JP5519971B2 - ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、チップ状ワーク（半導体チップ等）と電極部材とを固着するための接着剤を、ダイシング前にワーク（半導体ウェハ等）に付設した状態で、ワークのダイシングに供するダイシング・ダイボンドフィルムに関する。
従来、シリコンやガリウム砒素などによる半導体ウエハ（単に「ウエハ」と称する場合がある）は、大径のウエハを小片のウエハ（ダイ）に切断した後、リードフレームやモジュール基板等のキャリアにマウントされており、このマウントされる際にエポキシ樹脂等の接着剤を介して接着されている。しかし、近年のウエハの小型化、薄型化が進み、小片のウエハに対して、ウエハの破損無しに適量の接着剤を塗布することが困難になってきている。
上記の問題に対し、シート状のダイ接着用接着剤層を事前にキャリアに貼り合わせた後に、半導体チップをマウントする方法があるが、事前に半導体チップと同寸にダイ接着用接着剤層を切断する必要があるため、工程数及び設備の増加が不可欠となる。
さらに、ウエハ切断時の固定機能と、ダイ接着機能を同時に兼ね備えた、ウエハ接着用粘着シートが種々提案されている。すなわちウエハ固定用粘着シートであるダイシングテープの粘着剤層上にダイ接着層を設け、その上に半導体ウエハを載置し、ウエハを小片に切断した後、粘着層とダイ接着層の間で剥離させて半導体チップをピックアップすることで、ダイ接着層付き半導体チップを得る事ができる。
前記の方法では、いわゆるダイレクトボンディングを可能とし、半導体チップの製造効率を大幅に向上させる製造方法であるが、切断工程ではチップ飛び無きようにウエハを固定し、ピックアップ工程においては粘着層とダイ接着層との間で簡単に剥離させピックアップミスが発生しないような相反する性能が要求される。この問題に対し、熱や放射線などの外部刺激を加えることにより、ウエハ固定用粘着層とダイ接着層の粘着力を変化させる機構を有する粘着シートが種々提案されている（たとえば、特許文献１〜４参照）。
例えば特許文献１（特開平２−２４８０６４号公報）には、放射線で硬化する添加剤を、通常の粘着剤へ添加した粘着層を持つダイシングテープと、ダイ接着層を一体的に積層したフィルムが開示されている。ウエハのダイシングを行った後、放射線を照射し、ダイシングテープの粘着剤を硬化させ粘着性を低下させた後、ダイ接着層とダイシングテープの界面で半導体チップを垂直方向へ剥離し、ダイ接着層付きのウエハをピックアップする。しかしながら放射線照射を用いた方法では、ダイシング時の保持力と、ピックアップ時の剥離性のバランスを取るのが難しく、例えば１０ｍｍ角以上の大型の半導体チップや、厚さ２５〜５０μｍの極めて薄いチップの場合には、一般のダイボンダーでは半導体チップをピックアップする事が出来ない。
また特許文献２（特開平３−２６８３４５号公報）には、熱膨張性微粒子を含有する粘着層上にダイ接着層を積層する方法が開示されているが、粘着剤成分の凝集破壊により、ダイ接着層の剥離面に汚染が生じる場合がある。このダイ接着層の汚染は、リードフレームやモジュール基板等との接着不良、あるいは半導体チップをマウントした後のリフロー工程によりダイ接着層とリードフレームやモジュール基板等との界面にボイドが生じる原因となりうる。
また特許文献３（特開２００４−１８６２８０号公報）では、粘着シートの粘着剤層中に熱や紫外線などの外部刺激によりガスを発生する気体発生剤を分散させた方法が提案されている。この方法では、外部刺激により発生したガスが粘着シートの粘着剤層とダイ接着層の界面に侵入し、押圧することによって、粘着シートとダイ接着層の界面の一部を剥がし、粘着剤層とダイ接着層を容易に剥離させる事を可能とする。
また特許文献４（特開２００６−１２８６２１号公報）では、粘着シートの粘着剤層とダイ接着層を容易に剥離させるために、ダイ接着層の弾性率と、ダイ接着層と粘着シートの粘着剤層との剥離強度を制御する方法を提案している。しかしながら粘着シートの粘着剤中のベースポリマーの組成によっては、粘着シートの粘着剤層とダイ接着層が強固に接着し、ピックアップが良好に行われない場合がある。
特開平２−２４８０６４号公報 特開平３−２６８３４５号公報 特開２００４−１８６２８０号公報 特開２００６−１２８６２１号公報
本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、ガス発生剤を含有する粘着剤層を有するダイシングフィルムと、ダイ接着層により形成されたダイボンドフィルムとによるダイシング・ダイボンドフィルムにおいて、ダイ接着層に貼着させる半導体ウエハが薄型または大型の場合であっても、粘着剤層とダイ接着層を容易に剥離でき、一旦剥離したあとは再接着せず、良好なピックアップを実現するダイシング・ダイボンドフィルムを提供することにある。
本願発明者等は、上記従来の問題点を解決すべく、ダイシング・ダイボンドフィルムについて検討した。その結果、ダイシングフィルムとして、粘着剤層がガス発生剤を所定の割合で含有するとともに、特定のモノマー組成物によるアクリル系ポリマーを含む活性エネルギー線硬化型粘着剤層であるダイシングフィルムと、ダイ接着層により形成されたダイボンドフィルムとを有する形態のダイシング・ダイボンドフィルムを用いると、ダイ接着層に貼着させる半導体ウエハが薄型または大型の場合であっても、粘着剤層とダイ接着層を容易に剥離させることができ、また、一旦剥離させたあとは再接着せず、良好なピックアップを実現させることができることを見出して、本発明を完成させるに至った。
すなわち、本発明は、基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、前記粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、
ダイシングフィルムは、粘着剤層が、ガス発生剤をベースポリマー１００重量部に対して１０〜２００重量部の割合で含有し、且つベースポリマーが下記のアクリル系ポリマーＡである活性エネルギー線硬化型粘着剤層であり、
アクリルポリマーＡ：ＣＨ2＝ＣＨＣＯＯＲ（式中、Ｒは炭素数が６〜１０のアルキル基である）で表されるアクリル酸エステル５０重量％以上と、ヒドロキシル基含有モノマー１０重量％〜３０重量％を含み且つカルボキシル基含有モノマーを含まないモノマー組成物によるポリマーに、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物をヒドロキシル基含有モノマーに対して５０ｍｏｌ％〜９５ｍｏｌ％付加反応させた構成を有するアクリル系ポリマー
ダイボンドフィルムは、ダイ接着層により形成されていることを特徴とするダイシング・ダイボンドフィルムである。
このように、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、ダイシングフィルムの粘着剤層が、ガス発生剤をベースポリマー１００重量部に対して１０重量部〜２００重量部の割合で含有しているとともに、前記ベースポリマーが前記アクリル系ポリマーＡである活性エネルギー線硬化型粘着剤層であるので、ダイ接着層に貼着される半導体ウエハが薄型または大型の場合であっても、粘着剤層（ダイシングフィルム）と、ダイ接着層（ダイボンドフィルム）を容易に剥離させることができ、しかも、一旦剥離させた後は再接着せず、良好なピックアップを実現させることができる。もちろん、ダイシングフィルムの粘着剤層である活性エネルギー線硬化型粘着剤層は、粘着性（保持力）を有しており、ダイシングする際には、薄型ワーク（半導体ウェハ）を良好に保持させることができる。しかも活性エネルギー線硬化型粘着剤層とダイ接着層との剥離後は、半導体ウェハにダイボンドフィルムが貼着しているため、次工程で、ダイボンドフィルムを利用して半導体チップを所定の被着体に接着固定させ、次工程以降で適宜な処理等を有効に施して、半導体装置を製造することができる。
なお、活性エネルギー線硬化型粘着剤層のベースポリマーとしてのアクリル系ポリマーＡにおいて、モノマー組成物としてのアクリル酸エステルとして、ＣＨ2＝ＣＨＣＯＯＲ（式中、Ｒは炭素数が６〜１０のアルキル基である）で表されるアクリル酸アルキルエステルをモノマー組成物全量に対して５０重量％以上用いることにより、活性エネルギー線硬化型粘着剤層とダイ接着層との間の粘着力を低減させ、ピックアップ性を向上させることができる。また、ヒドロキシル基含有モノマーをモノマー組成物全量に対して１０重量％〜３０重量％用いることにより、ベースポリマーが架橋構造を形成でき、活性エネルギー線硬化型粘着剤層とダイ接着層との間の粘着力を適度に調整でき、しかも、活性エネルギー線硬化型粘着剤層とダイ接着層の剥離時に、粘着剤成分がダイ接着層に糊残りすることを防止できる。さらに、ベースポリマーのモノマー組成物がカルボキシル基含有モノマーを含まないことにより、活性エネルギー線硬化型粘着剤層とダイ接着層とが強固に接着し、剥離不能になるのを防止できる。また、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物をヒドロキシル基含有モノマーに対して５０ｍｏｌ％〜９５ｍｏｌ％の範囲で用いることにより、紫外線照射によって活性エネルギー線硬化型粘着剤層を適度に硬化させることができ、ピックアップ性を向上させることができる。
本発明では、前記ガス発生剤としては、光によりガスを発生する光照射型ガス発生剤を好適に用いることができる。
また、前記ダイシングフィルムの活性エネルギー線硬化型粘着剤層としては、活性エネルギー線照射による硬化後のゲル分率が９０重量％以上であることが好ましい。このように、活性エネルギー線硬化後における活性エネルギー線硬化型粘着剤層のゲル分率が９０重量％以上であると、活性エネルギー線硬化型粘着剤層とダイ接着層とを剥離させる際に、活性エネルギー線硬化型粘着層が凝集破壊して粘着剤組成物がダイ接着層に残存することによるダイ接着層への汚染を防ぐことが可能である。また、一旦剥離した活性エネルギー線硬化型粘着剤層とダイ接着層が再接着してしまうことを防止することもできる。
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムでは、前記ダイシングフィルムの活性エネルギー線硬化型粘着剤層が、活性エネルギー線硬化後の弾性率（温度：２３℃、引張速度：５０ｍｍ／ｍｉｎ、チャック間距離：１０ｍｍ）が、１０ＭＰａ以上であることが好適である。ダイシングフィルムの活性エネルギー線硬化型粘着剤層の弾性率（特に、アクリルポリマーＡの弾性率）が前記範囲内であることにより、ダイシングフィルムと、ダイボンドフィルムとを剥離させた時に、活性エネルギー線硬化型粘着剤層とダイ接着層との再接着をより一層効果的に防ぐ事ができる。
また、本発明は、ダイシング・ダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法であって、ダイシング・ダイボンドフィルムとして、前記のダイシング・ダイボンドフィルムを用いたことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、ダイ接着層に貼着させる半導体ウエハが薄型または大型の場合であっても、粘着剤層とダイ接着層を容易に剥離でき、一旦剥離したあとは再接着せず、良好なピックアップを実現することができる。しかも、剥離後は、半導体チップにはダイボンドフィルムが貼着しているため、次工程で、ダイボンドフィルムを利用して半導体チップを接着固定させることができる。
本発明の実施の一形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。 本発明の他の実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。 前記ダイシング・ダイボンドフィルムに於けるダイボンドフィルムを介して半導体チップを実装した例を示す断面模式図である。
本発明の実施の形態について、図１〜図２を参照しながら説明するが、本発明はこれらの例に限定されない。図１は、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムの一例を示す断面模式図である。図２は、本発明の他の例のダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。但し、説明に不要な部分は省略し、また、説明を容易にするために拡大又は縮小等して図示した部分がある。
図１に示されるように、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、基材１ａ上に、ガス発生剤を含有する活性エネルギー線硬化型粘着剤層１ｂが設けられたダイシングフィルム２と、前記活性エネルギー線硬化型粘着剤層１ｂ上に設けられたダイボンドフィルムとしてのダイ接着層３とを有する構成のダイシング・ダイボンドフィルム１０である。また、図２に示されるように、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、活性エネルギー線硬化型粘着剤層１ｂの表面全面ではなく、半導体ウェハ貼付け部分にのみダイボンドフィルムとしてのダイ接着層３１が形成された構成のダイシング・ダイボンドフィルム１１であってもよい。
（ダイシングフィルム）
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、前記粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有しており、ダイシングフィルムは、基材上の少なくとも片面に、ガス発生剤を含有している活性エネルギー線硬化型粘着剤層が設けられた構成を有している。
（活性エネルギー線硬化型粘着剤層）
活性エネルギー線硬化型粘着剤層は、ガス発生剤をベースポリマー１００重量部に対して１０〜２００重量部の割合で含有しているとともに、ベースポリマーが下記のアクリル系ポリマーＡである粘着剤層である。
アクリルポリマーＡ：ＣＨ2＝ＣＨＣＯＯＲ（式中、Ｒは炭素数が６〜１０のアルキル基である）で表されるアクリル酸エステル５０重量％以上と、ヒドロキシル基含有モノマー１０重量％〜３０重量％を含み且つカルボキシル基含有モノマーを含まないモノマー組成物によるポリマーに、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物をヒドロキシル基含有モノマーに対して５０ｍｏｌ％〜９５ｍｏｌ％付加反応させた構成を有するアクリル系ポリマー
（ガス発生剤）
ガス発生剤としては、ガス発生手段により、分解や反応などが生じてガス成分を発生させることができるガス発生剤であれば特に制限されず、公知のガス発生剤の中から適宜選択して用いることができる。ガス発生手段としては、ガスを発生させるための手段であれば特に制限されず、例えば、外部からの刺激等が挙げられる。具体的には、ガス発生手段としては、例えば、光、熱、超音波などが挙げられ、好ましくは光、熱であり、特に光が好適である。ガス発生手段の光としては、赤外線、可視光線、紫外線、Ｘ線の他、γ線、α線、β線、中性子線、電子線などの電離性放射線などを利用することができる。光としては、活性エネルギー線が好ましく、特に紫外線を好適に用いることができる。従って、本発明では、ガス発生剤としては、光によりガスを発生する光照射型ガス発生剤が好ましく、更に好ましくは活性エネルギー線によりガスを発生する活性エネルギー線照射型ガス発生剤であり、特に紫外線によりガスを発生する紫外線照射型ガス発生剤を好適に用いることができる。
なお、ガス発生手段として光を用いる場合には、ガス発生剤を含有する活性エネルギー線硬化型粘着剤層は、光が透過又は通過できるものであることが重要である。また、ガス発生手段が熱である場合には、ガス発生剤は、ダイ接着層を構成する熱可塑性樹脂等のガラス転移温度以下の温度で加熱することにより気体を発生することができるものを用いることが好ましい。ダイ接着層を構成する熱可塑性樹脂等のガラス転移温度を超える温度をかけると、活性エネルギー線硬化型粘着剤層とダイ接着層とを良好に剥離させることができない場合がある。
具体的には、ガス発生剤としては、例えば、アゾ系ガス発生剤（アゾ化合物）、アジド系ガス発生剤（アジド化合物）などが挙げられ、アゾ系ガス発生剤を好適に用いることができる。ガス発生剤は単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。
なお、アゾ系ガス発生剤は、衝撃によってはガス（気体）を発生しないことから取扱いが極めて容易である。また、連鎖反応を起こして爆発的にガスを発生することもないため被着体を損傷することもない。また、紫外線によりガスを発生させることができるガス発生剤の場合、紫外線の照射を中断すればガスの発生も中断できることから、用途に合わせた接着性の制御が可能であるという利点もある。一方、アジド系ガス発生剤は衝撃によっても容易に分解して窒素ガスを発生させるため、取扱いが困難であるという問題がある。更に、アジド系ガス発生剤は、いったん分解が始まると連鎖反応を起こして爆発的に窒素ガスを発生させ、その制御ができないことから、爆発的に発生した窒素ガスによって被着体が損傷する場合があるという問題もある。このような問題から、ガス発生剤としてアジド系ガス発生剤を用いる場合、その使用量は制限されるが、制限された使用量では十分な効果が得られないことがある。
アゾ系ガス発生剤（アゾ化合物）としては、例えば、アゾアミド系化合物、環状アゾアミジン系化合物、アゾアミジン系化合物、アゾニトリル系化合物、アルキルアゾ系化合物などが挙げられる。
アゾアミド系化合物としては、例えば、２，２´−アゾビス（Ｎ−シクロヘキシル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２´−アゾビス［Ｎ−（２−メチルプロピル）−２−メチルプロピオンアミド］、２，２´−アゾビス（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２´−アゾビス［Ｎ−（２−メチルエチル）−２−メチルプロピオンアミド］、２，２´−アゾビス（Ｎ−ヘキシル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２´−アゾビス（Ｎ−プロピル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２´−アゾビス（Ｎ−エチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２´−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−［１，１−ビス（ヒドロキシメチル）−２−ヒドロキシエチル］プロピオンアミド｝、２，２´−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−［２−（１−ヒドロキシブチル）］プロピオンアミド｝、２，２´−アゾビス［２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プロピオンアミド］、２，２´−アゾビス［Ｎ−（２−プロペニル）−２−メチルプロピオンアミド］、２，２´−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−［１，１−ビス（ヒドロキシメチル）エチル］プロピオンアミド｝、２，２´−アゾビス［２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシメチル）プロピオンアミド］、２，２´−アゾビス（２−メチルプロピオンアミド）ジハイドレート、アゾジカルボン酸アミドなどが挙げられる。
環状アゾアミジン系化合物としては、例えば、２，２´−アゾビス［２−（５−メチル−２−イミダゾリン２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２´−アゾビス［２−（２−イミダゾリン２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２´−アゾビス［２−（２−イミダゾリン２−イル）プロパン］ジサルフェイトジハイドロレート、２，２´−アゾビス［２−（３，４，５，６−テトラハイドロピリミジン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２´−アゾビス｛２−［１−（２−ヒドロキシエチル）−２−イミダゾリン２−イル］プロパン｝ジハイドロクロライド、２，２´−アゾビス［２−（２−イミダゾリン２−イル）プロパン］、２，２´−アゾビス［２−（４，５，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ−１，３−ジアジピン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２´−アゾビス［２−（５−ヒドロキシ−３，４，５，６−テトラヒドロピリミジン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライドなどが挙げられる。
アゾアミジン系化合物としては、例えば、２，２´−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）ハイドロクロライド、２，２´−アゾビス（２−アミノプロパン）ジハイドロクロライド、２，２´−アゾビス［Ｎ−（２−カルボキシアシル）−２−メチル−プロピオンアミジン］、２，２´−アゾビス｛２−［Ｎ−（２−カルボキシエチル）アミジン］プロパン｝、２，２´−アゾビス（２−メチル−Ｎ−フェニルプロピオンアミジン）ジハイドロクロライド、２，２´−アゾビス［Ｎ−（４−クロロフェニル）−２−メチルプロピオンアミジン］ジハイドロクロライド、２，２´−アゾビス［Ｎ−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルプロピオンアミジン］ジハイドロクロライド、２，２´−アゾビス［Ｎ−（４−アミノフェニル）−２−メチルプロピオンアミジン］テトラハイドロクロライド、２，２´−アゾビス［２−メチル−Ｎ−（フェニルメチル）−プロピオンアミジン］ジハイドロクロライド、２，２´−アゾビス［２−メチル−Ｎ−２−プロペニルプロピオンアミジン］ジハイドロクロライド、２，２´−アゾビス［Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−２−メチル−プロピオンアミジン］ジハイドロクロライド、２，２´−アゾビス〔２−（Ｎ−フェニルアミジノ）プロパン〕ジハイドロクロライド、２，２´−アゾビス｛２−［Ｎ−（４−クロロフェニル）アミジノ］プロパン｝ジハイドロクロライド、２，２´−アゾビス｛２−［Ｎ−（４−アミノフェニル）アミジノ］プロパン｝テトラハイドロクロライド、２，２´−アゾビス〔２−（Ｎ−アリルアミジノ）プロパン〕ジハイドロクロライド、２，２´−アゾビス｛２−［Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）アミジノ］プロパン｝ジハイドロクロライドなどが挙げられる。
アゾニトリル系化合物としては、例えば、２，２´アゾビス（４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２´−アゾビス（２−シクロプロピルプロピオニトリル）、２，２´−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２´−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）、２，２´−アゾビス（２−メチルブチロニトリル）、１，１−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）、１−［（１−シアノ−１−メチルエチル）アゾ］ホルムアミド（２−（カルバモイルアゾ）イソブチロニトリル、２−フェニルアゾ−４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル、アゾビスイソブチロニトリル、アゾシクロヘキシルニトリルなどが挙げられる。
アルキルアゾ系化合物やその他のアゾ化合物としては、例えば、２，２´−アゾビス（２−メチルプロピオンアミドオキシム）、ジメチル２，２´−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、ジメチル２，２´−アゾビスイソブチレート、４，４´−アゾビス（４−シアンカルボニックアシッド）、４，４´−アゾビス（４−シアノペンタノイックアシッド）、２，２´−アゾビス（２，４，４−トリメチルペンタン）、２，２´−アゾビス（２−メチルプロパン）、４，４´−アゾビス（４−シアノ吉草酸）、２，２'−アゾビス［ヒドロキシメチル］プロピオネート］、２，２´−アゾビス（２−メチルブタンアミドオキシム）ジハイドロクロライドテトラハイドレート、１，１´−アゾビス（１−アセトキシ−１−フェニルエタン）、１，１´−アゾビス（シクロヘキサン−１−メチルカルボキシレート）、アゾジアミノベンゼン、バリウムアゾジカルボキシレート、ジメチル１，１´−アゾビス（１−シクロヘキサンカルボキシレート）などが挙げられる。
また、アゾ系ガス発生剤として、例えば、４−（Ｎ−（２−（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−アミルフェノキシ）ブチリル）ピペラジノ）ベンゼンジアゾニウム、４−ジオクチルアミノベンゼンジアゾニウム、４−（Ｎ−（２−エチルヘキサノイル）ピペラジノ）ベンゼンジアゾニウム、４−ジヘキシルアミノ−２−ヘキシルオキシベンゼンジアゾニウム、４−Ｎ−エチル−Ｎ−ヘキサデシルアミノ−２−エトキシベンゾジアゾニウム、３−クロロ−４−ジオクチルアミノ−２−オクチルオキシベンゼンジアゾニウム、２，５−ジブトキシ−４−モルホリノベンゼンジアゾニウム、２，５−オクトキシ−４−モルホリノベンゼンジアゾニウム、２，５−ジブトキシ−４−（Ｎ−（２−エチルヘキサノイル）ピペラジノ）ベンゼンジアゾニウム、２，５−ジエトキシ−４−（Ｎ−（２−（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−アミルフェノキシ）ブチリル）ピペラジノ）ベンゼンジアゾニウム、２，５−ジブトキシ−４−トリルチオベンゼンジアゾニウム、３−（２−オクチルオキシエトキシ）−４−モルホリノベンゼンジアゾニウムなどのジアゾ系化合物（酸アニオン塩）も用いることができる。
アゾ系ガス発生剤（アゾ化合物）としては、主に波長３６５ｎｍ程度（例えば、３６０ｎｍ〜３７０ｎｍ）の紫外線領域の光を照射することにより、分解等が生じて、窒素ガスを発生する。
本発明では、ガス発生剤（特にアゾ系ガス発生剤）としては、１０時間半減期温度が８０℃以上であるものを好適に用いることができる。ガス発生剤の１０時間半減期温度が８０℃以上であると、耐熱性が優れており、使用（特に、高温での使用）や貯蔵で優れた安定性を発揮させることができる。なお、１０時間半減期温度が８０℃未満であると、基材上に粘着剤溶液を塗工し乾燥して活性エネルギー線硬化型粘着剤層を形成する際に、乾燥時の温度により分解等が生じることによるガス発生、経時的に分解等が生じることによる分解残渣のブリードアウト、経時的に分解等が生じてガスを発生させることによる被着体との界面に浮きなどが生じる場合がある。
ガス発生剤は、活性エネルギー線硬化型粘着剤層中に溶解している状態で含まれていることが望ましい。ガス発生剤が活性エネルギー線硬化型粘着剤層中に溶解されずに、固体粒子として存在すると、局所的に発生したガス（気体）が活性エネルギー線硬化型粘着剤層を発泡させてしまい、発生したガスが活性エネルギー線硬化型粘着剤層外に（すなわち、活性エネルギー線硬化型粘着剤層とダイ接着層との界面に）放出されにくくなる場合がある。また、ガス発生手段としての光の照射の際に、粒子状のガス発生剤による光散乱により、光が活性エネルギー線硬化型粘着剤層内部に届かなくなり、ガス発生効率が低下する場合があり、さらに、活性エネルギー線硬化型粘着剤層の表面平滑性が低下する場合がある。なお、ガス発生剤が活性エネルギー線硬化型粘着剤層中に溶解していることは、電子顕微鏡により、活性エネルギー線硬化型粘着剤層を観察したときに、ガス発生剤の粒子を観測できないことにより確認することができる。
本発明では、ガス発生剤の使用量としては、活性エネルギー線硬化型粘着剤層を形成するための粘着剤中のベースポリマー１００重量部に対して１０重量部〜２００重量部であることが重要である。活性エネルギー線硬化型粘着剤層におけるガス発生剤の含有量としては、ベースポリマー１００重量部に対して、３０重量部〜１００重量部であることが好ましく、特に５０重量部〜１００重量部であることが好適である。ガス発生剤の使用量が、活性エネルギー線硬化型粘着剤層のベースポリマー１００重量部に対して１０重量部よりも少ないと、ダイシング・ダイボンドフィルムにガス発生手段を施してガスを発生させた際に、発生するガスの量が少なく、活性エネルギー線硬化型粘着剤層とダイ接着層とを剥離させることができない場合がある。一方、ガス発生剤の含有量が、活性エネルギー線硬化型粘着剤層のベースポリマー１００重量部に対して２００重量部よりも多いと、ガス発生剤の量が多すぎ、活性エネルギー線硬化型粘着剤層中に均一に溶解せずにブリードアウトを起こし、活性エネルギー線硬化型粘着剤層の表面平滑性が失われてダイ接着層との接着性が損なわれる恐れがある。
（活性エネルギー線硬化型粘着剤）
活性エネルギー線硬化型粘着剤層を形成するための粘着剤（活性エネルギー線硬化型粘着剤）では、ベースポリマーとして、下記のアクリル系ポリマーＡが用いられている。
アクリルポリマーＡ：ＣＨ2＝ＣＨＣＯＯＲ（式中、Ｒは炭素数が６〜１０のアルキル基である）で表されるアクリル酸エステル５０重量％以上と、ヒドロキシル基含有モノマー１０重量％〜３０重量％を含み且つカルボキシル基含有モノマーを含まないモノマー組成物によるポリマーに、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物をヒドロキシル基含有モノマーに対して５０ｍｏｌ％〜９５ｍｏｌ％付加反応させた構成を有するアクリル系ポリマー
アクリルポリマーＡは、粘着剤（活性エネルギー線硬化型粘着剤）のベースポリマー又はポリマー主成分として用いられている。アクリルポリマーＡは、主モノマー成分として、化学式ＣＨ2＝ＣＨＣＯＯＲ（式中、Ｒは炭素数６〜１０のアルキル基である）で表されるアクリル酸アルキルエステル（「アクリル酸Ｃ６−１０アルキルエステル」と称する場合がある）が用いられている。なお、アクリル酸アルキルエステルにおいて、アルキル基の炭素数が６未満のアクリル酸アルキルエステルを主モノマー成分として用いると、剥離力が大きくなり過ぎてピックアップ性が低下する場合がある。一方、アルキル基の炭素数が１０を超えるアクリル酸アルキルエステルを主モノマー成分として用いると、ダイボンドフィルムとの接着性又は密着性が低下し、その結果、ダイシングの際にチップ飛びが発生する場合がある。
アクリル酸Ｃ６−１０アルキルエステルとしては、具体的には、例えば、アクリル酸ヘキシル、アクリル酸ヘプチル、アクリル酸オクチル、アクリル酸イソオクチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸ノニル、アクリル酸イソノニル、アクリル酸デシル、アクリル酸イソデシルなどが挙げられる。アクリル酸Ｃ６−１０アルキルエステルとしては、アルキル基の炭素数が８〜９のアクリル酸アルキルエステルが特に好ましく、中でも、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸イソオクチルが最適である。アクリル酸Ｃ６−１０アルキルエステルは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、本発明では、アクリル酸Ｃ６−１０アルキルエステルとしては、その含有量は、モノマー成分全量に対して５０重量％（ｗｔ％）以上であることが重要であり、好ましくは７０ｗｔ％〜９０ｗｔ％である。アクリル酸Ｃ６−１０アルキルエステルの含有量がモノマー成分全量に対して５０ｗｔ％未満であると、剥離力が大きくなり過ぎ、ピックアップ性が低下する。
アクリルポリマーＡとしては、アクリル酸Ｃ６−１０アルキルエステル以外のアクリル酸エステルがモノマー成分として用いられていてもよい。このようなアクリル酸エステルとしては、アクリル酸Ｃ６−１０アルキルエステル以外のアクリル酸アルキルエステルの他、芳香族環を有するアクリル酸エステル（アクリル酸フェニル等のアクリル酸アリールエステルなど）、脂環式炭化水素基を有するアクリル酸エステル（アクリル酸シクロペンチル、アクリル酸シクロヘキシル等のアクリル酸シクロアルキルエステルや、アクリル酸イソボルニルなど）などが挙げられ、アクリル酸アルキルエステル、アクリル酸シクロアルキルエステルが好適であり、特にアクリル酸アルキルエステルを好適に用いることができる。このようなアクリル酸エステルは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
アクリル酸アルキルエステル（アクリル酸Ｃ６−１０アルキルエステル以外のアクリル酸アルキルエステル）としては、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸イソプロピル、アクリル酸ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸ｓ−ブチル、アクリル酸ｔ−ブチル、アクリル酸ペンチル、アクリル酸イソペンチル等のアルキル基の炭素数が５以下のアクリル酸アルキルエステル；アクリル酸ウンデシル、アクリル酸ドデシル、アクリル酸トリデシル、アクリル酸テトラデシル、アクリル酸ヘキサデシル、アクリル酸オクタデシル、アクリル酸エイコシルなどのアルキル基の炭素数が１１以上（好ましくは１１〜３０）のアクリル酸アルキルエステルなどが挙げられる。
なお、アクリル酸Ｃ６−１０アルキルエステルなどのアクリル酸アルキルエステルは、直鎖状のアクリル酸アルキルエステル、分岐鎖状のアクリル酸アルキルエステルの何れの形態のアクリル酸アルキルエステルであってもよい。
本発明では、アクリルポリマーＡは、前記アクリル酸Ｃ６−１０アルキルエステルと共重合可能なヒドロキシル基含有モノマーを含んでいる。ヒドロキシル基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。ヒドロキシル基含有モノマーは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
ヒドロキシル基含有モノマーの含有量は、モノマー成分全量に対して１０ｗｔ％〜３０ｗｔ％の範囲内であることが重要であり、１５ｗｔ％〜２５ｗｔ％の範囲内であることが好ましい。ヒドロキシル基含有モノマーの含有量がモノマー成分全量に対して１０ｗｔ％未満であると、架橋が不足し、ピックアップ性が低する。一方、ヒドロキシル基含有モノマーの含有量がモノマー成分全量に対して３０ｗｔ％を超えると、粘着剤の極性が高くなり、ダイ接着層（ダイボンドフィルム）との相互作用が高くなることにより剥離が困難になる（ピックアップ性が低下する）。
前記アクリルポリマーＡは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記アクリル酸Ｃ６−１０アルキルエステルやヒドロキシル基含有モノマーと共重合可能な他のモノマー成分（「共重合可能な他のモノマー成分」と称する場合がある）に対応する単位を含んでいてもよい。ただし、本発明では、カルボキシル基含有モノマーを用いないことが重要である。カルボキシル基含有モノマーが用いられていると、ダイシングフィルムの活性エネルギー線硬化型粘着剤層とダイ接着層（ダイボンドフィルム）とが強固に接着し、剥離不能になる場合がある。このようなカルボキシル基含有モノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などが挙げられる。
共重合可能な他のモノマー成分としては、例えば、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸イソプロピル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸イソブチル、メタクリル酸ｓ−ブチル、メタクリル酸ｔ−ブチル等のメタクリル酸エステル；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；スチレン、ビニルトルエン、α−メチルスチレンなどのスチレン系単量体；エチレン、ブタジエン、イソプレン、イソブチレンなどのオレフィン又はジエン類；塩化ビニルなどのハロゲン原子含有単量体；フッ素（メタ）アクリレートなどのフッ素原子含有単量体；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。
また、共重合可能な他のモノマー成分は、１種又は２種以上を使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０ｗｔ％以下が好ましい。
また、本発明では、アクリルポリマーＡは、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物（「二重結合含有イソシアネート化合物」と称する場合がある）が用いられている。アクリルポリマーＡは、前記アクリル酸Ｃ６−１０アルキルエステルやヒドロキシル基含有モノマー等のモノマー組成物によるポリマーに、二重結合含有イソシアネート化合物が付加反応された構成を有している。従って、アクリル系ポリマーＡは、その分子構造内に、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有している。これにより、活性エネルギー線（紫外線など）の照射によって硬化する活性エネルギー線硬化型粘着剤層（紫外線硬化型粘着剤層など）とすることができ、ダイ接着層と活性エネルギー線硬化型粘着剤層の剥離力を低下し、且つガス発生剤からガスを発生させてダイ接着層と活性エネルギー線硬化型粘着剤層を剥離した後に、ダイ接着層と活性エネルギー線硬化型粘着剤層が再接着することを防止する事ができる。
なお、一般的に、粘着剤層に紫外線硬化特性等の活性エネルギー線硬化特性を持たせるためには、前述のラジカル反応性炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の紫外線硬化型ベースポリマーを用いる方法と、粘着剤層中に紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合する方法等が挙げられる。しかしながら、低分子量成分であるオリゴマー成分等は、経時的に粘着剤層中を移動し、安定した層構造の粘着剤層を形成することができない恐れがあるために、前述の内在型の活性エネルギー線硬化型ベースポリマー（紫外線硬化型ベースポリマーなど）を粘着剤のベースポリマーとして用いることが好ましい。
二重結合含有イソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、アクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、２−アクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。二重結合含有イソシアネート化合物は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
二重結合含有イソシアネート化合物の使用量は、ヒドロキシル基含有モノマーに対して５０ｍｏｌ％〜９５ｍｏｌ％の範囲内であることが好ましく、７５ｍｏｌ％〜９０ｍｏｌ％の範囲内であることがより好ましい。二重結合含有イソシアネート化合物の使用量がヒドロキシル基含有モノマーに対して５０ｍｏｌ％未満であると、活性エネルギー線照射後の架橋が不足し、ピックアップ性の低下や、ダイボンドフィルム付き半導体チップ（ダイ接着層）に対する糊残りが発生する場合がある。
前記アクリルポリマーＡへのラジカル反応性炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できる。例えば、予め、アクリルポリマーにヒドロキシル基を有するモノマーを共重合した後、このヒドロキシル基と反応しうるイソシアネート基及びラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物（すなわち、前記二重結合含有イソシアネート化合物）を、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合の活性エネルギー線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。なお、アクリルポリマーＡとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーの他、２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのヒドロキシル基含有エーテル系化合物（エーテル系のヒドロキシ基含有モノマー）等を共重合したものであってもよい。
アクリルポリマーＡは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合（例えば、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合など）、乳化重合、塊状重合、懸濁重合、光重合（例えば、紫外線（ＵＶ）重合など）等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリルポリマーＡの重量平均分子量は、好ましくは３５万〜１００万、更に好ましくは４５万〜８０万程度である。
また、活性エネルギー線硬化型粘着剤層を形成するための粘着剤（活性エネルギー線硬化型粘着剤）には、活性エネルギー線硬化前後の粘着力を調整する為、外部架橋剤を適宜に用いることもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての用途によって適宜決定される。外部架橋剤の使用量は、一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、２０重量部以下（好ましくは０．１重量部〜１０重量部）である。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤が配合されていてもよい。
活性エネルギー線硬化型粘着剤では、前記ラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（アクリルポリマーＡ）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に活性エネルギー線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合してもよい。
活性エネルギー線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また活性エネルギー線硬化性オリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマー成分が挙げられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。活性エネルギー線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記活性エネルギー線硬化型粘着剤層の種類に応じて適宜に決定することができる。一般的には、活性エネルギー線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、活性エネルギー線硬化型粘着剤を構成するアクリルポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５００重量部以下（例えば、０重量部〜５００重量部、好ましくは０重量部〜１５０重量部）である。
活性エネルギー線硬化型粘着剤には、活性エネルギー線等により硬化させる為に光重合開始剤が用いられていても良い。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば２０重量部以下（例えば、０．０５重量部〜２０重量部）である。
本発明では、活性エネルギー線硬化型粘着剤層を形成するための粘着剤として、前記アクリル系ポリマーＡをベースポリマーとする粘着剤とともに、他のアクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、ウレタン系粘着剤、フッ素系粘着剤、スチレン−ジエンブロック共重合体系粘着剤などを１種又は２種以上必要に応じて組み合わせて用いることができる。
また活性エネルギー線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するアクリル系粘着剤やゴム系粘着剤等を１種又は２種以上必要に応じて組み合わせて用いることができる。
活性エネルギー線硬化型粘着剤層は、例えば、活性エネルギー線硬化型粘着剤（活性エネルギー線硬化型感圧接着剤）と、ガス発生剤と、必要に応じて溶媒やその他の添加剤などとを混合して、シート状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。具体的には、例えば、活性エネルギー線硬化型粘着剤、ガス発生剤、および必要に応じて溶媒やその他の添加剤を含む混合物を、基材や、後述する中間層上に塗布する方法、適当なセパレータ（剥離紙など）上に前記混合物を塗布して活性エネルギー線硬化型粘着剤層を形成し、これを基材又は中間層上に転写（移着）する方法などにより、活性エネルギー線硬化型粘着剤層を形成することができる。なお、ダイシングフィルムの製造工程において、加熱乾燥工程等を通過する場合は、該加熱乾燥工程における温度は、活性エネルギー線硬化型粘着剤層中のガス発生剤からガスが発生しないような温度であることが望ましい。
活性エネルギー線硬化型粘着剤層の厚さは、特に制限されず、例えば、１μｍ〜５０μｍ（好ましくは２μｍ〜３０μｍ、更に好ましくは５μｍ〜２５μｍ）である。活性エネルギー線硬化型粘着剤層の厚さが薄すぎると、ダイ接着層との接着性が低下する。一方、活性エネルギー線硬化型粘着剤層の厚さが厚すぎると、ダイシング時のダイシング精度が低下する。
なお、活性エネルギー線硬化型粘着剤層は単層、複層の何れであってもよい。
本発明では、活性エネルギー線硬化型粘着剤層には、本発明の効果を損なわない範囲で、各種添加剤（例えば、着色剤、増粘剤、増量剤、充填剤、粘着付与剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、架橋剤など）が含まれていても良い。
活性エネルギー線硬化型粘着剤層は、活性エネルギー線の照射により硬化させることができる。また、ガス発生剤が、光によりガスを発生するタイプのガス発生剤（光照射型ガス発生剤）の場合、活性エネルギー線の照射により、ガスを発生させることができる。この場合、活性エネルギー線硬化型粘着剤層に活性エネルギー線（紫外線等）を照射することにより、粘着剤層の硬化と、粘着剤層中のガス発生剤によるガス発生とを生じさせ、ダイボンドフィルムをダイシングフィルムより剥離させて、ピックアップ工程で半導体チップを容易にピックアップさせることができる。
このような活性エネルギー線としては、例えば、α線、β線、γ線、中性子線、電子線などの電離性放射線や、紫外線などが挙げられ、特に、紫外線が好適である。活性エネルギー線を照射させる際の活性エネルギー線の照射エネルギー、照射時間や、照射方法などは、特に制限されず、光重合開始剤を活性化させて、硬化反応を生じさせること、ガス発生剤が活性エネルギー線照射によりガスを発生するタイプの光照射型ガス発生剤の場合、ガス発生を生じさせることができればよい。活性エネルギー線として紫外線を採用する場合、紫外線の照射としては、例えば、波長３００ｎｍ〜４００ｎｍにおける照度が１ｍＷ／ｃｍ2〜２００ｍＷ／ｃｍ2である紫外線の光量４００ｍＪ／ｃｍ2〜４０００ｍＪ／ｃｍ2程度の照射が挙げられる。また、紫外線の光源としては、波長１８０ｎｍ〜４６０ｎｍ（好ましくは３００ｎｍ〜４００ｎｍ）領域にスペクトル分布を持つものが用いられ、例えば、ケミカルランプ、ブラックライト、水銀アーク、炭素アーク、低圧水銀ランプ、中圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ等などの照射装置を用いることができる。なお、紫外線の光源としては、上記波長より長波長あるいは短波長の電磁放射線を発生させることができる照射装置が用いられていてもよい。
なお、ガス発生剤が熱によりガスを発生するタイプのガス発生剤（加熱型ガス発生剤）の場合、加熱処理方法としては、例えば、ホットプレート、熱風乾燥機、近赤外線ランプ、エアードライヤーなどの適宜な加熱手段を利用して行うことができる。加熱処理時の加熱温度は、活性エネルギー線硬化型粘着剤層中の加熱型ガス発生剤のガス発生開始温度以上であればよいが、加熱処理の条件は、加熱型ガス発生剤の種類、基材、ダイボンドフィルム、半導体ウエハ等の耐熱性、加熱方法（熱容量、加熱手段等）などにより適宜設定できる。一般的な加熱処理条件としては、温度１００℃〜２５０℃で、１秒間〜９０秒間（ホットプレートなど）または５分間〜１５分間（熱風乾燥機など）である。なお、加熱処理は使用目的に応じて適宜な段階で行うことができる。また、加熱処理時の熱源としては、赤外線ランプや加熱水を用いることができる場合もある。
なお、ガス発生剤として光照射型ガス発生剤を含有する活性エネルギー線硬化型粘着剤層への活性エネルギー線照射は、少なくとも部分的に行うことができる。例えば、活性エネルギー線硬化型粘着剤層の粘着面上にダイボンドフィルムを介して被着物（特に複数個の被着物）が貼着された状態で、任意な時にダイシング・ダイボンドフィルムに少なくとも部分的に活性エネルギー線を照射することにより、活性エネルギー線硬化型粘着剤層に少なくとも部分的に硬化及びガス発生が生じ、この活性エネルギー線硬化型粘着剤層の少なくとも部分的な硬化及びガス発生により、ガスが活性エネルギー線硬化型粘着剤層の粘着面とダイボンドフィルムのダイ接着層との界面に移動し（侵入し）、該粘着面と被着物が貼着しているダイボンドフィルムとの接着面積が減少し、これにより、前記粘着面と被着物が貼着しているダイボンドフィルムとの間の接着力が減少し、該粘着面に貼着しているダイボンドフィルム（被着物付きダイボンドフィルム）をダイシングフィルムから剥離させることができる。なお、活性エネルギー線硬化型粘着剤層を部分的に活性エネルギー線照射させる場合、この部分的に活性エネルギー線を照射させる部分は、剥離又はピックアップさせるべき半導体チップがダイボンドフィルムを介して貼着している部分を少なくとも含む部分であればよい。
（ゲル分率）
本発明では、活性エネルギー線硬化型粘着剤層の活性エネルギー線硬化後のゲル分率は９０重量％以上であることが望ましく、更に好ましくは９４重量％以上である。活性エネルギー線硬化型粘着剤層の活性エネルギー線硬化後のゲル分率が９０重量％未満であると、ピックアップ性が低下したり、ダイボンドフィルム付き半導体チップに対し、糊残りが発生する場合がある。
活性エネルギー線硬化型粘着剤層のゲル分率（不溶分率）は、以下の測定方法により測定することができる。
ゲル分率の測定方法
日東精機株式会社製の紫外線（ＵＶ）照射装置：商品名「ＵＭ−８１０」を用いて、紫外線照射積算光量：１０００ｍＪ／ｃｍ2にて紫外線照射（波長：３６５ｎｍ）を行った活性エネルギー線硬化型粘着剤層から約０．１ｇをサンプリングして精秤し（試料の重量）、これをメッシュ状シートで包んだ後、約５０ｍｌの酢酸エチル中に室温で１週間浸漬させた。その後、溶剤不溶分（メッシュ状シートの内容物）を酢酸エチルから取り出し、８０℃で約２時間乾燥して、該溶剤不溶分を秤量し（浸漬・乾燥後の重量）、下記式（１）よりゲル分率（重量％）を算出した。
ゲル分率（重量％）＝［（浸漬・乾燥後の重量）／（試料の重量）］×１００ （１）
（弾性率）
活性エネルギー線硬化型粘着剤層は、活性エネルギー線硬化後の弾性率（温度：２３℃、引張速度：５０ｍｍ／ｍｉｎ、チャック間距離：１０ｍｍ）が、１０ＭＰａ以上であることが望ましく、更に好ましくは１２ＭＰａ以上である。なお、活性エネルギー線硬化後における活性エネルギー線硬化型粘着剤層の弾性率（温度：２３℃、引張速度：５０ｍｍ／ｍｉｎ、チャック間距離：１０ｍｍ）の上限は、特に制限されないが、例えば、５０ＭＰａ以下であってもよく、好ましくは４０ＭＰａ以下、更に好ましくは３５ＭＰａ以下である。このように、活性エネルギー線硬化後における活性エネルギー線硬化型粘着剤層の弾性率（温度：２３℃、引張速度：５０ｍｍ／ｍｉｎ、チャック間距離：１０ｍｍ）が１０ＭＰａ以上であると、ダイシングフィルムにガス発生手段を施してガス発生剤からガスを発生させ、ダイシングフィルムとダイ接着層が剥離した時に、活性エネルギー線硬化型粘着剤層がダイ接着層と再接着してしまうのを有効に防止する事ができる。
活性エネルギー線硬化後における活性エネルギー線硬化型粘着剤層の弾性率（温度：２３℃、引張速度：５０ｍｍ／ｍｉｎ、チャック間距離：１０ｍｍ）は、以下の測定方法により測定することができる。
弾性率の測定方法
ダイ接着層を積層する前のダイシングフィルム（粘着シート）に、紫外線（ＵＶ）照射装置：商品名「ＵＭ−８１０」（日東精機株式会社製）を用いて、紫外線照射積算光量：１０００ｍＪ／ｃｍ2の条件で紫外線（ＵＶ）照射（波長：３６５ｎｍ）を行った。紫外線硬化後の粘着剤層（活性エネルギー線硬化型粘着剤層）のみを分離し、ＪＩＳ Ｚ ８７０３に記載されている試験場所（２３±２℃，５０±５％ＲＨ）の環境下にて、引張試験機（商品名「オートグラフ ＡＧ−ＩＳ」島津製作所社製）を用いて、チャック間距離：１０ｍｍ、試験速度（引張速度）：５０ｍｍ／ｍｉｎにて引張試験を行い、得られた応力−歪み曲線の低歪み領域部分の接線の傾きより弾性率（初期弾性率）を求めた。
活性エネルギー線硬化型粘着剤層の弾性率は、活性エネルギー線硬化による硬化状態、粘着剤のベースポリマーの種類、架橋剤、添加剤などを調節することによりコントロールすることができる。
また、本発明では、前記活性エネルギー線硬化型粘着剤層は、ダイボンドフィルムが形成される側の表面（特に、ダイボンドフィルムが接触する部位の表面）の表面自由エネルギーが３５ｍＪ／ｍ2以下（例えば、１ｍＪ／ｍ2〜３５ｍＪ／ｍ2）であることが好ましい。活性エネルギー線硬化型粘着剤層の表面自由エネルギーとしては、更に好ましくは１５ｍＪ／ｍ2〜３３ｍＪ／ｍ2であり、特に２５ｍＪ／ｍ2〜３０ｍＪ／ｍ2であることが好適である。活性エネルギー線硬化型粘着剤層の表面自由エネルギーが３５ｍＪ／ｍ2を超える場合、活性エネルギー線硬化型粘着剤層とダイボンドフィルムの間の接着性が高くなり、ピックアップ性が低下する場合がある。なお、活性エネルギー線硬化型粘着剤層の表面自由エネルギー（ｍＪ／ｍ2）は、活性エネルギー線硬化前の活性エネルギー線硬化型粘着剤層に係る表面自由エネルギーである。
なお、本発明において、活性エネルギー線硬化型粘着剤層の表面自由エネルギーとは、活性エネルギー線硬化型粘着剤層の表面に対して水およびヨウ化メチレンを用いてそれぞれ接触角［θ（ｒａｄ）］を測定し、この測定値と接触角測定液体の表面自由エネルギー値として文献より既知である値｛水［分散成分（γL d）：２１．８(ｍＪ／ｍ2)、極性成分（γL p）：５１．０(ｍＪ／ｍ2)］、ヨウ化メチレン［分散成分（γL d）：４９．５(ｍＪ／ｍ2)、極性成分（γL p）：１．３(ｍＪ／ｍ2)］｝と、下記の式（２ａ）〜（２ｃ）とを利用して得られる二つの式を連立一次方程式として解くことにより、求められる表面自由エネルギー値（γS）を意味するものである。
γS＝γS d＋γS p （２ａ）
γL＝γL d＋γL p （２ｂ）
（１＋ｃｏｓθ）γL＝２（γS dγL d）1/2＋２（γS pγL p）1/2 （２ｃ）
ただし、式（２ａ）〜（２ｃ）中の各記号は、それぞれ以下の通りである。
・θ：水又はヨウ化メチレンの液滴より測定された接触角（ｒａｄ）
・γS：粘着剤層（活性エネルギー線硬化型粘着剤層）の表面自由エネルギー（ｍＪ／ｍ2）
・γS d：粘着剤層（活性エネルギー線硬化型粘着剤層）の表面自由エネルギーにおける分散成分（ｍＪ／ｍ2）
・γS p：粘着剤層（活性エネルギー線硬化型粘着剤層）の表面自由エネルギーにおける極性成分（ｍＪ／ｍ2）
・γL：水又はヨウ化メチレンの表面自由エネルギー（ｍＪ／ｍ2）
・γL d：水又はヨウ化メチレンの表面自由エネルギーにおける分散成分（ｍＪ／ｍ2）
・γL p：水又はヨウ化メチレンの表面自由エネルギーにおける極性成分（ｍＪ／ｍ2）
また、活性エネルギー線硬化型粘着剤層の表面に対する水およびヨウ化メチレンの接触角の測定は、ＪＩＳ Ｚ ８７０３に記載されている試験場所（温度：２３±２℃，湿度：５０±５％ＲＨ）の環境下において、活性エネルギー線硬化型粘着剤層表面に、約１μＬの水（蒸留水）またはヨウ化メチレンの液滴を滴下し、表面接触角計「ＣＡ−Ｘ」（ＦＡＣＥ社製）を用いて、滴下３０秒後に３点法より接触角を測定した。
なお、活性エネルギー線硬化型粘着剤層の表面自由エネルギーは、粘着剤のベースポリマーの種類、添加剤などを調節することによりコントロールすることができる。
さらに、本発明では、前記活性エネルギー線硬化型粘着剤層を形成する粘着剤のベースポリマーは、ガラス転移温度（Ｔｇ）が、−８０℃以上−３０℃以下である事が望ましい。ベースポリマーのガラス転移温度が−８０℃より低い場合は、そのようなポリマーを調製することが困難となる。一方、ベースポリマーのガラス転移温度が−３０℃より高い場合は、ダイシングフィルムの活性エネルギー線硬化型粘着剤層とダイ接着層との接着性が強くなり、剥離性が低下する。
なお、ベースポリマーのガラス転移温度とは、次のように求めた値とする。ダイシングフィルム（粘着シート）の粘着剤層（活性エネルギー線硬化型粘着剤層）として、ガス発生剤を含有していないこと以外は同様の粘着剤層（サンプル）を作製し、動的粘弾性測定装置（商品名「ＡＲＥＳ」、レオメトリック社製）を用いて、サンプル厚さ：約１．５ｍｍで、φ７．９ｍｍパラレルプレートの治具を用い、剪断モードにて、周波数１Ｈｚ、昇温速度５℃／分にて測定した。得られた剪断損失弾性率Ｇ″のスペクトルにおいて、高弾性率から低弾性率へと急激に変化し始める温度を、ベースポリマーのガラス転移温度（Ｔｇ）とする。
ベースポリマーのガラス転移温度は、モノマーの種類、各種添加剤の種類や量などを調節することによりコントロールすることができる。
（中間層）
本発明では、基材と活性エネルギー線硬化型粘着剤層の間に中間層が設けられていても良い。このような中間層としては、密着力の向上を目的とした下塗り剤のコーティング層などが挙げられる。また、下塗り剤のコーティング層以外の中間層としては、例えば、被着物（半導体ウェハなど）への接着面積の増大を目的とした層、接着力の向上を目的とした層、被着物（半導体ウェハなど）の表面形状に良好に追従させることを目的とした層などが挙げられる。
中間層の厚さは、特に制限されず、例えば、５μｍ〜３００μｍ、好ましくは２０μｍ〜１５０μｍ程度である。
なお、中間層は単層であってもよく、２以上の層で構成されていてもよい。また、中間層としては、活性エネルギー線の透過を阻害しないものを使用することが好ましい。
なお、中間層には、本発明の効果を損なわない範囲で、各種添加剤（例えば、着色剤、増粘剤、増量剤、充填剤、粘着付与剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、架橋剤など）が含まれていても良い。
（基材）
本発明に係るダイシングフィルム（粘着シート）の基材としては、特に限定されないが、光により活性エネルギー線硬化型粘着剤層に含有されるガス発生剤からガスを発生させる場合や、活性エネルギー線硬化型粘着剤層を活性エネルギー線（紫外線等）により硬化させる観点より、光（特に紫外線）を透過又は通過するものであることが好ましい。また、基材は、ダイシング・ダイボンドフィルムの強度母体となるものである。基材としては、強度母体となる活性エネルギー線透過性を有していれば特に制限されないが、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、アクリル系樹脂、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体）、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。また基材の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーも用いることができる。
これらの樹脂によるプラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。
基材としては、透明な樹脂からなるシート、網目状の構造を有するシート、孔が開けられたシートが好適である。
基材の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。
基材は、同種又は異種の樹脂を適宜に選択して使用することができ、必要に応じて複数種の樹脂をブレンドしたものを用いることができる。また、基材には、帯電防止能を付与する為、前記の基材上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが３０Å〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。なお、基材は単層あるいは２種以上の複層の形態を有していてもよい。
基材の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５μｍ〜２００μｍ程度である。基材の厚さが５μｍ未満であると、ダイシングフィルム又はダイシング・ダイボンドフィルムの自立性が不足しハンドリングが困難になることがあり、２００μｍを超えると、ダイシング時のエキスパンディングが良好になされないためにピックアップに不具合が生じることがある。
なお、基材には、本発明の効果等を損なわない範囲で、各種添加剤（着色剤、充填剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、難燃剤など）が含まれていてもよい。
（ダイボンドフィルム）
本発明では、ダイボンドフィルムは、ダイ接着層により形成されている。ダイ接着層は、該ダイ接着層上に圧着されている半導体ウエハの加工（例えば、チップ状に切断する切断加工など）の際には、半導体ウエハに密着して支持し、半導体ウエハの加工体（例えば、チップ状に切断加工される半導体チップなど）をマウントする際には、該半導体ウエハの加工体と、各種キャリアとの接着層として作用する機能を有していることが重要である。特に、ダイ接着層としては、半導体ウエハの加工（例えば、切断加工などの加工）の際に、切断片を飛散させない接着性を有していることが重要である。
ダイ接着層は、接着剤層であり、接着剤層の単層の構成であってもよく、２層以上の多層の構成であってもよい。本発明では、ダイ接着層は、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物により構成されていることが好ましい。エポキシ樹脂は、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ない点で好ましい。該樹脂組成物において、エポキシ樹脂の割合としては、ポリマー成分全量に対して５重量％以上（好ましくは７重量％以上、さらに好ましくは９重量％以上）の範囲から適宜選択することができる。なお、エポキシ樹脂の割合の上限としては、特に制限されず、ポリマー成分全量に対して１００重量％以下であってもよいが、好ましくは５０重量％以下（さらに好ましくは４０重量％以下）である。
エポキシ樹脂としては、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオンレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型エポキシ樹脂、トリスグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂若しくはグリシジルアミン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。
エポキシ樹脂としては、前記例示のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。
また、ダイボンドフィルムは、エポキシ樹脂とともに、適宜必要に応じてその他の熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を併用させることができる。前記熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの熱硬化性樹脂は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。
更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５当量〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８当量〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。
前記熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。
前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、へキシル基、ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ドデシル基（ラウリル基）、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基等が挙げられる。
また、前記アクリル樹脂を形成するための他のモノマー（炭素数３０以下のアクリル酸又はメタクリル酸のエステル以外のモノマー）としては、特に限定されるものではなく、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーなどが挙げられる。
本発明では、熱可塑性樹脂（特にアクリル樹脂）は、エポキシ樹脂を含むポリマー成分全量に対して９０重量％未満（例えば、１重量％〜９０重量％）の割合で用いることができる。アクリル樹脂等の熱可塑性樹脂の割合としては、ポリマー成分全量に対して２０重量％〜８５重量％であることが好ましく、さらに好ましくは４０重量％〜８０重量％である。
ダイボンドフィルムのダイ接着層（特に、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物によるダイ接着層）には、予めある程度架橋をさせておく為、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくのが好ましい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図る。
なお、ダイボンドフィルムのダイ接着層には、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤の他、着色剤、増量剤、充填剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、架橋剤などが挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。難燃剤は、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。シランカップリング剤は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。イオントラップ剤は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。
ダイボンドフィルムのダイ接着層は、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物により形成されていることが好ましく、例えば、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物により形成された接着剤層の単層のみからなる構成とすることができる。また、ダイボンドフィルムは、エポキシ樹脂の他、ガラス転移温度の異なる熱可塑性樹脂、熱硬化温度の異なる熱硬化性樹脂を適宜に組み合わせて、２層以上の多層構造にしてもよい。
尚、半導体ウエハの切削工程では切削水を使用し、またダイシング・ダイボンドフィルムの剥離過程では活性エネルギー線硬化型粘着剤層から水蒸気が発生する場合があるので、ダイ接着層が吸湿して、常態以上の含水率になる場合がある。この様な高含水率のまま、基板等に接着させると、アフターキュアの段階で接着界面に水蒸気が溜まり、浮きが発生する場合がある。従って、ダイ接着層としては、透湿性の高いコア材料をダイ接着層で挟んだ構成とすることにより、アフターキュアの段階では、水蒸気がフィルムを通じて拡散して、かかる問題を回避することが可能となる。かかる観点からダイ接着層はコア材料の片面または両面にダイ接着層を形成した多層構成にしてもよい。
前記コア材料としては、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられる。
ダイボンドフィルムの厚さは特に限定されないが、例えば、５μｍ〜１００μｍ程度、好ましくは５μｍ〜５０μｍ程度である。
前記ダイシング・ダイボンドフィルムのダイボンドフィルムは、セパレータ（剥離ライナー）により保護されていることが好ましい（図示せず）。セパレータは、実用に供するまでダイボンドフィルムを保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、更に、活性エネルギー線硬化型粘着剤層にダイボンドフィルムを転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイシング・ダイボンドフィルムのダイボンドフィルム上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルム（ポリエチレンテレフタレートなど）や紙等も使用可能である。なお、セパレータは従来公知の方法により形成することができる。また、セパレータの厚さ等も特に制限されない。
なお、本発明では、ダイシング・ダイボンドフィルムには、帯電防止能を持たせることができる。これにより、その接着時及び剥離時等に於ける静電気の発生やそれによるワーク（半導体ウェハ等）の帯電で回路が破壊されること等を防止することができる。帯電防止能の付与は、基材、活性エネルギー線硬化型粘着剤層乃至ダイボンドフィルムへ帯電防止剤や導電性物質を添加する方法、基材への電荷移動錯体や金属膜等からなる導電層の付設等、適宜な方式で行うことができる。これらの方式としては、半導体ウェハを変質させるおそれのある不純物イオンが発生しにくい方式が好ましい。導電性の付与、熱伝導性の向上等を目的として配合される導電性物質（導電フィラー）としては、銀、アルミニウム、金、銅、ニッケル、導電性合金等の球状、針状、フレーク状の金属粉、アルミナ等の金属酸化物、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。ただし、前記ダイボンドフィルムは、非導電性であることが、電気的にリークしないようにできる点から好ましい。
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、シート状、テープ状などの適宜な形態を有することができる。
（ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法）
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法について、ダイシング・ダイボンドフィルム１０を例にして説明する。先ず、基材１ａは、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。
次に、基材１ａ上に活性エネルギー線硬化型粘着剤及びガス発生剤を含む活性エネルギー線硬化型粘着剤組成物を塗布し、乾燥させて（必要に応じて加熱架橋させて）活性エネルギー線硬化型粘着剤層１ｂを形成する。塗布方式としては、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。なお、活性エネルギー線硬化型粘着剤組成物の塗布は、直接基材１ａ上に行って、基材１ａ上に活性エネルギー線硬化型粘着剤層１ｂを形成してもよく、また、活性エネルギー線硬化型粘着剤組成物を表面に剥離処理を行った剥離紙等に塗布した後、基材１ａに転写させて、基材１ａ上に活性エネルギー線硬化型粘着剤層１ｂを形成してもよい。
一方、ダイ接着層（ダイボンドフィルム）３を形成する為の形成材料を剥離紙上に所定厚みとなる様に塗布し、更に所定条件下で乾燥して塗布層を形成する。この塗布層を前記活性エネルギー線硬化型粘着剤層１ｂ上に転写することにより、ダイ接着層３を活性エネルギー線硬化型粘着剤層１ｂ上に形成する。なお、前記活性エネルギー線硬化型粘着剤層１ｂ上に、ダイ接着層３を形成する為の形成材料を直接塗布した後、所定条件下で乾燥することによっても、ダイ接着層３を活性エネルギー線硬化型粘着剤層１ｂ上に形成することができる。以上により、本発明に係るダイシング・ダイボンドフィルム１０を得ることができる。
（半導体ウエハ）
半導体ウエハ（半導体ウェハ）としては、公知乃至慣用の半導体ウエハであれば特に制限されず、各種素材の半導体ウエハから適宜選択して用いることができる。本発明では、半導体ウエハとしては、シリコンウエハを好適に用いることができる。
（半導体装置の製造方法）
本発明の半導体装置の製造方法は、前記ダイシング・ダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法であれば特に制限されない。例えば、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムを、ダイボンドフィルム（ダイ接着層）上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離して、次の様に使用することにより、半導体装置を製造することができる。なお、以下では、図３を参照しながらダイシング・ダイボンドフィルム１１を用いた場合を例にして説明する。先ず、ダイシング・ダイボンドフィルム１１におけるダイ接着層（ダイボンドフィルム）３１上に半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する（マウント工程）。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。
次に、半導体ウェハ４のダイシングを行う。これにより、半導体ウェハ４を所定のサイズに切断して個片化（小片化）し、半導体チップ５を製造する。ダイシングは、例えば半導体ウェハ４の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えば、ダイシング・ダイボンドフィルム１１まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウェハ４は、ダイシング・ダイボンドフィルム１１により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウェハ４の破損も抑制できる。なお、ダイ接着層がエポキシ樹脂を含む樹脂組成物により形成されている場合、ダイシングにより切断されても、その切断面においてダイ接着層の糊はみ出しが生じるのが抑制又は防止されている。その結果、切断面同士が再付着（ブロッキング）することを抑制又は防止することができ、後述のピックアップを一層良好に行うことができる。
なお、ダイシング・ダイボンドフィルムのエキスパンドを行う場合、該エキスパンドは従来公知のエキスパンド装置を用いて行うことができる。エキスパンド装置は、ダイシングリングを介してダイシング・ダイボンドフィルムを下方へ押し下げることが可能なドーナッツ状の外リングと、外リングよりも径が小さくダイシング・ダイボンドフィルムを支持する内リングとを有している。このエキスパンド工程により、後述のピックアップ工程において、隣り合う半導体チップ同士が接触して破損するのを防ぐことが出来る。
ダイシング・ダイボンドフィルム１１に接着固定された半導体チップ５を回収する為に、半導体チップ５のピックアップを行う。活性エネルギー線硬化型粘着剤層１ｂ中のガス発生剤が、活性エネルギー線によりガスを発生させるタイプの活性エネルギー線照射型ガス発生剤である場合、まずは、活性エネルギー線硬化型粘着剤層１ｂ中のガス発生剤からガス（気体）を発生させ、同時に活性エネルギー線硬化型粘着剤層１ｂを活性エネルギー線硬化させるために、ウエハをマウントしたダイシング・ダイボンドフィルムに活性エネルギー線を照射する。照射する活性エネルギー線としては、ガス発生剤から気体が発生する波長領域と、活性エネルギー線硬化型粘着剤層１ｂに含まれる光重合開始剤が壊裂する波長領域を含む活性エネルギー線（特に紫外線）を用いるのが良い。なお、活性エネルギー線の照射量、照射時間、照射装置等は特に限定されず、必要に応じて調整すればよい。また、活性エネルギー線の照射で使用可能な照射装置としては、特に制限されず、前記に例示の照射装置（ケミカルランプ、ブラックライト、水銀アーク、炭素アーク、低圧水銀ランプ、中圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ等）などが挙げられる。
前述のようにして、ガス発生剤から気体が発生し、発生した気体が活性エネルギー線硬化型粘着剤層１ｂとダイ接着層３１との界面に侵入してダイ接着層３１を押圧するので、ダイ接着層３１と活性エネルギー線硬化型粘着剤層１ｂとの間の少なくとも一部が剥離する。また活性エネルギー線硬化型粘着剤層１ｂが活性エネルギー線硬化し、活性エネルギー線硬化型粘着剤層１ｂとダイ接着層３１が再接着する事を抑制又は防止することができる。前述の様にして、ダイ接着層３１と活性エネルギー線硬化型粘着剤層１ｂ間の粘着力が十分に低下した所で、ダイ接着層付きの半導体チップのピックアップを行う。
ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシング・ダイボンドフィルム１１の基材１ａ側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。本発明のダイシング・ダイボンドフィルム１１は、ダイ接着層３１と活性エネルギー線硬化型粘着剤層１ｂの間の剥離性が良好であるので、例えばニードルの突上げ量を低くしたり、ニードル数を少なくしたりして、歩留まりを低減してピックアップを行うことができる。また、ダイ接着層３１と活性エネルギー線硬化型粘着層１ｂの再接着も抑制又は防止されている。
ここでピックアップは、活性エネルギー線硬化型粘着剤層１ｂに活性エネルギー線を照射させて活性エネルギー線により硬化させた後、且つ、ガス発生剤が活性エネルギー線照射型ガス発生剤である場合、活性エネルギー線の照射によりガスを発生させ、該ガスを活性エネルギー線硬化型粘着剤層１ｂとダイ接着層３１との界面に侵入させてダイ接着層３１を押圧させた後に行う。これにより、活性エネルギー線硬化型粘着剤層１ｂのダイ接着層（ダイボンドフィルム）３１に対する粘着力（接着力）が低下し、半導体チップ５の剥離が容易になる。その結果、半導体チップ５を損傷させることなくピックアップさせることが可能となる。なお、活性エネルギー線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。また、活性エネルギー線の照射で使用可能な照射装置としては、特に制限されず、前記に例示の照射装置（ケミカルランプ、ブラックライト、水銀アーク、炭素アーク、低圧水銀ランプ、中圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ等）などが挙げられる。
ピックアップした半導体チップ５は、ダイ接着層（ダイボンドフィルム）３１を介して被着体６に接着固定する（ダイボンド）。被着体６はヒートブロック９上に載置されている。被着体６としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体６は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウェハ等）であってもよい。
前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレーム、４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体素子をマウントし、半導体素子と電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。
ダイ接着層（ダイボンドフィルム）３１は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成されている場合（熱硬化型のダイ接着層である場合）、加熱硬化により接着力を高め、半導体チップ５をダイ接着層３１を介して被着体６に接着固定し、耐熱強度を向上させることができる。尚、半導体ウェハ貼り付け部分３１ａを介して半導体チップ５が基板等に接着固定されたものは、リフロー工程に供することができる。その後、基板の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ５上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続するワイヤーボンディングを行い、更に半導体チップ５を封止樹脂８で封止し、当該封止樹脂８をアフターキュアする。これにより、本実施の形態に係る半導体装置が作製される。
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではなく、単なる説明例に過ぎない。また、各例中、部は特記がない限りいずれも重量基準である。
（実施例１）
＜ダイシングフィルムの作製＞
冷却管、窒素導入管、温度計および撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸２−エチルヘキシル（「２ＥＨＡ」と称する場合がある）：９０部、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル（「ＨＥＡ」と称する場合がある）：１０部、過酸化ベンゾイル：０．２部、及びトルエン：６５部を入れ、窒素雰囲気下にて６１℃にて６時間重合処理をしてアクリル系ポリマーＸを得た。
このアクリル系ポリマーＸ：１００部に、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（「ＭＯＩ」と称する場合がある）：１２．７部（ＨＥＡに対し９５ｍｏｌ％）を加え、空気気流中で５０℃にて４８時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＹを得た。
次に、アクリル系ポリマーＹ：１００部に対し、イソシアネート系架橋剤（商品名「コロネートＬ」日本ポリウレタン工業株式会社製；ポリイソシアネート化合物）：３部、及びガス発生剤（商品名「ＶＡｍ−１００」和光純薬工業株式会社製）：８０部を添加して、活性エネルギー線硬化型粘着剤の粘着剤溶液を調製した。
前記で調製した粘着剤溶液を、剥離処理（離型処理）が施されたポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴフィルム）からなる剥離ライナー上に塗布し、８０℃で２分間乾燥させ、厚みが１０μｍの粘着剤層（活性エネルギー線硬化型粘着剤層を）を得た。次いで、剥離ライナー上の粘着剤層表面に、厚さ１００μｍのポリオレフィンフィルムを貼り合わせて、ダイシングフィルムとしての活性エネルギー線硬化型粘着シート（紫外線硬化型粘着シート）を作製した。その後、粘着シートを５０℃で４８時間保存した。
＜ダイボンドフィルムの作製＞
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（商品名「パラクロンＷ−１９７ＣＭ」根上工業株式会社製）：１００部に対して、エポキシ樹脂１（商品名「エピコート１００４」ジャパンエポキシレジン（ＪＥＲ）株式会社製）：５９部、エポキシ樹脂２（商品名「エピコート８２７」ジャパンエポキシレジン（ＪＥＲ）株式会社製）：５３部、フェノール樹脂（商品名「ミレックスＸＬＣ−４Ｌ」三井化学株式会社製）：１２１部、球状シリカ（商品名「ＳＯ−２５Ｒ」株式会社アドマテックス製）：２２２部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分の濃度が２３．６重量％となる接着剤組成物の溶液を調製した。
この接着剤組成物の溶液を、離型処理を施したＰＥＴフィルムからなる剥離ライナー上に塗工し、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２５μｍのダイ接着層からなるダイボンドフィルムを作製した。更に、このダイボンドフィルムを前述のダイシングフィルムにおける活性エネルギー線硬化型粘着剤層側に転写して、本実施例１に係るダイシング・ダイボンドフィルム（ダイ接着層付き粘着シート）を得た。
（実施例２〜８）
各実施例２〜８については、ダイシングフィルムを、表１に示す組成及び含有量（粘着剤のベースポリマーの組成、架橋剤の含有量、ガス発生剤の含有量など）によるダイシングフィルムに変更したこと以外は、実施例１と同様にしてダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。
（実施例９）
実施例９に関しては、ベースポリマーの組成、架橋剤、ガス発生剤の量を表１に記載した通りに変更したことに加えて、テルペンフェノール系樹脂（商品名「ＰＲ−１２６０３」住友ベークライト株式会社製）：２０部を加えたこと以外は、実施例１と同様にしてダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。
（比較例１〜４）
各比較例１〜４については、ダイシングフィルムを、表１に示す組成及び含有量（粘着剤のベースポリマーの組成、架橋剤の含有量、ガス発生剤の含有量など）によるダイシングフィルムに変更したこと以外は、実施例１と同様にしてダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。
Figure 0005519971
なお、表１中に記載されている略称の意味は次の通りである。
２ＥＨＡ：アクリル酸２−エチルヘキシル
ＢＡ：アクリル酸ｎ−ブチル
ＡＡ：アクリル酸
ＨＥＡ：２−ヒドロキシエチルアクリレート
ＭＯＩ：２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート
スミライト：テルペンフェノール系樹脂（商品名「ＰＲ−１２６０３」住友ベークライト株式会社製）
架橋剤：イソシアネート系架橋剤（商品名「コロネートＬ」日本ポリウレタン工業株式会社製）
ガス発生剤：商品名「ＶＡｍ−１００」和光純薬工業株式会社製
（評価）
実施例１〜９及び比較例１〜４に係るダイシング・ダイボンドフィルムについて、ダイシングフィルム中の粘着剤層のゲル分率、ダイシングフィルム中の粘着剤層に関する弾性率、ダイシングフィルム中の粘着剤層に関するガラス転移温度、ダイシングフィルム中の粘着剤層の表面自由エネルギー、再接着防止性、ピックアップ性を、下記の評価又は測定方法により評価又は測定した。評価又は測定結果は表１に併記した。
＜ゲル分率の測定方法＞
日東精機株式会社製の紫外線（ＵＶ）照射装置：商品名「ＵＭ−８１０」を用いて、紫外線照射積算光量：１０００ｍＪ／ｃｍ2にて紫外線照射（波長：３６５ｎｍ）を行った活性エネルギー線硬化型粘着剤層から約０．１ｇをサンプリングして精秤し（試料の重量）、これをメッシュ状シートで包んだ後、約５０ｍｌの酢酸エチル中に室温で１週間浸漬させた。その後、溶剤不溶分（メッシュ状シートの内容物）を酢酸エチルから取り出し、８０℃で約２時間乾燥して、該溶剤不溶分を秤量し（浸漬・乾燥後の重量）、下記式（１）よりゲル分率（重量％）を算出した。
ゲル分率（重量％）＝［（浸漬・乾燥後の重量）／（試料の重量）］×１００ （１）
＜ダイシングフィルムの粘着剤層の弾性率の測定方法＞
ダイ接着層を積層する前のダイシングフィルム（粘着シート）に、紫外線（ＵＶ）照射装置：商品名「ＵＭ−８１０」（日東精機株式会社製）を用いて、紫外線照射積算光量：１０００ｍＪ／ｃｍ2の条件で紫外線（ＵＶ）照射（波長：３６５ｎｍ）を行った。紫外線硬化後の粘着剤層（活性エネルギー線硬化型粘着剤層）のみを分離し、ＪＩＳ Ｚ ８７０３に記載されている試験場所（２３±２℃，５０±５％ＲＨ）の環境下にて、引張試験機（商品名「オートグラフ ＡＧ−ＩＳ」島津製作所社製）を用いて、チャック間距離：１０ｍｍ、試験速度（引張速度）：５０ｍｍ／ｍｉｎにて引張試験を行い、得られた応力−歪み曲線の低歪み領域部分の接線の傾きより弾性率（初期弾性率）を求めた。
＜ダイシングフィルム中の粘着剤層のガラス転移温度＞
ダイシングフィルム（粘着シート）の粘着剤層（活性エネルギー線硬化型粘着剤層）として、ガス発生剤を含有していないこと以外は同様の粘着剤層（サンプル）を作製し、動的粘弾性測定装置（商品名「ＡＲＥＳ」、レオメトリック社製）を用いて、サンプル厚さ：約１．５ｍｍで、φ７．９ｍｍパラレルプレート［素材：ステンレス（ＳＵＳ３１６）］の治具を用い、剪断モードにて、周波数１Ｈｚ、昇温速度５℃／分にて測定した。得られた剪断損失弾性率Ｇ″のスペクトルにおいて、高弾性率から低弾性率へと急激に変化し始める温度を、ベースポリマーのガラス転移温度（Ｔｇ；℃）とする。
＜表面自由エネルギーの評価方法＞
ＪＩＳ Ｚ ８７０３に記載されている試験場所（温度：２３±２℃，湿度：５０±５％ＲＨ）の環境下において、ダイ接着層を積層する前のダイシングフィルム（粘着シート）の粘着剤層（活性エネルギー線硬化型粘着剤層（実施例１〜９、比較例１〜３）の場合は、活性エネルギー線硬化前の活性エネルギー線硬化型粘着剤層）の表面に、約１μＬの水（蒸留水）またはヨウ化メチレンの液滴を滴下し、表面接触角計「ＣＡ−Ｘ」（ＦＡＣＥ社製）を用いて、滴下３０秒後に３点法より接触角［θ（ｒａｄ）］を測定した。得られた２つの接触角と、水、ヨウ化メチレンの表面自由エネルギー値として文献より既知である値と、下記の式（２ａ）〜（２ｃ）とを利用して得られる二つの式を連立一次方程式として解くことにより、ダイシングフィルム中の粘着剤層の表面自由エネルギー（γS）を算出した。
γS＝γS d＋γS p （２ａ）
γL＝γL d＋γL p （２ｂ）
（１＋ｃｏｓθ）γL＝２（γS dγL d）1/2＋２（γS pγL p）1/2 （２ｃ）
ただし、式（２ａ）〜（２ｃ）中の各記号は、それぞれ以下の通りである。
・θ：水又はヨウ化メチレンの液滴より測定された接触角（ｒａｄ）
・γS：粘着剤層の表面自由エネルギー（ｍＪ／ｍ2）
・γS d：粘着剤層の表面自由エネルギーにおける分散成分（ｍＪ／ｍ2）
・γS p：粘着剤層の表面自由エネルギーにおける極性成分（ｍＪ／ｍ2）
・γL：水又はヨウ化メチレンの表面自由エネルギー（ｍＪ／ｍ2）
・γL d：水又はヨウ化メチレンの表面自由エネルギーにおける分散成分（ｍＪ／ｍ2）
・γL p：水又はヨウ化メチレンの表面自由エネルギーにおける極性成分（ｍＪ／ｍ2）
・水（蒸留水）の表面自由エネルギー値として既知である値：［分散成分（γL d）：２１．８(ｍＪ／ｍ2)、極性成分（γL p）：５１．０(ｍＪ／ｍ2)］
・ヨウ化メチレンの表面自由エネルギー値として既知である値：［分散成分（γL d）：４９．５(ｍＪ／ｍ2)、極性成分（γL p）：１．３(ｍＪ／ｍ2)］
＜再接着防止性の評価方法＞
ダイ接着層を積層する前のダイシングフィルム（粘着シート）を、３ｃｍ角に切り出し、ＪＩＳ Ｚ ８７０３に記載されている試験場所（２３±２℃，５０±５％ＲＨ）の環境下にて、２Ｋｇローラーを用いてスライドガラスに圧着した。次いで紫外線（ＵＶ）照射装置：商品名「ＵＭ−８１０」（日東精機株式会社製）を用いて、紫外線照射積算光量：１０００ｍＪ／ｃｍ2の条件で、ダイシングフィルムの基材側より紫外線を照射（波長：３６５ｎｍ）した。紫外線照射１分後と５分後において、ダイシングフィルムがスライドガラスから剥離できたものを○、照射１分後では剥離できるが５分後では剥離できないものを△、照射１分後と５分後の両方ともに剥離できないものを×として評価した。
＜ピックアップ性の評価方法＞
実施例及び比較例のそれぞれのダイシング・ダイボンドフィルムを用いて、以下の要領で、実際に半導体ウェハのダイシングを行った後に剥離性の評価を行い、各ダイシング・ダイボンドフィルムのピックアップ性能を評価とした。
半導体ウェハ（直径８インチ、厚さ０．６ｍｍ；材質：シリコンミラーウエハ）を裏面研磨処理し、厚さ０．０２５ｍｍのミラーウェハをワークとして用いた。ダイシング・ダイボンドフィルムからセパレータを剥離した後、そのダイボンドフィルム上にミラーウェハ（ワーク）を４０℃で熱ラミネート法により圧着して貼り合わせ、回転丸刃により半導体ウェハを１０ｍｍ角のチップにダイシングを行った。なお、ダイシングは１０ｍｍ角のチップサイズとなる様にフルカットした。また、半導体ウェハ研削条件、貼り合わせ条件、ダイシング条件は、下記のとおりである。
（半導体ウェハ研削条件）
研削装置：商品名「ＤＦＧ−８５６０」ディスコ社製
半導体ウェハ：８インチ径（厚さ０．６ｍｍから０．０２５ｍｍに裏面研削）
（貼り合わせ条件）
貼り付け装置：商品名「ＭＡ−３０００II」日東精機株式会社製
貼り付け速度計：１０ｍｍ／ｍｉｎ
貼り付け圧力：０．１５ＭＰａ
貼り付け時のステージ温度：４０℃
（ダイシング条件）
ダイシング装置：商品名「ＤＦＤ−６３６１」ディスコ社製
ダイシングリング：「２−８−１」（ディスコ社製）
ダイシング速度：３０ｍｍ／ｓｅｃ
ダイシングブレード：
Ｚ１；ディスコ社製「ＮＢＣ−ＺＨ２２６Ｊ２７ＨＡＡＡ」
ダイシングブレード回転数：
Ｚ１；３０，０００ｒｐｍ
カット方式：シングルステップカット
ウェハチップサイズ：１０．０ｍｍ角
次に、紫外線（ＵＶ）照射装置としての商品名「ＵＭ−８１０」（日東精機株式会社製）を用いて、紫外線照射積算光量：１０００ｍＪ／ｃｍ2にて紫外線（波長：３６５ｎｍ）をダイシング・ダイボンドフィルムに、ダイシングフィルムの基材側より照射した。照射開始から１分後、ダイシング・ダイボンドフィルムを空中で上下が反対になるように反転させ、ダイシングされた半導体チップが下側になるようにして、ダイシングフィルムからダイボンドフィルム付きチップを自然落下により剥離させた。その後、４００個の半導体チップに対して、ダイシングフィルムからダイボンドフィルム付きの半導体チップが自然落下した個数を数え、落下した半導体チップの割合（剥離率；％）を算出し、ピックアップ性を評価した。従って、ピックアップ性は、落下した半導体チップの割合が１００％に近いほど良好である。
表１より、実施例１〜９に係るダイシング・ダイボンドフィルムは、再接着防止性及びピックアップ性が優れており、ダイシングの際には、半導体ウェハ等の被着体をしっかりと保持して、良好にダイシングを行うことができることが確認された。また、紫外線等の活性エネルギー線を照射させて活性エネルギー線による硬化及びガス発生を行うことにより、半導体チップ等の被着体を容易に且つ良好に剥離させてピックアップさせることができることが確認された。また、剥離させた後は、ダイシングフィルムとダイボンドフィルムとの再接着が抑制又は防止されており、ピックアップを有効に行うことができる。
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、半導体チップ等のチップ状ワークを電極部材に固着させるための接着剤を、ダイシング前の半導体ウェハ等のワークに予め付設した状態で、ワークをダイシングさせる際に用いることができる。本発明のダイシング・ダイボンドフィルムにより、半導体チップを電極部材に固着させた半導体装置を容易に製造することが可能となる。
１０，１１ ダイシング・ダイボンドフィルム
１ａ 基材
１ｂ 活性エネルギー線硬化型粘着剤層
２ ダイシングフィルム
３，３１ ダイ接着層（ダイボンドフィルム）
４ 半導体ウェハ
５ 半導体チップ
６ 被着体
７ ボンディングワイヤー
８ 封止樹脂
９ スペーサ

Claims (5)

  1. 基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、前記粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、
    ダイシングフィルムは、粘着剤層が、ガス発生剤をベースポリマー１００重量部に対して１０〜２００重量部の割合で含有し、且つベースポリマーが下記のアクリル系ポリマーＡである活性エネルギー線硬化型粘着剤層であり、
    アクリルポリマーＡ：ＣＨ2＝ＣＨＣＯＯＲ（式中、Ｒは炭素数が６〜１０のアルキル基である）で表されるアクリル酸エステル５０重量％以上と、ヒドロキシル基含有モノマー１０重量％〜３０重量％を含み且つカルボキシル基含有モノマーを含まないモノマー組成物によるポリマーに、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物をヒドロキシル基含有モノマーに対して５０ｍｏｌ％〜９５ｍｏｌ％付加反応させた構成を有するアクリル系ポリマー
    ダイボンドフィルムは、ダイ接着層により形成されており、
    ダイ接着層がエポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂を含むことを特徴とするダイシング・ダイボンドフィルム。
  2. ガス発生剤が、光によりガスを発生する光照射型ガス発生剤であることを特徴とする請求項１記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
  3. 前記ダイシングフィルムの活性エネルギー線硬化型粘着剤層が、活性エネルギー線照射による硬化後のゲル分率が９０重量％以上であることを特徴とする請求項１又は２記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
  4. 前記ダイシングフィルムの活性エネルギー線硬化型粘着剤層が、活性エネルギー線硬化後の弾性率（温度：２３℃、引張速度：５０ｍｍ／ｍｉｎ、チャック間距離：１０ｍｍ）が、１０ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
  5. ダイシング・ダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法であって、ダイシング・ダイボンドフィルムとして、請求項１〜４の何れか１項に記載のダイシング・ダイボンドフィルムを用いたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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