JP2002346458A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JP2002346458A JP2002346458A JP2001151861A JP2001151861A JP2002346458A JP 2002346458 A JP2002346458 A JP 2002346458A JP 2001151861 A JP2001151861 A JP 2001151861A JP 2001151861 A JP2001151861 A JP 2001151861A JP 2002346458 A JP2002346458 A JP 2002346458A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 塗布膜が形成された基板における、基板が載
置されるステージおよび支持ピンの転写跡の発生を防止
した基板処理装置を提供する。 【解決手段】 本発明の基板処理装置の一実施形態であ
る減圧乾燥処理ユニット(VD)40は、表面に所定の
塗布膜が形成された基板Gを略水平に載置するステージ
63と、ステージ63に載置された基板Gおよびステー
ジ63を内部に収容する上部チャンバ61と下部チャン
バ62とからなるチャンバ60と、チャンバ60内を減
圧するための排気ポンプ66とを具備する。この排気ポ
ンプ66によるチャンバ60からの排気を行うために排
気口64を、下部チャンバ62の底壁のステージ63直
下にあたる部分に形成することで、基板Gにおけるステ
ージ63に起因する転写跡の発生を抑制する。
置されるステージおよび支持ピンの転写跡の発生を防止
した基板処理装置を提供する。 【解決手段】 本発明の基板処理装置の一実施形態であ
る減圧乾燥処理ユニット(VD)40は、表面に所定の
塗布膜が形成された基板Gを略水平に載置するステージ
63と、ステージ63に載置された基板Gおよびステー
ジ63を内部に収容する上部チャンバ61と下部チャン
バ62とからなるチャンバ60と、チャンバ60内を減
圧するための排気ポンプ66とを具備する。この排気ポ
ンプ66によるチャンバ60からの排気を行うために排
気口64を、下部チャンバ62の底壁のステージ63直
下にあたる部分に形成することで、基板Gにおけるステ
ージ63に起因する転写跡の発生を抑制する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、液晶ディ
スプレイ(LCD)用ガラス基板や半導体ウエハ等の基
板であって、その表面に塗布膜が形成された基板を処理
する基板処理装置に関する。
スプレイ(LCD)用ガラス基板や半導体ウエハ等の基
板であって、その表面に塗布膜が形成された基板を処理
する基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、液晶ディスプレイ(LCD)の製
造においては、LCDの大型化や量産化、薄型化を目的
として、基板としてより薄くしかも大型のガラス製矩形
基板が用いられるようになってきており、この基板への
回路パターンの形成には、基板にフォトレジスト液を塗
布してレジスト膜を形成し、所定の回路パターンにてレ
ジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆ
るフォトリソグラフィ技術が用いられている。
造においては、LCDの大型化や量産化、薄型化を目的
として、基板としてより薄くしかも大型のガラス製矩形
基板が用いられるようになってきており、この基板への
回路パターンの形成には、基板にフォトレジスト液を塗
布してレジスト膜を形成し、所定の回路パターンにてレ
ジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆ
るフォトリソグラフィ技術が用いられている。
【0003】このような回路パターンの形成は、複数の
処理ユニットが集約されたレジスト塗布・現像処理シス
テムを用いて行われる。このようなシステムにおいて
は、まず、基板に対して必要に応じて紫外線照射により
表面改質・洗浄処理が行われた後、洗浄ユニットにより
ブラシ洗浄および超音波水洗浄が施される。その後、基
板はレジストの安定性を高めるために、アドヒージョン
処理ユニットにて疎水化処理(HMDS処理)され、引
き続き、レジスト塗布処理ユニットにてレジスト塗布が
行われる。こうして、レジスト膜が形成された基板に
は、加熱ユニットによるプリベーク、露光装置による所
定のパターンの露光、現像処理ユニットでの現像処理、
加熱ユニットでのポストベーク処理が順次施され、基板
に所定の回路パターンが形成される。
処理ユニットが集約されたレジスト塗布・現像処理シス
テムを用いて行われる。このようなシステムにおいて
は、まず、基板に対して必要に応じて紫外線照射により
表面改質・洗浄処理が行われた後、洗浄ユニットにより
ブラシ洗浄および超音波水洗浄が施される。その後、基
板はレジストの安定性を高めるために、アドヒージョン
処理ユニットにて疎水化処理(HMDS処理)され、引
き続き、レジスト塗布処理ユニットにてレジスト塗布が
行われる。こうして、レジスト膜が形成された基板に
は、加熱ユニットによるプリベーク、露光装置による所
定のパターンの露光、現像処理ユニットでの現像処理、
加熱ユニットでのポストベーク処理が順次施され、基板
に所定の回路パターンが形成される。
【0004】ここで、レジストの塗布処理工程について
より詳細に説明すると、最初に、疎水化処理された基板
を水平回転可能なスピンチャックに吸着保持して、基板
上部より基板の略中央部に所定量のレジスト液を供給し
た後に基板を所定の回転数で回転し、遠心力によりレジ
スト液を拡散させて基板上にレジスト膜を形成する。次
に、レジスト膜が形成された基板を、減圧チャンバに搬
送して減圧下に保持し、レジスト膜に含まれている溶剤
の一部を蒸発させる減圧乾燥処理を行う。続いて、基板
を周縁レジスト除去ユニットに搬送して、そこで基板の
周縁部に形成されたレジスト膜を除去し、その後に加熱
ユニットに搬送してプリベーク処理する。
より詳細に説明すると、最初に、疎水化処理された基板
を水平回転可能なスピンチャックに吸着保持して、基板
上部より基板の略中央部に所定量のレジスト液を供給し
た後に基板を所定の回転数で回転し、遠心力によりレジ
スト液を拡散させて基板上にレジスト膜を形成する。次
に、レジスト膜が形成された基板を、減圧チャンバに搬
送して減圧下に保持し、レジスト膜に含まれている溶剤
の一部を蒸発させる減圧乾燥処理を行う。続いて、基板
を周縁レジスト除去ユニットに搬送して、そこで基板の
周縁部に形成されたレジスト膜を除去し、その後に加熱
ユニットに搬送してプリベーク処理する。
【0005】ここで、レジスト膜が形成された基板を減
圧乾燥する減圧乾燥処理ユニットとしては、例えば、図
5の断面図に示すように、下部容器95aと昇降可能に
設けられた蓋体95bからなるチャンバ95内に、ステ
ージ96が配設されたものが用いられている。レジスト
膜が塗布された基板Gは、基板Gの対向する辺の周縁部
を下側から支持して搬送されるために、この基板Gの搬
送を容易に行うことができるように、ステージ96の大
きさは、基板Gよりも小さく設定されている。また、ス
テージ96の表面の所定位置に支持ピン97が設けら
れ、基板Gはステージ96の表面に直接に接触すること
なく、支持ピン97に当接して保持される。下部容器9
5aの底壁には、チャンバ95内の排気を行うための排
気口98が、ステージ96の直下から外れた位置に設け
られている。
圧乾燥する減圧乾燥処理ユニットとしては、例えば、図
5の断面図に示すように、下部容器95aと昇降可能に
設けられた蓋体95bからなるチャンバ95内に、ステ
ージ96が配設されたものが用いられている。レジスト
膜が塗布された基板Gは、基板Gの対向する辺の周縁部
を下側から支持して搬送されるために、この基板Gの搬
送を容易に行うことができるように、ステージ96の大
きさは、基板Gよりも小さく設定されている。また、ス
テージ96の表面の所定位置に支持ピン97が設けら
れ、基板Gはステージ96の表面に直接に接触すること
なく、支持ピン97に当接して保持される。下部容器9
5aの底壁には、チャンバ95内の排気を行うための排
気口98が、ステージ96の直下から外れた位置に設け
られている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなチャンバ95を用いてレジスト膜が形成された基板
を減圧乾燥した場合には、プリベーク処理後に、基板G
に支持ピン97の当接による転写跡が基板Gに生ずる場
合があった。また、基板Gには、ステージ96の外周に
沿った転写跡が発生する場合もあり、このような転写跡
の発生が、基板Gの品質を低下させ、また、歩留まりを
低下させるという問題があった。
うなチャンバ95を用いてレジスト膜が形成された基板
を減圧乾燥した場合には、プリベーク処理後に、基板G
に支持ピン97の当接による転写跡が基板Gに生ずる場
合があった。また、基板Gには、ステージ96の外周に
沿った転写跡が発生する場合もあり、このような転写跡
の発生が、基板Gの品質を低下させ、また、歩留まりを
低下させるという問題があった。
【0007】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたものであり、基板に減圧乾燥処理に起因
する転写跡が発生することを防止した基板処理装置を提
供することを目的とする。
鑑みてなされたものであり、基板に減圧乾燥処理に起因
する転写跡が発生することを防止した基板処理装置を提
供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明によれ
ば、基板の表面に形成された塗布膜を減圧雰囲気にて乾
燥処理する基板処理装置であって、基板を略水平に載置
可能なステージと、前記ステージに載置された基板およ
び前記ステージを内部に収容するチャンバと、前記チャ
ンバの底部に形成された排気口を介して排気し、前記チ
ャンバ内を減圧する減圧装置と、を具備し、前記排気口
は前記ステージの直下に形成されていることを特徴とす
る基板処理装置、が提供される。
ば、基板の表面に形成された塗布膜を減圧雰囲気にて乾
燥処理する基板処理装置であって、基板を略水平に載置
可能なステージと、前記ステージに載置された基板およ
び前記ステージを内部に収容するチャンバと、前記チャ
ンバの底部に形成された排気口を介して排気し、前記チ
ャンバ内を減圧する減圧装置と、を具備し、前記排気口
は前記ステージの直下に形成されていることを特徴とす
る基板処理装置、が提供される。
【0009】また、本発明によれば、基板の表面に形成
された塗布膜を減圧雰囲気にて乾燥処理する基板処理装
置であって、基板の表面に所定の処理液を塗布して塗布
膜を形成する塗布処理部と、前記塗布処理部において塗
布膜が形成された基板を減圧雰囲気に保持して乾燥させ
る減圧乾燥部と、前記減圧乾燥部において処理された基
板の周縁部の塗布膜を除去する周縁塗布膜除去部と、を
具備し、前記減圧乾燥部は、基板を略水平に載置可能な
ステージと、前記ステージに載置された基板および前記
ステージを内部に収容するチャンバと、前記チャンバの
底部に形成された排気口を介して排気し、前記チャンバ
内を減圧する減圧装置と、を有し、前記排気口は前記ス
テージの直下に形成されていることを特徴とする基板処
理装置、が提供される。
された塗布膜を減圧雰囲気にて乾燥処理する基板処理装
置であって、基板の表面に所定の処理液を塗布して塗布
膜を形成する塗布処理部と、前記塗布処理部において塗
布膜が形成された基板を減圧雰囲気に保持して乾燥させ
る減圧乾燥部と、前記減圧乾燥部において処理された基
板の周縁部の塗布膜を除去する周縁塗布膜除去部と、を
具備し、前記減圧乾燥部は、基板を略水平に載置可能な
ステージと、前記ステージに載置された基板および前記
ステージを内部に収容するチャンバと、前記チャンバの
底部に形成された排気口を介して排気し、前記チャンバ
内を減圧する減圧装置と、を有し、前記排気口は前記ス
テージの直下に形成されていることを特徴とする基板処
理装置、が提供される。
【0010】このような本発明の基板処理装置によれ
ば、基板にステージの外周に沿った転写跡が発生するこ
とが抑制される。また、ステージ上に基板に当接して基
板を保持する支持ピンを設けた場合にも、支持ピンに起
因する転写跡の発生が抑制される。こうして、基板の品
質を高く維持することができるようになる。
ば、基板にステージの外周に沿った転写跡が発生するこ
とが抑制される。また、ステージ上に基板に当接して基
板を保持する支持ピンを設けた場合にも、支持ピンに起
因する転写跡の発生が抑制される。こうして、基板の品
質を高く維持することができるようになる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明の基板処理装置の実施の形態について説明する。こ
こでは、本発明の基板処理装置が適用されるLCD基板
のレジスト塗布・現像処理システムについて説明するこ
ととする。
発明の基板処理装置の実施の形態について説明する。こ
こでは、本発明の基板処理装置が適用されるLCD基板
のレジスト塗布・現像処理システムについて説明するこ
ととする。
【0012】図1はレジスト塗布・現像処理システム1
00の平面図である。このレジスト塗布・現像処理シス
テム100は、複数の基板Gを収容するカセットCを載
置するカセットステーション1と、基板Gにレジスト塗
布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理
ユニットを備えた処理部2と、図示しない露光装置との
間で基板Gの受け渡しを行うためのインターフェイス部
3とを備えており、処理部2の両端にそれぞれカセット
ステーション1およびインターフェイス部3が配置され
ている。
00の平面図である。このレジスト塗布・現像処理シス
テム100は、複数の基板Gを収容するカセットCを載
置するカセットステーション1と、基板Gにレジスト塗
布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理
ユニットを備えた処理部2と、図示しない露光装置との
間で基板Gの受け渡しを行うためのインターフェイス部
3とを備えており、処理部2の両端にそれぞれカセット
ステーション1およびインターフェイス部3が配置され
ている。
【0013】カセットステーション1は、カセットCと
処理部2との間で基板Gの搬送を行うための搬送機構1
0を備えている。そして、カセットステーション1にお
いてカセットCの搬入出が行われる。また、搬送機構1
0はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路10
a上を移動可能な搬送アーム11を備え、この搬送アー
ム11によりカセットCと処理部2との間で基板Gの搬
送が行われる。
処理部2との間で基板Gの搬送を行うための搬送機構1
0を備えている。そして、カセットステーション1にお
いてカセットCの搬入出が行われる。また、搬送機構1
0はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路10
a上を移動可能な搬送アーム11を備え、この搬送アー
ム11によりカセットCと処理部2との間で基板Gの搬
送が行われる。
【0014】処理部2は、前段部2aと中段部2bと後
段部2cとに分かれており、それぞれ中央に搬送路12
・13・14を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニ
ットが配設されている。そして、これらの間には中継部
15・16が設けられている。
段部2cとに分かれており、それぞれ中央に搬送路12
・13・14を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニ
ットが配設されている。そして、これらの間には中継部
15・16が設けられている。
【0015】前段部2aは、搬送路12に沿って移動可
能な主搬送装置17を備えており、搬送路12の一方側
には2つの洗浄処理ユニット(SCR)21a・21b
が配置されており、搬送路12の他方側には紫外線照射
ユニット(UV)と冷却処理ユニット(COL)とが2
段に重ねられた処理ブロック25、加熱処理ユニット
(HP)が2段に重ねられてなる処理ブロック26およ
び冷却処理ユニット(COL)が2段に重ねられてなる
処理ブロック27が配置されている。
能な主搬送装置17を備えており、搬送路12の一方側
には2つの洗浄処理ユニット(SCR)21a・21b
が配置されており、搬送路12の他方側には紫外線照射
ユニット(UV)と冷却処理ユニット(COL)とが2
段に重ねられた処理ブロック25、加熱処理ユニット
(HP)が2段に重ねられてなる処理ブロック26およ
び冷却処理ユニット(COL)が2段に重ねられてなる
処理ブロック27が配置されている。
【0016】また、中段部2bは、搬送路13に沿って
移動可能な主搬送装置18を備えており、搬送路13の
一方側には、レジスト塗布処理ユニット(CT)22、
減圧乾燥処理ユニット(VD)40および基板Gの周縁
部のレジストを除去する周縁レジスト除去ユニット(エ
ッジリムーバー;ER)23が一体的に設けられて配置
され、塗布系処理ユニット群80を構成している。この
塗布系処理ユニット群80では、レジスト塗布処理ユニ
ット(CT)22で基板Gにレジストが塗布された後、
基板Gが減圧乾燥処理ユニット(VD)40に搬送され
て乾燥処理され、その後、エッジリムーバー(ER)2
3により周縁部レジスト除去処理が行われるようになっ
ている。
移動可能な主搬送装置18を備えており、搬送路13の
一方側には、レジスト塗布処理ユニット(CT)22、
減圧乾燥処理ユニット(VD)40および基板Gの周縁
部のレジストを除去する周縁レジスト除去ユニット(エ
ッジリムーバー;ER)23が一体的に設けられて配置
され、塗布系処理ユニット群80を構成している。この
塗布系処理ユニット群80では、レジスト塗布処理ユニ
ット(CT)22で基板Gにレジストが塗布された後、
基板Gが減圧乾燥処理ユニット(VD)40に搬送され
て乾燥処理され、その後、エッジリムーバー(ER)2
3により周縁部レジスト除去処理が行われるようになっ
ている。
【0017】搬送路13の他方側には加熱処理ユニット
(HP)が2段に重ねられてなる処理ブロック28、加
熱処理ユニット(HP)と冷却処理ユニット(COL)
が上下に重ねられてなる処理ブロック29、およびアド
ヒージョン処理ユニット(AD)と冷却処理ユニット
(COL)とが上下に重ねられてなる処理ブロック30
が配置されている。
(HP)が2段に重ねられてなる処理ブロック28、加
熱処理ユニット(HP)と冷却処理ユニット(COL)
が上下に重ねられてなる処理ブロック29、およびアド
ヒージョン処理ユニット(AD)と冷却処理ユニット
(COL)とが上下に重ねられてなる処理ブロック30
が配置されている。
【0018】さらに、後段部2cは、搬送路14に沿っ
て移動可能な主搬送装置19を備えており、搬送路14
の一方側には3つの現像処理ユニット(DEV)24a
・24b・24cが配置されており、搬送路14の他方
側には加熱処理ユニット(HP)が2段に重ねられてな
る処理ブロック31、およびともに加熱処理ユニット
(HP)と冷却処理ユニット(COL)が上下に重ねら
れてなる処理ブロック32・33が配置されている。
て移動可能な主搬送装置19を備えており、搬送路14
の一方側には3つの現像処理ユニット(DEV)24a
・24b・24cが配置されており、搬送路14の他方
側には加熱処理ユニット(HP)が2段に重ねられてな
る処理ブロック31、およびともに加熱処理ユニット
(HP)と冷却処理ユニット(COL)が上下に重ねら
れてなる処理ブロック32・33が配置されている。
【0019】なお、処理部2は、搬送路を挟んで一方の
側に洗浄処理ユニット21a、レジスト塗布処理ユニッ
ト(CT)22、減圧乾燥処理ユニット(VD)40、
エッジリムーバー(ER)23、現像処理ユニット(D
EV)24aのようなスピナー系ユニットのみを配置し
ており、他方の側に加熱処理ユニット(HP)や冷却処
理ユニット(COL)等の熱系処理ユニットのみを配置
する構造となっている。また、中継部15・16のスピ
ナー系ユニット配置側の部分には薬液供給ユニット34
が配置されており、さらに主搬送装置のメンテナンスを
行うためのスペース35が設けられている。
側に洗浄処理ユニット21a、レジスト塗布処理ユニッ
ト(CT)22、減圧乾燥処理ユニット(VD)40、
エッジリムーバー(ER)23、現像処理ユニット(D
EV)24aのようなスピナー系ユニットのみを配置し
ており、他方の側に加熱処理ユニット(HP)や冷却処
理ユニット(COL)等の熱系処理ユニットのみを配置
する構造となっている。また、中継部15・16のスピ
ナー系ユニット配置側の部分には薬液供給ユニット34
が配置されており、さらに主搬送装置のメンテナンスを
行うためのスペース35が設けられている。
【0020】主搬送装置17・18・19は、それぞれ
水平面内の2方向のX軸駆動機構、Y軸駆動機構、およ
び垂直方向のZ軸駆動機構を備えており、さらにZ軸を
中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞれ基
板Gを支持するアームを有している。
水平面内の2方向のX軸駆動機構、Y軸駆動機構、およ
び垂直方向のZ軸駆動機構を備えており、さらにZ軸を
中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞれ基
板Gを支持するアームを有している。
【0021】主搬送装置17は搬送アーム17aを有
し、搬送機構10の搬送アーム11との間で基板Gの受
け渡しを行うとともに、前段部2aの各処理ユニットに
対する基板Gの搬入・搬出、さらには中継部15との間
で基板Gの受け渡しを行う機能を有している。また、主
搬送装置18は搬送アーム18aを有し、中継部15と
の間で基板Gの受け渡しを行うとともに、中段部2bの
各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さらには
中継部16との間の基板Gの受け渡しを行う機能を有し
ている。さらに、主搬送装置19は搬送アーム19aを
有し、中継部16との間で基板Gの受け渡しを行うとと
もに、後段部2cの各処理ユニットに対する基板Gの搬
入・搬出、さらにはインターフェイス部3との間の基板
Gの受け渡しを行う機能を有している。なお、中継部1
5・16は冷却プレートとしても機能する。
し、搬送機構10の搬送アーム11との間で基板Gの受
け渡しを行うとともに、前段部2aの各処理ユニットに
対する基板Gの搬入・搬出、さらには中継部15との間
で基板Gの受け渡しを行う機能を有している。また、主
搬送装置18は搬送アーム18aを有し、中継部15と
の間で基板Gの受け渡しを行うとともに、中段部2bの
各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さらには
中継部16との間の基板Gの受け渡しを行う機能を有し
ている。さらに、主搬送装置19は搬送アーム19aを
有し、中継部16との間で基板Gの受け渡しを行うとと
もに、後段部2cの各処理ユニットに対する基板Gの搬
入・搬出、さらにはインターフェイス部3との間の基板
Gの受け渡しを行う機能を有している。なお、中継部1
5・16は冷却プレートとしても機能する。
【0022】インターフェイス部3は、処理部2との間
で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエク
ステンション36と、さらにその両側に設けられた、バ
ッファカセットを配置する2つのバッファステージ37
と、これらと露光装置(図示せず)との間の基板Gの搬
入出を行う搬送機構38とを備えている。搬送機構38
はエクステンション36およびバッファステージ37の
配列方向に沿って設けられた搬送路38a上を移動可能
な搬送アーム39を備え、この搬送アーム39により処
理部2と露光装置との間で基板Gの搬送が行われる。
で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエク
ステンション36と、さらにその両側に設けられた、バ
ッファカセットを配置する2つのバッファステージ37
と、これらと露光装置(図示せず)との間の基板Gの搬
入出を行う搬送機構38とを備えている。搬送機構38
はエクステンション36およびバッファステージ37の
配列方向に沿って設けられた搬送路38a上を移動可能
な搬送アーム39を備え、この搬送アーム39により処
理部2と露光装置との間で基板Gの搬送が行われる。
【0023】このように各処理ユニットを集約して一体
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。
【0024】このように構成されたレジスト塗布・現像
処理システムにおいては、カセットC内の基板Gが処理
部2に搬送され、処理部2では、まず前段部2aの処理
ブロック25の紫外線照射ユニット(UV)で表面改質
・洗浄処理が行われ、冷却処理ユニット(COL)で冷
却された後、洗浄処理ユニット(SCR)21a・21
bでスクラブ洗浄が施され、処理ブロック26のいずれ
かの加熱処理ユニット(HP)で加熱乾燥された後、処
理ブロック27のいずれかの冷却処理ユニット(CO
L)で冷却される。
処理システムにおいては、カセットC内の基板Gが処理
部2に搬送され、処理部2では、まず前段部2aの処理
ブロック25の紫外線照射ユニット(UV)で表面改質
・洗浄処理が行われ、冷却処理ユニット(COL)で冷
却された後、洗浄処理ユニット(SCR)21a・21
bでスクラブ洗浄が施され、処理ブロック26のいずれ
かの加熱処理ユニット(HP)で加熱乾燥された後、処
理ブロック27のいずれかの冷却処理ユニット(CO
L)で冷却される。
【0025】その後、基板Gは中段部2bに搬送され、
レジストの定着性を高めるために、処理ブロック30の
上段のアドヒージョン処理ユニット(AD)にて疎水化
処理(HMDS処理)された後、下段の冷却処理ユニッ
ト(COL)で冷却される。次いで、レジスト塗布処理
ユニット(CT)22において、基板Gにレジストが塗
布される。
レジストの定着性を高めるために、処理ブロック30の
上段のアドヒージョン処理ユニット(AD)にて疎水化
処理(HMDS処理)された後、下段の冷却処理ユニッ
ト(COL)で冷却される。次いで、レジスト塗布処理
ユニット(CT)22において、基板Gにレジストが塗
布される。
【0026】このレジスト塗布工程では、例えば、レジ
スト液を基板Gに供給する前に、基板Gを回転させなが
らシンナー等を供給して基板Gの表面のレジスト液に対
する濡れ性を向上させて、その後に基板Gを一旦静止さ
せ、レジスト液を基板Gに供給してから再び基板Gを回
転させて基板Gの全面にレジスト液を拡げるようにし
て、レジスト膜が形成される。
スト液を基板Gに供給する前に、基板Gを回転させなが
らシンナー等を供給して基板Gの表面のレジスト液に対
する濡れ性を向上させて、その後に基板Gを一旦静止さ
せ、レジスト液を基板Gに供給してから再び基板Gを回
転させて基板Gの全面にレジスト液を拡げるようにし
て、レジスト膜が形成される。
【0027】レジスト膜が塗布された基板Gは、減圧乾
燥処理ユニット(VD)40に搬送されて、そこで減圧
乾燥処理が施され、その後にエッジリムーバー(ER)
23へ搬送され、基板Gの周縁部のレジストの除去が行
われる。その後、基板Gは、中段部2bの中の加熱処理
ユニット(HP)の1つでプリベーク処理され、処理ブ
ロック29または30の下段の冷却処理ユニット(CO
L)で冷却される。
燥処理ユニット(VD)40に搬送されて、そこで減圧
乾燥処理が施され、その後にエッジリムーバー(ER)
23へ搬送され、基板Gの周縁部のレジストの除去が行
われる。その後、基板Gは、中段部2bの中の加熱処理
ユニット(HP)の1つでプリベーク処理され、処理ブ
ロック29または30の下段の冷却処理ユニット(CO
L)で冷却される。
【0028】次いで、基板Gは中継部16から主搬送装
置19にてインターフェイス部3を介して露光装置に搬
送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、
基板Gは再びインターフェイス部3を介して搬入され、
必要に応じて後段部2cの処理ブロック31・32・3
3のいずれかの加熱処理ユニット(HP)でポストエク
スポージャーベーク処理を施した後、現像処理ユニット
(DEV)24a・24b・24cのいずれかで現像処
理され、所定の回路パターンが形成される。
置19にてインターフェイス部3を介して露光装置に搬
送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、
基板Gは再びインターフェイス部3を介して搬入され、
必要に応じて後段部2cの処理ブロック31・32・3
3のいずれかの加熱処理ユニット(HP)でポストエク
スポージャーベーク処理を施した後、現像処理ユニット
(DEV)24a・24b・24cのいずれかで現像処
理され、所定の回路パターンが形成される。
【0029】現像処理された基板Gは、後段部2cのい
ずれかの加熱処理ユニット(HP)にてポストベーク処
理が施された後、いずれかの冷却処理ユニット(CO
L)にて冷却され、主搬送装置19・18・17および
搬送機構10によってカセットステーション1上の所定
のカセットCに収容される。
ずれかの加熱処理ユニット(HP)にてポストベーク処
理が施された後、いずれかの冷却処理ユニット(CO
L)にて冷却され、主搬送装置19・18・17および
搬送機構10によってカセットステーション1上の所定
のカセットCに収容される。
【0030】次に、本発明の基板処理装置の一形態であ
る減圧乾燥処理ユニット(VD)40について、塗布系
処理ユニット群80の全体構成とともに説明する。図2
および図3は、塗布系処理ユニット群80を示す概略平
面図および概略側面図である。図2および図3に示すよ
うに、これらレジスト塗布処理ユニット(CT)22、
減圧乾燥処理ユニット(VD)40、およびエッジリム
ーバー(ER)23は、同一のステージに一体的に並列
されている。レジスト塗布処理ユニット(CT)22で
レジストが塗布された基板Gは、一対の搬送アーム41
により減圧乾燥処理ユニット(VD)40に搬送され、
この減圧乾燥処理ユニット(VD)40で乾燥処理され
た基板Gは、一対の搬送アーム42によりエッジリムー
バー(ER)23に搬送されるようになっている。
る減圧乾燥処理ユニット(VD)40について、塗布系
処理ユニット群80の全体構成とともに説明する。図2
および図3は、塗布系処理ユニット群80を示す概略平
面図および概略側面図である。図2および図3に示すよ
うに、これらレジスト塗布処理ユニット(CT)22、
減圧乾燥処理ユニット(VD)40、およびエッジリム
ーバー(ER)23は、同一のステージに一体的に並列
されている。レジスト塗布処理ユニット(CT)22で
レジストが塗布された基板Gは、一対の搬送アーム41
により減圧乾燥処理ユニット(VD)40に搬送され、
この減圧乾燥処理ユニット(VD)40で乾燥処理され
た基板Gは、一対の搬送アーム42によりエッジリムー
バー(ER)23に搬送されるようになっている。
【0031】このレジスト塗布処理ユニット(CT)2
2は、基板Gを吸着保持する水平回転可能なスピンチャ
ック51、このスピンチャック51の上端部を囲み、か
つ、このスピンチャック51に吸着保持された基板Gを
包囲して上端部が開口する有底開口円筒形状の回転カッ
プ52、この回転カップ52の上端開口にかぶせられる
図示しない蓋体、回転カップ52の外周を取り囲むよう
に固定配置されるドレンカップ53を有している。これ
により、後述するレジスト液の滴下時には、蓋体が開か
れた状態で基板Gがスピンチャック51により回転さ
れ、レジスト液の拡散時には、基板Gがスピンチャック
51により回転されると同時に、蓋体が閉じられた状態
の回転カップ52が回転されるようになっている。な
お、ドレンカップ53の外周には、アウターカバー54
が設けられている。
2は、基板Gを吸着保持する水平回転可能なスピンチャ
ック51、このスピンチャック51の上端部を囲み、か
つ、このスピンチャック51に吸着保持された基板Gを
包囲して上端部が開口する有底開口円筒形状の回転カッ
プ52、この回転カップ52の上端開口にかぶせられる
図示しない蓋体、回転カップ52の外周を取り囲むよう
に固定配置されるドレンカップ53を有している。これ
により、後述するレジスト液の滴下時には、蓋体が開か
れた状態で基板Gがスピンチャック51により回転さ
れ、レジスト液の拡散時には、基板Gがスピンチャック
51により回転されると同時に、蓋体が閉じられた状態
の回転カップ52が回転されるようになっている。な
お、ドレンカップ53の外周には、アウターカバー54
が設けられている。
【0032】また、レジスト塗布処理ユニット(CT)
22は、ガラス製の矩形のLCD基板Gに、レジスト液
を吐出するためのレジスト吐出ノズルアーム55を有し
ている。このレジスト吐出ノズルアーム55は、レジス
ト液滴下時には、基板Gの中心まで移動されるようにな
っている。レジスト吐出ノズルアーム55の先端には、
レジスト液の吐出ノズル56と、シンナー吐出ノズル5
7とが設けられ、図示しないレジスト供給管を介して図
示しないレジスト供給部に接続されている。
22は、ガラス製の矩形のLCD基板Gに、レジスト液
を吐出するためのレジスト吐出ノズルアーム55を有し
ている。このレジスト吐出ノズルアーム55は、レジス
ト液滴下時には、基板Gの中心まで移動されるようにな
っている。レジスト吐出ノズルアーム55の先端には、
レジスト液の吐出ノズル56と、シンナー吐出ノズル5
7とが設けられ、図示しないレジスト供給管を介して図
示しないレジスト供給部に接続されている。
【0033】減圧乾燥処理ユニット(VD)40は、基
板Gを収納するチャンバ60を有しており、チャンバ6
0は、下部チャンバ62と、その上を覆うように設けら
れ、その内部の処理空間を気密に維持する上部チャンバ
61(図3参照)から構成されている。下部チャンバ6
2には、基板Gを載置するためのステージ63が設けら
れ、下部チャンバ62の底壁のステージ63直下にあた
る部分に排気口64が2箇所ほど設けられている。これ
ら排気口64に連通された排気管65(図3参照)がタ
ーボ分子排気ポンプ等の排気ポンプ66に接続されてお
り、上部チャンバ61と下部チャンバ62とが密着した
状態でその中の処理空間を排気ポンプ66を動作させて
排気することにより、チャンバ60の処理空間内を所定
の真空度に減圧できるようになっている。
板Gを収納するチャンバ60を有しており、チャンバ6
0は、下部チャンバ62と、その上を覆うように設けら
れ、その内部の処理空間を気密に維持する上部チャンバ
61(図3参照)から構成されている。下部チャンバ6
2には、基板Gを載置するためのステージ63が設けら
れ、下部チャンバ62の底壁のステージ63直下にあた
る部分に排気口64が2箇所ほど設けられている。これ
ら排気口64に連通された排気管65(図3参照)がタ
ーボ分子排気ポンプ等の排気ポンプ66に接続されてお
り、上部チャンバ61と下部チャンバ62とが密着した
状態でその中の処理空間を排気ポンプ66を動作させて
排気することにより、チャンバ60の処理空間内を所定
の真空度に減圧できるようになっている。
【0034】ステージ63の表面には、所定値に支持ピ
ン63aが所定位置に配設されており、基板Gはこの支
持ピン63aに当接し、ステージ63の表面から所定間
隔だけ離れてステージ63上に載置される。搬送アーム
41・42は、ともに基板Gを基板Gの対向する辺の周
縁部で保持するように構成されており、このため、搬送
アーム41・42とステージ63との間での基板Gの受
け渡しが容易となるように、ステージ63の大きさは基
板Gの大きさよりも小さく設定されている(図2参
照)。
ン63aが所定位置に配設されており、基板Gはこの支
持ピン63aに当接し、ステージ63の表面から所定間
隔だけ離れてステージ63上に載置される。搬送アーム
41・42は、ともに基板Gを基板Gの対向する辺の周
縁部で保持するように構成されており、このため、搬送
アーム41・42とステージ63との間での基板Gの受
け渡しが容易となるように、ステージ63の大きさは基
板Gの大きさよりも小さく設定されている(図2参
照)。
【0035】排気口64をステージ63の直下に形成し
てチャンバ60の処理空間の排気を排気ポンプ66を駆
動して行い、所定の減圧乾燥処理を行った場合には、基
板Gのプリベーク処理後においても、支持ピン63aの
転写跡や、ステージ63の外周に沿った転写跡が発生し
ない。こうして、基板Gの品質を高く維持することが可
能となる。この理由については定かではないが、排気口
64をステージ63の直下ではなく、ステージ63の外
周よりも外側、例えば、下部チャンバ62の底壁端部に
設けた場合には、その他の処理条件が同じ場合にプリベ
ーク後に転写跡が発生することから、排気口64の形成
位置の違いによって排気の流れに差が生じ、これが基板
Gの温度変化に何らかの影響を与えているものと考えら
れる。
てチャンバ60の処理空間の排気を排気ポンプ66を駆
動して行い、所定の減圧乾燥処理を行った場合には、基
板Gのプリベーク処理後においても、支持ピン63aの
転写跡や、ステージ63の外周に沿った転写跡が発生し
ない。こうして、基板Gの品質を高く維持することが可
能となる。この理由については定かではないが、排気口
64をステージ63の直下ではなく、ステージ63の外
周よりも外側、例えば、下部チャンバ62の底壁端部に
設けた場合には、その他の処理条件が同じ場合にプリベ
ーク後に転写跡が発生することから、排気口64の形成
位置の違いによって排気の流れに差が生じ、これが基板
Gの温度変化に何らかの影響を与えているものと考えら
れる。
【0036】ステージ63に配設された支持ピン63a
の高さは、3mm以上10mm以下とすることが好まし
く、例えば、高さを5mmとすることで、ステージ63
の外周に沿った転写跡の発生をより効果的に防止するこ
とができる。これは、基板Gとステージ63の表面との
距離が長くなることで、ステージ63の温度の影響が基
板Gに及び難くなるためと考えられる。支持ピン63a
の高さが3mm未満の場合には、基板Gがステージ63
の温度の影響を受けやすく、また、10mm超の長さで
は基板Gを安定に保持することが困難となる。
の高さは、3mm以上10mm以下とすることが好まし
く、例えば、高さを5mmとすることで、ステージ63
の外周に沿った転写跡の発生をより効果的に防止するこ
とができる。これは、基板Gとステージ63の表面との
距離が長くなることで、ステージ63の温度の影響が基
板Gに及び難くなるためと考えられる。支持ピン63a
の高さが3mm未満の場合には、基板Gがステージ63
の温度の影響を受けやすく、また、10mm超の長さで
は基板Gを安定に保持することが困難となる。
【0037】エッジリムーバー(ER)23には、基板
Gを載置するためのステージ71が設けられ、このステ
ージ71上の2つのコーナー部には、基板Gを位置決め
するための2つのアライメント機構72が設けられてい
る。また、基板Gの四辺には、それぞれ、基板Gの四辺
のエッジから余分なレジストを除去するための四個のリ
ムーバーヘッド73が設けられている。各リムーバーヘ
ッド73は、内部からシンナーを吐出するように断面略
U字状を有し、図示しない移動機構によって基板Gの四
辺に沿って移動することができるようになっている。こ
れにより、各リムーバーヘッド73は、基板Gの各辺に
沿って移動してシンナーを吐出しながら、基板Gの四辺
のエッジに付着した余分なレジストを取り除くことがで
きる。
Gを載置するためのステージ71が設けられ、このステ
ージ71上の2つのコーナー部には、基板Gを位置決め
するための2つのアライメント機構72が設けられてい
る。また、基板Gの四辺には、それぞれ、基板Gの四辺
のエッジから余分なレジストを除去するための四個のリ
ムーバーヘッド73が設けられている。各リムーバーヘ
ッド73は、内部からシンナーを吐出するように断面略
U字状を有し、図示しない移動機構によって基板Gの四
辺に沿って移動することができるようになっている。こ
れにより、各リムーバーヘッド73は、基板Gの各辺に
沿って移動してシンナーを吐出しながら、基板Gの四辺
のエッジに付着した余分なレジストを取り除くことがで
きる。
【0038】このように構成された塗布系処理ユニット
群80では、基板Gが以下のように処理される。まず、
レジスト塗布処理ユニット(CT)22において、スピ
ンチャック51により基板Gが回転され、レジスト吐出
ノズルアーム55が基板Gの中心まで回動され、シンナ
ー吐出ノズル57が基板Gの中心に到達されると、基板
Gの表面にシンナーが供給され、次いでレジスト液の吐
出ノズル56がスピンチャック51の中心(基板Gの中
心)に到達され、基板Gの中心にレジスト液が滴下さ
れ、基板Gを回転することにより遠心力によってレジス
ト液が基板Gの中心からその周囲全域にむらなく広げら
れ、さらに蓋体によりカップ内を密閉した状態でさらに
基板Gが回転されて膜厚が整えられる。
群80では、基板Gが以下のように処理される。まず、
レジスト塗布処理ユニット(CT)22において、スピ
ンチャック51により基板Gが回転され、レジスト吐出
ノズルアーム55が基板Gの中心まで回動され、シンナ
ー吐出ノズル57が基板Gの中心に到達されると、基板
Gの表面にシンナーが供給され、次いでレジスト液の吐
出ノズル56がスピンチャック51の中心(基板Gの中
心)に到達され、基板Gの中心にレジスト液が滴下さ
れ、基板Gを回転することにより遠心力によってレジス
ト液が基板Gの中心からその周囲全域にむらなく広げら
れ、さらに蓋体によりカップ内を密閉した状態でさらに
基板Gが回転されて膜厚が整えられる。
【0039】このレジストが塗布された基板Gは、搬送
アーム41により減圧乾燥処理ユニット(VD)40に
搬送され、下部チャンバ62と上部チャンバ61との間
の処理室内のガスが排気され、所定の真空度に減圧され
ることにより、レジスト液中のシンナー等の溶剤がある
程度蒸発し、レジスト液中の溶剤が徐々に放出される。
排気口64をステージ63の直下に形成することによっ
て、レジスト膜の乾燥を均一に行うことができ、基板G
上に転写が生じることが防止される。
アーム41により減圧乾燥処理ユニット(VD)40に
搬送され、下部チャンバ62と上部チャンバ61との間
の処理室内のガスが排気され、所定の真空度に減圧され
ることにより、レジスト液中のシンナー等の溶剤がある
程度蒸発し、レジスト液中の溶剤が徐々に放出される。
排気口64をステージ63の直下に形成することによっ
て、レジスト膜の乾燥を均一に行うことができ、基板G
上に転写が生じることが防止される。
【0040】減圧乾燥処理ユニット(VD)40におい
て減圧乾燥された基板Gは、搬送アーム42によりエッ
ジリムーバー(ER)23に搬送され、ステージ71に
載置され、アライメント機構72により位置合わせされ
る。そして、4個のリムーバーヘッド73を、シンナー
を吐出しつつ、かつ、吐出したシンナーとシンナーによ
って溶解されたレジストを吸引しながら、基板Gの各辺
に沿って移動させ、基板Gの四辺の周縁部に付着した余
分なレジストを除去する。その後、所定範囲にレジスト
膜が形成された基板Gは、上述したように、露光・現像
処理される。
て減圧乾燥された基板Gは、搬送アーム42によりエッ
ジリムーバー(ER)23に搬送され、ステージ71に
載置され、アライメント機構72により位置合わせされ
る。そして、4個のリムーバーヘッド73を、シンナー
を吐出しつつ、かつ、吐出したシンナーとシンナーによ
って溶解されたレジストを吸引しながら、基板Gの各辺
に沿って移動させ、基板Gの四辺の周縁部に付着した余
分なレジストを除去する。その後、所定範囲にレジスト
膜が形成された基板Gは、上述したように、露光・現像
処理される。
【0041】続いて、減圧乾燥処理ユニット(VD)4
0での処理に起因する転写の発生を、さらに効果的に防
止することを可能とする減圧乾燥処理ユニットの形態に
ついて説明する。図4は、減圧乾燥処理ユニット(V
D)40´の概略断面図であり、圧乾燥処理ユニット
(VD)40´は、減圧乾燥処理ユニット(VD)40
の下部チャンバ62の内部に、ステージ63の周囲を囲
繞するように段差部62aが形成された構造を有してい
る。
0での処理に起因する転写の発生を、さらに効果的に防
止することを可能とする減圧乾燥処理ユニットの形態に
ついて説明する。図4は、減圧乾燥処理ユニット(V
D)40´の概略断面図であり、圧乾燥処理ユニット
(VD)40´は、減圧乾燥処理ユニット(VD)40
の下部チャンバ62の内部に、ステージ63の周囲を囲
繞するように段差部62aが形成された構造を有してい
る。
【0042】この段差部62aの表面の高さは、ステー
ジ63の表面の高さと等しくされている。図2および図
3に示した減圧乾燥処理ユニット(VD)40において
は、基板Gの周縁部分はステージ63の温度の影響を受
け難いが、段差部62aを設けることで、基板Gの周縁
部が段差部62aの温度の影響を受けるようになる。こ
うして、基板Gの全体がステージ63および段差部62
aの温度の影響を受けて温度均一性が高められ、基板G
の外周に沿った転写跡の発生を、より効果的に抑制する
ことが可能となる。
ジ63の表面の高さと等しくされている。図2および図
3に示した減圧乾燥処理ユニット(VD)40において
は、基板Gの周縁部分はステージ63の温度の影響を受
け難いが、段差部62aを設けることで、基板Gの周縁
部が段差部62aの温度の影響を受けるようになる。こ
うして、基板Gの全体がステージ63および段差部62
aの温度の影響を受けて温度均一性が高められ、基板G
の外周に沿った転写跡の発生を、より効果的に抑制する
ことが可能となる。
【0043】ステージ63と段差部62aが基板Gに与
える影響の差を小さくするために、段差部62aは、ス
テージ63と同じ材質で形成することが好ましい。減圧
乾燥処理ユニット(VD)40´において、支持ピン6
3aの高さを3mm以上10mm以下とすると、支持ピ
ン63aに起因する転写跡の発生をより効果的に防止す
ることができる。
える影響の差を小さくするために、段差部62aは、ス
テージ63と同じ材質で形成することが好ましい。減圧
乾燥処理ユニット(VD)40´において、支持ピン6
3aの高さを3mm以上10mm以下とすると、支持ピ
ン63aに起因する転写跡の発生をより効果的に防止す
ることができる。
【0044】段差部62aをステージ63の表面の高さ
と同じとすることによって、ステージ63と搬送アーム
41・42との間の基板Gの受け渡しが行い難くなる場
合には、ステージ63または下部チャンバ62を昇降可
能な構造とすればよい。例えば、ステージ63を昇降可
能とした場合には、ステージ63を上昇させ、ステージ
63の表面の高さを段差部62aの表面よりも高い位置
に保持した状態において、搬送アーム41・42との間
で基板Gの受け渡しを行う。一方、減圧乾燥処理時に
は、ステージ63を降下させ、ステージ63の表面の高
さを段差部62aの表面の高さと同じ位置に保持すれば
よい。
と同じとすることによって、ステージ63と搬送アーム
41・42との間の基板Gの受け渡しが行い難くなる場
合には、ステージ63または下部チャンバ62を昇降可
能な構造とすればよい。例えば、ステージ63を昇降可
能とした場合には、ステージ63を上昇させ、ステージ
63の表面の高さを段差部62aの表面よりも高い位置
に保持した状態において、搬送アーム41・42との間
で基板Gの受け渡しを行う。一方、減圧乾燥処理時に
は、ステージ63を降下させ、ステージ63の表面の高
さを段差部62aの表面の高さと同じ位置に保持すれば
よい。
【0045】以上、本発明の実施の形態について説明し
てきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるもので
はない。例えば、上記実施の形態においては、基板Gの
表面へのレジスト膜の形成をスピンコーティングによっ
て行った場合について示したが、レジスト膜の形成方法
はこのようなスピンコーティングに限定されるものでは
ない。また、本発明の基板処理装置は、フォトリソグラ
フィー工程において所定の回路パターンを形成する目的
に限定されず、所定の塗布液を用いて層間絶縁膜を形成
する場合にも用いることができる。さらに、基板として
LCD基板を挙げて説明してきたが、基板は、半導体ウ
エハ等であっても構わない。
てきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるもので
はない。例えば、上記実施の形態においては、基板Gの
表面へのレジスト膜の形成をスピンコーティングによっ
て行った場合について示したが、レジスト膜の形成方法
はこのようなスピンコーティングに限定されるものでは
ない。また、本発明の基板処理装置は、フォトリソグラ
フィー工程において所定の回路パターンを形成する目的
に限定されず、所定の塗布液を用いて層間絶縁膜を形成
する場合にも用いることができる。さらに、基板として
LCD基板を挙げて説明してきたが、基板は、半導体ウ
エハ等であっても構わない。
【0046】
【発明の効果】上述の通り、本発明の基板処理装置によ
れば、塗布膜が形成された基板を減圧乾燥する際の基板
の温度均一性が高められるために、基板が載置されてい
るステージの外周に沿った転写跡が基板に発生すること
が抑制される。また、ステージの表面には基板に当接し
て基板を保持する支持ピンが設けられるが、この場合に
も、支持ピンに起因する転写跡が基板に発生することが
抑制される。こうして、基板の品質を高く維持すること
が可能となり、しかも、不良品の発生頻度を低減して生
産効率を高めることが可能となるという優れた効果が得
られる。
れば、塗布膜が形成された基板を減圧乾燥する際の基板
の温度均一性が高められるために、基板が載置されてい
るステージの外周に沿った転写跡が基板に発生すること
が抑制される。また、ステージの表面には基板に当接し
て基板を保持する支持ピンが設けられるが、この場合に
も、支持ピンに起因する転写跡が基板に発生することが
抑制される。こうして、基板の品質を高く維持すること
が可能となり、しかも、不良品の発生頻度を低減して生
産効率を高めることが可能となるという優れた効果が得
られる。
【図1】本発明の基板処理装置の一実施形態である減圧
乾燥処理ユニット(VD)を備えたレジスト塗布・現像
処理システムを示す平面図。
乾燥処理ユニット(VD)を備えたレジスト塗布・現像
処理システムを示す平面図。
【図2】図1に示したレジスト塗布・現像処理システム
が具備する塗布系処理ユニット群の概略構造を示す平面
図。
が具備する塗布系処理ユニット群の概略構造を示す平面
図。
【図3】図1に示したレジスト塗布・現像処理システム
が具備する塗布系処理ユニット群の概略構造を示す側面
図。
が具備する塗布系処理ユニット群の概略構造を示す側面
図。
【図4】塗布系処理ユニット群が具備する減圧乾燥処理
ユニットの別の実施形態を示す断面図。
ユニットの別の実施形態を示す断面図。
【図5】従来の減圧乾燥処理ユニットの概略構造を示す
断面図。
断面図。
22;レジスト塗布処理ユニット(CT) 23;周縁レジスト除去ユニット(エッジリムーバー;
ER) 40・40´;減圧乾燥処理ユニット(VD) 41・42;搬送アーム 61;上部チャンバ 62;下部チャンバ 62a;段差部 63;ステージ 64;排気口 65;排気管 66;排気ポンプ 80;塗布系処理ユニット群 100;レジスト塗布・現像処理システム G;基板(LCD基板)
ER) 40・40´;減圧乾燥処理ユニット(VD) 41・42;搬送アーム 61;上部チャンバ 62;下部チャンバ 62a;段差部 63;ステージ 64;排気口 65;排気管 66;排気ポンプ 80;塗布系処理ユニット群 100;レジスト塗布・現像処理システム G;基板(LCD基板)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 志信 東京都港区赤坂五丁目3番6号 TBS放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者 山崎 剛 東京都港区赤坂五丁目3番6号 TBS放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 Fターム(参考) 4F042 AA07 AA10 BA13 DA01 DB01 DE01 DE03 DE09 DF09 DF16 DF25 DF26 DF29 DF32 EB09 EB13 EB17 EB21 EB24 5F031 CA02 CA05 FA01 FA02 FA11 FA12 FA15 GA48 MA23 MA24 MA27 PA18 5F046 JA08 JA15 JA27
Claims (7)
- 【請求項1】 基板の表面に形成された塗布膜を減圧雰
囲気にて乾燥処理する基板処理装置であって、 基板を略水平に載置可能なステージと、 前記ステージに載置された基板および前記ステージを内
部に収容するチャンバと、 前記チャンバの底部に形成された排気口を介して排気
し、前記チャンバ内を減圧する減圧装置と、 を具備し、 前記排気口は前記ステージの直下に形成されていること
を特徴とする基板処理装置。 - 【請求項2】 基板の表面に形成された塗布膜を減圧雰
囲気にて乾燥処理する基板処理装置であって、 基板の表面に所定の処理液を塗布して塗布膜を形成する
塗布処理部と、 前記塗布処理部において塗布膜が形成された基板を減圧
雰囲気に保持して乾燥させる減圧乾燥部と、 前記減圧乾燥部において処理された基板の周縁部の塗布
膜を除去する周縁塗布膜除去部と、 を具備し、 前記減圧乾燥部は、 基板を略水平に載置可能なステージと、 前記ステージに載置された基板および前記ステージを内
部に収容するチャンバと、 前記チャンバの底部に形成された排気口を介して排気
し、前記チャンバ内を減圧する減圧装置と、 を有し、 前記排気口は前記ステージの直下に形成されていること
を特徴とする基板処理装置。 - 【請求項3】 前記チャンバ内において前記ステージの
周囲を囲繞する段差部が形成されていることを特徴とす
る請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。 - 【請求項4】 前記段差部の表面の高さは、前記ステー
ジの表面の高さと等しいことを特徴とする請求項3に記
載の基板処理装置。 - 【請求項5】 前記段差部は、前記ステージと同じ材質
で形成されていることを特徴とする請求項3または請求
項4に記載の基板処理装置。 - 【請求項6】 前記ステージの表面には、基板に当接す
る所定高さの支持ピンが所定位置に設けられていること
を特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記
載の基板処理装置。 - 【請求項7】 前記支持ピンの高さは、3mm以上10
mm以下であることを特徴とする請求項6に記載の基板
処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001151861A JP2002346458A (ja) | 2001-05-22 | 2001-05-22 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001151861A JP2002346458A (ja) | 2001-05-22 | 2001-05-22 | 基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002346458A true JP2002346458A (ja) | 2002-12-03 |
Family
ID=18996625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001151861A Pending JP2002346458A (ja) | 2001-05-22 | 2001-05-22 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002346458A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004088418A1 (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-14 | Hoya Corporation | マスクブランクスの製造方法 |
KR101098982B1 (ko) * | 2009-12-03 | 2011-12-28 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 |
-
2001
- 2001-05-22 JP JP2001151861A patent/JP2002346458A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004088418A1 (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-14 | Hoya Corporation | マスクブランクスの製造方法 |
JPWO2004088418A1 (ja) * | 2003-03-28 | 2006-07-06 | Hoya株式会社 | マスクブランクスの製造方法 |
KR101098982B1 (ko) * | 2009-12-03 | 2011-12-28 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 |
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