | 功率金氧半場效電晶體封裝體 |
-
2010
- 2010-08-06 JP JP2010176865A patent/JP5656501B2/ja active Active
-
2011
- 2011-08-05 US US13/204,199 patent/US8796869B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8796869B2 (en) | 2014-08-05 |
US20120032307A1 (en) | 2012-02-09 |
JP2012038872A (ja) | 2012-02-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100652443B1 (ko) | 재배선층을 갖는 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 형성방법 | |
TWI464842B (zh) | 電子元件封裝體及其製造方法 | |
KR100575591B1 (ko) | 웨이퍼 레벨 적층 패키지용 칩 스케일 패키지 및 그 제조 방법 | |
US7285867B2 (en) | Wiring structure on semiconductor substrate and method of fabricating the same | |
KR100543481B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
US8174090B2 (en) | Packaging structure | |
JP4139803B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20100321544A1 (en) | Semiconductor device, camera module and method of manufacturing semiconductor device | |
US7176572B2 (en) | Semiconductor wafer, semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic equipment | |
KR20050033456A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 | |
JP6595840B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5474534B2 (ja) | パッシベーション及びポリイミドにより包囲されたコンタクト及びその製造方法 | |
JP2012028359A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5656501B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US7365429B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JP4248355B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US20080203569A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP4264823B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI630712B (zh) | 晶片封裝體及其製造方法 | |
JP2004140115A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
JP3916348B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US20060057831A1 (en) | Wire bond pads | |
CN111180407A (zh) | 半导体器件、焊盘结构及其制备方法 | |
JP2004281982A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US11676983B2 (en) | Sensor with dam structure and method for manufacturing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20130207 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130215 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20130304 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130705 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140516 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140520 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140806 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141107 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141125 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5656501 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |