JP5485110B2 - 配線基板及びその製造方法、電子装置 - Google Patents

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Description

本発明は、放熱板を有する配線基板及びその製造方法、並びに前記配線基板に電子部品を搭載した電子装置に関する。
半導体素子の高集積化等により、半導体素子の発する熱を効率よく外部に放出することが求められている。このため、半導体素子を搭載するための配線基板として、放熱板を有する配線基板が提案されている。例えば、ヒートシンク(放熱板)とリードフレーム(外部接続端子)とを絶縁性樹脂を用いてインサート成形し、成形された絶縁性樹脂上に半導体素子と電気的に接続される内部回路パターン部(内部接続端子)を形成した配線基板が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
又、金属体(放熱板)と絶縁性樹脂からなる絶縁基体とを接合し、絶縁基体の一方の面に半導体素子と電気的に接続される内部接続端子を、絶縁基体の他方の面に外部接続端子を設け、内部接続端子と外部接続端子とを絶縁基体を貫通する貫通導体により電気的に接続した配線基板が提案されている(例えば、特許文献2参照)。
特開昭64−47058号公報 特開2007−266172号公報
しかしながら、従来提案されていた配線基板では、内部接続端子と外部接続端子を別途に形成してから接続していたため、配線基板の構造や製造工程が複雑化する問題があった。又、絶縁性樹脂上に内部接続端子や外部接続端子を形成しているため、短絡等に対する信頼性を向上するためには、内部接続端子や外部接続端子の必要部分のみを露出し他の部分を被覆するソルダーレジスト層を形成する必要があり、配線基板の構造や製造工程が複雑化する問題があった。
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、簡易な構造で放熱性に優れた配線基板及びその製造方法、並びに前記配線基板に電子部品を搭載した電子装置を提供することを課題とする。
本配線基板は、第1主面に電子部品搭載領域を設けた配線基板であって、前記電子部品搭載領域に搭載される電子部品の発する熱を外部に放出する放熱板と、前記放熱板の第1の面を前記第1主面の前記電子部品搭載領域に露出するように、前記放熱板を被覆する封止樹脂と、前記電子部品の電極と電気的に接続される端子面を備えた内部接続端子と、配線を介して前記内部接続端子と電気的に接続すると共に、外部と信号の入出力を行う端子面を備えた外部接続端子と、を有し、前記封止樹脂は、前記配線の少なくとも前記第1主面側及びその反対面である第2主面側、前記端子面を除く前記内部接続端子、及び前記端子面を除く前記外部接続端子、を被覆し、前記放熱板の前記第1の面、前記内部接続端子の前記端子面、及び前記外部接続端子の前記端子面は、前記第1主面側の同一平面上に露出し、前記放熱板の前記第1の面の反対面である第2の面は、前記第2主面側において前記封止樹脂から露出していることを要件とする。
本配線基板の製造方法は、第1主面に電子部品搭載領域を設けた配線基板の製造方法であって、前記電子部品の電極と電気的に接続される端子面を備えた内部接続端子、及び配線を介して前記内部接続端子と電気的に接続すると共に外部と信号の入出力を行う端子面を備えた外部接続端子を一体的に形成する第1工程と、支持体の一方の面に前記内部接続端子の前記端子面、前記外部接続端子の前記端子面、及び前記電子部品の発する熱を外部に放出する放熱板の第1の面を当接するように仮固定する第2工程と、前記支持体の一方の面に、前記内部接続端子、前記外部接続端子、及び前記配線、並びに前記放熱板を被覆する封止樹脂を形成する第3工程と、前記支持体を除去し、前記放熱板の前記第1の面、前記内部接続端子の端子面、及び前記外部接続端子の端子面を、前記第1主面側において前記封止樹脂から同一平面上に露出させる第4工程と、前記放熱板の前記第1の面の反対面である第2の面上に前記封止樹脂が形成されている場合に、前記第2の面上の前記封止樹脂を除去し、前記第2の面を前記封止樹脂から露出させる第5工程と、を有することを要件とする。
簡易な構造で放熱性に優れた配線基板及びその製造方法、並びに前記配線基板に電子部品を搭載した電子装置を提供できる。
第1の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。 第1の実施の形態に係る配線基板を例示する上面斜視図である。 第1の実施の形態に係る配線基板を例示する底面斜視図である。 第1の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図(その1)である。 第1の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図(その2)である。 第1の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図(その3)である。 第1の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図(その4)である。 第1の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図(その5)である。 第1の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図(その6)である。 第1の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図(その7)である。 第1の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図(その8)である。 第1の実施の形態の変形例1に係る配線基板を例示する断面図である。 第1の実施の形態の変形例1に係る配線基板を例示する上面斜視図である。 第1の実施の形態の変形例2に係る配線基板を例示する断面図である。 第1の実施の形態の変形例2に係る配線基板を例示する上面斜視図である。 第2の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。 第2の実施の形態に係る配線基板を例示する上面斜視図である。 第2の実施の形態に係る配線基板を例示する底面斜視図である。 第2の実施の形態の変形例1に係る配線基板を例示する断面図である。 第2の実施の形態の変形例2に係る配線基板を例示する上面斜視図である。 第2の実施の形態の変形例2に係る配線基板を例示する底面斜視図である。 第3の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。 第4の実施の形態に係る電子装置を例示する断面図である。 第4の実施の形態の変形例1に係る電子装置を例示する断面図である。 第4の実施の形態の変形例2に係る電子装置を例示する断面図である。
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
〈第1の実施の形態〉
[第1の実施の形態に係る配線基板の構造]
まず、第1の実施の形態に係る配線基板の構造について説明する。図1は、第1の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。図2は、第1の実施の形態に係る配線基板を例示する上面斜視図である。図3は、第1の実施の形態に係る配線基板を例示する底面斜視図である。なお、図1は図2のA−A線に沿う断面図である。
図1〜図3を参照するに、第1の実施の形態に係る配線基板10は、放熱板11と、封止樹脂12と、内部接続端子13と、外部接続端子14と、配線15とを有し、電子部品を搭載可能な配線基板である。配線基板10の平面形状は、例えば、矩形状とすることができる。配線基板10の寸法は、搭載する電子部品の形状等を考慮して適宜決定することができる。
10aは配線基板10の第1主面(以降、第1主面10aとする)を、10bは配線基板10の第2主面(以降、第2主面10bとする)を示している。第1主面10aは、電子部品が搭載される面である。10xは、電子部品が搭載される電子部品搭載領域(以降、電子部品搭載領域10xとする)を示している。第1の実施の形態では、配線基板10として、4端子の電子部品を搭載可能な配線基板を例示するが、これに限定されないことは言うまでもない。なお、本願における電子部品とは、半導体素子(ベアチップ)、半導体素子を絶縁性樹脂等で封止した半導体パッケージ、半導体素子を有さない高発熱部品等を含むものとする。半導体素子を有さない高発熱部品の例としては、抵抗、インダクター、トランス等を挙げることができる。
放熱板11は、配線基板10の第1主面10aに設けられた電子部品搭載領域10xに搭載される電子部品の発する熱を外部に放出する機能を有する。放熱板11の第1の面11aは、第1主面10aの電子部品搭載領域10xに露出している。放熱板11の第2の面11bは、第2主面10b側に露出している。放熱板11は段差部11cを有し、段差部11cは、平面視において、第1の面11aの周囲に形成されている。放熱板11の第2の面11bにより、配線基板10の電子部品搭載領域10xに搭載される電子部品の発する熱を第2主面10b側に効率よく放熱できる。なお、放熱板11は段差部11cを有さなくても構わない。
放熱板11の材料としては、例えば、銅(Cu)やアルミニウム(Al)、アルマイト処理したアルミニウム(Al)等の熱伝導率の高い金属を用いることができる。アルマイト処理とは、アルミニウム(Al)からなる部材を酸性電解液に浸して陽極酸化することにより、アルミニウム(Al)からなる部材の表面に酸化皮膜(Al)を形成する処理である。形成された酸化皮膜(Al)は微細な凹凸を有するため、アンカー効果により、放熱板11と封止樹脂12との密着性を向上できる。
放熱板11の第1の面11a及び第2の面11bの何れか一方又は双方に、電解めっき法等により金属層を形成しても構わない。金属層の例としては、Au層や、Ni/Au層(Ni層とAu層をこの順番で積層した金属層)、Ni/Pd/Au層(Ni層とPd層とAu層をこの順番で積層した金属層)等を挙げることができる。このような金属層を形成することにより、金属層上にはんだ等の導電材料が形成された場合の接続信頼性を向上することができる。
封止樹脂12は、第1の面11a及び第2の面11bを除く放熱板11を被覆すると共に、内部接続端子13、外部接続端子14、及び配線15を形成するための基体となる部分である。封止樹脂12の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂を主成分とする絶縁性樹脂等を用いることができる。封止樹脂12は、アルミナ(Al)、窒化ボロン(BN)、又はシリカ(SiO)等の無機フィラーを含有しても構わない。なお、封止樹脂12は、配線基板10の電子部品搭載領域10xに搭載される電子部品の発する熱に耐え得る耐熱性を有することが必要である。
内部接続端子13の端子面13aは配線基板10の第1主面10a側に露出しており、端子面13aを除く内部接続端子13は封止樹脂12に被覆されている。内部接続端子13の端子面13aは、配線基板10の電子部品搭載領域10xに搭載される電子部品の電極と電気的に接続される部分である。
外部接続端子14の端子面14aは配線基板10の第1主面10a側に露出しており、端子面14aを除く外部接続端子14は封止樹脂12に被覆されている。外部接続端子14の端子面14aは、外部と信号の入出力を行う部分である。外部接続端子14は、配線15を介して内部接続端子13と電気的に接続されている。配線15の少なくとも第1主面10a側及び第2主面10b側は、封止樹脂12に被覆されている。
内部接続端子13、外部接続端子14、及び配線15は、一体的に形成されている。第1の実施の形態では、4端子の電子部品を搭載可能な配線基板を例示しているため、内部接続端子13、外部接続端子14、及び配線15は、4組存在している。内部接続端子13、外部接続端子14、及び配線15の材料としては、例えば、銅(Cu)等を用いることができる。
内部接続端子13の端子面13a、外部接続端子14の端子面14a、及び放熱板11の第1の面11aは、面一である。つまり、内部接続端子13の端子面13a、外部接続端子14の端子面14a、及び放熱板11の第1の面11aは、第1主面10a側において封止樹脂12から同一平面上に露出している。
このように、配線基板10は、簡易な構造で放熱性に優れた配線基板である。
[第1の実施の形態に係る配線基板の製造方法]
次に、第1の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図4〜図11は、第1の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。
始めに、図4及び図5に示す工程では、金属平板18を準備し、準備した金属平板18にハーフエッチングを行い、内部接続端子13、外部接続端子14、及び配線15を一体的に形成する。なお、図4はハーフエッチングされた金属平板18の底面図、図5は図4のB−B線に沿う断面図である。図4に示すように、この時点では、最終的に4組の内部接続端子13、外部接続端子14、及び配線15となる部分が額縁状の外枠18xから延在している。金属平板18の材料としては、例えば、銅(Cu)等を用いることができる。金属平板18の厚さは、例えば、1mm程度とすることができる。
ハーフエッチングは、ハーフエッチングを行う場所を除く金属平板18の表面を感光性材料等のマスク(図示せず)で覆い、マスクで覆われていない部分の金属平板18を厚さ方向の途中まで除去することにより行う。すなわち、マスクで覆われていない部分の金属平板18を、エッチングを開始した面から反対方向には貫通させず、任意の厚み(例えば、0.5mm)まで除去することにより行う。金属平板18の材料が銅(Cu)である場合には、例えば塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液等を用いてハーフエッチングを行うことができる。
次に、図6に示す工程では、支持体19を準備し、準備した支持体19の一方の面19aにハーフエッチングされた金属平板18を仮固定する。金属平板18は、内部接続端子13の端子面13a及び外部接続端子14の端子面14aが一方の面19aに当接するように仮固定する。支持体19としては、例えば、一方の面にアクリル系粘着材が形成されたシート等を用いることができる。支持体19の厚さは、例えば、100μm程度とすることができる。
次に、図7に示す工程では、支持体19の一方の面19aに放熱板11を仮固定する。放熱板11は、第1の面11aが支持体19の一方の面19aに当接するように仮固定する。なお、放熱板11は、銅(Cu)やアルミニウム(Al)等の熱伝導率の高い金属を加工することにより作製できる。加工の一例としては、絞り加工、切削加工、プレス加工等を挙げることができる。
放熱板11の材料としてアルミニウム(Al)を用い、所定形状に加工後、アルマイト処理を施しても構わない。放熱板11としてアルマイト処理したアルミニウム(Al)を用いると、表面に形成された酸化皮膜(Al)の有する微細な凹凸のため、アンカー効果により、図8に示す工程において放熱板11と封止樹脂12との密着性を向上できる。
次に、図8に示す工程では、支持体19の一方の面19aに、放熱板11、内部接続端子13、外部接続端子14、及び配線15を被覆する封止樹脂12を形成する。封止樹脂12は、例えば、圧縮成形により形成できる。封止樹脂12の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂を主成分とする絶縁性樹脂等を用いることができる。封止樹脂12は、アルミナ(Al)、窒化ボロン(BN)、又はシリカ(SiO)等の無機フィラーを含有しても構わない。なお、この工程において、放熱板11の第1の面11aや第2の面11bには封止樹脂12が形成されないことが好ましいが、圧縮成形の条件によっては封止樹脂12(樹脂の薄い膜)が形成される場合がある。
次に、図9に示す工程では、支持体19を除去する。支持体19は、例えば、機械的に剥離することにより除去できる。
次に、図10に示す工程では、放熱板11の第2の面11b上に形成された封止樹脂12(樹脂の薄い膜)を除去する。除去方法の一例としては、機械的な研磨、ブラスト処理、プラズマアッシング等を挙げることができる。なお、図8に示す工程で放熱板11の第2の面11b上に封止樹脂12(樹脂の薄い膜)が形成されていない場合には、この工程は不要である。一方、図8に示す工程で放熱板11の第1の面11a上に封止樹脂12(樹脂の薄い膜)が形成されている場合には、第2の面11bと同様の方法で除去する必要がある。
次に、図11に示す工程では、図10に示す構造体を切断位置Cで切断することにより、図1〜図3に示す配線基板10が完成する。図10に示す構造体は、例えば、ダイシングブレードを用いたブレードダイシング法により切断できる。なお、図11は、図1〜図3とは、上下が反転して描かれている。
このように、第1の実施の形態によれば、放熱板を封止樹脂で被覆して配線基板を製造する。その結果、電子部品の発熱量を考慮した好適な厚さや形状等を有する放熱板を備えることができるため、放熱性に優れた配線基板を実現できる。又、放熱板の材料を必要最小限とすることが可能となり、配線基板の材料費を低減できる。
又、支持体の一方の面に、ハーフエッチングされた内部接続端子の端子面、外部接続端子の端子面、及び放熱板の第1の面を当接するように仮固定し、これらを封止樹脂で被覆後、支持体を除去する。このため、内部接続端子の端子面、外部接続端子の端子面、及び放熱板の第1の面は、封止樹脂から同一平面上に露出する。つまり、放熱板、内部接続端子、及び外部接続端子の必要部分のみが封止樹脂から露出し、その他の部分は封止樹脂により被覆されるため、絶縁信頼性を向上できる。更に、不要な導電部が露出しないため、封止樹脂上にソルダーレジスト層等を設ける必要がなく、配線基板の構造及び製造工程を簡略化することが可能となり、配線基板の低価格化を実現できる。
〈第1の実施の形態の変形例1〉
第1の実施の形態の変形例1では、放熱板11の第1の面11aにスリット(略十字状の溝11x)を形成する例を示す。なお、第1の実施の形態の変形例1において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
図12は、第1の実施の形態の変形例1に係る配線基板を例示する断面図である。図13は、第1の実施の形態の変形例1に係る配線基板を例示する上面斜視図である。第1の実施の形態の変形例1に係る配線基板を例示する底面斜視図は図3と同様であるため図示を省略する。なお、図12は図13のD−D線に沿う断面図である。
図12及び図13を参照するに、第1の実施の形態の変形例1に係る配線基板10Aは、放熱板11の第1の面11aに、平面形状が略十字状の溝11xが形成されている点が、第1の実施の形態に係る配線基板10(図1〜図3参照)と相違している。溝11x内には、封止樹脂12が充填されている。
溝11xは、配線基板10Aの電子部品搭載領域10xに搭載される電子部品の線膨張係数と放熱板11の線膨張係数との差異に起因する反りや歪、電子部品と放熱板11との接続部分(はんだ等)の割れ等の発生を低減するために形成されている。溝11xの幅は、例えば、50〜500μm程度とすることができる。溝11xの深さは、例えば、1〜2mm程度とすることができる。溝11xは、例えば、ダイシングブレードを用いたブレードダイシング法により形成できる。なお、溝11xは、平面形状が略十字状の形状には限定されず、任意の形状として構わない。例えば、複数本の溝が並設するような形状であってもよい。
配線基板10Aの電子部品搭載領域10xに搭載される電子部品が発熱すると、その熱は放熱板11に伝わるが、溝11xが形成されているために、放熱板11の段差部11cよりも第1の面11a側の部分は変形しやすくなる。そのため、配線基板10Aの電子部品搭載領域10xに搭載される電子部品の線膨張係数と放熱板11の線膨張係数との差異に起因する挙動の違いを吸収できる。
なお、配線基板10Aの電子部品搭載領域10xに搭載される電子部品がシリコン(Si)を主成分とする場合の線膨張係数は略3ppm/℃程度である。又、配線基板10Aの電子部品搭載領域10xに搭載される電子部品がアルミナ(Al)を主成分とするセラミック基板の場合の線膨張係数は略8ppm/℃程度である。一方、放熱板11が銅(Cu)を主成分とする場合の線膨張係数は略17ppm/℃程度であり、放熱板11がアルミニウム(Al)を主成分とする場合の線膨張係数は略23ppm/℃程度である。
このように、第1の実施の形態の変形例1によれば、第1の実施の形態と同様の効果を奏するが、更に、以下の効果を奏する。すなわち、放熱板の第1の面にスリット(略十字状の溝)を形成することにより、配線基板の電子部品搭載領域に搭載される電子部品の線膨張係数と放熱板の線膨張係数との差異に起因する反りや歪、電子部品と放熱板との接続部分(はんだ等)の割れ等の発生を低減できる。
〈第1の実施の形態の変形例2〉
第1の実施の形態の変形例2では、放熱板11の第1の面11aに第1の実施の形態の変形例1とは異なる形状のスリット(略十字状の溝11y)を形成する例を示す。なお、第1の実施の形態の変形例2において、既に説明した実施の形態及びその変形例と同一構成部品についての説明は省略する。
図14は、第1の実施の形態の変形例2に係る配線基板を例示する断面図である。図15は、第1の実施の形態の変形例2に係る配線基板を例示する上面斜視図である。第1の実施の形態の変形例2に係る配線基板を例示する底面斜視図は図3と同様であるため図示を省略する。なお、図14は図15のE−E線に沿う断面図である。
図14及び図15を参照するに、第1の実施の形態の変形例2に係る配線基板10Bは、放熱板11の第1の面11aに、平面形状が略十字状の溝11yが形成されている点が、第1の実施の形態の変形例1に係る配線基板10A(図12及び図13参照)と相違している。溝11yは溝11x(図12及び図13参照)とは異なり、放熱板11の側面には露出していないため、溝11y内には封止樹脂12が充填されていない。つまり、溝11yは空洞である。
溝11yは、配線基板10Bの電子部品搭載領域10xに搭載される電子部品の線膨張係数と放熱板11の線膨張係数との差異に起因する反りや歪、電子部品と放熱板11との接続部分(はんだ等)の割れ等の発生を低減するために形成されている。溝11yの幅は、例えば、50〜500μm程度とすることができる。溝11yの深さは、例えば、1〜2mm程度とすることができる。溝11yは、例えば、ダイシングブレードを用いたブレードダイシング法により形成できる。なお、溝11yは、平面形状が略十字状の形状には限定されず、任意の形状として構わない。例えば、複数本の溝が並設するような形状であってもよい。
配線基板10Bの電子部品搭載領域10xに搭載される電子部品が発熱すると、その熱は放熱板11に伝わるが、溝11yが形成されているために、放熱板11の段差部11cよりも第1の面11a側の部分は変形しやすくなる。この際、内部が空洞である溝11yは、内部が封止樹脂12で充填されている溝11xと比べて、より一層変形し易いため、配線基板10Bの電子部品搭載領域10xに搭載される電子部品の線膨張係数と放熱板11の線膨張係数との差異に起因する挙動の違いを、配線基板10Aに比べて一層吸収しやすくなる。
このように、第1の実施の形態の変形例2によれば、第1の実施の形態と同様の効果を奏するが、更に、以下の効果を奏する。すなわち、放熱板の第1の面にスリット(略十字状の溝)を形成し、スリット内(略十字状の溝)を空洞にすることにより、スリット内を樹脂で充填した場合に比べて、配線基板の電子部品搭載領域に搭載される電子部品の線膨張係数と放熱板との線膨張係数との差異に起因する反りや歪、電子部品と放熱板との接続部分(はんだ等)の割れ等の発生を更に低減できる。
〈第2の実施の形態〉
第2の実施の形態では、複数の電子部品を搭載可能な配線基板を例示する。なお、第2の実施の形態において、既に説明した実施の形態及びその変形例と同一構成部品についての説明は省略する。
図16は、第2の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。図17は、第2の実施の形態に係る配線基板を例示する上面斜視図である。図18は、第2の実施の形態に係る配線基板を例示する底面斜視図である。なお、図16は図17のF−F線に沿う断面図である。
図16〜図18を参照するに、第2の実施の形態に係る配線基板20は、放熱板11が放熱板21に置換され、複数の電子部品を搭載可能である点が第1の実施の形態に係る配線基板10(図1〜図3参照)と相違している。なお、20aは配線基板20の第1主面(以降、第1主面20aとする)を、20bは配線基板20の第2主面(以降、第2主面20bとする)を示している。第1主面20aは、複数の電子部品が搭載される面である。20xは、各電子部品が搭載される電子部品搭載領域を示している。
放熱板21は、配線基板20の第1主面20aに設けられた複数の電子部品搭載領域20xに搭載される複数の電子部品(この場合は3個の電子部品)の発する熱を外部に放出する機能を有する。放熱板21の第1の面21aは、搭載される電子部品の個数に対応する複数の領域に分割されて各電子部品搭載領域20xに露出している。放熱板21の第2の面21bは、第2主面20b側に露出している。但し、第2の面21bは第1の面21aのように分割はされてなく、搭載される複数の電子部品に対して共通の1つの面である。つまり、複数の電子部品搭載領域20xに搭載される複数の電子部品に対して1つずつ放熱板21が設けられているのではなく、複数の電子部品に対して1つの放熱板21が設けられている。
放熱板21は段差部21cを有し、段差部21cは、平面視において、各第1の面21aの周囲に形成されている。放熱板21の第2の面21bにより、配線基板20の電子部品搭載領域20xに搭載される電子部品の発する熱を第2主面20b側に効率よく放熱できる。放熱板21の材料や露出面のめっきについては、放熱板11と同様とすることができる。
各電子部品搭載領域20xにおいて、第1の面21aを介してX方向に隣接して配置されている内部接続端子13の端子面13aは、各電子部品搭載領域20xに搭載される電子部品の端子と電気的に接続される部分である。本実施の形態では各電子部品搭載領域20xに搭載される電子部品は直列に接続され、配線基板20aの第1主面20aの外縁部に配置された外部接続端子14の端子面14aにより、外部と信号の入出力を行う。
内部接続端子13、外部接続端子14、及び配線15は、一体的に形成されている。内部接続端子13の端子面13a、外部接続端子14の端子面14a、及び放熱板21の各第1の面21aは、面一である。つまり、内部接続端子13の端子面13a、外部接続端子14の端子面14a、及び放熱板21の各第1の面21aは、それぞれ第1主面20a側において封止樹脂12から同一平面上に露出している。配線基板20は、配線基板10と同様の方法により製造することができる。
このように、第2の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様の効果を奏するが、更に、以下の効果を奏する。すなわち、複数の電子部品搭載領域に、それぞれ放熱板の第1の面が露出している1つの放熱板を設けることにより、複数の電子部品を搭載可能な配線基板を実現できる。
〈第2の実施の形態の変形例1〉
第2の実施の形態では、複数の電子部品搭載領域に、それぞれ放熱板の第1の面が露出している1つの放熱板を設けて複数の電子部品を搭載可能とした配線基板の例を示した。第2の実施の形態の変形例1では、複数の放熱板を設けて複数の電子部品を搭載可能とした配線基板の例を示す。なお、第2の実施の形態の変形例1において、既に説明した実施の形態及びその変形例と同一構成部品についての説明は省略する。
図19は、第2の実施の形態の変形例1に係る配線基板を例示する断面図である。図19を参照するに、第2の実施の形態の変形例1に係る配線基板20Aは、放熱板21が放熱板22に置換された点が、第2の実施の形態に係る配線基板20(図16〜図18参照)と相違している。
配線基板20の第1主面20aには複数の電子部品搭載領域が設けられている。放熱板22は、複数の電子部品搭載領域に搭載される複数の電子部品に対して1つずつ設けられており、各電子部品(この場合は3個の電子部品)の発する熱を外部に放出する機能を有する。各放熱板22の第1の面22aは、第1主面20aの複数の電子部品搭載領域に露出している。各放熱板22の第2の面22bは、第2主面20b側に露出している。
このように、第2の実施の形態の変形例1によれば、第1の実施の形態と同様の効果を奏するが、更に、以下の効果を奏する。すなわち、複数の電子部品搭載領域に個別に放熱板を設けることにより、複数の電子部品を搭載可能な配線基板を実現できる。なお、放熱板22は段差部を有さないが、放熱板11(図1等参照)のように段差部を有しても構わない。
〈第2の実施の形態の変形例2〉
第2の実施の形態及びその変形例1では、同一形状の複数の電子部品を搭載可能とした配線基板の例を示した。第2の実施の形態の変形例2では、形状の異なる複数の電子部品を搭載可能とした配線基板の例を示す。なお、第2の実施の形態の変形例2において、既に説明した実施の形態及びその変形例と同一構成部品についての説明は省略する。
図20は、第2の実施の形態の変形例2に係る配線基板を例示する上面斜視図である。図21は、第2の実施の形態の変形例2に係る配線基板を例示する底面斜視図である。
図20及び図21を参照するに、第2の実施の形態の変形例2に係る配線基板20Bは、形状の異なる複数の電子部品に対応した放熱板23が設けられている点が、第2の実施の形態に係る配線基板20(図16〜図18参照)や第2の実施の形態の変形例1に係る配線基板20A(図19参照)と相違している。
放熱板23は、配線基板20Bの第1主面20aに設けられた複数の電子部品搭載領域20yに搭載される複数の電子部品(この場合は3個の電子部品)の発する熱を外部に放出する機能を有する。
配線基板20Bの第1主面20aには複数の電子部品搭載領域20yが設けられている。放熱板23は、複数の電子部品搭載領域20yに搭載される複数の電子部品に対して1つずつ設けられており、各電子部品(この場合は3個の電子部品)の発する熱を外部に放出する機能を有する。各放熱板23の第1の面23aは、第1主面20aの複数の電子部品搭載領域20yに露出している。各放熱板23の第2の面23bは、第2主面20b側に露出している。つまり、放熱板23は、電子部品搭載領域20yに搭載される複数の電子部品の個数及び形状に対応して個別に設けられている。
外部接続端子14の端子面14aは配線基板20Bの外縁部において第1主面20a側から側面側に連続的に露出しており、端子面14aを除く外部接続端子14は封止樹脂12に被覆されている。外部接続端子14の端子面14aは、外部と信号の入出力を行う部分である。
このように、第2の実施の形態の変形例2によれば、第1の実施の形態と同様の効果を奏するが、更に、以下の効果を奏する。すなわち、搭載する電子部品の個数及び形状に対応した複数の放熱板を設けることにより、複数の電子部品を搭載可能な配線基板を実現できる。
なお、放熱板は段差部を有さなくても構わないし、段差部を有しても構わない。又、外部接続端子の端子面は、配線基板の外縁部において第1主面側から側面側に連続的に露出させるのではなく、図2等のように配線基板の第1主面側のみに露出させても構わない。
〈第3の実施の形態〉
第3の実施の形態では、多層構造の放熱板を用いる例を示す。なお、第3の実施の形態において、既に説明した実施の形態及びその変形例と同一構成部品についての説明は省略する。
図22は、第3の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。第3の実施の形態に係る配線基板を例示する上面斜視図や底面斜視図は図2や図3と略同様であるため図示を省略する。
図22を参照するに、第3の実施の形態に係る配線基板30は、放熱板11が放熱板31に置換されている点が第1の実施の形態に係る配線基板10(図1〜図3参照)等と相違している。なお、図22において、31aは放熱板31の第1の面(以降、第1の面31aとする)を、31bは放熱板31の第2の面(以降、第2の面31bとする)を示している。
放熱板31は、第1層32と、第2層33と、第3層34とを有する。放熱板31は、例えばクラッド材料を型抜きすることにより作製できる。ここで、クラッド材料とは、異種金属を一枚の板に圧延し、それぞれの材料特性を引き出すための複合材である。放熱板31において、第1層32及び第3層34の材料としては、例えば、銅(Cu)等を用いることができる。第2層33の材料としては、例えば、アルミニウム(Al)等を用いることができる。
放熱板31の総厚が例えば略2mmである場合には、例えば、第1層32の厚さを略0.3mm、第2層33の厚さを略1.4mm、第3層34の厚さを略0.3mmとすることができる。
例えば、放熱板31がアルミニウム(Al)のみから作製されている場合、第1の面31aや第2の面31bに電解めっき法等によりNi/Au層(Ni層とAu層をこの順番で積層した金属層)等を形成すると、アルミニウム(Al)が腐食される虞がある。一方、放熱板31が銅(Cu)のみから作製されている場合、銅(Cu)はアルミニウム(Al)よりも腐食耐性が高いため、第1の面31aや第2の面31bに同様なめっきを施しても特別な問題は生じない。しかしながら、銅(Cu)はアルミニウム(Al)よりも比重が大きい。
そこで、放熱板31を多層構造とし、例えば、第2層33をアルミニウム(Al)、第1層32及び第3層34を銅(Cu)とする。これにより、封止樹脂12から露出する第1の面31a及び第2の面31bはアルミニウム(Al)よりも腐食耐性が高い銅(Cu)となるため、第1の面31a及び第2の面31bに容易にめっきを施すことができる。又、放熱板31の大部分は銅(Cu)よりも比重の小さなアルミニウム(Al)であるため、放熱板31を銅(Cu)のみで作製した場合よりも軽量化できる。
このように、第3の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様の効果を奏するが、更に、以下の効果を奏する。すなわち、放熱板を多層構造とし、放熱板の最外層(封止樹脂から露出する層)に内層よりも腐食耐性の高い材料を用いることにより、めっき処理等の際の取り扱いが容易になる。更に、放熱板の大部分を占める内層に最外層(封止樹脂から露出する層)よりも比重の小さな材料を用いることにより、放熱板の軽量化が可能となる。
なお、第3の実施の形態に係る多層の放熱板を、他の実施の形態やその変形例に適用しても構わない。又、放熱板を4層以上の多層構造としても構わない。
〈第4の実施の形態〉
第4の実施の形態では、第1の実施の形態に係る配線基板に電子部品の一例として半導体パッケージを搭載した電子装置の例を示す。なお、第4の実施の形態において、既に説明した実施の形態及びその変形例と同一構成部品についての説明は省略する。
図23は、第4の実施の形態に係る電子装置を例示する断面図である。図23を参照するに、第4の実施の形態に係る電子装置50は、配線基板10の第1主面10aの電子部品搭載領域に半導体パッケージ60が搭載された構造を有する。
半導体パッケージ60は、封止樹脂61と、リード62とを有する。封止樹脂61は、半導体素子(図示せず)を封止している。封止樹脂61の下面は、固着部65を介して配線基板10の放熱板11の第1の面11a上に固着されている。リード62は、一端が封止樹脂61内で半導体素子(図示せず)と電気的に接続されており、他端が封止樹脂61から露出し、導電部66を介して配線基板10の内部接続端子13の端子面13aと電気的に接続されている。
封止樹脂61の材料としては、例えば、封止樹脂12と同様の材料を用いることができる。リード62の材料としては、銅(Cu)や42アロイ(鉄(Fe)とニッケル(Ni)の合金)等を用いることができる。固着部65の材料としては、熱伝導率の良い材料を用いることが好ましい。固着部65の材料としては、例えば、はんだや銀ペースト等を用いることができるが、非導電性の材料を用いてもよい。導電部66の材料としては、例えば、はんだや銀ペースト等の導電性の材料を用いることができる。
このように、第4の実施の形態によれば、第1の実施の形態に係る配線基板に半導体パッケージを搭載しているため、放熱性に優れた電子装置を低価格で実現できる。
〈第4の実施の形態の変形例1〉
第4の実施の形態では、第1の実施の形態に係る配線基板に電子部品の一例として半導体パッケージを搭載した電子装置の例を示した。第4の実施の形態の変形例1では、第1の実施の形態に係る配線基板に電子部品の一例として半導体素子(ベアチップ)を搭載した電子装置の例を示す。なお、第4の実施の形態の変形例1において、既に説明した実施の形態及びその変形例と同一構成部品についての説明は省略する。
図24は、第4の実施の形態の変形例1に係る電子装置を例示する断面図である。図24を参照するに、第4の実施の形態の変形例1に係る電子装置50Aは、半導体パッケージ60が半導体素子70(ベアチップ)及びボンディングワイヤ76に置換された点が、第4の実施の形態に係る電子装置50(図23参照)と相違している。
半導体素子70は、例えば、シリコン(Si)を主成分とする半導体基板に半導体集積回路やイメージセンサー回路、保護膜、電極等が形成されたものである。半導体素子70は、封止樹脂により被覆されていない。半導体素子70の下面は、固着部75を介して配線基板10の放熱板11の第1の面11a上に固着されている。ボンディングワイヤ76は、一端が半導体素子70の電極(図示せず)と電気的に接続されており、他端が配線基板10の内部接続端子13の端子面13aと電気的に接続されている。
固着部75の材料としては、熱伝導率の良い材料を用いることが好ましい。固着部75の材料としては、例えば、はんだや銀ペースト等を用いることができるが、非導電性の材料を用いてもよい。固着部75の材料として導電性の材料を用いる場合には、絶縁膜を介して半導体素子70の下面に固着する。ボンディングワイヤ76の材料としては、金(Au)や銅(Cu)等の導電線を用いることができる。
このように、第4の実施の形態の変形例1によれば、第1の実施の形態に係る配線基板に半導体素子(ベアチップ)を搭載しているため、放熱性に優れた電子装置を低価格で実現できる。
〈第4の実施の形態の変形例2〉
第4の実施の形態では、第1の実施の形態に係る配線基板に電子部品の一例として半導体パッケージを搭載した電子装置の例を示した。第4の実施の形態の変形例2では、第1の実施の形態に係る配線基板に電子部品の一例として半導体パッケージを搭載した電子装置の他の例を示す。なお、第4の実施の形態の変形例2において、既に説明した実施の形態及びその変形例と同一構成部品についての説明は省略する。
図25は、第4の実施の形態の変形例2に係る電子装置を例示する断面図である。図25を参照するに、第4の実施の形態の変形例2に係る電子装置50Bは、半導体パッケージ60が半導体パッケージ80に置換された点が、第4の実施の形態に係る電子装置50(図23参照)と相違している。
半導体パッケージ80は、セラミック基板81と、蛍光体82と、レンズ83とを有するLED(Light Emitting Diode)である。セラミック基板81の凹部には、LEDチップである半導体素子70が固着部75を介して固着されている。ボンディングワイヤ76は、一端が半導体素子70の電極(図示せず)と電気的に接続されており、他端がセラミック基板81の内部配線84と電気的に接続されている。
内部配線84は、セラミック基板81内の配線(図示せず)を介して、接続端子85と電気的に接続されている。接続端子85は、導電部66を介して配線基板10の内部接続端子13の端子面13aと電気的に接続されている。接続端子86は、固着部65を介して配線基板10の放熱板11の第1の面11a上に固着されている。
このように、第4の実施の形態の変形例2によれば、第1の実施の形態に係る配線基板に半導体パッケージを搭載しているため、放熱性に優れた電子装置を低価格で実現できる。
以上、好ましい実施の形態及び実施例について詳説したが、上述した実施の形態及び実施例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及び実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。
例えば、第2の実施の形態において、放熱板に第1の実施の形態の変形例1又は2と同様の変形を加えても構わない。
又、第2の実施の形態の変形例2は、第2の実施の形態と同様に、1つの放熱板で実現しても構わない。
又、第4の実施の形態において、第1の実施の形態に係る配線基板に代えて、第1の実施の形態の変形例1及び2、又は、第2の実施の形態及びその変形例1及び2、又は、第3の実施の形態に係る配線基板を用いても構わない。
10、10A、10B、20、20A、20B、30 配線基板
10a、20a 配線基板の第1主面
10b、20b 配線基板の第2主面
10x、20x 電子部品搭載領域
11、21、22、23、31 放熱板
11a、21a、22a、23a、31a 放熱板の第1の面
11b、21b、22b、23b、31b 放熱板の第2の面
11c、21c 段差部
11x、11y 溝
12 封止樹脂
13 内部接続端子
13a 内部接続端子の端子面
14、 外部接続端子
14a 外部接続端子の端子面
15 配線
18 金属平板
18x 外枠
19 支持体
19a 支持体の一方の面
32 第1層
33 第2層
34 第3層
50、50A、50B 電子装置
60、80 半導体パッケージ
61 封止樹脂
62 リード
65、75 固着部
66 導電部
70 半導体素子
76 ボンディングワイヤ
81 セラミック基板
82 蛍光体
83 レンズ
84 内部配線
85、86 接続端子

Claims (12)

  1. 第1主面に電子部品搭載領域を設けた配線基板であって、
    前記電子部品搭載領域に搭載される電子部品の発する熱を外部に放出する放熱板と、
    前記放熱板の第1の面を前記第1主面の前記電子部品搭載領域に露出するように、前記放熱板を被覆する封止樹脂と、
    前記電子部品の電極と電気的に接続される端子面を備えた内部接続端子と、
    配線を介して前記内部接続端子と電気的に接続すると共に、外部と信号の入出力を行う端子面を備えた外部接続端子と、を有し、
    前記封止樹脂は、前記配線の少なくとも前記第1主面側及びその反対面である第2主面側、前記端子面を除く前記内部接続端子、及び前記端子面を除く前記外部接続端子、を被覆し、
    前記放熱板の前記第1の面、前記内部接続端子の前記端子面、及び前記外部接続端子の前記端子面は、前記第1主面側の同一平面上に露出し
    前記放熱板の前記第1の面の反対面である第2の面は、前記第2主面側において前記封止樹脂から露出している配線基板。
  2. 前記放熱板の前記第1の面に溝が形成されている請求項記載の配線基板。
  3. 前記溝が空洞である請求項記載の配線基板。
  4. 前記第1主面には、複数の電子部品搭載領域が設けられ、
    前記放熱板の前記第1の面は複数の領域に分割され、分割された前記第1の面はそれぞれ前記各電子部品搭載領域に露出している請求項1乃至の何れか一項記載の配線基板。
  5. 前記第1主面には、複数の電子部品搭載領域が設けられ、
    前記放熱板は複数個設けられ、
    複数の前記放熱板の各第1の面は複数の前記電子部品搭載領域に露出している請求項1乃至の何れか一項記載の配線基板。
  6. 前記放熱板は多層構造である請求項1乃至の何れか一項記載の配線基板。
  7. 前記放熱板の前記封止樹脂から露出する最外層に、内層よりも腐食耐性の高い材料を用いた請求項記載の配線基板。
  8. 前記内層の材料は、前記最外層の材料よりも比重が小さい請求項記載の配線基板。
  9. 前記放熱板の材料は、アルマイト処理したアルミニウム(Al)である請求項1乃至の何れか一項記載の配線基板。
  10. 請求項1乃至の何れか一項記載の配線基板の前記電子部品搭載領域に前記電子部品を搭載した電子装置。
  11. 第1主面に電子部品搭載領域を設けた配線基板の製造方法であって、
    前記電子部品の電極と電気的に接続される端子面を備えた内部接続端子、及び配線を介して前記内部接続端子と電気的に接続すると共に外部と信号の入出力を行う端子面を備えた外部接続端子を一体的に形成する第1工程と、
    支持体の一方の面に前記内部接続端子の前記端子面、前記外部接続端子の前記端子面、及び前記電子部品の発する熱を外部に放出する放熱板の第1の面を当接するように仮固定する第2工程と、
    前記支持体の一方の面に、前記内部接続端子、前記外部接続端子、及び前記配線、並びに前記放熱板を被覆する封止樹脂を形成する第3工程と、
    前記支持体を除去し、前記放熱板の前記第1の面、前記内部接続端子の端子面、及び前記外部接続端子の端子面を、前記第1主面側において前記封止樹脂から同一平面上に露出させる第4工程と、
    前記放熱板の前記第1の面の反対面である第2の面上に前記封止樹脂が形成されている場合に、前記第2の面上の前記封止樹脂を除去し、前記第2の面を前記封止樹脂から露出させる第5工程と、を有する配線基板の製造方法。
  12. 前記第1工程では、金属平板にハーフエッチングを行い、前記内部接続端子、前記外部接続端子、及び前記配線を一体的に形成する請求項11記載の配線基板の製造方法。
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102738024A (zh) * 2011-04-01 2012-10-17 飞思卡尔半导体公司 半导体封装及其引线框
JP5959285B2 (ja) * 2012-04-18 2016-08-02 株式会社東芝 半導体モジュール
JP2014192323A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Furukawa Electric Co Ltd:The 基板および基板の製造方法
JP2015010765A (ja) * 2013-06-28 2015-01-19 トヨタ自動車株式会社 ベーパーチャンバーおよびベーパーチャンバーの製造方法
JP6190732B2 (ja) * 2014-01-30 2017-08-30 新光電気工業株式会社 放熱板及び半導体装置
JP6031642B2 (ja) * 2014-02-28 2016-11-24 板橋精機株式会社 パワーモジュールとその製造方法
JP6617710B2 (ja) * 2014-10-23 2019-12-11 住友ベークライト株式会社 金属箔張基板、回路基板および発熱体搭載基板
JP6191785B2 (ja) * 2014-11-20 2017-09-06 日本精工株式会社 電子部品搭載用放熱基板
WO2016080520A1 (ja) * 2014-11-20 2016-05-26 日本精工株式会社 電子部品搭載用放熱基板
WO2016080393A1 (ja) * 2014-11-20 2016-05-26 日本精工株式会社 放熱基板
JP6249931B2 (ja) * 2014-12-04 2017-12-20 オムロンオートモーティブエレクトロニクス株式会社 回路基板、回路基板の放熱構造、回路基板の製造方法
KR102536256B1 (ko) * 2015-04-03 2023-05-25 엘지이노텍 주식회사 임베디드 인쇄회로기판
JP6683018B2 (ja) * 2015-06-01 2020-04-15 日本精工株式会社 電子部品搭載用放熱基板
JP6575321B2 (ja) * 2015-11-20 2019-09-18 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物、回路基板、発熱体搭載基板および回路基板の製造方法
JP2017199803A (ja) * 2016-04-27 2017-11-02 日立マクセル株式会社 三次元成形回路部品
CN109287092B (zh) 2017-07-19 2019-11-29 苏州旭创科技有限公司 光模块
WO2019193930A1 (ja) * 2018-04-03 2019-10-10 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 電子モジュールおよびその製造方法
KR101944755B1 (ko) * 2018-05-14 2019-02-01 세일전자 주식회사 전자부품 기판
CN110798961B (zh) * 2018-08-01 2022-10-21 苏州旭创科技有限公司 一种电路板及具有其的光模块
KR20200142236A (ko) 2019-06-12 2020-12-22 이종은 다층 구조의 방열체를 구비한 인쇄회로기판 및 그 제조방법
JP7251446B2 (ja) * 2019-10-28 2023-04-04 株式会社オートネットワーク技術研究所 伝熱部材付基板及び伝熱部材付基板の製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6447058A (en) 1987-08-18 1989-02-21 Shinko Electric Ind Co Package for semiconductor device
JP3676197B2 (ja) * 2000-06-08 2005-07-27 三洋電機株式会社 半導体装置および混成集積回路装置
JP4290134B2 (ja) * 2005-03-14 2009-07-01 パナソニック株式会社 固体撮像装置と固体撮像装置の製造方法
JP2006332449A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Cmk Corp 多層プリント配線板及びその製造方法
CN100341143C (zh) * 2005-08-04 2007-10-03 上海交通大学 半导体器件微型散热器
JP2007073904A (ja) * 2005-09-09 2007-03-22 Toyota Industries Corp 回路基板
JP4566866B2 (ja) * 2005-09-07 2010-10-20 新光電気工業株式会社 半導体パッケージ、半導体パッケージの実装構造、半導体パッケージの製造方法
JP4789671B2 (ja) 2006-03-28 2011-10-12 京セラ株式会社 発光素子用配線基板ならびに発光装置
JP2007281146A (ja) * 2006-04-05 2007-10-25 Sharp Corp 半導体発光装置
JP2008282927A (ja) * 2007-05-09 2008-11-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光半導体用パッケージ、光半導体装置、及びその製造方法
TW200941659A (en) * 2008-03-25 2009-10-01 Bridge Semiconductor Corp Thermally enhanced package with embedded metal slug and patterned circuitry
JP2010028009A (ja) * 2008-07-24 2010-02-04 Kato Denki Seisakusho:Kk 金属・樹脂一体型平坦回路基板の製造方法、及び金属・樹脂一体型平坦回路基板

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