JPH08254693A

JPH08254693A - 液晶表示基板およびその製造方法

Info

Publication number: JPH08254693A
Application number: JP5694695A
Authority: JP
Inventors: Takashi Isoda; 高志磯田; Minoru Hiroshima; 實廣島; Yuichi Hashimoto; 雄一橋本
Original assignee: Hitachi Device Engineering Co Ltd; Hitachi Ltd; Hitachi Consumer Electronics Co Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Consumer Electronics Co Ltd; Japan Display Inc
Priority date: 1995-03-16
Filing date: 1995-03-16
Publication date: 1996-10-01

Abstract

(57)【要約】【目的】アルミニュウムのヒロックの憂いなく薄膜ト
ランジスタの静電破壊防止用の素子を形成する。【構成】ゲート信号線とドレイン信号線のうちいずれ
か一方が表面において陽極酸化されたアルミニュウムか
ら形成されている液晶表示基板において、その有効表示
領域の以外の領域にて、それぞれの信号線との接続がな
される非線形抵抗素子を備え、この非線形抵抗素子は、
それぞれ、前記画素電極と同材料のゲート電極、前記薄
膜トランジスタの半導体層と同材料の半導体層、陽極酸
化されたアルミニュウムからなる信号線以外の信号線と
同材料のドレイン電極およびソース電極とを備えるＭＩ
Ｓ構造からなっているとともに、陽極酸化されたアルミ
ニュウムからなる信号線には、前記非線形抵抗素子の形
成領域から外部端子までの間において、該非線形抵抗素
子を構成するゲート電極が延在されて重畳されていると
ともに、この延在されたゲート電極は前記陽極酸化が選
択除去された部分を通して前記信号線に接続されて端子
を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示基板およびその
製造方法に係り、特に、各画素毎に薄膜トランジスタ素
子（ＴＦＴ）を備えた液晶表示基板およびその製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の液晶表示基板はいわゆるアクテ
ィブ・マトリックス型と称され、コントラストがよく、
特にカラー表示用においては欠かせない技術となりつつ
ある。

【０００３】そして、このような液晶表示基板は、その
製造工程中において、該薄膜トランジスタの静電破壊が
なされないような対策が施されるのが通常である。

【０００４】たとえば、規定以上の大きさからなる透明
基板上にゲート信号線およびドレイン信号線を形成する
場合に、いずれ切断によって除去される該規定枠外の領
域に前記ゲート線のそれぞれとドレイン信号線のそれぞ
れとを共通に接続させた共通線を形成しておく等の場合
がそれである。

【０００５】そして、近年では、液晶表示基板内に薄膜
トランジスタの静電破壊防止用の素子を組み込んだもの
も知られるように至った（特開昭６３−１０６７８８号
公報参照）。

【０００６】このようにした場合、たとえば液晶表示基
板の外付け部品としての液晶表示駆動ＩＣを取り付ける
場合にその接続端子に発生する静電気から薄膜トランジ
スタを保護できるようになる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成された液晶表示基板は、ゲート信号線あるいは
ドレイン信号線のうちいずれか一方を抵抗の小さいアル
ミニュウム材料とし、かつ、その表面を陽極酸化して構
成した場合に、薄膜トランジスタの静電破壊防止用の素
子を形成することが困難となるということが指摘される
に至った。

【０００８】すなわち、アルミニュウムの表面を陽極酸
化して信号線を構成する目的は、それがない場合にいわ
ゆるヒロックが発生してしまい層間絶縁膜を突き出して
交差する他の信号線等との間に生じる電気的短絡を防ぐ
ことにあることから、この信号線において薄膜トランジ
スタの静電破壊防止用の素子との接続を図るコンタクト
を形成したくないからである。

【０００９】本発明はこのような事情に基づいてなされ
たものであり、その目的は、アルミニュウムのヒロック
の憂いなく薄膜トランジスタの静電破壊防止用の素子を
形成できる液晶表示基板を提供することにある。

【００１０】また、本発明の他の目的は、上述した液晶
表示基板を製造工程の増加なく形成できる製造方法を提
供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明による液晶表示基板は次のような手段
から構成されるようになっている。

【００１２】手段１．液晶を介して互いに対向配置され
る透明基板のうち一方の透明基板の液晶側の面に、ｘ方
向に延在しかつｙ方向に並設されたゲート信号線と、こ
のゲート線信号と絶縁されてｙ方向に延在しかつｘ方向
に並設されたドレイン信号線と、これらゲート信号線と
ドレイン信号線とで囲まれる領域に形成された薄膜トラ
ンジスタと画素電極とを備え、前記ゲート信号線とドレ
イン信号線のうちいずれか一方が表面において陽極酸化
されたアルミニュウムから形成されている液晶表示基板
において、その有効表示領域の以外の領域にて、それぞ
れの信号線との接続がなされる非線形抵抗素子を備え、
この非線形抵抗素子は、それぞれ、前記画素電極と同材
料のゲート電極、前記薄膜トランジスタの半導体層と同
材料の半導体層、陽極酸化されたアルミニュウムからな
る信号線以外の信号線と同材料のドレイン電極およびソ
ース電極とを備えるＭＩＳ構造からなっているととも
に、陽極酸化されたアルミニュウムからなる信号線に
は、前記非線形抵抗素子の形成領域から外部端子までの
間において、該非線形抵抗素子を構成するゲート電極が
延在されて重畳されているとともに、この延在されたゲ
ート電極は前記陽極酸化が選択除去された部分を通して
前記信号線に接続されて端子を構成していることを特徴
とするものである。

【００１３】手段２．手段１からなる液晶表示基板にお
いて、アルミニュウムからなる信号線の陽極酸化が選択
除去された前記部分は、該アルミニュウムの陽極酸化の
際にマスクが覆われた部分としたことを特徴とするもの
である。

【００１４】

【作用】手段１の構成からなる液晶表示基板は、信号線
がその表面を陽極酸化したアルミニュウムで構成されて
おり、その信号線に接続される非線形抵抗素子は、その
ゲート電極が画素電極と同材料の透明膜で形成され、か
つ、その透明導電膜は前記信号線の陽極酸化が選択除去
された部分を通して前記信号線に接続されて端子を構成
している。

【００１５】このことから、該信号線の陽極酸化が選択
除去された部分において他の信号線等が交差することな
いことから、たとえヒロックが生じたとしてもそれによ
る弊害を発生せしめることがなくなる。

【００１６】したがって、アルミニュウムのヒロックの
憂いなく薄膜トランジスタの静電破壊防止用の非線形抵
抗素子を形成することができるようになる。

【００１７】また、各非線形抵抗素子はそれぞれ薄膜ト
ランジスタと同様の構成となっていることから、該非線
形抵抗素子の製造において製造工程を増大させることな
く構製造できるという効果をも奏する。

【００１８】そして、このような液晶表示基板を、手段
２に示したように製造することにより、製造工数の増大
するようなことはなくなる。

【００１９】信号線としてアルミニュウムを陽極酸化し
て形成する場合に、その外部端子の形成領域にたとえば
フォトレジスと膜等からなるマスクを形成した状態で陽
極酸化することが必然的になされていたからである。

【００２０】

【実施例】図２は、本発明による液晶表示基板の等価回
路一実施例を示す説明図である。同図は、液晶を介して
対向配置される各透明ガラス基板のうち一方の透明ガラ
ス基板２０の液晶側の面における回路を示したものであ
る。そして、実際の幾何学的配置に対応づけて記載して
いる。

【００２１】まず、透明ガラス基板２０があり、この主
表面にはそのｘ方向に延在しかつｙ方向に並設されるゲ
ート信号線（走査信号線）２２が形成されている。ま
た、図示しない層間絶縁膜を介してｙ方向に延在しかつ
ｘ方向に並設されるドレイン信号線（映像信号線）２４
が形成されている。

【００２２】これにより、透明ガラス基板面２０には、
その周辺部を除く中央部において、ゲート信号線２２と
ドレイン信号線２４とで囲まれる各画素領域がマトリッ
クス状に配置された有効表示領域Ａ（図中点線で示す領
域）が形成される。

【００２３】そして、ゲート信号線２２とドレイン信号
線２４とで囲まれる各画素領域には、ゲート信号線２２
からの走査信号供給によってオンする薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）２６と、このオンされた薄膜トランジスタ２
６を介してドレイン信号線２４からの映像信号が印加さ
れる画素電極２８と、この画素電極２８と前記膜膜トラ
ンジスタ２６をオンさせるゲート信号線２２と隣接する
他のゲート信号線２２との間に介在される付加容量（Ｃ
ａｄｄ）３０とが配置されている。

【００２４】この場合における付加容量３０は、たとえ
ば薄膜トランジスタ２６がオフした後の映像情報を長く
蓄積させる等の目的で形成されるものである。

【００２５】また、ゲート信号線２２およびドレイン信
号線２４のそれぞれは透明ガラス基板２０の周辺部にま
で延在されて、それぞれ走査信号および映像信号を供給
するための外部端子２２Ｔ、２４Ｔに接続されている。

【００２６】そして、これら外部端子２２Ｔ、２４Ｔと
有効表示領域Ａとの間には、それぞれの信号線との相互
接続がなされる非線形抵抗素子３４が形成されている。
これら非線形抵抗素子３４は静電破壊防止用の素子を構
成するもので、液晶表示基板内に組み込むことによっ
て、たとえば液晶表示基板２０の完成後において表示駆
動ＩＣ（図示せず）を外部端子２２Ｔ、２４Ｔに接続さ
せる際に発生する静電気による薄膜トランジスタの破壊
等を防止できる等の効果を奏するようになっている。

【００２７】同図に示すように、有効表示領域Ａの外周
にこの有効表示領域Ａを囲むようにして、共通配線３２
が各信号線と絶縁されて形成され、それぞれの信号線と
共通配線３２との間には、信号線に静電気が印加された
場合にその信号線と共通配線３２との導通を図るＭＩＳ
構造の非線形素子３４Ａと、共通配線３２に静電気が印
加された場合にその共通配線３２と該信号線との導通を
図るＭＩＳ構造の非線形素子３４Ｂとが接続されてい
る。

【００２８】このような非線形抵抗素子３４は、それぞ
れの信号線２２、２４に対して抵抗が大きいことから、
各外部端子２２Ｔ、２４Ｔから駆動信号の供給において
該非線形抵抗素子の存在によって影響されることはな
い。

【００２９】なお、透明ガラス基板２０は、液晶表示基
板の製造過程において切断されて同図に示す規定枠の大
きさとなっているものであるが、該切断前の規定枠外の
領域にはドレイン信号線２４を互いに接続する共通線２
４Ａ、およびゲート信号線２２を互いに接続する共通線
２２Ａが形成され、これにより、該透明ガラス基板の切
断前における静電防止対策が施されるようになってい
る。

【００３０】なお、上述した回路が組み込まれている透
明ガラス基板２０と液晶を介して対向する他の図示しな
い透明ガラス基板の液晶側の面には有効表示領域Ａにお
いて各画素共通の共通電極が形成され、また、カラー表
示用のものであればカラーフィルタも形成されたものと
なっている。

【００３１】同図において、各透明ガラス基板間に介在
される液晶を封入するシール材の形成箇所は図中一点鎖
線で示している。

【００３２】図３は、図２における液晶表示基板２０上
におけるゲート信号線２２とドレイン信号線２４によっ
て囲まれた画素領域の構成の一実施例を示す説明図であ
り、（ａ）は平面図、（ｂ）は同図（ａ）のｂ−ｂ線に
おける断面図である。以下、製造工程順に各構成部材を
説明する。

【００３３】同図において、まず、透明ガラス基板２０
上にゲート信号線２２が形成されている。このゲート信
号線２２はアルミニュウム（Ａｌ）層２２Ｌからなり、
かつ、その表面は陽極酸化されて酸化アルミニュウム
（Ａｌ₂Ｏ₃）層２２Ｈが形成されたものとなっている。
このような構成からなるゲート信号線２２は、アルミニ
ュウムそれ自体で形成したものと比較すると、いわゆる
ヒロックの発生を抑制することができ、後の工程におい
て層間絶縁膜を介して形成するドレイン信号線２４との
該ヒロックによる短絡を防止することができるようにな
る。

【００３４】また、画素電極２８が形成されており、こ
の画素電極２８はＩＴＯからなる透明導電膜によって形
成されている。

【００３５】また、この画素電極２８と後述するドレイ
ン信号線２４との間の領域には薄膜トランジスタ２６が
形成される領域があり、前記ゲート信号線２２の形成時
においてその一部が前記領域にまで延在されてゲート電
極２６Ｇが形成されているようになっている。

【００３６】そして、このゲート電極２６Ｇを覆うよう
にして、順次ゲート絶縁膜２６Ｉとなる窒化シリコン膜
とたとえばアモルファスＳｉからなる半導体層２６Ｓと
の積層体が形成されている。

【００３７】この半導体層２６Ｓの上面にドレイン電極
Ｅｄおよびソース電極Ｅｓをそれぞれ離間させて形成す
ることによって前記薄膜トランスジタ２６が形成される
ことになるが、これら各電極Ｅｄ、Ｅｓはドレイン信号
線２４の形成時に同時に形成されるようになっている。

【００３８】すなわち、ドレイン信号線２４はＣｒとＡ
ｌとの順次積層体から構成され、その一部が延在されて
形成されることによってドレイン電極Ｅｄが形成され、
また、同時に画素電極２８との導通を図ったソース電極
Ｅｓが形成されている。

【００３９】なお、このドレイン信号線２４は、前記ゲ
ート信号線２２との絶縁を図るため、その交差部におい
て窒化シリコン膜と半導体層との積層体の形成時に同時
に形成される層間絶縁膜３６上に形成されるようになっ
ている。

【００４０】また、図中の薄膜トランジスタ２６をオン
させるためのゲート信号線２２と隣接する他のゲート信
号線２２には画素電極２８の一部が延在されて重畳され
ることにより付加容量３０が構成されるようになってい
る。

【００４１】そして、このように加工された透明ガラス
基板２０の上面には前記画素電極２８の周辺を除く中央
部を露呈させた窒化シリコン膜からなる保護膜３８が形
成されている。薄膜トランジスタ２６と液晶との直接の
接触を回避して該薄膜トランジスタ２６の特性劣化を防
止するためである。

【００４２】図４は、静電破壊防止用の素子となる非線
形抵抗素子の構成の一実施例を示す平面図であり、図２
に示した透明ガラス基板２０上の図中左上の部分におけ
る非線形抵抗素子を示している。

【００４３】ここで、画素領域Ａの周辺を囲むようにし
て形成された共通配線３２のうち、ゲート信号線２２と
交差する部分の配線層３２（Ｂ）においてはＣｒおよび
Ａｌの順次積層体で形成され、このこの積層体はドレイ
ン信号線２４の形成時に同時に形成されるものとなって
いる。また、ドレイン信号線２４と交差する部分の配線
層３２（Ａ）においてはＩＴＯで形成され、このＩＴＯ
は画素電極２８の形成時に同時に形成されるものとなっ
ている。

【００４４】そして、それらの配線層は、それらが直交
する部分（図中符号Ｘに示す）において、重畳されるこ
とによって電気的に接続されて共通配線３２を構成する
ようになっている。

【００４５】図５は、図４における図中Ｐに示す領域に
おける非線形抵抗素子３４の詳細を示した平面図であ
る。また、同図のVI−VI線における断面を図６に示す。

【００４６】同図において、第１の非線形抵抗素子３４
Ｂがあり、この第１の非線形抵抗素子３４Ｂは、画素電
極２８と同時に形成されたＩＴＯからなるゲート電極５
０、このゲート電極５０の一部領域を覆って窒化シリコ
ン膜と半導体層との順次積層体５１と、この積層体５１
の上面に互いに離間して配置されて形成されるドレイン
電極５２およびソース電極５３とで構成されている。

【００４７】ドレイン電極５２はドレイン信号線２４の
延在部として一体的に形成され、ソース電極５３はドレ
イン信号線２４と同時に形成されるようになっている。

【００４８】またドレイン信号線２４はその一部が延在
されてゲート電極５０に重畳されることによってそのゲ
ート電極５０に電気的に接続されている。

【００４９】なお、前記積層体５１は薄膜トランジスタ
２６の形成における積層体と同時に形成されるようにな
っている。

【００５０】また、第２の非線形抵抗素子３４Ａがあ
り、この第２の非線形抵抗素子３４Ａは、共通配線３２
（Ａ）の一部を延在させて形成されたＩＴＯからなるゲ
ート電極５５、このゲート電極５５の一部領域を覆って
窒化シリコン膜と半導体層との順次積層体５６と、この
積層体５６の上面に互いに離間して配置されて形成され
るドレイン電極５７およびソース電極５８とで構成され
ている。

【００５１】ドレイン電極５７はドレイン信号線２４の
延在部として一体的に形成され、ソース電極５８はドレ
イン信号線２４と同時に形成されるようになっている。

【００５２】ここで、このソース電極５８は、第１の非
線形抵抗素子３４Ｂのソース電極５３と一体的に形成さ
れているとともに、共通配線３２（Ａ）に重畳されて形
成されることによって該共通配線３２（Ａ）に電気的に
接続されている。

【００５３】なお、前記積層体５６は薄膜トランジスタ
２６の形成における積層体と同時に形成されるようにな
っているとともに、この際において同時に形成される積
層体が共通配線３２（Ａ）に対するドレイン信号線の絶
縁を図る層間絶縁膜５９として形成されるようになって
いる。

【００５４】図７は、図４における図中Ｑに示す領域の
非線形抵抗素子３４の詳細を示した平面図である。ま
た、同図のVIII−VIII線における断面を図８に、IX−IX
線における断面を図９に示す。

【００５５】同図において、第１非線形抵抗素子３４Ａ
は、ゲート信号線２２の一部に重畳されて形成されたＩ
ＴＯ８０（画素電極２８と同時に形成される）の延在部
によって形成されたゲート電極７０と、このゲート電極
７０の一部を覆って形成された窒化シリコン膜と半導体
層の順次積層体７１と、この積層体７１の上面に互いに
離間して配置されて形成されるドレイン電極７２および
ソース電極７３とで構成されている。

【００５６】ドレイン電極７２は、共通配線３２Ｂの形
成と同時に形成されるとともに、積層体７１の一部を切
り欠いて形成された部分においてゲート電極７０と電気
的に接続されて形成されている。

【００５７】また、ソース電極７３は共通配線７２
（Ｂ）の一部における延在部と一体的に形成されてい
る。

【００５８】なお、積層体７１は薄膜トランジスタ２６
の形成における積層体と同時に形成されるようになって
いるとともに、この際において同時に形成される積層体
がゲート信号線（この上面にはＩＴＯ８０が形成されて
いる）２２に対する共通配線３２（Ｂ）の絶縁を図る層
間絶縁膜７４として形成されるようになっている。

【００５９】第２非線形抵抗素子３４Ｂは、ＩＴＯから
なるゲート電極７５と、このゲート電極７５上に形成さ
れる窒化シリコン膜と半導体層の順次積層体７６と、こ
の積層体７６の上面に互いに離間して配置されて形成さ
れるドレイン電極７７およびソース電極７８とで構成さ
れている。

【００６０】ドレイン電極７７は、共通配線３２（Ｂ）
の形成と同時に形成されるとともに、積層体７６の一部
を切り欠いて形成された部分においてゲート電極７５と
電気的に接続されて形成されている。

【００６１】また、ソース電極７８は、共通配線３２
（Ｂ）の形成と同時に形成されるとともに、延在されて
ゲート信号線２２上のＩＴＯ８０に重畳されることによ
って該ＩＴＯ８０と電気的に接続されている。

【００６２】図１（ａ）は、図４における図中Ｒの領域
の外部端子２２Ｔの詳細を示す平面図であり、その図中
Ｂ−Ｂ線における断面図を図１（ｂ）に示している。

【００６３】同図において、ゲート信号線２２はその表
面の陽極酸化膜（Ａｌ₂Ｏ₃）１が除去されたアルミニュ
ウム（Ａｌ）層２の状態で外部端子２２Ｔの一層目を構
成している。

【００６４】この陽極酸化膜の除去は、最初、アルミニ
ュウム層２からなるゲート信号線２２を陽極酸化する段
階で、予めフォトレジスト膜等からなるマスクをあてが
うことによって形成することができる。この工程は、本
実施例のように非線形抵抗素子を特別に形成しなくても
従来において外部端子の形成において必要だった工程で
あることから、本実施例において特に工程の増大をもた
らすものではない。

【００６５】そして、ゲート信号線２２の上面に形成さ
れているＩＴＯ８０は、外部端子の形成領域においてそ
の一部を除いて前記アルミニュウム層２を覆うようにし
て形成されているとともに、該一部の領域上にはドレイ
ン信号線２４の形成と同時に形成されるＣｒおよびＡｌ
の順次積層体３が形成されている。

【００６６】この積層体３は、アルミニュウムとＩＴＯ
の直づけによる抵抗値の増大を抑制するために設けられ
たものである。

【００６７】そして、ＩＴＯが形成されている領域を露
呈させるようにして保護膜３８が形成されている。この
保護膜３４の開口部は図中Ｈで示している。

【００６８】このような実施例による液晶表示基板によ
れば、ゲート信号線がその表面を陽極酸化したアルミニ
ュウムで構成されており、そのゲート信号線に接続され
る非線形抵抗素子は、そのゲート電極が画素電極と同材
料の透明膜で形成され、かつ、その透明導電膜は前記ゲ
ート信号線の陽極酸化が選択除去された部分を通して前
記ゲート信号線に接続されて端子を構成している。

【００６９】このことから、該ゲート信号線の陽極酸化
が選択除去された部分において他の信号線等が交差する
ことないことから、たとえヒロックが生じたとしてもそ
れによる弊害を発生せしめることがなくなる。

【００７０】したがって、アルミニュウムのヒロックの
憂いなく薄膜トランジスタの静電破壊防止用の非線形抵
抗素子を形成することができるようになる。

【００７１】また、各非線形抵抗素子はそれぞれ薄膜ト
ランジスタと同様の構成となっていることから、該非線
形抵抗素子の製造において製造工程を増大させることな
く構製造できるという効果をも奏する。

【００７２】上述した実施例では、ゲート信号線が陽極
酸化されたアルミニュウムで構成されたものとなってい
るが、これに限定されることはなく、ドレイン信号線が
陽極酸化されたアルミニュウムで構成されたものとなっ
ている場合にも適用できることはいうまでもない。

【００７３】

【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示基板によれば、アルミニュウムの
ヒロックの憂いなく薄膜トランジスタの静電破壊防止用
の素子を形成できる。また、それによって製造工程が増
大することもない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による液晶表示基板の一実施例を示す要
部構成図である。

【図２】本発明による液晶表示基板の一実施例を示す等
価回路図である。

【図３】本発明による液晶表示基板の一画素における構
成を示す詳細図である。

【図４】本発明による液晶表示基板に組み込まれる非線
形抵抗素子の一実施例を示す構成図である。

【図５】図４における領域Ｐ内の構成を示す詳細図であ
る。

【図６】図５のVI−VI線における断面図である。

【図７】図４における領域Ｑの構成を示す詳細図であ
る。

【図８】図７のVIII−VIII線における断面図てある。

【図９】図７のIX−X線における断面図である。

【符号の説明】

１……陽極酸化膜、２……アルミニュウム層、２２Ｔ…
…外部端子、２６……薄膜トランジスタ、３４……非線
形抵抗素子、８０……ＩＴＯ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者橋本雄一千葉県茂原市早野3300番地株式会社日立製作所電子デバイス事業部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】液晶を介して互いに対向配置される透明
基板のうち一方の透明基板の液晶側の面に、ｘ方向に延
在しかつｙ方向に並設されたゲート信号線と、このゲー
ト線信号と絶縁されてｙ方向に延在しかつｘ方向に並設
されたドレイン信号線と、これらゲート信号線とドレイ
ン信号線とで囲まれる領域に形成された薄膜トランジス
タと画素電極とを備え、前記ゲート信号線とドレイン信
号線のうちいずれか一方が表面において陽極酸化された
アルミニュウムから形成されている液晶表示基板におい
て、その有効表示領域の以外の領域にて、それぞれの信号線
との接続がなされる非線形抵抗素子を備え、この非線形抵抗素子は、それぞれ、前記画素電極と同材
料のゲート電極、前記薄膜トランジスタの半導体層と同
材料の半導体層、陽極酸化されたアルミニュウムからな
る信号線以外の信号線と同材料のドレイン電極およびソ
ース電極とを備えるＭＩＳ構造からなっているととも
に、陽極酸化されたアルミニュウムからなる信号線には、前
記非線形抵抗素子の形成領域から外部端子までの間にお
いて、該非線形抵抗素子を構成するゲート電極が延在さ
れて重畳されているとともに、この延在されたゲート電
極は前記陽極酸化が選択除去された部分を通して前記信
号線に接続されて端子を構成していることを特徴とする
液晶表示基板。
【請求項２】アルミニュウムからなる信号線の陽極酸化
が選択除去された前記部分は、該アルミニュウムの陽極
酸化の際にマスクが覆われた部分としたことを特徴とす
る請求項１記載の液晶表示基板の製造方法。