JP2013065698A - 電気−機械変換素子、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置及び画像形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電気−機械変換素子10が、基板11上に形成された振動板12と、振動板12上に直接又は間接的に形成された下部電極21と、下部電極21上に形成された電気−機械変換膜16と、電気−機械変換膜16上に形成された上部電極22とを有し、下部電極21は(111)配向を有する層を含み、電気−機械変換膜16は(111)を優先配向とするPZTからなり、振動板12は表面粗さが5nm以下のポリシリコン層を含む。
【選択図】図1
Description
電気−機械変換素子10は、基板11上の下地膜として基板11上に成膜された成膜振動板である振動板12と、この振動板12上に形成された密着層13と、この密着層13上に形成された下部電極21と、下部電極21上に形成された電気−機械変換膜16と、電気−機械変換膜16上に形成された上部電極22とを有している。
具体的には、図4に示すように、基板11側から密着層13側に向けて、次に述べる各膜が順に成膜されている。シリコン単結晶基板である基板11に、LPCVD法あるいは熱処理製膜法で成膜されたシリコン酸化膜12a。このシリコン酸化膜12aに、LPCVD法で成膜されたポリシリコン膜12b。このポリシリコン膜12bに、LPCVD法で成膜されたシリコン酸化膜12c。このシリコン酸化膜12cに、LPCVD法で成膜されたシリコン窒化膜12d。このシリコン窒化膜12dに、LPCVD法で成膜されたシリコン酸化膜12e。このシリコン酸化膜12eに、LPCVD法で成膜されたシリコン窒化膜12f。このシリコン窒化膜12fに、LPCVD法で成膜されたシリコン酸化膜12g。このシリコン酸化膜12gに、LPCVD法で成膜されたポリシリコン膜12h。このポリシリコン膜12hに、LPCVD法で成膜されたシリコン酸化膜12i。以上の各膜の成膜により、振動板12の構成膜の成膜が完了する。各膜の膜厚は、振動板12が9層全体で所望の振動板剛性、および応力になるように設定されている。
圧電体動作時に、経時的に圧電体中の酸素欠損が増大する可能性が従来指摘されている。その欠損酸素成分の補給源として、導電性の酸化物電極を、誘電体材料との接触界面として利用することが好ましい。この点、SrRuO3は、PZTと同じペロブスカイト型結晶構造を有しているので、界面での接合性に優れ、PZTのエピタキシャル成長を実現し易く、Pbの拡散バリア層としての特性にも優れている。
ρ=I(hkl)/ΣI(hkl)
分母:各ピーク強度の総和
分子:任意の配向のピーク強度
この範囲を超える場合は、連続駆動後の変位劣化については十分な特性が得られないことがわかった。
これらの例において、電気−機械変換素子の構成は、図2に示したのと同様となっている。なお、以下の説明で述べていない事項については、適宜、すでに述べた事項を援用する。
基板11としてのシリコンウェハに膜厚1ミクロンの熱酸化膜による振動板12をLPCVD法によって形成した。振動板12は、具体的に、LPCVD法で厚さ200nmのシリコン酸化膜を成膜し、その後、LPCVD法で厚さ500nmのポリシリコン膜を成膜し、次に、LPCVD法でシリコン窒化膜を成膜した。次いで、膜厚50nmのチタン膜による密着層13を成膜し、次に下部電極21として、膜厚250nmの白金膜をスパッタ成膜し、さらに膜厚50nmのSrRuO膜をスパッタ成膜した。
密着層13であるチタン膜は、熱酸化膜と白金膜との間の密着層となっている。
SrRuO膜のスパッタ成膜時の基板加熱温度については550℃にて成膜を実施した。
以上のようにして、電気−機械変換素子10を作製した。
振動板12のLPCVD法による振動板構成を変化させ、表面粗さを表1(a)に示す条件に変更したこと以外は、実施例1と同様に電気−機械変換素子10を作製した。
下部電極21の構成を表1(b)に示すように変更し、SrRuO膜を成膜しなかったこと以外は、実施例1と同様に電気−機械変換素子10を作製した。
下部電極21の構成を表1(b)に示すように変更し、SrRuO膜を成膜しなかったこと以外は、実施例2と同様に電気−機械変換素子10を作製した。
下部電極21の構成を表1(b)に示すように変更し、SrRuO膜をIr膜に変更したこと以外は、実施例1と同様に電気−機械変換素子10を作製した。
下部電極21の構成を表1(b)に示すように変更し、SrRuO膜をIr膜に変更したこと以外は、実施例2と同様に電気−機械変換素子10を作製した。
下部電極21の構成を表1(b)に示すように変更し、SrRuO膜をIrO2膜に変更したこと以外は、実施例1と同様に電気−機械変換素子10を作製した。
下部電極21の構成を表1(b)に示すように変更し、SrRuO膜をIrO2膜に変更したこと以外は、実施例2と同様に電気−機械変換素子10を作製した。
下部電極21の構成を表1(b)に示すように変更し、SrRuO膜をRuO2膜に変更したこと以外は、実施例1と同様に電気−機械変換素子10を作製した。
下部電極21の構成を表1(b)に示すように変更し、SrRuO膜をRuO2膜に変更したこと以外は、実施例2と同様に電気−機械変換素子10を作製した。
下部電極21の構成を表1(b)に示すように変更し、SrRuO膜をLaNiO3膜に変更したこと以外は、実施例1と同様に電気−機械変換素子10を作製した。
下部電極21の構成を表1(b)に示すように変更し、SrRuO膜をLaNiO3膜に変更したこと以外は、実施例2と同様に電気−機械変換素子10を作製した。
振動板12のLPCVD法による振動板構成を変化させ、表面粗さを表1(a)に示す条件に変更したこと以外は、実施例1と同様に電気−機械変換素子を作製した。
振動板12のLPCVD法による振動板構成を変化させ、表面粗さを表1(a)に示す条件に変更したこと以外は、実施例1と同様に電気−機械変換素子を作製した。
下部電極21の構成を表1(b)に示すように変更し、SrRuO膜を成膜しなかったこと以外は、比較例1と同様に電気−機械変換素子を作製した。
下部電極21の構成を表1(b)に示すように変更し、SrRuO膜をIr膜に変更したこと以外は、比較例1と同様に電気−機械変換素子を作製した。
なお、同表において、太枠内の数値は、特性が劣っていることを示している。太枠内に数値が記載されていない項目については、試験中に評価不能となった場合を示している。
粘度を5cpに調整したインクを用いて、単純Push波形により−10〜−30Vの印可電圧を加えたときの吐出状況を確認したところ、全てどのノズル孔からも吐出されていることを確認した。
11 基板
12 振動板
16 電気−機械変換膜
21 下部電極
22 上部電極
30 液滴吐出ヘッド
50 画像形成装置
82 液滴吐出装置
95 液体供給部
Claims (8)
- 基板上に形成された振動板と、
この振動板上に直接又は間接的に形成された下部電極と、
この下部電極上に形成された電気−機械変換膜と、
この電気−機械変換膜上に形成された上部電極とを有し、
前記下部電極は(111)配向を有する層を含み、
前記電気−機械変換膜は(111)を優先配向とするPZTからなり、
前記振動板は表面粗さが5nm以下のポリシリコン層を含む電気−機械変換素子。 - 請求項1記載の電気−機械変換素子において、
前記振動板は、表面粗さが4nm以下であり、前記ポリシリコン層の厚さが0.1μm以上3μm以下であることを特徴とする電気−機械変換素子。 - 請求項1または2記載の電気−機械変換素子において、
前記電気−機械変換膜の結晶配向について、
ρ=I(hkl)/ΣI(hkl)
[I(hkl):任意の配向のピーク強度、ΣI(hkl)各ピーク強度の総和]
によって表される、XRDで得られた各配向のピークの総和を1としたときのそれぞれの配向の比率を表す計算方向による平均配向度において、
(111)配向の配向度が0.95以上であり、(110)配向の配向度が0.05以下であることを特徴とする電気−機械変換素子。 - 請求項1ないし3の何れか1つに記載の電気−機械変換素子において、
前記電気−機械変換膜の電気特性について、150kV/cmでのP−Eヒステリシスにおいて、2Pr値が35μC/cm2以上であることを特徴とする電気−機械変換素子。 - 請求項1ないし4の何れか1つに記載の電気−機械変換素子において、
前記振動板は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜の少なくとも一方を含むことを特徴とする電気−機械変換素子。 - 請求項1ないし5の何れか1つに記載の電気−機械変換素子を備え、この電気−機械変換素子が駆動されることにより液滴を吐出する液滴吐出ヘッド。
- 請求項6記載の液滴吐出ヘッドと、この液滴吐出ヘッドに、液滴となる液体を供給する液体供給部とを備えた液滴吐出装置。
- 請求項1ないし5の何れか1つに記載の電気−機械変換素子、または、請求項6記載の液滴吐出ヘッド、または、請求項7記載の液滴吐出装置を備えた画像形成装置。
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