JP5540654B2 - 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 - Google Patents
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Description
層及び第2電極を有する圧電素子を具備する液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電
素子に関する。
、例えば、結晶化した誘電材料からなる圧電体層を、2つの電極で挟んで構成されたもの
がある。このような圧電素子は、例えば、撓み振動モードのアクチュエーター装置として
液体噴射ヘッドに搭載される。液体噴射ヘッドの代表例としては、例えば、インク滴を吐
出するノズル開口と連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板を圧電素子
により変形させて圧力発生室のインクを加圧してノズル開口からインク滴として吐出させ
るインクジェット式記録ヘッドがある。このようなインクジェット式記録ヘッドに搭載さ
れる圧電素子としては、基板(流路形成基板)の一方面側に第一電極膜をスパッタリング
法等により形成した後、第1電極膜上にチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)等からなる圧電
体層をゾル−ゲル法又はMOD法等の液相法などにより形成すると共に、圧電体層上に第
2電極をスパッタリング法により形成し、その後、圧電体層及び第2電極をパターニング
することで圧電素子を形成したものがある(例えば、特許文献1参照)。
が、近年、さらなる高密度化が望まれている。しかしながら、圧電素子の超高密度化を図
ろうとすると、これに伴って圧電素子を小型化する必要があり、小型化した圧電素子では
、必要な圧電特性(歪み量)が得られないという問題がある。このため、比較的小さな駆
動電圧でも大きな変形を得ることができる圧電素子が要望されている。なお、このような
問題はインクジェット式記録ヘッドに代表される液体噴射ヘッドに限定されず、他の装置
に搭載される圧電素子においても同様に存在する。
装置並びにそれを供する圧電素子を提供することを課題とする。
むことが好ましい。これによれば、白金、イリジウム、パラジウム、ロジウムのうち少な
くとも1つを電極とし、歪み量が大きく圧電特性に優れた圧電素子を具備する液体噴射ヘ
ッドとなる。
装置にある。かかる態様では、歪み量が大きく圧電特性に優れた圧電素子を有する液体噴
射ヘッドを具備するため、吐出特性に優れた液体噴射装置となる。
図1は、本発明の実施形態1に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録
ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図2は、図1の平面図及びそのA−A′断面
図である。
らなり、その一方の面には二酸化シリコンからなる弾性膜50が形成されている。
流路形成基板10の圧力発生室12の長手方向外側の領域には連通部13が形成され、連
通部13と各圧力発生室12とが、各圧力発生室12毎に設けられたインク供給路14及
び連通路15を介して連通されている。連通部13は、後述する保護基板のリザーバー部
31と連通して各圧力発生室12の共通のインク室となるリザーバーの一部を構成する。
インク供給路14は、圧力発生室12よりも狭い幅で形成されており、連通部13から圧
力発生室12に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。なお、本実施形態では
、流路の幅を片側から絞ることでインク供給路14を形成したが、流路の幅を両側から絞
ることでインク供給路を形成してもよい。また、流路の幅を絞るのではなく、厚さ方向か
ら絞ることでインク供給路を形成してもよい。本実施形態では、流路形成基板10には、
圧力発生室12、連通部13、インク供給路14及び連通路15からなる液体流路が設け
られていることになる。
対側の端部近傍に連通するノズル開口21が穿設されたノズルプレート20が、接着剤や
熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート20は、例えば、ガラ
スセラミックス、シリコン単結晶基板、ステンレス鋼等からなる。
0が形成され、この弾性膜50上には、酸化ジルコニウム等からなり例えば表面粗さRa
が0.05〜2nmの絶縁体膜55が形成されている。
0.1〜20nmの酸化チタン層と、厚さが2μm以下好ましくは0.3〜1.5μmの
薄膜の圧電体層70と、第2電極80とが、積層形成されて、圧電素子300を構成して
いる。なお、本実施形態では、第1電極60と圧電体層70との間に酸化チタンからなる
層(酸化チタン層)を設けたが、酸化チタン層のかわりにチタンからなる層を設けてもよ
く、また、これら酸化チタン層等の層を設けず、第1電極60上に直接圧電体層70を設
けるようにしてもよい。さらに、圧電素子300と絶縁体膜55の密着性を向上させる等
のために、絶縁体膜55と第1電極60との間に酸化チタンからなる層を設けるようにし
てもよい。ここで、圧電素子300は、第1電極60、圧電体層70及び第2電極80を
含む部分をいう。一般的には、圧電素子300の何れか一方の電極を共通電極とし、他方
の電極及び圧電体層70を各圧力発生室12毎にパターニングして構成する。本実施形態
では、第1電極60を圧電素子300の共通電極とし、第2電極80を圧電素子300の
個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。また、こ
こでは、圧電素子300と当該圧電素子300の駆動により変位が生じる振動板とを合わ
せてアクチュエーター装置と称する。なお、上述した例では、弾性膜50、絶縁体膜55
及び第1電極60が振動板として作用するが、勿論これに限定されるものではなく、例え
ば、弾性膜50や絶縁体膜55を設けなくてもよく、また、第1電極60が振動板として
作用するようにしてもよい。また、圧電素子300自体が実質的に振動板を兼ねるように
してもよい。
(Rh)や、これらを積層したもの、酸化、合金化又は混合化したものである。
先配向し、膜面垂直方向において(111)面、(200)面及び(220)面の合計に
対する(111)面及び(200)面の合計が存在比で20%以下、好ましくは18%以
下である。
から測定した結晶の配向であり、広角X線回折法等によって測定することができるもので
ある。そして、「膜面平行方向で(111)面に優先配向している」とは、全ての結晶が
膜面平行方向で(111)面に配向している場合と、ほとんどの結晶(例えば、90%以
上)が膜面平行方向で(111)面に配向している場合とを含むものである。
に垂直な面、すなわち、第1電極60の厚さ方向の面の結晶の配向であり、インプレーン
(In−Plane)回折や後方散乱電子線回折(EBSD)で測定することができる。
1電極60を膜面垂直方向で(111)面、(200)面及び(220)面の合計に対す
る(111)面及び(200)面の合計が存在比で20%以下とすることにより、膜面平
行方向で(111)面に優先配向させただけの場合よりも、第1電極60の結晶が(11
1)面に揃う。これにより、後述する実施例に示すように、第1電極60の上に設けられ
た圧電体層70の結晶面が揃い配向度を高くすることができ、顕著に圧電素子300の圧
電特性を向上させることができる。また、第1電極60を上記のように規定することによ
り、確実に圧電特性が優れた圧電素子300となるため、複数の圧電素子300を配列し
た場合の各圧電素子300の圧電特性のばらつきが抑えられて、インクジェット式記録ヘ
ッドIの吐出特性等を安定化させることができる。
法によって測定できる膜面平行方向のみについて評価している。すなわち、電極の膜面平
行方向の評価しかしていないため、これによって(111)単一配向等と評価されていて
も、第1電極60の膜面平行方向に結晶面を持たない結晶に関しては全く評価されていな
い。また、積層構造の金属膜については、各膜の回折線が干渉するため、広角X線回折法
では、最表面の圧電体層70側の金属だけの評価は難しい。
について測定すると、広角X線回折法等では評価していなかった第1電極60の圧電体層
70側の表面に垂直な方向の結晶面の評価が可能になる。したがって、広角X線回折法で
(111)単一配向とされている第1電極60においても(111)配向ではない結晶に
ついて評価することが可能になり、第1電極60の結晶をより揃えることができる。また
、全反射臨界角近傍の低角入射のX線を用いることにより、第1電極60が積層膜で形成
されたものであっても、圧電体層70側の最表面のみの評価が可能になる。
向させ、さらに、第1電極60の膜面垂直方向についても、((111)面の存在比+(
200)面の存在比)/((111)面の存在比+(200)面の存在比+(220)面
の存在比)が20%以下となるようにすることにより、圧電特性を顕著に良好にしたもの
である。なお、膜面平行方向で(111)面に優先配向させた第1電極60の膜面垂直方
向を測定すると、(220)面由来の回折線以外にも(111)面や(200)面由来の
回折線が観察されるが、膜面垂直方向の測定で(111)面や(200)面由来の回折線
が観察されると、(111)面配向ではない結晶が存在することになる。
布などの影響を受ける。そのため、回折線の強度比は、そのままでは結晶の存在比を示さ
ない。回折面に依存する回折線強度を補正し、ある方位を向いた結晶の量を比較するため
には、完全にランダムであると期待される粉末試料の回折強度を用いて、強度の規格化を
行わなければならない。本発明においては、次のように補正を行った。具体的には、完全
ランダムであると期待される粉末試料のデータとして、X線回折のデータベースの集合体
であるICDDカード(PDF#06−0598)を用い、規格化係数を算出した。例え
ば、(111)の規格化係数は、下記式とした。なお、ここで用いる回折線強度は先に示
したPDF#06−0598の数値を用いた。
(111)の規格化係数=((111),(200)及び(220)の回折線強度の和)
/((111)の回折線強度)
(111)存在比=((111)強度の測定値×(111)規格化係数)/((111)
強度の測定値×(111)規格化係数+(200)強度の測定値×(200)規格化係数
+(220)強度の測定値×(220)規格化係数)
に換算すればよい。
、例えば、以下の方法で製造することができる。まず、シリコンウェハーである流路形成
基板用ウェハーの表面に弾性膜50を構成する二酸化シリコン(SiO2)等からなる二
酸化シリコン膜を形成する。次いで、弾性膜50(二酸化シリコン膜)上に、酸化ジルコ
ニウム等からなる絶縁体膜55を形成する。次に、絶縁体膜55上に、必要に応じてチタ
ンからなる層を設ける。
リジウム等からなる第1電極60をスパッタリング法等により全面に形成した後パターニ
ングする。この第1電極60の製造条件、具体的には温度、圧力、パワー密度などのスパ
ッタリング条件を適宜調整することにより、製造される第1電極60の結晶を制御するこ
とができ、膜面平行方向が(111)面に優先配向し、膜面垂直方向は(111)面、(
200)面及び(220)面の合計に対する(111)面及び(200)面の合計が存在
比で20%以下とすることができる。他の条件にも依存するが、例えば、圧力を低くした
り、パワー密度を高くすることにより、膜面垂直方向の(111)面、(200)面及び
(220)面の合計に対する(111)面及び(200)面の合計(存在比)が小さくな
る。なお、第1電極60を構成する金属膜の厚さは特に限定されないが、例えば、各金属
膜をそれぞれ厚さ5〜200nm程度とすればよい。
。そして、第1電極60上、又は、必要に応じて設けたチタンからなる層上に、圧電体層
70を積層する。圧電体層70の製造方法は特に限定されないが、例えば、有機金属化合
物を溶媒に溶解・分散したゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成することで金
属酸化物からなる圧電体層70を得る、いわゆるゾル−ゲル法を用いて圧電体層70を形
成できる。なお、圧電体層70の製造方法は、ゾル−ゲル法に限定されず、例えば、MO
D(Metal−Organic Decomposition)法などの液相法や、P
VD法、CVD法などを用いてもよい。
有機金属化合物を含むゾルやMOD溶液(前駆体溶液)を、スピンコート法などを用いて
、塗布して圧電体前駆体膜を形成する(塗布工程)。
む有機金属化合物を、各構成金属が所望のモル比となるように混合し、該混合物をアルコ
ールなどの有機溶媒を用いて溶解または分散させたものである。圧電材料の構成金属を含
む有機金属化合物としては、例えば、金属アルコキシド、有機酸塩、βジケトン錯体など
を用いることができる。具体的には、例えば、以下のものが挙げられる。鉛(Pb)を含
む有機金属化合物としては、例えば酢酸鉛などが挙げられる。ジルコニウム(Zr)を含
む有機金属化合物としては、例えばジルコニウムアセチルアセトナート、ジルコニウムテ
トラアセチルアセトナート、ジルコニウムモノアセチルアセトナート、ジルコニウムビス
アセチルアセトナート等が挙げられる。チタニウム(Ti)を含む有機金属化合物として
は、例えばチタニウムアルコキシド、チタニウムイソプロポキシド等が挙げられる。
定時間乾燥させる(乾燥工程)。次に、乾燥した圧電体前駆体膜を所定温度に加熱して一
定時間保持することによって脱脂する(脱脂工程)。なお、ここで言う脱脂とは、圧電体
前駆体膜に含まれる有機成分を、例えば、NO2、CO2、H2O等として離脱させるこ
とである。次に、圧電体前駆体膜を所定温度、例えば650〜800℃程度に加熱して一
定時間保持することによって結晶化させ、圧電体膜を形成する(焼成工程)。なお、乾燥
工程、脱脂工程及び焼成工程で用いられる加熱装置としては、例えば、赤外線ランプの照
射により加熱するRTA(Rapid Thermal Annealing)装置やホ
ットプレート等が挙げられる。
び焼成工程を所望の膜厚等に応じて複数回繰り返すことにより、複数層の圧電体膜からな
る圧電体層を形成してもよい。
電極80を積層し、圧電体層70及び第2電極80を同時にパターニングして圧電素子3
00を形成する。
。これにより、圧電体層70と第1電極60や第2電極80との良好な界面を形成するこ
とができ、かつ、圧電体層70の結晶性をさらに改善することができる。
に限定されるものではない。
まず、シリコン基板の表面に熱酸化により二酸化シリコン膜を形成した。次に、二酸化
シリコン膜上にジルコニウムをスパッタ法により成膜した後熱酸化することにより、表面
粗さ(Ra)0.05〜2nmの酸化ジルコニウム膜を形成した。次いで、酸化ジルコニ
ウム膜上にチタン膜をスパッタ法により形成した。
上にDCスパッタ法により、膜厚20nmのイリジウム膜を形成して第1電極60とした
。なお、白金膜及びイリジウム膜は、プラズマパワー密度:40kW/m2、基板温度:
200℃以下、アルゴン圧力:0.1Paの条件で形成した。形成された第1電極60を
、広角X線回折法によって測定したところ、(111)面に優先配向(配向率90%以上
)を示した。また、この第1電極60に対し、インプレーン回折を測定した結果を、図3
に示す。図3に示すように、(111)配向でない結晶の存在を示す結晶面((111)
面及び(200)面)と、(111)配向の結晶の存在を示す結晶面((220)面)の
両方の回折線が得られた。そして、その強度比から上記方法により、膜面垂直方向での(
111)面、(200)面及び(220)面の存在比の合計に対する(111)面及び(
200)面の存在比の合計、すなわち、((111)面の存在比+(200)面の存在比
)/((111)面の存在比+(200)面の存在比+(220)面の存在比)を計算し
たところ、7.8%であった。
下のとおりである。まず、酢酸鉛3水和物(Pb(CH3COO)2・3H2O)、チタ
ニウムイソプロポキシド(Ti[OCH(CH3)2]4)、ジルコニウムアセチルアセ
トナート(Zr(CH3COCHCOCH3)4)を主原料とし、ブチルセロソルブ(C
6H14O6)を溶媒とし、ジエタノールアミン(C4H11NO2)を安定剤とし、ポ
リエチレングリコール(C2H6O6)を増粘剤として混合した前駆体溶液を、第1電極
60上にスピンコートにより塗布して、圧電体前駆体膜を形成した(塗布工程)。なお、
前駆体溶液は、酢酸鉛3水和物:チタニウムイソプロポキシド:ジルコニウムアセチルア
セトナート:ブチルセロソルブ:ジエタノールアミン:ポリエチレングリコール=1.1
:0.44:0.56:3:0.65:0.5(モル比)の割合で混合した。また、酢酸
鉛3水和物は蒸発による減少を考慮して10%過剰に加えている。次に80℃(乾燥工程
)及び360℃(脱脂工程)の熱処理を経た後、700℃で焼成し圧電体前駆体膜を結晶
化させて、厚さ約1100nmのチタン酸ジルコン酸鉛からなりペロブスカイト構造を有
する圧電体層70を形成した(焼成工程)。
。この結果、(100)に優先配向(配向率90%以上)していた。また、ペロブスカイ
ト型構造由来の回折ピークが観測され、圧電体層70がペロブスカイト型構造であること
も確認された。上記の第1電極60のインプレーン回折測定結果から算出した膜面垂直方
向での(111)面、(200)面及び(220)面の存在比の合計に対する(111)
面及び(200)面の存在比の合計値(以下「否(111)の割合」とも記載する。)を
横軸に、(100)配向率を縦軸にしたものを、図4に示す。なお、圧電体層70の(1
00)の配向率は、次の式で求めた。
(100)配向率=(100)回折強度/((100)回折強度+(110)回折強度+
(111)回折強度)
て圧電素子300を形成した。
白金膜及びイリジウム膜の製造条件の圧力を0.3Paとした以外は、実施例1と同様
の操作を行った。第1電極60を広角X線回折法によって測定した結果、(111)面に
優先配向(配向率90%以上)を示し、また、インプレーン回折を測定した結果から算出
した否(111)の割合は17.7%であった。また、圧電体層70に対し、広角X線回
折法によって測定した結果、(100)に優先配向(配向率90%以上)であり、また、
ペロブスカイト型構造由来の回折ピークが観測され、圧電体層70はペロブスカイト型構
造を形成していることも確認された。さらに、実施例1の圧電素子300の変位量を1と
したときの相対変位量を求めたところ、1であった。結果を図5に示す。
白金膜及びイリジウム膜の製造条件の圧力を0.5Paとした以外は、実施例1と同様
の操作を行った。第1電極60を広角X線回折法によって測定した結果、(111)面に
優先配向(配向率90%以上)を示し、また、この第1電極60に対し、インプレーン回
折を測定した結果から算出した否(111)の割合は21.9%であった。広角X線回折
法によって測定した結果、(100)の配向は65%であり、また、ペロブスカイト型構
造由来の回折ピークが観測され、圧電体層はペロブスカイト型構造を形成していることも
確認された。そして、相対変位量は0.84であった。
合であっても、インプレーン回折において、否(111)の割合が20%以下の第1電極
60を有する実施例1〜2では、否(111)の割合が20%より大きい第1電極60を
有する比較例1と比較して、圧電体層70の(100)配向率及び変位量が顕著に大きか
った。
の端部近傍から引き出され、絶縁体膜55上にまで延設される、例えば、金(Au)等か
らなるリード電極90が接続されている。
、絶縁体膜55及びリード電極90上には、リザーバー100の少なくとも一部を構成す
るリザーバー部31を有する保護基板30が接着剤35を介して接合されている。このリ
ザーバー部31は、本実施形態では、保護基板30を厚さ方向に貫通して圧力発生室12
の幅方向に亘って形成されており、上述のように流路形成基板10の連通部13と連通さ
れて各圧力発生室12の共通のインク室となるリザーバー100を構成している。また、
流路形成基板10の連通部13を圧力発生室12毎に複数に分割して、リザーバー部31
のみをリザーバーとしてもよい。さらに、例えば、流路形成基板10に圧力発生室12の
みを設け、流路形成基板10と保護基板30との間に介在する部材(例えば、弾性膜50
、絶縁体膜55等)にリザーバーと各圧力発生室12とを連通するインク供給路14を設
けるようにしてもよい。
害しない程度の空間を有する圧電素子保持部32が設けられている。圧電素子保持部32
は、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封
されていても、密封されていなくてもよい。
ば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板
10と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。
いる。そして、各圧電素子300から引き出されたリード電極90の端部近傍は、貫通孔
33内に露出するように設けられている。
0が固定されている。この駆動回路120としては、例えば、回路基板や半導体集積回路
(IC)等を用いることができる。そして、駆動回路120とリード電極90とは、ボン
ディングワイヤー等の導電性ワイヤーからなる接続配線121を介して電気的に接続され
ている。
イアンス基板40が接合されている。ここで、封止膜41は、剛性が低く可撓性を有する
材料からなり、この封止膜41によってリザーバー部31の一方面が封止されている。ま
た、固定板42は、比較的硬質の材料で形成されている。この固定板42のリザーバー1
00に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部43となっているため、リザ
ーバー100の一方面は可撓性を有する封止膜41のみで封止されている。
供給手段と接続したインク導入口からインクを取り込み、リザーバー100からノズル開
口21に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路120からの記録信号に従い、圧
力発生室12に対応するそれぞれの第1電極60と第2電極80との間に電圧を印加し、
弾性膜50、絶縁体膜55、第1電極60及び圧電体層70をたわみ変形させることによ
り、各圧力発生室12内の圧力が高まりノズル開口21からインク滴が吐出する。
以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明の基本的構成は上述したものに限定さ
れるものではない。例えば、上述した実施形態では、流路形成基板10として、シリコン
単結晶基板を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、SOI基板、ガラス等の材料
を用いるようにしてもよい。
層70及び第2電極80を順次積層した圧電素子300を例示したが、特にこれに限定さ
れず、例えば、圧電材料と電極形成材料とを交互に積層させて軸方向に伸縮させる縦振動
型の圧電素子にも本発明を適用することができる。
するインク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット式記録
装置に搭載される。図6は、そのインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。
有する記録ヘッドユニット1A及び1Bは、インク供給手段を構成するカートリッジ2A
及び2Bが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリ
ッジ3は、装置本体4に取り付けられたキャリッジ軸5に軸方向移動自在に設けられてい
る。この記録ヘッドユニット1A及び1Bは、例えば、それぞれブラックインク組成物及
びカラーインク組成物を吐出するものとしている。
介してキャリッジ3に伝達されることで、記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキ
ャリッジ3はキャリッジ軸5に沿って移動される。一方、装置本体4にはキャリッジ軸5
に沿ってプラテン8が設けられており、図示しない給紙ローラーなどにより給紙された紙
等の記録媒体である記録シートSがプラテン8に巻き掛けられて搬送されるようになって
いる。
ッドを挙げて説明したが、本発明は広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、イ
ンク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体
噴射ヘッドとしては、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッ
ド、液晶ディスプレー等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機E
Lディスプレー、FED(電界放出ディスプレー)等の電極形成に用いられる電極材料噴
射ヘッド、バイオchip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
る圧電素子に限られず、超音波発信機等の超音波デバイス、圧力センサ、不揮発メモリー
等他の装置に搭載される圧電素子にも適用することができる。
装置(液体噴射装置)、 10 流路形成基板、 12 圧力発生室、 13 連通部、
14 インク供給路、 20 ノズルプレート、 21 ノズル開口、 30 保護基
板、 31 リザーバー部、 32 圧電素子保持部、 40 コンプライアンス基板、
60 第1電極、 70 圧電体層、 80 第2電極、 90 リード電極、 10
0 リザーバー、 120 駆動回路、 121 接続配線、 300 圧電素子
Claims (4)
- ノズル開口に連通する圧力発生室に圧力変化を生じさせ、第1電極と、前記第1電極上に形成されたチタン又は酸化チタンを含む層と、前記チタン又は酸化チタンを含む層上に形成された圧電体層と、前記圧電体層上に形成された第2電極と、を備えた圧電素子を具備する液体噴射ヘッドであって、
前記チタン又は酸化チタンを含む層の膜厚が、0.1〜20nmであり、
前記第1電極は、
前記第1電極を構成する膜面に平行な方向において、(111)面に優先配向しており、
前記第1電極を構成する膜面に垂直な方向において、(111)面、(200)面及び(220)面の合計に対する(111)面及び(200)面の合計が存在比で20%以下であることを特徴とする液体噴射ヘッド。 - 前記第1電極は、白金、イリジウム、パラジウム、ロジウムのうち少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1に記載の液体噴射ヘッド。
- 請求項1又は2に記載の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
- 第1電極と、前記第1電極上に形成されたチタン又は酸化チタンを含む層と、前記チタン又は酸化チタンを含む層上に形成された圧電体層と、前記圧電体層上に形成された第2電極と、を備えた圧電素子であって、
前記チタン又は酸化チタンを含む層の膜厚が、0.1〜20nmであり、
前記第1電極は、
前記第1電極を構成する膜面に平行な方向において、(111)面に優先配向しており、
前記第1電極を構成する膜面に垂直な方向において、(111)面、(200)面及び(220)面の合計に対する(111)面及び(200)面の合計が存在比で20%以下であることを特徴とする圧電素子。
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