JP4372182B2 - 基板支持機構及び減圧乾燥装置及び基板処理装置 - Google Patents

基板支持機構及び減圧乾燥装置及び基板処理装置 Download PDF

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Description

本発明は、被処理基板を支持ピンで支持する基板支持機構ならびにこの基板支持機構を用いて基板に減圧乾燥を施す減圧乾燥装置および雰囲気温度の変化する他の処理を施す基板処理装置に関する。
たとえば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）製造のフォトリソグラフィー工程においては、ガラス基板等の被処理基板上に塗布したレジスト液をプリベーキングに先立って適度に乾燥させるために減圧乾燥装置が用いられている。
従来の減圧乾燥装置は、たとえば特許文献１に記載されるように、上面が開口しているトレーまたは底浅容器型の下部チャンバと、この下部チャンバの上面に気密に密着または嵌合可能に構成された蓋状の上部チャンバとを有している。下部チャンバの中にはステージが配設されており、このステージ上に基板を水平に載置してから、チャンバを閉じて（上部チャンバを下部チャンバに密着させて）減圧乾燥処理を行う。チャンバに基板を搬入出する際には、上部チャンバをクレーン等で上昇させてチャンバを開放し、さらには基板のローディング／アンローディングのためにステージをシリンダ等で適宜上昇させるようにしている。そして、基板の搬入出ないしローディング／アンローディングは、減圧乾燥装置回りで基板の搬送を行う外部の搬送ロボットのハンドリングにより行っている。
チャンバ内で基板を支持する機構は、より詳細には、ステージ上面の適宜の位置に離散的に立てて固定された複数本の支持ピンの先端に載せるようにして基板を水平に支持し、チャンバの底壁を貫通して延びる昇降シャフトを介してステージの高さ位置を変えられるようにしている。ここで、チャンバ内で基板をステージ上面との直接接触を避けて支持ピンで支持するのは、前工程のレジスト塗布処理でレジスト液を塗布されたばかりの基板が減圧乾燥に際して基板支持機構側から受ける熱的影響を極力少なくするため、つまり基板と基板支持部材との接触（面積）を極力小さくするためであり、また静電気対策にも有効に働くためである。
特開２０００−１８１０７９
もっとも、基板を支持ピンで支持する場合であっても、基板と支持ピンとの間の熱交換は多少ともあり、その熱交換の程度が大きければ基板上の塗布膜（たとえばレジスト膜）にピンの跡が付くという、いわゆるピン転写の問題が生じる。従来は、ピン転写を防止するために、熱的特性（熱伝導率、熱変形温度、熱膨張係数、耐熱温度、比熱、対燃性等）を考慮して支持ピンの材質および形状を選定するという対策を採ってきた。しかしながら、そのような材質・形状依存の支持ピン構造は、雰囲気温度が変化するアプリケーションには対応できないことがわかってきた。
たとえば、上述のような減圧乾燥装置においては、減圧乾燥（真空排気）中はチャンバ内の雰囲気温度が初期温度（通常は常温）から５℃〜１０℃の下げ幅で急激に下がり、減圧乾燥（真空排気）を止めてチャンバ内を窒素ガス等でパージすると今度は雰囲気温度が初期温度よりも１０℃を超える温度まで、つまり数１０℃の上げ幅で急上昇し、パージを止めると雰囲気温度が常温に向かって徐々に低下する。このような雰囲気温度の変化に応じて支持ピンの温度も変化する。ここで、問題になるのは、処理済の基板がチャンバから搬出されるのと入れ代わりで後続の基板がチャンバ内に搬入された時に、その基板温度が常温であるのに、支持ピンの温度は常温に戻っていないことである。このため、基板と支持ピンとの間にたとえば１０℃前後の温度差による熱交換が生じ、レジスト膜にピン跡の転写が発生しやすくなっている。
本発明は、上述したような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、支持ピンに対する周囲温度の影響を少なくし、特に支持ピン温度の初期または基準温度への迅速な復帰を可能とし、さらには支持ピンを所望の一定温度に保持することも容易かつ効率的に行える基板支持機構を提供することを目的とする。
本発明の別の目的は、被処理基板が支持ピンから不所望な熱的影響を受けるのを防止して処理品質を向上させる減圧乾燥装置および基板処理装置を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明の基板支持機構は、被処理基板を支持ピンの先端に載せて支持する基板支持機構であって、前記支持ピンを先端部が閉塞し、かつ側壁に通気孔が設けられた中空の筒体で構成し、前記通気孔を通って前記筒体の中を温度調整のための所定のガスが流れるように、前記筒体の基端部にガス供給部またはバキューム源を接続してなる。
上記の構成においては、基板を支持する支持ピンの内部に温調用のガスを流すことで、支持ピンが周囲または雰囲気温度から受ける影響を少なくして、支持ピンの温度を所望の温度に制御し、ひいては基板が支持ピンから受ける熱的影響を少なくすることができる。
本発明の基板支持機構においては、ピン温調効率を高めるために、好ましくは支持ピンの先端部に近い部位に通気孔が設けられ、さらに好ましくは、支持ピンの軸方向で異なる部位に複数の通気孔が設けられ、支持ピンの周回方向で異なる部位に複数の通気孔が設けられる。
また、好適な一態様として、支持ピンの筒体の先端部に取り付けられて基板と直接接触するピン先部は樹脂で構成されてよい。
別の好適な一態様として、通気孔よりもピン先部側を塞いで筒体の外周面を隙間を空けて覆う筒状のカバー体を有し、このカバー体の基端部側に設けられた外気に通じる開口部と筒体の通気孔との間でカバー体の内側の隙間を介して温調ガスを流す構成が採られる。かかる構成によれば、支持ピン（筒体）の壁に沿って内と外の両側で温調ガスが流れるので、ピン温調効率を一層高めることができるとともに、支持ピンの周囲に発生する温調ガスの流れによって基板が受ける影響を一層確実に防止することができる。
別の好適な一態様として、本発明の基板支持機構は、支持ピンを水平面内で所定の間隔を空けて複数本配置し、各々の支持ピンを略鉛直に立てて支持するピン支持部材を有する。この場合、このピン支持部材の中に、筒体の基端部と接続し、ガス供給部またはバキューム源に通じるガス流路を形成することができる。また、支持ピンを昇降移動させるためにピン支持部材を鉛直方向で移動させる昇降部を有してもよい。
本発明の減圧乾燥装置は、基板上に塗布膜が形成された直後の被処理基板を出し入れ可能に収容する密閉可能なチャンバと、前記チャンバ内で前記基板を前記支持ピンの先端に載せて支持する本発明の基板支持機構と、前記基板上の塗布膜を減圧状態で乾燥させるために前記チャンバ内を真空排気する真空排気機構とを有する。
上記の装置構成においては、減圧乾燥の処理中および／または処理の合間に基板支持機構が支持ピンの温度を所望の温度に制御することにより、基板が支持ピンから不所望な熱的影響を受けないようにして、基板上の塗布膜に支持ピンの跡が付くピン転写を防止し、塗布膜の特性を向上させることができる。
本発明の減圧乾燥装置においては、好適な一態様として、真空排気機構の真空排気動作を停止させている期間中に、支持ピンの内部を温度調整用のガスが流れるように基板支持機構のガス供給部またはバキューム源が作動する。また、パージガス供給部が備えられ、真空排気機構の真空排気動作を止めた直後にチャンバ内にパージガスを供給する。また、ガス供給部またはバキューム源がチャンバの外に配置され、チャンバの壁を通る真空封止された通気路を介してガス供給部またはバキューム源と支持ピンの筒体の基端部とが接続される。
別の好適な一態様によれば、減圧乾燥の枚葉処理が一定のサイクルで繰り返し行われ、各回の処理が開始される直前には支持ピンのピン先部の温度が一定の基準温度（たとえばチャンバに新規に搬入された基板の初期温度）付近に戻るような制御が行われる。
本発明の基板処理装置は、被処理基板を出し入れ可能に収容するチャンバと、前記チャンバ内で前記基板を前記支持ピンの先端に載せて支持する本発明の基板支持機構と、前記チャンバ内で前記基板に雰囲気温度が変化する所定の処理を施す処理部とを有する。
上記の装置構成においては、基板に対して所定の処理を行っている間あるいは処理の合間に基板支持機構が支持ピンの温度を所望の温度に制御することにより、基板が支持ピンから不所望な熱的影響を受けないようにして、処理品質を向上させることができる。
本発明の基板支持機構によれば、上記のような構成および作用により、支持ピンが周囲または雰囲気温度から受ける影響を低減し、支持ピン温度の初期または基準温度への迅速な復帰を可能とし、あるいは所望の一定温度に保持するような温度制御も可能とすることができる。
本発明の減圧乾燥装置および基板処理装置によれば、上記のような構成および作用により、被処理基板が支持ピンから不所望な熱的影響を受けるのを防止して処理品質を向上させることができる。
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
図１に、本発明の減圧乾燥装置を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置され、たとえばガラス基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の一連の処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。
この塗布現像処理システム１０は、中心部に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平な一方向（Ｙ方向）に４個まで並べて載置できるカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２とを備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを１枚単位で保持できる搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、水平なシステム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。
より詳細には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスラインＡには、搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４、洗浄プロセス部２６、第１の熱的処理部２８、塗布プロセス部３０および第２の熱的処理部３２が第１の平流し搬送路３４に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。
より詳細には、搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４はカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２から未処理の基板Ｇを受け取り、所定のタクトで第１の平流し搬送路３４に投入するように構成されている。洗浄プロセス部２６は、第１の平流し搬送路３４に沿って上流側から順にエキシマＵＶ照射ユニット（Ｅ−ＵＶ）３６およびスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８を設けている。第１の熱的処理部２８は、上流側から順にアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０および冷却ユニット（ＣＯＬ）４２を設けている。塗布プロセス部３０は、上流側から順にレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４および減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６を設けている。第２の熱的処理部３２は、上流側から順にプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８および冷却ユニット（ＣＯＬ）５０を設けている。第２の熱的処理部３２の下流側隣に位置する第１の平流し搬送路３４の終点にはパスユニット（ＰＡＳＳ）５２が設けられている。第１の平流し搬送路３４上を平流しで搬送されてきた基板Ｇは、この終点のパスユニット（ＰＡＳＳ）５２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８へ渡されるようになっている。
一方、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、現像ユニット（ＤＥＶ）５４、ポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６、冷却ユニット（ＣＯＬ）５８、検査ユニット（ＡＰ）６０および搬出ユニット（ＯＵＴ−ＰＡＳＳ）６２が第２の平流し搬送路６４に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。ここで、ポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６および冷却ユニット（ＣＯＬ）５８は第３の熱的処理部６６を構成する。搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２は、第２の平流し搬送路６４から処理済の基板Ｇを１枚ずつ受け取って、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２に渡すように構成されている。
両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送空間６８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル７０が図示しない駆動機構によってプロセスライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、上記第１および第２の平流し搬送路３４，６４や隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置７２を有し、この搬送装置７２の周囲にロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４および周辺装置７６を配置している。ロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４は、基板Ｇを水平面内で回転させるステージであり、露光装置１２との受け渡しに際して長方形の基板Ｇの向きを変換するために用いられる。周辺装置７６は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）や周辺露光装置（ＥＥ）等を第２の平流し搬送路６４に接続している。
図２に、この塗布現像処理システムにおける１枚の基板Ｇに対する全工程の処理手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上のいずれか１つのカセットＣから基板Ｇを１枚取り出し、その取り出した基板Ｇをプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６のプロセスラインＡ側の搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４に搬入する（ステップＳ1）。搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４から基板Ｇは第１の平流し搬送路３４上に移載または投入される。
第１の平流し搬送路３４に投入された基板Ｇは、最初に洗浄プロセス部２６においてエキシマＵＶ照射ユニット（Ｅ−ＵＶ）３６およびスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８により紫外線洗浄処理およびスクラビング洗浄処理を順次施される（ステップＳ2，Ｓ3）。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８は、平流し搬送路３４上を水平に移動する基板Ｇに対して、ブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより基板表面から粒子状の汚れを除去し、その後にリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８における一連の洗浄処理を終えると、基板Ｇはそのまま第１の平流し搬送路３４を下って第１の熱的処理部２８を通過する。
第１の熱的処理部２８において、基板Ｇは、最初にアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０で蒸気状のＨＭＤＳを用いるアドヒージョン処理を施され、被処理面を疎水化される（ステップＳ4）。このアドヒージョン処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）４２で所定の基板温度まで冷却される（ステップＳ5）。この後も、基板Ｇは第１の平流し搬送路３４を下って塗布プロセス部３０へ搬入される。
塗布プロセス部３０において、基板Ｇは最初にレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４で平流しのままスリットノズルを用いるスピンレス法により基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６で減圧による常温の乾燥処理を受ける（ステップＳ6）。
塗布プロセス部３０を出た基板Ｇは、第１の平流し搬送路３４を下って第２の熱的処理部３２を通過する。第２の熱的処理部３２において、基板Ｇは、最初にプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８でレジスト塗布後の熱処理または露光前の熱処理としてプリベーキングを受ける（ステップＳ7）。このプリベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜中に残留していた溶剤が蒸発して除去され、基板に対するレジスト膜の密着性が強化される。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）５０で所定の基板温度まで冷却される（ステップＳ8）。しかる後、基板Ｇは、第１の平流し搬送路３４の終点のパスユニット（ＰＡＳＳ）からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８の搬送装置７２に引き取られる。
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、ロータリステージ７４でたとえば９０度の方向変換を受けてから周辺装置７６の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップＳ9）。
露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ9）、先ず周辺装置７６のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ10）。しかる後、基板Ｇは、搬送装置７２よりプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６のプロセスラインＢ側に敷設されている第２の平流し搬送路６４の現像ユニット（ＤＥＶ）５４の始点に搬入される。
こうして、基板Ｇは、今度は第２の平流し搬送路６４上をプロセスラインＢの下流側に向けて搬送される。最初の現像ユニット（ＤＥＶ）５４において、基板Ｇは、平流しで搬送される間に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理を施される（ステップＳ11）。
現像ユニット（ＤＥＶ）５４で一連の現像処理を終えた基板Ｇは、そのまま第２の平流し搬送路６４に乗せられたまま第３の熱的処理部６６および検査ユニット（ＡＰ）６０を順次通過する。第３の熱的処理部６６において、基板Ｇは、最初にポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６で現像処理後の熱処理としてポストベーキングを受ける（ステップＳ12）。このポストベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜に残留していた現像液や洗浄液が蒸発して除去され、基板に対するレジストパターンの密着性が強化される。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）５８で所定の基板温度に冷却される（ステップＳ13）。検査ユニット（ＡＰ）６０では、基板Ｇ上のレジストパターンについて非接触の線幅検査や膜質・膜厚検査等が行われる（ステップＳ14）。
搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２は、第２の平流し搬送路６４から全工程の処理を終えてきた基板Ｇを受け取って、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２へ渡す。カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２から受け取った処理済の基板Ｇをいずれか１つ（通常は元）のカセットＣに収容する（ステップＳ1）。
この塗布現像処理システム１０においては、塗布プロセス部３０内の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６に本発明を適用することができる。以下、図３〜図１０につき、本発明の好適な実施形態における塗布プロセス部内３０の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６の構成および作用を詳細に説明する。
図３は、この実施形態における塗布プロセス部３０の全体構成を示す平面図である。図４〜図６は一実施例による減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６の構成を示し、図４はその平面図、図５および図６はその断面図である。
図３において、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４は、第１の平流し搬送路３４（図１）の一部または一区間を構成する浮上式のステージ８０と、このステージ８０上で空中に浮いている基板Ｇをステージ長手方向（Ｘ方向）に搬送する基板搬送機構８２と、ステージ８０上を搬送される基板Ｇの上面にレジスト液を供給するレジストノズル８４と、塗布処理の合間にレジストノズル８４をリフレッシュするノズルリフレッシュ部８６とを有している。
ステージ８０の上面には所定のガス（たとえばエア）を上方に噴射する多数のガス噴射口８８が設けられており、それらのガス噴射口８８から噴射されるガスの圧力によって基板Ｇがステージ上面から一定の高さに浮上するように構成されている。
基板搬送機構８２は、ステージ８０を挟んでＸ方向に延びる一対のガイドレール９０Ａ，９０Ｂと、これらのガイドレール９０Ａ，９０Ｂに沿って往復移動可能なスライダ９２と、ステージ８０上で基板Ｇの両側端部を着脱可能に保持するようにスライダ９２に設けられた吸着パッド等の基板保持部材（図示せず）とを備えており、直進移動機構（図示せず）によりスライダ９２を搬送方向（Ｘ方向）に移動させることによって、ステージ８０上で基板Ｇの浮上搬送を行うように構成されている。
レジストノズル８４は、ステージ８０の上方を搬送方向（Ｘ方向）と直交する水平方向（Ｙ方向）に横断して延びる長尺型ノズルであり、所定の塗布位置でその直下を通過する基板Ｇの上面に対してスリット状の吐出口よりレジスト液を帯状に吐出するようになっている。また、レジストノズル８４は、このノズルを支持するノズル支持部材９４と一体にＸ方向に移動可能、かつＺ方向に昇降可能に構成されており、上記塗布位置とノズルリフレッシュ部８６との間で移動できるようになっている。
ノズルリフレッシュ部８６は、ステージ８０の上方の所定位置で支柱部材９６に保持されており、塗布処理のための下準備としてレジストノズル８４にレジスト液を吐出させるためのプライミング処理部９８と、レジストノズル８４のレジスト吐出口を乾燥防止の目的から溶剤蒸気の雰囲気中に保つためのノズルバス１００と、レジストノズル８４のレジスト吐出口近傍に付着したレジストを除去するためのノズル洗浄機構１０２とを備えている。
ここで、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４における主な作用を説明する。 先ず、前段の第１の熱的処理部２８（図１）よりたとえばコロ搬送で送られてきた基板Ｇがステージ８０上の前端側に設定された搬入部に搬入され、そこで待機していたスライダ９２が基板Ｇを保持して受け取る。ステージ８０上で基板Ｇはガス噴射口８８より噴射されるガス（エア）の圧力を受けて略水平な姿勢で浮上状態を保つ。
そして、スライダ９２が基板を保持しながら減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６側に向かって搬送方向（Ｘ方向）に移動し、基板Ｇがレジストノズル８４の下を通過する際に、レジストノズル８４が基板Ｇの上面に向けてレジスト液を帯状に吐出することにより、基板Ｇ上に基板前端から後端に向って絨毯が敷かれるようにしてレジスト液の液膜が一面に形成される。こうしてレジスト液を塗布された基板Ｇは、その後もスライダ９２によってステージ８０上を浮上搬送され、ステージ８０の後端を越えて後述するコロ搬送路１０４に乗り移り、そこでスライダ９２による保持が解除される。コロ搬送路１０４に乗り移った基板Ｇはそこから先は、後述するようにコロ搬送路１０４上をコロ搬送で移動して後段の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６へ搬入される。
塗布処理の済んだ基板Ｇを上記のようにして減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６側へ送り出した後、スライダ９２は次の基板Ｇを受け取るためにステージ８０の前端側の搬入部へ戻る。また、レジストノズル８４は、１回または複数回の塗布処理を終えると、塗布位置（レジスト液吐出位置）からノズルリフレッシュ部８６へ移動してそこでノズル洗浄やプライミング処理等のリフレッシュないし下準備をしてから、塗布位置に戻る。
図３に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４のステージ８０の延長上（下流側）には、第１の平流し搬送路３４（図１）の一部または一区間を構成するコロ搬送路１０４（１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃ）が敷設されている。このコロ搬送路１０４は、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６のチャンバ１０６の中と外（前後）で連続して敷設されている。
より詳細には、この減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６回りのコロ搬送路１０４は、チャンバ１０６の搬送上流側つまり搬入側に敷設されている搬入側コロ搬送路１０４ａと、チャンバ１０６内に敷設されている内部コロ搬送路１０４ｂと、チャンバ１０６の搬送下流側つまり搬出側に敷設されている搬出側コロ搬送路１０４ｃとから構成されている。
各部のコロ搬送路１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃは、搬送方向（Ｘ方向）にそれぞれ適当な間隔で配置した複数本のコロ１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃを各独立または共通の搬送駆動部により回転させて、基板Ｇをコロ搬送で搬送方向（Ｘ方向）に送るようになっている。ここで、搬入側コロ搬送路１０４ａは、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４のステージ８０から浮上搬送の延長で搬出された基板Ｇを受け取り、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６のチャンバ１０６内へコロ搬送で送り込むように機能する。内部コロ搬送路１０４ｂは、搬入側コロ搬送路１０４ａからコロ搬送で送られてくる基板Ｇを同速度のコロ搬送でチャンバ１０６内に引き込むとともに、チャンバ１０６内で減圧乾燥処理の済んだ基板Ｇをチャンバ１０６の外（後段）へコロ搬送で送り出すように機能する。搬出側コロ搬送路１０４ｃは、チャンバ１０６内の内部コロ搬送路１０４ｂ中から送り出されてくる処理済の基板Ｇを内部コロ搬送路１０４ｂの搬送速度と同速度のコロ搬送で引き出して後段の処理部（第２の熱的処理部３２）へ送るように機能する。
図３〜図６に示すように、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６のチャンバ１０６は、比較的扁平な直方体に形成され、その中に基板Ｇを水平に収容できる空間を有している。このチャンバ１０６の搬送方向（Ｘ方向）において互いに向き合う一対（上流側および下流側）のチャンバ側壁には、基板Ｇが平流しでようやく通れる大きさに形成されたスリット状の搬入口１１０および搬出口１１２がそれぞれ設けられている。さらに、これらの搬入口１１０および搬出口１１２を開閉するためのゲート機構１１４，１１６がチャンバ１０６の外壁に取り付けられている。チャンバ１０６の上面部または上蓋１１８は、メンテナンス用に取り外し可能になっている。
各ゲート機構１１４，１１６は、図示省略するが、スリット状の搬入出口（１１０，１１２）を気密に閉塞できる蓋体（弁体）と、この蓋体を搬入出口（１１０，１１２）と水平に対向する鉛直往動位置とそれより低い鉛直復動位置との間で昇降移動させる第１のシリンダと、蓋体を搬入出口（１１０，１１２）に対して気密に密着する水平往動位置と離間分離する水平復動位置との間で水平移動させる第２のシリンダとを備えている。
チャンバ１０６内において、内部コロ搬送路１０４ｂを構成するコロ１０８ｂは、搬入出口（１１０，１１２）に対応した高さ位置で搬送方向（Ｘ方向）に適当な間隔を置いて一列に配置されており、一部または全部のコロ１０８ｂがチャンバ１０６の外に設けられているモータ等の回転駆動源１２０に適当な伝動機構を介して接続されている。各コロ１０８ｂは、基板Ｇの裏面に外径の一様な円筒部または円柱部で接触する棒体として構成されており、その両端部がチャンバ１０６の左右両側壁またはその付近に設けられた軸受（図示せず）に回転可能に支持されている。伝動機構の回転軸１２２が貫通するチャンバ１０６の側壁部分はシール部材１２４で封止されている。
搬入側コロ搬送路１０４ａを構成するコロ１０８ａも、図示省略するが、その両端部がフレーム等に固定された軸受に回転可能に支持され、上記内部コロ搬送路１０４ｂ用の回転駆動源１２０と共通または別個の回転駆動源により回転駆動されるようになっている。搬出側コロ搬送路１０４ｃを構成する１０８ｃも同様である。
この減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６は、チャンバ１０６内で基板Ｇを略水平に支えて上げ下げするための基板リフト機構（基板支持機構）１２６を備えている。この基板リフト機構１２６は、チャンバ１０６内に所定の配置パターンで（たとえばマトリクス状に）離散的に配置された多数本（好ましくは５０本以上）のリフトピン１２８と、これらのリフトピン１２８を所定の組またはグループ毎に内部コロ搬送路１０４ｂの搬送面よりも低い位置にて支持する複数の水平棒または水平板のピンベース１３０と、各ピンベース１３０を昇降移動させるためにチャンバ１０６の外（下）に配置された昇降駆動源たとえばシリンダ１３２とを有している。
より詳細には、相隣接する２本のコロ１０８ｂ，１０８ｂの隙間にコロ１０８ｂと平行に（Ｙ方向に）一定間隔で複数本（好ましくは７本以上）のリフトピン１２８を鉛直に立てて一列に配置し、かかるリフトピン列を搬送方向（Ｘ方向）に適当な間隔を置いて複数列（好ましくは８列以上）設け、各ピンベース１３０に１組または複数組（図示の例は２組）のリフトピン列を支持させる。そして、チャンバ１０６の底壁をシール部材１３４を介して気密に貫通し、かつ昇降移動可能な昇降軸１３６によって、チャンバ内側の各ピンベース１３０をチャンバ外側の各対応するシリンダ１３２に接続している。
かかる構成の基板リフト機構１２６においては、全部のシリンダ１３２を同一タイミングで同一ストロークの前進（上昇）または後退（下降）駆動を一斉に行わせることにより、昇降軸１３６およびピンベース１３０を介して全リフトピン１２８をピン先端の高さを揃えて、図５に示すようにピン先端がコロ搬送路１０４ｂの搬送面よりも低くなる復動（下降）位置と、図６に示すようにピン先端がコロ搬送路１０４ｂの搬送面よりも高くなる往動（上昇）位置との間で、昇降移動させることができるようになっている。
チャンバ１０６の底壁には１箇所または複数個所に排気口１３８が形成されている。これらの排気口１３８には排気管１４０を介して真空排気装置１４２が接続されている。各真空排気装置１４２は、チャンバ１０６内を大気圧状態から真空引きして所定圧力または真空度の減圧状態を維持するための真空ポンプを有している。なお、それら複数の真空排気装置１４２の排気能力のばらつきを平均化するために、それぞれの排気管１４０同士を接続管（図示せず）で繋いでもよい。また、排気管１４０の途中に開閉弁（図示せず）が設けられてよい。
チャンバ１０６内の両端部、つまり搬入口１１０および搬出口１１２の近くでコロ搬送路１０４ｂよりも低い位置に、Ｙ方向に延びる円筒状の窒素ガス噴出部１４４が設けられている。これらの窒素ガス噴出部１４４は、たとえば金属粉末を焼結してなる多孔質の中空管からなり、配管１４６（図４）を介して窒素ガス供給源（図示せず）に接続されている。減圧乾燥処理の終了後にチャンバ１０６を密閉したまま減圧状態から大気圧状態に戻す際に、これらの窒素ガス噴出部１４４が管の全周面からパージ用の窒素ガスを噴き出すようになっている。
各リフトピン１２８は、基端部つまり下端部がピンベース１３０に固定されたピン本体１２８ａと、このピン本体１２８ａの上端から鉛直上方に突き出るピン先部１２８ｂとを有している（図５）。ピン本体１２８ａは、剛体たとえばステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる中空の筒体または管で構成されている。ピン先部１２８ｂは、好ましくはＰＥＥＫまたはセラゾール（商品名）等の樹脂からなる円柱状の棒体で構成され、ピン本体１２８ａの上端部にかしめて固着されている。
この実施形態では、基板リフト機構１２６にリフトピン１２８を所望の一定温度に空冷する温度調節機能を持たせており、この温調機能のために、チャンバ１０６の外に空冷ガス供給源１５０を設置し、この空冷ガス供給源１５０の出力ポートを配管つまり空冷ガス供給管１５２を介して各リフトピン１２８に接続している。配管１５２の途中には開閉弁１５４が設けられてよい。
図７に、基板リフト機構１２６におけるリフトピン空冷部の具体的構成例を示す。ピンベース１３０のピン取付位置には貫通孔が設けられている。より詳細には、この貫通孔の上部にネジ孔（雌ネジ）１５６が形成され、下部に空冷ガス導入口１５８が形成されている。リフトピン１２８の下端部に固着された筒状のネジ部（雄ネジ）１６０がネジ孔１５６に嵌合することにより、リフトピン１２８はピンベース１３０に着脱可能に取付される。また、このピン取付構造においては、リフトピン１２８に固着されている筒状ブロック（鍔部）１６２の下面がピンベース１３０の上面に当接することで、リフトピン１２８がピン先の高さを揃えて鉛直姿勢で固定されるようになっている。空冷ガス導入口１５８には、たとえばＴ型継手１６４を介して空冷ガス供給管１５２が接続される。
リフトピン１２８において、ピン本体１２８ａの内部は中空で、下端が開口し、先細りの上端部はピン先部１２８ｂで塞がっている。そして、ピン本体１２８ａの側壁には、好ましくはピン先端部に近い部位に、１つまたは複数の通気孔１２８ｃが設けられている。図示の構成例は、リフトピン１２８の軸方向で複数個所たとえば２箇所、各箇所で周回方向に複数個たとえば４個（合計８個）の通気孔１２８ｃを設けている。
空冷ガス供給源１５０（図５、図６）より空冷ガス供給管１５２の中を送られてくるたとえばエアあるいは窒素ガス等の空冷ガスＣＡは、Ｔ型継手１６４から空冷ガス導入口１５８を通ってリフトピン１２８（ピン本体１２８ａ）の中にピン下端の開口から導入される。そして、リフトピン１２８の中に下から導入された空冷ガスＣＡは、ピン内部の中空空間１６５を上方に流れ、ピン先端部の近くで各通気孔１２８ｃからピンの外へ流れ出るようになっている。このように、リフトピン１２８内の中空空間１６５を下から上まで空冷ガスＣＡが通り抜けることで、リフトピン１２８が空冷ガスＣＡを冷媒（媒体）として所定温度に空冷（温調）されるようになっている。
この実施形態では、上記のようなリフトピン１２８自体の構造と空冷ガス供給源１５０、空冷ガス供給管１５２および開閉弁１５４とが組み合わさってリフトピン空冷部が構成されている。このリフトピン空冷部においては、空冷ガスＣＡの温度と流量が主要な温調条件である。空冷ガスＣＡの温度は、主としてピン空冷温度の飽和値を規定する。空冷ガスＣＡの流量は、主としてピン空冷速度を律速し、流量が大きいほど空冷速度も大きくなる。空冷ガスＣＡの流量を大きくする場合は、通気孔１２８ｃの個数を増やすか、その全開口面積を大きくして、コンダクタンスを高くするのが望ましい。
次に、図４〜図８につき、この実施形態における減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６の作用を説明する。なお、図８は、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６内で減圧乾燥の枚葉処理を所定の周期またはタクトτで繰り返した場合のリフトピン１２８の温度変化の一例を示す。
上記したように、上流側隣のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４でレジスト液を塗布された基板Ｇは、平流しでステージ８０上の浮上搬送路から搬入側コロ搬送路１０４ａに乗り移る。その後、図５に示すように、基板Ｇは搬入側コロ搬送路１０４ａ上をコロ搬送で移動し、やがて減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６のチャンバ１０６の中にその搬入口１１０から進入する。この時、ゲート機構１１４は搬入口１１０を開けておく。
内部コロ搬送路１０４ｂも、回転駆動源１２０の回転駆動により、搬入側コロ搬送路１０４ａのコロ搬送動作とタイミングの合った同一搬送速度のコロ搬送動作を行い、図５に示すように、搬入口１１０から入ってきた基板Ｇをコロ搬送でチャンバ１０６の奥に引き込む。この時、基板リフト機構１２６は、全てのリフトピン１２８を各ピン先端が内部コロ搬送路１０４ｂの搬送面よりも低くなる復動（下降）位置に待機させておく。そして、基板Ｇがチャンバ１０６内の略中心の所定位置に着くと、そこで内部コロ搬送路１０４ｂのコロ搬送動作が停止する。これと同時または直前に搬入側コロ搬送路１０４ａのコロ搬送動作も停止してよい。
なお、上記のように前段または上流側隣のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４から減圧乾燥処理を受けるべき基板Ｇがチャンバ１０６に搬入される時、これと同時または直前に、図５に示すように、チャンバ１０６内で減圧乾燥処理を受けたばかりの先行基板Ｇが内部コロ搬送路１０４ｂおよび搬出側コロ搬送路１０４ｃ上の連続した等速度のコロ搬送によって搬出口１１２からチャンバ１０６の外に出てそのまま後段または下流側隣の第２の熱的処理部３２（図１）へ平流しで送られる。
上記のようにして、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４でレジスト液を塗布されてきた基板Ｇが、搬入側コロ搬送路１０４ａおよび内部コロ搬送路１０４ｂ上の連続的なコロ搬送によって減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６のチャンバ１０６に搬入される。この直後に、ゲート機構１１４，１１６が作動して、それまで開けていた搬入口１１０および搬出口１１２をそれぞれ閉塞し、チャンバ１０６を密閉する。なお、基板Ｇは、常温（たとえば約２５℃）でチャンバ１０６内に搬入される。
次いで、基板リフト機構１２６が昇降シリンダ１３２を往動させて、チャンバ１０６内で全てのリフトピン１２８のピン先端が内部コロ搬送路１０４ｂの搬送面を越える所定の高さ位置まで全てのピンベース１３０を一斉に所定ストロークだけ上昇させる。この基板リフト機構１２６の往動（上昇）動作により、図６に示すように、基板Ｇは内部コロ搬送路１０４ｂから水平姿勢のままリフトピン１２８のピン先に載り移り、そのまま内部コロ搬送路１０４ｂの上方に持ち上げられる。
次いで、所定のタイミング（図８の時点ｔa）で、真空排気装置１４２が作動して、チャンバ１０６内の真空排気を開始する。この真空排気により、チャンバ１０６内の圧力が減圧状態になり、この減圧状態の下で基板Ｇ上のレジスト液膜から溶剤（シンナー）が蒸発し、この気化熱によって基板Ｇの温度および周囲の温度が急激に下がり、図８に示すようにリフトピン１２８の温度もたとえば常温（約２５℃）の初期温度から単調に下がる。
なお、真空排気装置１４２が真空排気動作を行っている間、基板リフト機構１２６のリフトピン空冷部においては開閉弁１５４が閉じていて、リフトピン１２８に対する空冷は休止している。
減圧乾燥を開始してから一定時間経過後の図８の時点ｔbで、真空排気装置１４２が真空排気動作を止めて減圧乾燥の処理を終了すると、この時点でリフトピン１２８の温度は極小値ＴL（たとえば１２℃〜８℃）に達する。そして、これと入れ代わりに、チャンバ１０６側壁の両ゲート機構１１４、１１６が開いて、チャンバ１０６内で窒素ガス噴出部１４４がパージ用の窒素ガスを所定の流量で拡散放出する。このパージングによってチャンバ１０６内の雰囲気温度が急上昇する。
一方、減圧乾燥の終了直後から基板リフト機構１２６のリフトピン空冷部も空冷動作を開始し、開閉弁１５４が開いて、空冷ガス供給源１５０より空冷ガスが空冷ガス供給管１５２を介してチャンバ１０６内の各リフトピン１２８に所定の流量（たとえば１５リットル／分以上）で供給される。上記のように、各リフトピン１２８においては、空冷ガス導入口１５８より導入された空冷ガスＣＡがピン本体１２８ａ内の中空空間１６５を下から上まで縦断して流れ、ピン上端部近傍の各通気孔１２８ｃから外へ抜け出る。こうして、基板リフト機構１２６においてリフトピン１２８の空冷が開始される。
もっとも、パージング中は、チャンバ１０６内の雰囲気温度の上昇率がリフトピン空冷速度を上回るため、リフトピン１２８の温度は単調に上昇し、パージング終了時（時点ｔC）にはリフトピン１２８の温度が初期温度ＴS（約２５℃）よりもはるかに高い極大温度ＴH（たとえば３５℃〜４０℃）に達する。
しかし、窒素ガス噴出部１４４の動作が停止してパージングを終了した後は、リフトピン空冷部による空冷の効き目が直に顕われて、リフトピン１２８の温度は急速に下がり、短時間で空冷ガスＣＡの温度つまりピン空冷温度に達して飽和（安定）する。この実施例では、ピン空冷温度を常温（約２５℃）に設定しているので、リフトピン１２８の温度は常温つまり初期温度（約２５℃）近辺に戻る。
上記のようなパージング動作およびリフトピン空冷動作と並行して、またはこれらと前後して、リフトピン１２８から内部コロ搬送路１０４ｂへの基板Ｇの移載が行われる。より詳細には、基板リフト機構１２６が昇降シリンダ１３２を復動させて、全てのリフトピン１２８のピン先端が内部コロ搬送路１０４ｂの搬送面よりも低くなる所定の高さ位置まで全てのピンベース１３０を一斉に所定ストロークだけ下降させる。この基板リフト機構１２６の復動（下降）動作により、基板Ｇは水平姿勢でリフトピン１２８のピン先から内部コロ搬送路１０４ｂに載り移る。
そして、この基板移載動作の直後に、内部コロ搬送路１０４ｂおよび搬出側コロ搬送路１０４ｃ上でコロ搬送動作が開始され、減圧乾燥処理を受けたばかりの当該基板Ｇは搬出口１１２からコロ搬送によって搬出され、そのまま後段の第２の熱的処理部３２（図１）へ平流しで送られる。この処理済基板Ｇの搬出動作と同時に、図５に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４からの後続の基板Ｇが、搬入側コロ搬送路１０４ａおよび内部コロ搬送路１０４ｂ上の連続的なコロ搬送によって搬入口１１０からチャンバ１０６内に搬入される。この後続または新規の基板Ｇも常温で搬入され、この基板Ｇに対して上記と同じ減圧乾燥の枚葉処理が一定のタクトτで行われる。
この場合、新規に搬入された常温の基板Ｇは初期温度つまり常温付近に戻っているリフトピン１２８と接触するので、基板Ｇとリフトピン１２８との間に実質的な温度差ないし熱交換は殆どなく、両者（Ｇ，１２８）のいずれも常温の状態から減圧乾燥（真空排気）が開始される。これによって、基板Ｇ上のレジスト膜にリフトピン１２８の跡が付くピン転写を防止できる。
この点に関して、従来の減圧乾燥装置においては、つまり基板リフト機構が上記実施形態のリフトピン空冷部を備えない場合は、図８の仮想線（一点鎖線）で示すように、パージングによるリフトピン温度上昇の度合い（上昇幅）が大きいうえ、パージング終了後のリフトピン温度降下の度合い（レート）が小さく、次の減圧乾燥（真空排気）が開始される時点ｔd（ｔa）でリフトピンの温度は初期温度または常温（約２５℃）よりもまだ相当高い温度ＴS'（たとえば３２℃〜３６℃）にある。この結果、搬入直後の基板がそれよりも高温のリフトピンに支持（接触）されることになって、基板上のレジスト液膜がリフトピン接触位置付近で局所的な熱影響を受け（局所的に溶媒の蒸発が促進され）、ピン跡の転写が発生しやすくなる。
上記のように、この実施形態の減圧乾燥装置においては、減圧乾燥処理の全期間およびその前後を通じてチャンバ１０６内で基板Ｇを支持するリフトピン１２８を所定のタイミングで、および所定の期間に亘り所望のピン冷却温度で冷却（温調）するので、基板Ｇ上のレジスト膜にリフトピン１２８の跡が付くピン転写を効果的に防止することができる。
他にも、この実施形態の減圧乾燥装置には、従来装置にはない利点がある。すなわち、減圧乾燥処理を受けるべき基板Ｇをコロ搬送でチャンバ１０６の中に搬入し、チャンバ１０６内で減圧乾燥処理の済んだ基板Ｇをコロ搬送によってチャンバ１０６の外へ搬出するようにしたので、チャンバ１０６に対する基板Ｇの搬入出において、搬送アームを用いる搬送ロボットは不要であり、基板をうちわのようにたわませてしまってローディング／アンローディングの際に位置ずれや衝突・破損等のエラーを起こさなくて済む。また、チャンバ１０６の側壁に設けたスリット状の搬入口１１０および搬出口１１２を通らせて基板Ｇの搬入出を行うので、１〜２トン以上はあるチャンバ１０６の上蓋１１８を開閉（上げ下げ）する操作も不要であり、大きな振動による発塵の問題はなく、作業員に対する安全性も確保されている。
図９および図１０に、この実施形態の基板リフト機構１２６におけるリフトピン空冷部の変形例を示す。
図９に示すリフトピン空冷部は、リフトピン１２８のピン本体１２８ａにピン先端部側を気密に塞いでピン下端部側を外気に開放する筒状カバー１７０を被せるものである。より詳細には、筒状カバー１７０は剛体たとえばＳＵＳまたはアルミニウムからなり、そのカバー上端部は先細りになってピン先部１２８ｂの半径方向外側でピン本体１２８ａの上端部に気密に接合し、カバー中間部はピン本体１２８ａの外周と筒状の隙間１７２を形成して平行に延び、カバー下端部は筒状ブロック体１６２の少し上方の位置で終端し、環状の開口１７４を形成している。
かかる構成によれば、空冷ガス供給源１５０（図５、図６）より空冷ガス供給管１５２の中を流れてきた空冷ガスＣＡは、ピン下端の開口からリフトピン１２８の中に導入され、ピン内部の中空空間１６５を下から上に流れ、ピン先端部の近くで各通気孔１２８ｃからピンの外へ流出する。そして、各通気孔１２８ｃからリフトピン１２８の外に出た空冷ガスＣＡは、筒状カバー１７０内側の隙間つまりガス流路１７２の中を下方に向かって案内され、カバー１７０下端の開口１７４から放射状に外部または周囲空間へ出る。これにより、次のような特有の作用効果が奏される。
一つは、ピン空冷効果の向上である。すなわち、空冷ガスＣＡは、リフトピン１２８（ピン本体１２８ａ）の内壁に沿ってピン内部のガス流路１６５を下から上に流れ、各通気孔１２８ｃの外に出ると今度はリフトピン１２８（ピン本体１２８ａ）の外壁に沿ってピン周囲の隙間またはガス流路１７２を上から下に流れることで、リフトピン１２８（ピン本体１２８ａ）の壁を内と外の両側で二重に空冷し、これによりピン空冷効果を一層高めることができる。
また、リフトピン空冷部の基板Ｇに及ぼす熱的な影響を一層確実に防止する効果も得られる。すなわち、リフトピン１２８から空冷ガスＣＡが周囲に噴き出る高さ位置を通気孔１２８ｃの位置ではなく、それより相当下方のカバー１７０下端の開口１７４の位置に下げることで、空冷ガスＣＡの噴出流が基板Ｇに及ぼす熱的な影響を十全に防止することができる。
図１０のリフトピン空冷部は、チャンバ１０６内の圧力に左右されずに、つまりチャンバ１０６内が減圧状態にあっても、リフトピン１２８の空冷を行える構成を特徴としている。この構成例では、カバー１７０の下端をピンベース１３０の中まで延ばして（埋めて）、カバー開口部１７４をピンベース１３０内部のガス流路（復路）１８０に気密に接続している。このガス流路（復路）１８０は、ピンベース１３０および昇降軸１３６の中を通り、チャンバ１０６の外で大気に通じている。一方、リフトピン１２８の下端開口と接続するガス流路１８２は、ピンベース１３０および昇降軸１３６の中を通り、チャンバ１０６の外でガス供給管１５２に接続している。
かかる構成においては、チャンバ１０６内でリフトピン１２８の中に空冷ガスＣＡを流通させるためのガス流路（１８２，１６５、１２８ｃ，１７２，１７４，１８０）を全区間にわたってシール（真空封止）しているので、チャンバ１０６内の圧力から独立してリフトピン１２８の空冷を持続的にも断続的にも行うことができる。特に、リフトピン１２８の空冷を持続的または連続的に行う場合は、これによってリフトピン１２８の温度を一定に保持することも可能である。
以上本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種々の変形が可能である。
たとえば、基板リフト機構１２６のリフトピン空冷部において、空冷ガス供給源１５０をたとえば真空ポンプまたはエジェクタからなるバキューム源に置き換えることも可能である。この場合、空冷ガスはリフトピン１２８の周囲の雰囲気ガス（たとえば空気または窒素ガス）であり、ガス供給管１５２はガス吸引管となり、リフトピン１２８の中で空冷ガスの流れる向きが上記実施形態とは反対になる。すなわち、ピン周囲のガス（空冷ガス）が通気孔１２８ｃからピンの中に流入し、流入した空冷ガスはピン内部の中空空間１６５を上から下に流れ、下端開口からガス吸引管１５２を通ってバキューム源に吸い込まれる。
上記実施形態は本発明をコロ搬送方式の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６に適用したものであったが、本発明は任意の方式の減圧乾燥装置に広く適用可能であり、さらには減圧無しで所望の処理（たとえば熱処理）を行う他の基板処理装置にも適用可能である。基板支持機構の全体または各部の構成は種々の変形が可能であり、たとえば支持ピンを昇降させずに一定の位置に固定する構成や、支持ピンがチャンバの底壁を貫通して昇降移動できる構成等も可能である。
本発明における被処理基板はＬＣＤ用のガラス基板に限るものではなく、他のフラットパネルディスプレイ用基板や、半導体ウエハ、ＣＤ基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。減圧乾燥処理対象の塗布液もレジスト液に限らず、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の処理液も可能である。
本発明の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。 上記塗布現像処理システムにおける処理手順を示すフローチャートである。 実施形態における塗布プロセス部の全体構成を示す平面図である。 実施形態における減圧乾燥ユニットの構成を示す平面図である。 実施形態における減圧乾燥ユニットの搬入出の各部の状態を示す断面図である。 実施形態における減圧乾燥ユニットの減圧乾燥処理中の各部の状態を示す断面図である。 実施形態における基板リフト機構の要部を示す断面図である。 実施形態による減圧乾燥の枚葉処理においてリフトピンの温度が変化する特性の一例を示す図である。 実施形態の一変形例による基板リフト機構の要部を示す断面図である。 実施形態の別の変形例による基板リフト機構の要部を示す断面図である。基板リフト機構の要部を示す断面図である。
符号の説明
１０ 塗布現像処理システム
４６ 減圧乾燥ユニット（ＶＤ）
１０６ チャンバ
１０８ｂ 内部コロ搬送路のコロ
１１０ 搬入口
１１２ 搬出口
１１４，１１６ ゲート機構
１２０ 搬送駆動源
１２６ 基板リフト機構
１２８ リフトピン
１２８ａ ピン本体
１２８ｂ ピン先部
１２８ｃ 通気孔
１３０ ピンベース
１３２ シリンダ（昇降駆動源）
１３６ 昇降軸
１３８ 排気口
１４０ 排気管
１４２ 真空排気装置
１５２ 冷却ガス供給管
１７０ 筒状カバー

Claims (15)

  1. 被処理基板を支持ピンの先端に載せて支持する基板支持機構であって、
    前記支持ピンを先端部が閉塞し、かつ側壁に通気孔が設けられた中空の筒体で構成し、
    前記通気孔を通って前記筒体の中を温度調整のための所定のガスが流れるように、前記筒体の基端部にガス供給部またはバキューム源を接続してなる基板支持機構。
  2. 前記通気孔が、前記支持ピンの先端部に近い部位に設けられる請求項１に記載の基板支持機構。
  3. 前記通気孔が、前記支持ピンの軸方向で異なる部位に複数設けられる請求項１または請求項２に記載の基板支持機構。
  4. 前記通気孔が、前記支持ピンの周回方向で異なる部位に複数設けられる請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板支持機構。
  5. 前記支持ピンが、前記筒体の先端部に取り付けられた樹脂製のピン先部を有する請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板支持機構。
  6. 前記通気孔よりもピン先部側を塞いで前記筒体の外周面を隙間を空けて覆う筒状のカバー体を有し、
    前記カバー体の基端部側に設けられた外気に通じる開口部と前記筒体の通気孔との間で前記カバー体の内側の隙間を介して前記ガスを流す請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板支持機構。
  7. 前記支持ピンを水平面内で所定の間隔を空けて複数本配置し、各々の前記支持ピンを略鉛直に立てて支持するピン支持部材を有する請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板支持機構。
  8. 前記ピン支持部材の中に、前記筒体の基端部と接続し、前記ガス供給部またはバキューム源に通じるガス流路が形成されている請求項７に記載の基板支持機構。
  9. 前記支持ピンを昇降移動させるために前記ピン支持部材を鉛直方向で移動させる昇降部を有する請求項７または請求項８に記載の基板支持機構。
  10. 基板上に塗布膜が形成された直後の被処理基板を出し入れ可能に収容する密閉可能なチャンバと、
    前記チャンバ内で前記基板を前記支持ピンの先端に載せて支持する請求項１〜９のいずれか一項に記載の基板支持機構と、
    前記基板上の塗布膜を減圧状態で乾燥させるために前記チャンバ内を真空排気する真空排気機構と
    を有する減圧乾燥装置。
  11. 前記真空排気機構の真空排気動作を停止させている期間中に、前記支持ピンの内部を前記温度調整用のガスが流れるように前記基板支持機構の前記ガス供給部またはバキューム源を作動させる請求項１０に記載の減圧乾燥装置。
  12. 前記真空排気機構の真空排気動作を止めた直後に前記チャンバ内にパージ用のガスを供給するパージガス供給部を有する請求項１１に記載の減圧乾燥装置。
  13. 前記減圧乾燥の枚葉処理が一定のサイクルで繰り返し行われ、各回の処理が開始される直前には前記支持ピンのピン先部の温度が一定の基準温度付近まで戻る請求項１１または請求項１２に記載の減圧乾燥装置。
  14. 前記ガス供給部またはバキューム源を前記チャンバの外に配置し、前記チャンバの壁を通る真空封止された通気路を介して前記ガス供給部またはバキューム源と前記支持ピンの筒体の基端部とを接続する請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の減圧乾燥装置。
  15. 被処理基板を出し入れ可能に収容するチャンバと、
    前記チャンバ内で前記基板を前記支持ピンの先端に載せて支持する請求項１〜９のいずれか一項に記載の基板支持機構と、
    前記チャンバ内で前記基板に雰囲気温度が変化する所定の処理を施す処理部と
    を有する基板処理装置。
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