JP5503057B2 - 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法 - Google Patents
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Description
前記レジスト膜の形成工程において、基板へのレジスト塗布後、減圧により塗布膜を乾燥させる減圧乾燥処理が行われる。
従来、このような減圧乾燥処理を行う装置としては、例えば図26の断面図に示す特許文献1に開示の減圧乾燥ユニットがある。
この減圧乾燥処理ユニットにおいては、被処理面にレジスト塗布された基板Gが搬入されると、基板Gはステージ153上に固定ピン156を介して載置される。
次いで下部チャンバ151に上部チャンバ152が密着し、基板Gは気密状態の処理空間内に置かれた状態となる。
このため、チャンバ内の容積が増加し、所定圧までの減圧に時間を要していた。さらには、基板上に塗布されたレジスト液の量が増えるため、基板全面にわたり均一にレジスト液が乾燥するまで長時間を要し、生産効率が低下するという課題があった。
このように構成することにより、減圧乾燥処理の間、基板上面付近において、一方向に流れる気流を形成することができる。このため、基板に塗布された処理液の乾燥が促進され、より短時間に基板処理面に対し均一な乾燥処理を行うことができる。
このような方法を実施することにより、減圧乾燥処理の間、チャンバ内の処理空間に気流を発生させることができ、基板に塗布された処理液の乾燥を促進することができる。
この塗布現像処理システム10は、クリーンルーム内に設置され、たとえばLCD用のガラス基板を被処理基板とし、LCD製造プロセスにおいてフォトリソグラフィ工程中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の一連の処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置12で行われる。
カセットステーション(C/S)14は、基板Gを多段に積み重ねるようにして複数枚収容したカセットCを搬入出するポートであり、水平な一方向(Y方向)に4個まで並べて載置可能なカセットステージ20と、このステージ20上のカセットCに対して基板Gの出し入れを行う搬送機構22とを備えている。搬送機構22は、基板Gを保持できる手段たとえば搬送アーム22aを有し、X,Y,Z,θの4軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション(P/S)16側と基板Gの受け渡しを行えるようになっている。
即ち、カセットステーション(C/S)14側からインタフェースステーション(I/F)18側へ向うプロセスラインAには、搬入ユニット(IN PASS)24、洗浄プロセス部26、第1の熱的処理部28、塗布プロセス部30および第2の熱的処理部32が第1の平流し搬送路34に沿って、上流側からこの順序で一列に配置されている。
洗浄プロセス部26には、第1の平流し搬送路34に沿って上流側から順にエキシマUV照射ユニット(E−UV)36およびスクラバ洗浄ユニット(SCR)38が設けられている。
第2の熱的処理部32の下流側隣に位置する第1の平流し搬送路34の終点にはパスユニット(PASS)52が設けられている。
第1の平流し搬送路34上を平流しで搬送されてきた基板Gは、この終点のパスユニット(PASS)52からインタフェースステーション(I/F)18へ渡されるようになっている。
スクラバ洗浄ユニット(SCR)38は、平流し搬送路34上を水平に移動する基板Gに対して、ブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより基板表面から粒子状の汚れを除去し、その後にリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Gを乾燥させる。スクラバ洗浄ユニット(SCR)38における一連の洗浄処理を終えると、基板Gはそのまま第1の平流し搬送路34を下って第1の熱的処理部28に至る。
こうして基板Gは、今度は第2の平流し搬送路64上をプロセスラインBの下流側に向けて搬送される。最初の現像ユニット(DEV)54において、基板Gは、平流しで搬送される間に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理を施される(図2のステップS11)。
続いて、図3〜図6に基づき、本発明の減圧乾燥装置が適用される減圧乾燥ユニット(VD)46の第一の実施の形態を説明する。
図3は、塗布プロセス部30の全体構成を示す平面図である。図4は、塗布プロセス部30の側面図である。また、図5は減圧乾燥ユニット(VD)46の平面図、図6は、図5のC−C矢視断面図である。
図3、図5に示すように下部チャンバ85は略四角形で、中心部には基板Gを水平に載置して吸着保持するための板状のステージ88(保持部)が配置されている。前記上部チャンバ86は、上部チャンバ移動手段87によって前記ステージ88の上方に昇降自在に配置されており、減圧乾燥処理の際には上部チャンバ86が下降して下部チャンバ85と密着し、ステージ88上に載置された基板Gを処理空間に収容した状態とされる。
前記給気口92からの不活性ガスの供給は、チャンバ内気圧が所定値(例えば400Pa以下)に達したとき、もしくは、チャンバ内が減圧開始されてから所定時間の経過後に開始される。これは、減圧により流量が減少するチャンバ内の気流を維持し、減圧乾燥処理の時間短縮に寄与させるためである。
尚、減圧乾燥処理の間、常に安定した気流を維持するために、不活性ガスの供給開始は、チャンバ内の減圧開始前、或いは同時に行ってもよい。
さらには、下部チャンバ85内の左右両側の内壁には、前記ブロック部材95に隣接して、略角棒状のサイドバー部材94がそれぞれ設けられ、上部チャンバ86内の左右両側の内壁には、前記下部チャンバ85内のサイドバー部材94に対応してサイドバー部材98がそれぞれ設けられている。これらサイドバー部材94,98(第八整流部材)を設け、上部チャンバ86と下部チャンバ85とを閉じることにより、基板Gの左右側方の空間が埋められ、チャンバ内の処理空間において排気口89へと流れる気体流路が、基板G上方を通過するものに制限される。
ここで、チャンバ内の気圧が所定値(例えば400Pa以下)に達する、もしくは、減圧開始から所定時間が経過すると、不活性ガス供給部97の駆動により給気口92から所定流量の不活性ガスがチャンバ内に供給される。これにより、減圧環境下であっても、チャンバ内における気流が維持される。
尚、給気口92からの不活性ガスの供給は、減圧開始前、或いは減圧開始と同時に行われるよう制御されてもよい。
前記の減圧乾燥処理が終了すると、上部チャンバ移動手段87により上部チャンバ86が上昇移動し、基板Gは減圧乾燥ユニット(VD)46から次の処理工程に向け搬出される。
したがって、減圧乾燥処理において、基板Gに塗布されているレジスト液Rからの蒸発物を効率的に排気することができ、レジスト液Rの乾燥速度を向上することができる。
第二の実施形態において、減圧乾燥ユニット(VD)46は、前記第一の実施の形態と同様に、上面が開口している底浅容器型の下部チャンバ85と、この下部チャンバ85の上面に気密に密着可能に構成された蓋状の上部チャンバ86とを有している。
また、第一の実施の形態では、基板Gの下方に排気口89が設けられていたが、第二の実施の形態では、図示するように複数(図では3つ)の排気口101が基板Gの側方に並んで設けられている。これら複数の排気口101と給気口92とは、基板Gを挟んだ状態で基板Gよりも下方位置に設けられている。
したがって、この第二の実施形態によっても、基板上方には、減圧乾燥処理の間、基板Gの上面全体に対し均一な流量で気体が流れ続け、その結果、基板上面に塗布されているレジスト液Rの乾燥速度が向上し、より短時間で減圧乾燥処理を行うことができる。
この第三の実施形態において図示する減圧乾燥ユニット(VD)46の構成においては、前記第二の実施の形態で示された給気口92及び不活性ガス供給部97(給気手段)を具備せず、また、チャンバ内に設けられた整流手段の形態が異なる。
即ち、整流手段として、前記第二の実施の形態に示したブロック部材102ではなく、図11に示すように、複数(図では3つ)の排気口101が形成されたブロック部材104(第四整流部材)と、基板Gを挟んでブロック部材104の反対側に設けられたブロック部材103(第四整流部材)を備えている。
したがって、この第三の実施形態によっても、基板上方には、減圧乾燥処理の間、基板Gの上面全体に対し均一な流量で気体が流れ続け、その結果、基板上面に塗布されているレジスト液Rの乾燥速度が向上し、より短時間で減圧乾燥処理を行うことができる。
また、この第三の実施の形態において、図10、11に示した例にあっては、第二の実施形態で示したような給気口92及び不活性ガス供給部97(給気手段)を具備しないものであったが、基板Gを挟んで排気口101の反対側の基板側方に前記給気口92を設けてもよい(図11におけるブロック部材103の外側付近等)。
第四の実施形態において、減圧乾燥ユニット(VD)46は、前記第二の実施の形態とはチャンバ内に設けられた整流手段のみが異なる。
即ち、前記第二の実施の形態に示したブロック部材102ではなく、図13、図14に示すように、排気口101とは基板Gを挟んで反対側における基板縁部の下方空間を少なくとも埋める整流手段としてのブロック部材106(第六整流部材)が設けられている。
尚、ブロック部材106は、下部チャンバ85と一体形成されてもよく、或いは別部材であってもよい。
したがって、この第四の実施形態によっても、基板上方には、減圧乾燥処理の間、基板Gの上面全体に対し均一な流量で気体が流れ続け、その結果、基板上面に塗布されているレジスト液Rの乾燥速度が向上し、より短時間で減圧乾燥処理を行うことができる。
なお、この第五の実施形態にあっては、前記した第一乃至第四の実施形態とは異なり、基板Gを保持するステージが昇降可能な構成であることに特徴を有するが、前記した実施形態との共通部分については、同じ符号で示し、その詳細な説明は省略する。
図示するように、減圧乾燥ユニット(VD)46の下部チャンバ85には、複数の排気口101と1つの給気口92とが、基板Gを挟んだ状態で基板Gよりも下方位置に設けられている。
さらに、図16に示すように、前記ブロック部材107,108の左右両側には、基板Gの左右側方に壁を形成し、基板側方への不活性ガスの流れを抑制するためのサイドバー部材109(第八整流部材)が設けられている。
尚、このサイドバー部材109は、図示するように棒状(若しくは板状)に形成されて、基板Gの左右側方の空間を遮るようにして設けてもよく、或いは、基板Gの左右側方の空間を埋めるようにして設けてもよい。
また、このサイドバー部材109は、基板G上に気流を形成しやすくするために、少なくとも基板Gの左右側辺の長さよりも長く形成される。
ここで、図示するようにサイドバー部材109の端部(特に排気口101側)は、チャンバ内壁に接することなく設けられてもよい。この場合、基板Gの左右側方の空間の一部が遮られた状態となるが、基板側方への不活性ガスの流れを十分に抑制することができる。
また、図16に示した例に限らず、サイドバー部材109を、その両端部が相対向するチャンバ内壁に接する長さに形成し、基板Gの左右側方の空間を全て遮る(埋める)構成としてもよい。
この昇降装置99が設けられることにより、基板Gの搬入出の際には、上部チャンバ86が上昇してチャンバが開き、ステージ88が下部チャンバ85の上面高さ付近まで上昇移動される。この状態で、基板Gは例えば搬送アーム82によりステージ88上から搬入出される。
次いで、真空ポンプ91が作動し、排気口101から処理空間内の空気が吸引され、処理空間の気圧が所定の真空状態となるまで減圧される。ここで、基板Gの上面は上部チャンバ86の下面に近接しており、基板Gの上面には殆ど雰囲気の流れが生じない状態となされる。これにより、基板Gに成膜されたレジスト液Rは減圧による自然乾燥が最初に施され、転写跡などの発生が抑制される。
次いで、不活性ガス供給部97の駆動により給気口92から所定流量の不活性ガスがチャンバ内に供給される。これにより、減圧環境下であっても、チャンバ内における気流が維持される。
また、排気口101は、処理空間の底面に形成した例を示したが、それに限定されず、チャンバ内壁等に形成されていてもよく、また、基板Gの側方において、基板Gの高さ位置近傍であれば、基板Gよりも多少上方に形成されていてもよい。
さらに排気口89、101の形状は、正円形を示したが、それに限定されず、長穴、方形等、他の形状であってもよい。
或いは、排気口89、101、及び給気口92はそれぞれ、チャンバに設けた穴ではなく、ノズル型の口でもよい。
尚、図20は、前記実施の形態と同様に、平面視コの字形状の整流板と、ブロック部材とサイドバー部材とが設けられた減圧乾燥ユニットのチャンバ構造を示し、前記実施の形態で示した部材に対応するものは同じ符号で示す。図20(a)は下部チャンバの平面図、図20(b)はそのD−D矢視断面図である。また、図20(b)においては、上部チャンバによるチャンバ天井部分も示している。
また、比較例1の結果として、減圧乾燥中における気圧100Pa、流量11L/min時の基板上の気体の流線跡を図24(a)の斜視断面図に示し、現像処理後の基板上における残膜率の分布を図24(b)に示す。
さらに、比較例2の結果として、減圧乾燥中における気圧100Pa、流量11L/min時の基板上の気体の流線跡を図25(a)の斜視断面図に示し、現像処理後の基板上における残膜率の分布を図25(b)に示す。
Claims (8)
- 処理液が塗布された被処理基板に対し前記処理液の減圧乾燥処理を行い、塗布膜を形成する減圧乾燥装置であって、
被処理基板を収容し、処理空間を形成するチャンバと、
前記チャンバ内に設けられ、前記被処理基板を保持する保持部と、
前記チャンバ内に形成された排気口と、
前記排気口からチャンバ内の雰囲気を排気する排気手段と、
前記チャンバ内において、前記排気手段の動作により形成される気流の上流側であって、前記基板の側方に形成された給気口と、
前記給気口から不活性ガスをチャンバ内の処理空間に供給する給気手段と、
前記チャンバ内に設けられ、前記排気手段の排気動作により、前記基板上面を一方向に流れる気流の流路を形成する整流手段とを備え、
前記整流手段が、少なくとも前記保持部に保持された被処理基板の周縁下方空間を埋める整流部材であることを特徴とする減圧乾燥装置。 - 前記整流部材には、前記排気口が形成され、
前記排気口は、前記保持部に保持された被処理基板の縁部近傍に形成され、
前記整流部材により、前記排気口側の基板縁部の下方空間と、前記基板を挟んで前記排気口の反対側の基板縁部の下方空間とが少なくとも埋められることを特徴とする請求項1に記載された減圧乾燥装置。 - 前記整流部材には、前記排気口と前記給気口とが形成され、
前記排気口と給気口とは、前記保持部に保持された被処理基板を挟んで該基板の周縁近傍にそれぞれ形成され、
前記整流部材により前記排気口側の基板縁部の下方空間と、前記基板を挟んで前記排気口の反対側の基板縁部の下方空間とが少なくとも埋められることを特徴とする請求項1に記載された減圧乾燥装置。 - 前記排気口は、前記被処理基板の側方に形成され、
前記整流部材により、前記排気口に対し、前記保持部に保持された被処理基板を挟んで反対側の基板縁部の下方空間を少なくとも埋めることを特徴とする請求項1に記載された減圧乾燥装置。 - 前記排気口は、前記被処理基板の側方に形成され、
前記整流部材には、前記給気口が形成され、
前記整流部材において、前記給気口は、前記保持部に保持された被処理基板を挟んで前記排気口の反対側に形成され、
前記整流部材により前記給気口側の基板縁部の下方空間が少なくとも埋められることを特徴とする請求項1に記載された減圧乾燥装置。 - 前記請求項1乃至請求項5のいずれかに記載された減圧乾燥装置において、処理液が塗布された被処理基板に対し前記処理液の減圧乾燥処理を行い、塗布膜を形成する減圧乾燥方法であって、
前記保持部に被処理基板を保持するステップと、
前記排気手段により前記チャンバ内の処理空間を減圧すると共に、前記給気手段により前記チャンバ内に不活性ガスを給気するステップとを実行することを特徴とする減圧乾燥方法。 - 前記排気手段により前記チャンバ内の処理空間を減圧すると共に、前記給気手段により前記チャンバ内に不活性ガスを給気するステップにおいて、
前記チャンバ内の減圧開始前、或いは同時に、チャンバ内に給気開始することを特徴とする請求項6に記載された減圧乾燥方法。 - 前記排気手段により前記チャンバ内の処理空間を減圧すると共に、前記給気手段により前記チャンバ内に不活性ガスを給気するステップにおいて、
前記チャンバ内の処理空間を減圧開始するステップと、
前記チャンバ内の気圧が減圧されて所定値に達したとき、もしくは、前記チャンバ内の減圧開始から所定時間が経過したときに、前記チャンバ内に不活性ガスを給気するステップとを実行することを特徴とする請求項6に記載された減圧乾燥方法。
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Family Cites Families (26)
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JP3581292B2 (ja) * | 2000-03-22 | 2004-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置および処理方法 |
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JP4079596B2 (ja) * | 2001-01-04 | 2008-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱処理装置 |
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JP2003145029A (ja) * | 2001-11-14 | 2003-05-20 | Canon Inc | 膜形成方法 |
JP4331443B2 (ja) * | 2002-07-09 | 2009-09-16 | 平田機工株式会社 | 基板処理装置 |
JP2004335840A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Personal Creation Ltd | 基板からの水分除去装置及び水分除去方法 |
JP2006059844A (ja) * | 2004-08-17 | 2006-03-02 | Seiko Epson Corp | 減圧乾燥装置 |
JP3960332B2 (ja) * | 2004-11-29 | 2007-08-15 | セイコーエプソン株式会社 | 減圧乾燥装置 |
JP2006210496A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Seiko Epson Corp | 基板乾燥装置、およびこれを備えた基板処理システム、並びに電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 |
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JP2006261379A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 減圧乾燥装置、排気装置および減圧乾燥方法 |
JP2006324506A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の乾燥処理装置及び乾燥処理方法 |
JP4145905B2 (ja) * | 2005-08-01 | 2008-09-03 | セイコーエプソン株式会社 | 減圧乾燥装置 |
JP4319175B2 (ja) * | 2005-08-11 | 2009-08-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧乾燥装置 |
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JP2008192844A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び塗布現像処理装置 |
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