JP3411842B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JP3411842B2 JP3411842B2 JP35713498A JP35713498A JP3411842B2 JP 3411842 B2 JP3411842 B2 JP 3411842B2 JP 35713498 A JP35713498 A JP 35713498A JP 35713498 A JP35713498 A JP 35713498A JP 3411842 B2 JP3411842 B2 JP 3411842B2
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- Liquid Crystal (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレイ
(LCD)基板等の基板に対してレジストを塗布後、基
板に対して所定の処理を施す基板処理装置に関する。
(LCD)基板等の基板に対してレジストを塗布後、基
板に対して所定の処理を施す基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶ディスプレイ(LCD)の製造にお
いては、ガラス製の矩形のLCD基板にフォトレジスト
液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応
してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、
いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターン
が形成される。
いては、ガラス製の矩形のLCD基板にフォトレジスト
液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応
してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、
いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターン
が形成される。
【0003】このレジスト液を塗布する工程では、矩形
のLCD基板(以下、基板という)は、レジストの定着
性を高めるために、アドヒージョン処理ユニットにて疎
水化処理(HMDS処理)され、冷却ユニットで冷却
後、レジスト塗布ユニットに搬入される。
のLCD基板(以下、基板という)は、レジストの定着
性を高めるために、アドヒージョン処理ユニットにて疎
水化処理(HMDS処理)され、冷却ユニットで冷却
後、レジスト塗布ユニットに搬入される。
【0004】レジスト塗布ユニットでは、矩形の基板を
スピンチャック上に保持した状態で回転させながら、そ
の上方に設けられたノズルから基板の表面中心部にレジ
スト液を供給し、基板の回転による遠心力によってレジ
スト液を拡散させ、これにより、基板の表面全体にレジ
スト膜が塗布される。
スピンチャック上に保持した状態で回転させながら、そ
の上方に設けられたノズルから基板の表面中心部にレジ
スト液を供給し、基板の回転による遠心力によってレジ
スト液を拡散させ、これにより、基板の表面全体にレジ
スト膜が塗布される。
【0005】このレジストが塗布された基板は、周縁の
余分なレジストが除去された後、加熱処理ユニットに搬
入され、プリベーク処理が行われる。この加熱処理ユニ
ットにおいては、加熱プレートと基板とが直接に接触す
ることを避けるために、リフトピンにより受け取られた
基板を加熱プレートの固定ピンに載置して加熱プレート
からの放熱によって加熱する、いわゆるプロキシミティ
ー方式が採用されることが多い。
余分なレジストが除去された後、加熱処理ユニットに搬
入され、プリベーク処理が行われる。この加熱処理ユニ
ットにおいては、加熱プレートと基板とが直接に接触す
ることを避けるために、リフトピンにより受け取られた
基板を加熱プレートの固定ピンに載置して加熱プレート
からの放熱によって加熱する、いわゆるプロキシミティ
ー方式が採用されることが多い。
【0006】次いで、基板は、冷却ユニットで冷却さ
れ、露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露光
され、その後現像処理され、ポストベーク処理が施され
て、所定のレジストパターンが形成される。
れ、露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露光
され、その後現像処理され、ポストベーク処理が施され
て、所定のレジストパターンが形成される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た塗布・現像処理においては、レジストが塗布された基
板がプリベーク処理等された後に、または、基板が露光
されて現像処理された後に、上述した加熱処理ユニット
のリフトピン、固定ピン、またはバキューム溝等の形状
が基板に転写されることがある。
た塗布・現像処理においては、レジストが塗布された基
板がプリベーク処理等された後に、または、基板が露光
されて現像処理された後に、上述した加熱処理ユニット
のリフトピン、固定ピン、またはバキューム溝等の形状
が基板に転写されることがある。
【0008】このリフトピン等の転写は、具体的には、
プリベーク処理後には、基板上に塗布されたレジストの
膜厚が、リフトピン等の形状に対応して変化することに
よって生じ、露光・現像処理後には、基板上に形成され
た回路パターンの線幅が、リフトピン等の形状に対応す
るように変化することにより生じる。また、プリベーク
後には転写の存在が認められない場合でも現像後に転写
が生じる場合もある。
プリベーク処理後には、基板上に塗布されたレジストの
膜厚が、リフトピン等の形状に対応して変化することに
よって生じ、露光・現像処理後には、基板上に形成され
た回路パターンの線幅が、リフトピン等の形状に対応す
るように変化することにより生じる。また、プリベーク
後には転写の存在が認められない場合でも現像後に転写
が生じる場合もある。
【0009】このような転写が生じるのは、近年、高感
度型のレジスト液が用いられるようになってきたこと、
および、LCD基板に形成される回路パターンの線幅が
3μmと従来よりも細くなったことが原因と推測される
が、その原因は未だ詳細には把握されていない。
度型のレジスト液が用いられるようになってきたこと、
および、LCD基板に形成される回路パターンの線幅が
3μmと従来よりも細くなったことが原因と推測される
が、その原因は未だ詳細には把握されていない。
【0010】このような転写を防止するために、本発明
者らは先に、基板にレジストを塗布した後に基板を減圧
状態で乾燥することを提案している(特願平10−23
3596号)。
者らは先に、基板にレジストを塗布した後に基板を減圧
状態で乾燥することを提案している(特願平10−23
3596号)。
【0011】そこでは、このような減圧乾燥を減圧乾燥
ユニットにより行っているが、この減圧乾燥処理ユニッ
トは、下部チャンバーと、その上に設けられた上部チャ
ンバーとからなる処理チャンバーを有し、これらを密着
させることによりチャンバー内に処理空間を形成し、そ
の中を排気することにより所定の減圧状態を形成して減
圧乾燥を行うようになっている。そして、チャンバー内
に基板を載置する際には、複数のリフトピンを昇降させ
ている。
ユニットにより行っているが、この減圧乾燥処理ユニッ
トは、下部チャンバーと、その上に設けられた上部チャ
ンバーとからなる処理チャンバーを有し、これらを密着
させることによりチャンバー内に処理空間を形成し、そ
の中を排気することにより所定の減圧状態を形成して減
圧乾燥を行うようになっている。そして、チャンバー内
に基板を載置する際には、複数のリフトピンを昇降させ
ている。
【0012】しかしながら、この場合には、基板を載置
するための上記複数のリフトピンが、下部チャンバーの
底壁を貫通して設けざるを得ず、したがって複数のリフ
トピンのそれぞれのピンの周りをシールする必要があ
り、多数のシール箇所が必要となり煩雑であるのみなら
ず、確実にシールすることが困難である。
するための上記複数のリフトピンが、下部チャンバーの
底壁を貫通して設けざるを得ず、したがって複数のリフ
トピンのそれぞれのピンの周りをシールする必要があ
り、多数のシール箇所が必要となり煩雑であるのみなら
ず、確実にシールすることが困難である。
【0013】また、上記のように、転写は、リフトピン
の位置に対応して生じるため、基板に応じてリフトピン
の位置を変えて、転写が生じる位置を変更することが考
えられるが、上記のように、複数のリフトピンが下部チ
ャンバーの底壁を貫通している構造では、下部チャンバ
ーごと交換せざるを得ず、リフトピンの位置の変更が困
難である。
の位置に対応して生じるため、基板に応じてリフトピン
の位置を変えて、転写が生じる位置を変更することが考
えられるが、上記のように、複数のリフトピンが下部チ
ャンバーの底壁を貫通している構造では、下部チャンバ
ーごと交換せざるを得ず、リフトピンの位置の変更が困
難である。
【0014】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、基板にレジスト塗布後に転写を生じることなく
レジストを減圧乾燥させることができ、リフトピンのシ
ールの問題、およびリフトピンの位置変更が困難である
問題を解消することができる基板処理装置を提供するこ
とを目的とする。
であり、基板にレジスト塗布後に転写を生じることなく
レジストを減圧乾燥させることができ、リフトピンのシ
ールの問題、およびリフトピンの位置変更が困難である
問題を解消することができる基板処理装置を提供するこ
とを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明によれば、レジストが塗布された基板に露光
処理および現像処理を施すにあたり、レジストが塗布さ
れた基板を温度変化を与えることなく減圧状態で乾燥す
るための基板処理装置であって、基板を収容するチャン
バーと、前記チャンバー内のガスを排気して、チャンバ
ー内を減圧状態にする排気手段と、前記チャンバー内に
配置され、基板を支持する複数のピンを有する基板を載
置するステージと、前記チャンバーの下部壁を貫通して
設けられ、前記ステージを前記チャンバーに対して相対
的に昇降する昇降シャフトと、この昇降シャフトを前記
チャンバーの下部壁の内周面に対してシールするシール
手段とを具備することを特徴とする基板処理装置が提供
される。
め、本発明によれば、レジストが塗布された基板に露光
処理および現像処理を施すにあたり、レジストが塗布さ
れた基板を温度変化を与えることなく減圧状態で乾燥す
るための基板処理装置であって、基板を収容するチャン
バーと、前記チャンバー内のガスを排気して、チャンバ
ー内を減圧状態にする排気手段と、前記チャンバー内に
配置され、基板を支持する複数のピンを有する基板を載
置するステージと、前記チャンバーの下部壁を貫通して
設けられ、前記ステージを前記チャンバーに対して相対
的に昇降する昇降シャフトと、この昇降シャフトを前記
チャンバーの下部壁の内周面に対してシールするシール
手段とを具備することを特徴とする基板処理装置が提供
される。
【0016】このように、レジストの塗布後に、基板に
温度変化を与えることなく、基板を減圧状態で乾燥する
ので、レジスト液中の溶剤が徐々に放出され、レジスト
に悪影響を与えることなくレジストの乾燥を促進させる
ことができ、基板上に転写が生じることを有効に防止す
ることができる。また、基板を支持する複数のピンを有
するステージを昇降シャフトによって昇降する構造とし
たので、シールが必要な箇所が昇降シャフト1本であ
り、複数のリフトピンのシールが不要となることから、
チャンバー内のシールを効率良くしかも確実に行うこと
ができる。また、複数のリフトピンが下部チャンバーの
底壁を貫通する構造でないため、ステージを交換するだ
けで容易にピンの位置を変更することができ、基板に応
じて適切にピンの位置を設定することができる。
温度変化を与えることなく、基板を減圧状態で乾燥する
ので、レジスト液中の溶剤が徐々に放出され、レジスト
に悪影響を与えることなくレジストの乾燥を促進させる
ことができ、基板上に転写が生じることを有効に防止す
ることができる。また、基板を支持する複数のピンを有
するステージを昇降シャフトによって昇降する構造とし
たので、シールが必要な箇所が昇降シャフト1本であ
り、複数のリフトピンのシールが不要となることから、
チャンバー内のシールを効率良くしかも確実に行うこと
ができる。また、複数のリフトピンが下部チャンバーの
底壁を貫通する構造でないため、ステージを交換するだ
けで容易にピンの位置を変更することができ、基板に応
じて適切にピンの位置を設定することができる。
【0017】この場合に、ステージの温度を基板と略同
じ温度に調整する温調手段をさらに具備することによ
り、ステージの温度を基板と略同じ温度に維持すること
ができるので、基板はステージの温度の影響をほとんど
受けず、ピンの転写を一層効果的に抑制することができ
る。
じ温度に調整する温調手段をさらに具備することによ
り、ステージの温度を基板と略同じ温度に維持すること
ができるので、基板はステージの温度の影響をほとんど
受けず、ピンの転写を一層効果的に抑制することができ
る。
【0018】また、前記ステージに設けられる基板を支
持する複数のピンを、基板と実質的に同一材質で形成す
ることにより、ピンの温度を基板と略同じ温度に維持す
ることができ、基板がピンとの間の温度差の影響をほと
んど受けず、ピンの転写を一層効果的に抑制することが
できる。
持する複数のピンを、基板と実質的に同一材質で形成す
ることにより、ピンの温度を基板と略同じ温度に維持す
ることができ、基板がピンとの間の温度差の影響をほと
んど受けず、ピンの転写を一層効果的に抑制することが
できる。
【0019】さらに、前記シール手段は、前記チャンバ
ーの底壁の内側近傍と外側近傍とに配置された2個の真
空シール部材を有している構成とすることができる。前
記シール手段は、前記昇降シャフトの周囲に配置された
リング状の真空シール部材を有し、前記真空シール部材
は、前記チャンバー内を減圧して略真空状態としたとき
には、昇降シャフトの外周面に密着して前記昇降シャフ
トをシールする一方、前記チャンバー内を常圧に戻した
ときには密着を解除する内径側リップを有するようにす
ることができる。
ーの底壁の内側近傍と外側近傍とに配置された2個の真
空シール部材を有している構成とすることができる。前
記シール手段は、前記昇降シャフトの周囲に配置された
リング状の真空シール部材を有し、前記真空シール部材
は、前記チャンバー内を減圧して略真空状態としたとき
には、昇降シャフトの外周面に密着して前記昇降シャフ
トをシールする一方、前記チャンバー内を常圧に戻した
ときには密着を解除する内径側リップを有するようにす
ることができる。
【0020】前記チャンバーは、前記チャンバーの底壁
を含む下部チャンバーと、この下部チャンバーに対して
昇降可能な上部チャンバーとを有し、これらを密着させ
ることによりその内部を気密に維持することが可能であ
る構成とすることができる。
を含む下部チャンバーと、この下部チャンバーに対して
昇降可能な上部チャンバーとを有し、これらを密着させ
ることによりその内部を気密に維持することが可能であ
る構成とすることができる。
【0021】前記基板を支持する複数のピンは、基板に
応じて基板への転写の影響が少ない位置に配置されるよ
う、前記ステージ上での配置位置を変更可能に設けられ
ている構成とすることができる。
応じて基板への転写の影響が少ない位置に配置されるよ
う、前記ステージ上での配置位置を変更可能に設けられ
ている構成とすることができる。
【0022】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明が適用
されるLCD基板の塗布・現像処理システムを示す平面
図である。
図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明が適用
されるLCD基板の塗布・現像処理システムを示す平面
図である。
【0023】この塗布・現像処理システムは、複数の基
板Gを収容するカセットCを載置するカセットステーシ
ョン1と、基板Gにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
2と、露光装置(図示せず)との間で基板Gの受け渡し
を行うためのインターフェース部3とを備えており、処
理部2の両端にそれぞれカセットステーション1および
インターフェース3が配置されている。
板Gを収容するカセットCを載置するカセットステーシ
ョン1と、基板Gにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
2と、露光装置(図示せず)との間で基板Gの受け渡し
を行うためのインターフェース部3とを備えており、処
理部2の両端にそれぞれカセットステーション1および
インターフェース3が配置されている。
【0024】カセットステーション1は、カセットCと
処理部2との間でLCD基板の搬送を行うための搬送機
構10を備えている。そして、カセットステーション1
においてカセットCの搬入出が行われる。また、搬送機
構10はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路
10a上を移動可能な搬送アーム11を備え、この搬送
アーム11によりカセットCと処理部2との間で基板G
の搬送が行われる。
処理部2との間でLCD基板の搬送を行うための搬送機
構10を備えている。そして、カセットステーション1
においてカセットCの搬入出が行われる。また、搬送機
構10はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路
10a上を移動可能な搬送アーム11を備え、この搬送
アーム11によりカセットCと処理部2との間で基板G
の搬送が行われる。
【0025】処理部2は、前段部2aと中段部2bと後
段部2cとに分かれており、それぞれ中央に搬送路1
2、13、14を有し、これら搬送路の両側に各処理ユ
ニットが配設されている。そして、これらの間には中継
部15、16が設けられている。
段部2cとに分かれており、それぞれ中央に搬送路1
2、13、14を有し、これら搬送路の両側に各処理ユ
ニットが配設されている。そして、これらの間には中継
部15、16が設けられている。
【0026】前段部2aは、搬送路12に沿って移動可
能な主搬送装置17を備えており、搬送路12の一方側
には、2つの洗浄ユニット(SCR)21a、21bが
配置されており、搬送路12の他方側には紫外線照射・
冷却ユニット(UV/COL)25、それぞれ上下2段
に積層されてなる加熱処理ユニット(HP)26および
冷却ユニット(COL)27が配置されている。
能な主搬送装置17を備えており、搬送路12の一方側
には、2つの洗浄ユニット(SCR)21a、21bが
配置されており、搬送路12の他方側には紫外線照射・
冷却ユニット(UV/COL)25、それぞれ上下2段
に積層されてなる加熱処理ユニット(HP)26および
冷却ユニット(COL)27が配置されている。
【0027】また、中段部2bは、搬送路13に沿って
移動可能な主搬送装置18を備えており、搬送路13の
一方側には、レジスト塗布処理ユニット(CT)22お
よび基板Gの周縁部のレジストを除去するエッジリムー
バー(ER)23が一体的に設けられており、搬送路1
3の他方側には、二段積層されてなる加熱処理ユニット
(HP)28、加熱処理ユニットと冷却処理ユニットが
上下に積層されてなる加熱処理・冷却ユニット(HP/
COL)29、およびアドヒージョン処理ユニットと冷
却ユニットとが上下に積層されてなるアドヒージョン処
理・冷却ユニット(AD/COL)30が配置されてい
る。
移動可能な主搬送装置18を備えており、搬送路13の
一方側には、レジスト塗布処理ユニット(CT)22お
よび基板Gの周縁部のレジストを除去するエッジリムー
バー(ER)23が一体的に設けられており、搬送路1
3の他方側には、二段積層されてなる加熱処理ユニット
(HP)28、加熱処理ユニットと冷却処理ユニットが
上下に積層されてなる加熱処理・冷却ユニット(HP/
COL)29、およびアドヒージョン処理ユニットと冷
却ユニットとが上下に積層されてなるアドヒージョン処
理・冷却ユニット(AD/COL)30が配置されてい
る。
【0028】さらに、本実施の形態では、レジスト塗布
処理ユニット(COT)22と、エッジリムーバー(E
R)23との間に、減圧乾燥処理ユニット(VD)40
が設けられている。これにより、レジストが塗布された
基板Gが減圧乾燥処理ユニット(VD)40に搬送され
て乾燥処理され、その後、エッジリムーバー(ER)2
3により端面処理されるようになっている。
処理ユニット(COT)22と、エッジリムーバー(E
R)23との間に、減圧乾燥処理ユニット(VD)40
が設けられている。これにより、レジストが塗布された
基板Gが減圧乾燥処理ユニット(VD)40に搬送され
て乾燥処理され、その後、エッジリムーバー(ER)2
3により端面処理されるようになっている。
【0029】さらに、後段部2cは、搬送路14に沿っ
て移動可能な主搬送装置19を備えており、搬送路14
の一方側には、3つの現像処理ユニット24a、24
b、24cが配置されており、搬送路14の他方側には
上下2段に積層されてなる加熱処理ユニット31、およ
び加熱処理ユニットと冷却処理ユニットが上下に積層さ
れてなる2つの加熱処理・冷却ユニット(HP/CO
L)32、33が配置されている。
て移動可能な主搬送装置19を備えており、搬送路14
の一方側には、3つの現像処理ユニット24a、24
b、24cが配置されており、搬送路14の他方側には
上下2段に積層されてなる加熱処理ユニット31、およ
び加熱処理ユニットと冷却処理ユニットが上下に積層さ
れてなる2つの加熱処理・冷却ユニット(HP/CO
L)32、33が配置されている。
【0030】なお、処理部2は、搬送路を挟んで一方の
側に洗浄処理ユニット21a、レジスト処理ユニット2
2、現像処理ユニット24aのようなスピナー系ユニッ
トのみを配置しており、他方の側に加熱処理ユニットや
冷却処理ユニット等の熱系処理ユニットのみを配置する
構造となっている。
側に洗浄処理ユニット21a、レジスト処理ユニット2
2、現像処理ユニット24aのようなスピナー系ユニッ
トのみを配置しており、他方の側に加熱処理ユニットや
冷却処理ユニット等の熱系処理ユニットのみを配置する
構造となっている。
【0031】また、中継部15、16のスピナー系ユニ
ット配置側の部分には、薬液供給ユニット34が配置さ
れており、さらに主搬送装置の出し入れが可能なスペー
ス35が設けられている。
ット配置側の部分には、薬液供給ユニット34が配置さ
れており、さらに主搬送装置の出し入れが可能なスペー
ス35が設けられている。
【0032】上記主搬送装置17は、搬送機構10のア
ーム11との間で基板Gの受け渡しを行うとともに、前
段部2aの各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬
出、さらには中継部15との間で基板Gの受け渡しを行
う機能を有している。また、主搬送装置18は中継部1
5との間で基板Gの受け渡しを行うとともに、中段部2
bの各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さら
には中継部16との間の基板Gの受け渡しを行う機能を
有している。さらに、主搬送装置19は中継部16との
間で基板Gの受け渡しを行うとともに、後段部2cの各
処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さらにはイ
ンターフェース部3との間の基板Gの受け渡しを行う機
能を有している。なお、中継部15、16は冷却プレー
トとしても機能する。
ーム11との間で基板Gの受け渡しを行うとともに、前
段部2aの各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬
出、さらには中継部15との間で基板Gの受け渡しを行
う機能を有している。また、主搬送装置18は中継部1
5との間で基板Gの受け渡しを行うとともに、中段部2
bの各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さら
には中継部16との間の基板Gの受け渡しを行う機能を
有している。さらに、主搬送装置19は中継部16との
間で基板Gの受け渡しを行うとともに、後段部2cの各
処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さらにはイ
ンターフェース部3との間の基板Gの受け渡しを行う機
能を有している。なお、中継部15、16は冷却プレー
トとしても機能する。
【0033】インターフェース部3は、処理部2との間
で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエク
ステンション36と、さらにその両側に設けられた、バ
ッファーカセットを配置する2つのバッファーステージ
37と、これらと露光装置(図示せず)との間の基板G
の搬入出を行う搬送機構38とを備えている。搬送機構
38はエクステンション36およびバッファステージ3
7の配列方向に沿って設けられた搬送路38a上を移動
可能な搬送アーム39を備え、この搬送アーム39によ
り処理部2と露光装置との間で基板Gの搬送が行われ
る。このように各処理ユニットを集約して一体化するこ
とにより、省スペース化および処理の効率化を図ること
ができる。
で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエク
ステンション36と、さらにその両側に設けられた、バ
ッファーカセットを配置する2つのバッファーステージ
37と、これらと露光装置(図示せず)との間の基板G
の搬入出を行う搬送機構38とを備えている。搬送機構
38はエクステンション36およびバッファステージ3
7の配列方向に沿って設けられた搬送路38a上を移動
可能な搬送アーム39を備え、この搬送アーム39によ
り処理部2と露光装置との間で基板Gの搬送が行われ
る。このように各処理ユニットを集約して一体化するこ
とにより、省スペース化および処理の効率化を図ること
ができる。
【0034】このように構成される塗布・現像処理シス
テムにおいては、カセットC内の基板Gが、処理部2に
搬送され、処理部2では、まず、前段部2aの紫外線照
射・冷却ユニット(UV/COL)25で表面改質・洗
浄処理およびその後の冷却された後、洗浄ユニット(S
CR)21a,21bでスクラバー洗浄が施され、加熱
処理ユニット(HP)26の一つで加熱乾燥された後、
冷却ユニット(COL)27の一つで冷却される。
テムにおいては、カセットC内の基板Gが、処理部2に
搬送され、処理部2では、まず、前段部2aの紫外線照
射・冷却ユニット(UV/COL)25で表面改質・洗
浄処理およびその後の冷却された後、洗浄ユニット(S
CR)21a,21bでスクラバー洗浄が施され、加熱
処理ユニット(HP)26の一つで加熱乾燥された後、
冷却ユニット(COL)27の一つで冷却される。
【0035】その後、基板Gは中段部2bに搬送され、
レジストの定着性を高めるために、ユニット30の上段
のアドヒージョン処理ユニット(AD)にて疎水化処理
(HMDS処理)され、冷却ユニット(COL)で冷却
後、レジスト塗布ユニット(CT)22でレジストが塗
布され、後に詳述するように、減圧乾燥処理ユニット
(VD)40により乾燥処理されて、エッジリムーバー
(ER)23で基板Gの周縁の余分なレジストが除去さ
れる。その後、基板Gは、中段部2bの中の加熱処理ユ
ニット(HP)の一つでプリベーク処理され、ユニット
29または30の下段の冷却ユニット(COL)で冷却
される。
レジストの定着性を高めるために、ユニット30の上段
のアドヒージョン処理ユニット(AD)にて疎水化処理
(HMDS処理)され、冷却ユニット(COL)で冷却
後、レジスト塗布ユニット(CT)22でレジストが塗
布され、後に詳述するように、減圧乾燥処理ユニット
(VD)40により乾燥処理されて、エッジリムーバー
(ER)23で基板Gの周縁の余分なレジストが除去さ
れる。その後、基板Gは、中段部2bの中の加熱処理ユ
ニット(HP)の一つでプリベーク処理され、ユニット
29または30の下段の冷却ユニット(COL)で冷却
される。
【0036】その後、基板Gは中継部16から主搬送装
置19にてインターフェース部3を介して露光装置に搬
送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、
基板Gは再びインターフェース部3を介して搬入され、
現像処理ユニット(DEV)24a,24b,24cの
いずれかで現像処理され、所定の回路パターンが形成さ
れる。現像処理された基板Gは、後段部2cのいずれか
の加熱処理ユニット(HP)にてポストベーク処理が施
された後、冷却ユニット(COL)にて冷却され、主搬
送装置19,18,17および搬送機構10によってカ
セットステーション1上の所定のカセットに収容され
る。
置19にてインターフェース部3を介して露光装置に搬
送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、
基板Gは再びインターフェース部3を介して搬入され、
現像処理ユニット(DEV)24a,24b,24cの
いずれかで現像処理され、所定の回路パターンが形成さ
れる。現像処理された基板Gは、後段部2cのいずれか
の加熱処理ユニット(HP)にてポストベーク処理が施
された後、冷却ユニット(COL)にて冷却され、主搬
送装置19,18,17および搬送機構10によってカ
セットステーション1上の所定のカセットに収容され
る。
【0037】次に、本実施の形態に係るLCD基板の塗
布・現像処理システムに装着されるレジスト塗布処理ユ
ニット(COT)、減圧乾燥処理ユニット(VD)、お
よびエッジリムーバー(ER)について説明する。図2
および図3は、レジスト塗布処理ユニット(COT)、
減圧乾燥処理ユニット、およびエッジリムーバー(E
R)を示す概略平面図および概略側面図である。
布・現像処理システムに装着されるレジスト塗布処理ユ
ニット(COT)、減圧乾燥処理ユニット(VD)、お
よびエッジリムーバー(ER)について説明する。図2
および図3は、レジスト塗布処理ユニット(COT)、
減圧乾燥処理ユニット、およびエッジリムーバー(E
R)を示す概略平面図および概略側面図である。
【0038】図2および図3に示すように、これらレジ
スト塗布処理ユニット(COT)22、減圧乾燥処理ユ
ニット(VD)40、およびエッジリムーバー(ER)
23は、同一のステージに一体的に並列されている。レ
ジスト塗布処理ユニット(COT)でレジストが塗布さ
れた基板Gは、一対の搬送アーム41により減圧乾燥処
理ユニット(VD)40に搬送され、この減圧乾燥処理
ユニット(VD)40で乾燥処理された基板Gは、一対
の搬送アーム42によりエッジリムーバー(ER)23
に搬送されるようになっている。
スト塗布処理ユニット(COT)22、減圧乾燥処理ユ
ニット(VD)40、およびエッジリムーバー(ER)
23は、同一のステージに一体的に並列されている。レ
ジスト塗布処理ユニット(COT)でレジストが塗布さ
れた基板Gは、一対の搬送アーム41により減圧乾燥処
理ユニット(VD)40に搬送され、この減圧乾燥処理
ユニット(VD)40で乾燥処理された基板Gは、一対
の搬送アーム42によりエッジリムーバー(ER)23
に搬送されるようになっている。
【0039】このレジスト塗布処理ユニット(COT)
22は、基板Gを吸着保持する水平回転可能なスピンチ
ャック51、このスピンチャック51の上端部を囲みか
つこのスピンチャック51に吸着保持された基板Gを包
囲して上端部が開口する有底開口円筒形状の回転カップ
52、この回転カップ52の上端開口にかぶせられる蓋
体(図示略)、回転カップ52の外周を取り囲むように
固定配置されるドレンカップ53を有している。これに
より、後述するレジスト液の滴下時には、蓋体(図示
略)が開かれた状態で基板Gがスピンチャック51によ
り回転され、レジスト液の拡散時には、基板Gがスピン
チャック51により回転されると同時に、蓋体(図示
略)が閉じられた状態の回転カップ52が回転されるよ
うになっている。なお、ドレンカップ53の外周には、
アウターカバー54が設けられている。
22は、基板Gを吸着保持する水平回転可能なスピンチ
ャック51、このスピンチャック51の上端部を囲みか
つこのスピンチャック51に吸着保持された基板Gを包
囲して上端部が開口する有底開口円筒形状の回転カップ
52、この回転カップ52の上端開口にかぶせられる蓋
体(図示略)、回転カップ52の外周を取り囲むように
固定配置されるドレンカップ53を有している。これに
より、後述するレジスト液の滴下時には、蓋体(図示
略)が開かれた状態で基板Gがスピンチャック51によ
り回転され、レジスト液の拡散時には、基板Gがスピン
チャック51により回転されると同時に、蓋体(図示
略)が閉じられた状態の回転カップ52が回転されるよ
うになっている。なお、ドレンカップ53の外周には、
アウターカバー54が設けられている。
【0040】また、レジスト塗布処理ユニット(CO
T)22は、ガラス製の矩形のLCD基板Gに、レジス
ト液を吐出するためのレジスト吐出ノズルアーム55を
有している。このレジスト吐出ノズルアーム55は、レ
ジスト液滴下時には、基板Gの中心まで移動されるよう
になっている。レジスト吐出ノズルアーム55の先端に
は、レジスト液の吐出ノズル56と、シンナー吐出ノズ
ル57とが設けられ、レジスト供給管(図示略)を介し
てレジスト供給部(図示略)に接続されている。
T)22は、ガラス製の矩形のLCD基板Gに、レジス
ト液を吐出するためのレジスト吐出ノズルアーム55を
有している。このレジスト吐出ノズルアーム55は、レ
ジスト液滴下時には、基板Gの中心まで移動されるよう
になっている。レジスト吐出ノズルアーム55の先端に
は、レジスト液の吐出ノズル56と、シンナー吐出ノズ
ル57とが設けられ、レジスト供給管(図示略)を介し
てレジスト供給部(図示略)に接続されている。
【0041】エッジリムーバー(ER)23には、基板
Gを載置するためのステージ71が設けられ、このステ
ージ71上の2つのコーナー部には、基板Gを位置決め
するための2つのアライメント手段72が設けられてい
る。後述するように、減圧乾燥ユニット(VD)40の
ステージ63には吸着手段が設けられておらず、単にス
テージ63のピン上に基板Gを載置しているだけである
から、このエッジリムーバー(ER)23による基板周
縁のレジスト除去に先立ってアライメント機構72によ
り基板Gのアライメントを行う必要がある。
Gを載置するためのステージ71が設けられ、このステ
ージ71上の2つのコーナー部には、基板Gを位置決め
するための2つのアライメント手段72が設けられてい
る。後述するように、減圧乾燥ユニット(VD)40の
ステージ63には吸着手段が設けられておらず、単にス
テージ63のピン上に基板Gを載置しているだけである
から、このエッジリムーバー(ER)23による基板周
縁のレジスト除去に先立ってアライメント機構72によ
り基板Gのアライメントを行う必要がある。
【0042】この基板Gの四辺には、それぞれ、基板G
の四辺のエッジから余分なレジストを除去するための四
個のリムーバーヘッド73が設けられている。各リムー
バー73は、内部からシンナーを吐出するように断面略
U字状を有し、基板Gの四辺に沿って移動機構(図示
略)によって移動されるようになっている。これによ
り、各リムーバーヘッド73は、基板Gの各辺に沿って
移動してシンナーを吐出しながら、基板Gの四辺のエッ
ジに付着した余分なレジストを取り除くことができる。
の四辺のエッジから余分なレジストを除去するための四
個のリムーバーヘッド73が設けられている。各リムー
バー73は、内部からシンナーを吐出するように断面略
U字状を有し、基板Gの四辺に沿って移動機構(図示
略)によって移動されるようになっている。これによ
り、各リムーバーヘッド73は、基板Gの各辺に沿って
移動してシンナーを吐出しながら、基板Gの四辺のエッ
ジに付着した余分なレジストを取り除くことができる。
【0043】減圧乾燥処理ユニット(VD)40には、
下部チャンバー61と、その上を覆うように設けられ、
その内部の処理空間を気密に維持する上部チャンバー6
2とが設けられている。下部チャンバー61には、基板
Gを載置するためのステージ63が設けられ、下部チャ
ンバー61の各コーナー部には、4個の排気口64が設
けられ、この排気口64に連通された排気管65(図
3)がターボ分子排気ポンプ等の排気ポンプ(図示略)
に接続されている。そして、上部チャンバー61と上部
チャンバー62とが密着した状態でその中の処理空間を
排気することにより、所定の真空度に減圧されるように
構成されている。
下部チャンバー61と、その上を覆うように設けられ、
その内部の処理空間を気密に維持する上部チャンバー6
2とが設けられている。下部チャンバー61には、基板
Gを載置するためのステージ63が設けられ、下部チャ
ンバー61の各コーナー部には、4個の排気口64が設
けられ、この排気口64に連通された排気管65(図
3)がターボ分子排気ポンプ等の排気ポンプ(図示略)
に接続されている。そして、上部チャンバー61と上部
チャンバー62とが密着した状態でその中の処理空間を
排気することにより、所定の真空度に減圧されるように
構成されている。
【0044】この減圧乾燥処理ユニット(VD)40
は、その詳細構造を図4に示すように、上述した下部チ
ャンバ61と、上部チャンバー62が密着して形成され
る内部の処理空間に設けられたステージ63上には、基
板Gを載置するための複数の固定ピン66が設けられ、
これら複数の固定ピン66は、ステージ63上の適宜の
位置に取り付けられている。そして、これら固定ピン6
6は、基板に応じてその位置を容易に変更し得るように
構成されている。なお、これら固定ピン66は、基板と
実質的に同じ材質(本実施形態ではガラス)で形成され
ていることが好ましい。
は、その詳細構造を図4に示すように、上述した下部チ
ャンバ61と、上部チャンバー62が密着して形成され
る内部の処理空間に設けられたステージ63上には、基
板Gを載置するための複数の固定ピン66が設けられ、
これら複数の固定ピン66は、ステージ63上の適宜の
位置に取り付けられている。そして、これら固定ピン6
6は、基板に応じてその位置を容易に変更し得るように
構成されている。なお、これら固定ピン66は、基板と
実質的に同じ材質(本実施形態ではガラス)で形成され
ていることが好ましい。
【0045】一方、ステージ63の下側には、このステ
ージを昇降するための昇降シャフト67が設けられてい
る。この昇降シャフト67は、図5に示すように、下部
チャンバ61の底壁を貫通して昇降自在に設けられ、こ
の底壁の内側近傍と外側近傍とには、それぞれリング状
の真空シール部材68が配置されている。これら真空シ
ール部材68の外側には、それぞれ、これらシール部材
を固定するためのリング状の固定部材69が設けられて
いる。
ージを昇降するための昇降シャフト67が設けられてい
る。この昇降シャフト67は、図5に示すように、下部
チャンバ61の底壁を貫通して昇降自在に設けられ、こ
の底壁の内側近傍と外側近傍とには、それぞれリング状
の真空シール部材68が配置されている。これら真空シ
ール部材68の外側には、それぞれ、これらシール部材
を固定するためのリング状の固定部材69が設けられて
いる。
【0046】このリング状の真空シール部材68は、比
較的軟質な材質から構成されており、チャンバー内を減
圧して略真空状態にしたときには、真空シール部材68
の内径側リップ68aは、昇降シャフト67の外周面に
密着して昇降シャフト67をシールする一方、チャンバ
ー内を常圧に戻したときには、内径側リップ68aは昇
降シャフト67との密着を解除するようになっている。
較的軟質な材質から構成されており、チャンバー内を減
圧して略真空状態にしたときには、真空シール部材68
の内径側リップ68aは、昇降シャフト67の外周面に
密着して昇降シャフト67をシールする一方、チャンバ
ー内を常圧に戻したときには、内径側リップ68aは昇
降シャフト67との密着を解除するようになっている。
【0047】また、図6に示すように、昇降シャフト6
7内には、温調手段として温調水通流路70が形成され
ており、この流路70に温調水を通流させることによ
り、ステージ63の温度が調整されるようになってい
る。
7内には、温調手段として温調水通流路70が形成され
ており、この流路70に温調水を通流させることによ
り、ステージ63の温度が調整されるようになってい
る。
【0048】次に、このように構成されたレジスト塗布
処理ユニット(COT)22、減圧乾燥処理ユニット
(VD)40、およびエッジリムーバー(ER)23に
おける基板Gの処理について説明する。
処理ユニット(COT)22、減圧乾燥処理ユニット
(VD)40、およびエッジリムーバー(ER)23に
おける基板Gの処理について説明する。
【0049】まず、レジスト塗布処理ユニット(CO
T)22において、スピンチャック51により基板Gが
回転され、レジスト吐出ノズルアーム55が基板Gの中
心まで移動され、シンナーノズル57が基板Gの中心に
到達されると、回転する基板Gの表面にシンナーが供給
され、遠心力によって基板Gの中心からその周囲全域に
むらなく広げられる。続いて、レジスト液のノズル56
がスピンチャック51の中心(基板Gの中心)に到達さ
れ、回転する基板Gの中心にレジスト液が滴下されて基
板Gに塗布され、遠心力によって基板Gの中心からその
周囲全域にむらなく広げられる。
T)22において、スピンチャック51により基板Gが
回転され、レジスト吐出ノズルアーム55が基板Gの中
心まで移動され、シンナーノズル57が基板Gの中心に
到達されると、回転する基板Gの表面にシンナーが供給
され、遠心力によって基板Gの中心からその周囲全域に
むらなく広げられる。続いて、レジスト液のノズル56
がスピンチャック51の中心(基板Gの中心)に到達さ
れ、回転する基板Gの中心にレジスト液が滴下されて基
板Gに塗布され、遠心力によって基板Gの中心からその
周囲全域にむらなく広げられる。
【0050】このレジストが塗布された基板Gは、搬送
アーム41により減圧乾燥処理ユニット(VD)40に
搬送され、ステージ63の固定ピン66に載置される。
基板Gを載置したステージが降下され、上部チャンバー
62が降下されて、下部チャンバー61に密着され、チ
ャンバー内が気密に維持される。そして、下部チャンバ
ー61と上部チャンバー62とで形成される処理空間内
が排気され、所定の減圧雰囲気が形成される。この減圧
状態が所定時間維持されることにより、レジスト液中の
シンナー等の溶剤がある程度蒸発され、レジスト液中の
溶剤が徐々に放出され、レジストに悪影響を与えること
なくことなくレジストの乾燥を促進させることができ、
基板G上に転写が生じることを有効に防止することがで
きる。
アーム41により減圧乾燥処理ユニット(VD)40に
搬送され、ステージ63の固定ピン66に載置される。
基板Gを載置したステージが降下され、上部チャンバー
62が降下されて、下部チャンバー61に密着され、チ
ャンバー内が気密に維持される。そして、下部チャンバ
ー61と上部チャンバー62とで形成される処理空間内
が排気され、所定の減圧雰囲気が形成される。この減圧
状態が所定時間維持されることにより、レジスト液中の
シンナー等の溶剤がある程度蒸発され、レジスト液中の
溶剤が徐々に放出され、レジストに悪影響を与えること
なくことなくレジストの乾燥を促進させることができ、
基板G上に転写が生じることを有効に防止することがで
きる。
【0051】この乾燥処理の終了後には、上部チャンバ
ー62が上昇され、ステージ63が上昇されて、基板G
が搬送アーム42によりエッジリムーバー(ER)23
に搬送される。
ー62が上昇され、ステージ63が上昇されて、基板G
が搬送アーム42によりエッジリムーバー(ER)23
に搬送される。
【0052】エッジリムーバー(ER)23では、アラ
イメント機構72により基板が位置決めされた後、4個
のリムーバーヘッド73が基板Gの各辺に沿って移動さ
れ、各リムーバーヘッド73から吐出されたシンナーに
より基板Gの四辺の周縁部に付着した余分なレジストが
除去される。この後、基板Gは前述したように、プリベ
ーク処理され、さらに露光・現像処理される。
イメント機構72により基板が位置決めされた後、4個
のリムーバーヘッド73が基板Gの各辺に沿って移動さ
れ、各リムーバーヘッド73から吐出されたシンナーに
より基板Gの四辺の周縁部に付着した余分なレジストが
除去される。この後、基板Gは前述したように、プリベ
ーク処理され、さらに露光・現像処理される。
【0053】このように、本実施の形態では、ステージ
63を昇降するための昇降シャフト67が1本であり、
シールの箇所がこの1本の昇降シャフト67のみである
ことから、従来よりもシールの箇所を減少させることが
でき、効率良くかつ確実にチャンバーのシールを行うこ
とができる。
63を昇降するための昇降シャフト67が1本であり、
シールの箇所がこの1本の昇降シャフト67のみである
ことから、従来よりもシールの箇所を減少させることが
でき、効率良くかつ確実にチャンバーのシールを行うこ
とができる。
【0054】また、基板Gを載置するための複数の固定
ピン66は、ステージ63上でその位置を容易に変更で
きる構成となっているため、複数の固定ピン66の位置
を基板に応じて適宜変更することができ、基板Gへの転
写の影響が極力少ない位置にピンを配置することができ
る。
ピン66は、ステージ63上でその位置を容易に変更で
きる構成となっているため、複数の固定ピン66の位置
を基板に応じて適宜変更することができ、基板Gへの転
写の影響が極力少ない位置にピンを配置することができ
る。
【0055】さらに、昇降シャフト67の中には温調水
流路70が形成されており、そこに温調水を通流させる
ことにより、ステージの温度を調整して基板Gと略同じ
温度に維持することができる。そのため、基板Gはステ
ージ63の温度の影響をほとんど受けず、固定ピン66
の転写を効果的に抑制することができる。
流路70が形成されており、そこに温調水を通流させる
ことにより、ステージの温度を調整して基板Gと略同じ
温度に維持することができる。そのため、基板Gはステ
ージ63の温度の影響をほとんど受けず、固定ピン66
の転写を効果的に抑制することができる。
【0056】さらにまた、複数の固定ピン66は、基板
Gと実質的に同一の材質(この実施形態ではガラス)で
形成されることによって、固定ピン66の温度を基板G
と略同じ温度に維持することができ、基板Gが固定ピン
66との間の温度差の影響をほとんど受けず、固定ピン
66の転写を効果的に抑制することができる。
Gと実質的に同一の材質(この実施形態ではガラス)で
形成されることによって、固定ピン66の温度を基板G
と略同じ温度に維持することができ、基板Gが固定ピン
66との間の温度差の影響をほとんど受けず、固定ピン
66の転写を効果的に抑制することができる。
【0057】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、LCD基板用の塗布・現像処理システムについて
説明したが、LCD基板用の以外の他の基板、例えば、
LCD基板のカラーフィルター基板、または半導体ウエ
ハの塗布・現像処理システムにも本発明を適用すること
ができる。
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、LCD基板用の塗布・現像処理システムについて
説明したが、LCD基板用の以外の他の基板、例えば、
LCD基板のカラーフィルター基板、または半導体ウエ
ハの塗布・現像処理システムにも本発明を適用すること
ができる。
【0058】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レジストの塗布後に、基板に温度変化を与えることな
く、基板を減圧状態で乾燥するので、レジスト液中の溶
剤が徐々に放出され、レジストに悪影響を与えることな
くことなくレジストの乾燥を促進させることができ、基
板上に転写が生じることを有効に防止することができ
る。また、基板を支持する複数のピンを有するステージ
を昇降シャフトによって昇降する構造としたので、シー
ルが必要な箇所が昇降シャフト1本であり、複数のリフ
トピンのシールが不要となることから、チャンバー内の
シールを効率良くしかも確実に行うことができる。ま
た、複数のリフトピンが下部チャンバーの底壁を貫通す
る構造でないため、ステージを交換するだけで容易にピ
ンの位置を変更することができ、基板に応じて適切にピ
ンの位置を設定することができる。
レジストの塗布後に、基板に温度変化を与えることな
く、基板を減圧状態で乾燥するので、レジスト液中の溶
剤が徐々に放出され、レジストに悪影響を与えることな
くことなくレジストの乾燥を促進させることができ、基
板上に転写が生じることを有効に防止することができ
る。また、基板を支持する複数のピンを有するステージ
を昇降シャフトによって昇降する構造としたので、シー
ルが必要な箇所が昇降シャフト1本であり、複数のリフ
トピンのシールが不要となることから、チャンバー内の
シールを効率良くしかも確実に行うことができる。ま
た、複数のリフトピンが下部チャンバーの底壁を貫通す
る構造でないため、ステージを交換するだけで容易にピ
ンの位置を変更することができ、基板に応じて適切にピ
ンの位置を設定することができる。
【図1】本発明が適用されるLCD基板の塗布・現像処
理システムを示す平面図。
理システムを示す平面図。
【図2】図1のシステムに組み込まれたレジスト塗布処
理ユニット、減圧乾燥処理ユニット、およびエッジリム
ーバーを示す概略平面図。
理ユニット、減圧乾燥処理ユニット、およびエッジリム
ーバーを示す概略平面図。
【図3】図1のシステムに組み込まれたレジスト塗布処
理ユニット、減圧乾燥処理ユニット、およびエッジリム
ーバーを示す概略側面図。
理ユニット、減圧乾燥処理ユニット、およびエッジリム
ーバーを示す概略側面図。
【図4】本発明の実施の形態に係る減圧乾燥処理ユニッ
トを示す断面図。
トを示す断面図。
【図5】図4に示した減圧乾燥処理ユニットのシール部
を拡大して示す断面図。
を拡大して示す断面図。
【図6】図4に示した減圧乾燥処理ユニットにおける温
調機構を示す断面図。
調機構を示す断面図。
【符号の説明】
22;レジスト塗布処理ユニット
23;エッジリムーバー
40;減圧乾燥処理ユニット
61;ロアーチャンバ
62;アッパーチャンバ
63;ステージ
64;排気口
66;固定ピン
67;昇降シャフト
68;真空シール部材
70;温調水流路
G;LCD基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平2−238616(JP,A)
特開 平3−228313(JP,A)
特開 平10−137663(JP,A)
特開 平7−283108(JP,A)
実開 昭58−79733(JP,U)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
H01L 21/027
G03F 7/16 - 7/42
Claims (7)
- 【請求項1】 レジストが塗布された基板に露光処理お
よび現像処理を施すにあたり、レジストが塗布された基
板を温度変化を与えることなく減圧状態で乾燥するため
の基板処理装置であって、 基板を収容するチャンバーと、 前記チャンバー内のガスを排気して、チャンバー内を減
圧状態にする排気手段と、 前記チャンバー内に配置され、基板を支持する複数のピ
ンを有する基板を載置するステージと、 前記チャンバーの下部壁を貫通して設けられ、前記ステ
ージを前記チャンバーに対して相対的に昇降する昇降シ
ャフトと、 この昇降シャフトを前記チャンバーの下部壁の内周面に
対してシールするシール手段とを具備することを特徴と
する基板処理装置。 - 【請求項2】 前記シール手段は、前記チャンバーの底
壁の内側近傍と外側近傍とに配置された2個の真空シー
ル部材を有していることを特徴とする請求項1に記載の
基板処理装置。 - 【請求項3】 前記チャンバーは、前記チャンバーの底
壁を含む下部チャンバーと、この下部チャンバーに対し
て昇降可能な上部チャンバーとを有し、これらを密着さ
せることによりその内部を気密に維持することが可能で
あることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の
基板処理装置。 - 【請求項4】 前記ステージの温度を基板と略同じ温度
に調整する温調手段をさらに具備することを特徴とする
請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の基板処
理装置。 - 【請求項5】 前記ステージの前記複数のピンは、基板
と実質的に同一の材質で形成されていることを特徴とす
る請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の基板
処理装置。 - 【請求項6】 前記シール手段は、前記昇降シャフトの
周囲に配置されたリング状の真空シール部材を有し、前
記真空シール部材は、前記チャンバー内を減圧して略真
空状態としたときには、昇降シャフトの外周面に密着し
て前記昇降シャフトをシールする一方、前記チャンバー
内を常圧に戻したときには密着を解除する内径側リップ
を有することを特徴とする請求項1から請求項5のいず
れか1項に記載の基板処理装置。 - 【請求項7】 前記基板を支持する複数のピンは、基板
に応じて基板への転写の影響が少ない位置に配置される
よう、前記ステージ上での配置位置を変更可能に設けら
れていることを特徴とする請求項1から請求項6のいず
れか1項に記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35713498A JP3411842B2 (ja) | 1998-12-16 | 1998-12-16 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35713498A JP3411842B2 (ja) | 1998-12-16 | 1998-12-16 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000181079A JP2000181079A (ja) | 2000-06-30 |
JP3411842B2 true JP3411842B2 (ja) | 2003-06-03 |
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ID=18452561
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP35713498A Expired - Fee Related JP3411842B2 (ja) | 1998-12-16 | 1998-12-16 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3411842B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007158077A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板熱処理装置 |
JP4602390B2 (ja) * | 2007-11-01 | 2010-12-22 | Sdフューチャーテクノロジー株式会社 | 塗布乾燥装置 |
JP5371605B2 (ja) * | 2008-09-25 | 2013-12-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法 |
JP4748742B2 (ja) * | 2009-02-13 | 2011-08-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
WO2011030607A1 (ja) * | 2009-09-10 | 2011-03-17 | シャープ株式会社 | 乾燥装置 |
JP2011086807A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-04-28 | Tokyo Electron Ltd | 減圧乾燥装置 |
KR101098982B1 (ko) * | 2009-12-03 | 2011-12-28 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 |
JP2011124342A (ja) * | 2009-12-09 | 2011-06-23 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法及びこの基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
JP5622701B2 (ja) * | 2011-10-13 | 2014-11-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧乾燥装置 |
CN102633442B (zh) * | 2012-04-19 | 2015-12-09 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 温控针支撑基板进行配向膜预干燥的装置及方法 |
CN104296520A (zh) * | 2013-07-17 | 2015-01-21 | 上海和辉光电有限公司 | 真空干燥腔室排气***及方法 |
JP2017073338A (ja) * | 2015-10-09 | 2017-04-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査装置、減圧乾燥装置および減圧乾燥装置の制御方法 |
-
1998
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000181079A (ja) | 2000-06-30 |
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