JP5475635B2 - 電子線描画装置及び電子線描画方法 - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態に係るマルチコラム電子ビーム露光装置の概略構成図である。
マルチコラム電子ビーム露光装置は、電子ビームコラム10と電子ビームコラム10を制御する制御部20に大別される。このうち、電子ビームコラム10は、同等なコラムセル11が複数、例えば16集まって、全体のコラムが構成されている。すべてのコラムセル11は後述する同じユニットで構成される。コラムセル11の下には、例えば300mmウエハ12を搭載したウエハステージ13が配置されている。
上記したような描画装置を用いて試料にデバイスパターンが形成されるが、このデバイスパターンには様々な種類、例えば、ゲートパターン、配線パターン、シールドパターン、ビアパターン、電源ラインパターン、ダミーパターン等が存在する。これらのデバイスパターンはデバイス内で果たす役割が異なり、パターンの形成位置やサイズに対して要求される精度もデバイスパターンによって異なる。
図4は、描画パターンのランクに依存した露光ビーム条件を生成する分割描画パターンデータ生成部36aを示す図である。分割描画パターンデータ生成部36aは、そのブロック構成としてパラメータ選択部42とパターン分割部41を有し、描画パターンの分割に必要な面積等の上限値が格納された上限値メモリ43を備えている。
パラメータ選択部42は、各描画パターンのランク情報に応じた上限値を算出し、パターン分割部41に出力する。
描画パターンのランクが高ランク、中ランク、低ランクのときの矩形の長辺の長さの上限値をそれぞれ、SL(H)、SL(M)、SL(L)とする。これらの上限値は、SL(H)<SL(M)<SL(L)の関係を有する。
描画パターンのランクが高ランク、中ランク、低ランクのとき、矩形の面積の上限値をそれぞれ、SA(H)、SA(M)、SA(L)とする。これらの上限値は、SA(H)<SA(M)<SA(L)の関係を有する。
パターン分割部41は、パラメータ選択部42によって決定された面積上限値と描画パターンメモリ45から取得した描画パターンを入力して、ランク情報に応じた1ショットのビームの形状に対応する描画パターンに分割する。
面積の上限値で規定する場合、高ランクになるほど電流量が小さいほうが望ましいため、上限値は小さく設定される。例えば、その値が0.5μm2とする。この条件を満たす分割描画パターンとしては、図8に示すように種々考えられる。図8(a)は矩形の長辺と短辺の長さが大きく異なる場合であり、細長いパターンの場合である。このパターンは面積上限値の規定を満たしてはいるが、実際にこのパターンで照射するときには、長辺方向にパターンを接続する際にパターンのつなぎ部分にずれが生じやすい。
次に、ランク依存の偏向静定待ち時間選択について説明する。
次に、上記した電子線描画装置における電子線描画方法について説明する。
次のステップS24では、ランク情報に基づいて、電子ビームを偏向した後の静定待ち時間を決定する。静定待ち時間も上限値と同様に、予め待ち時間定義メモリに格納されている。この待ち時間定義メモリにランク情報に対応するアドレスを指定することによって、ランクに応じた静定待ち時間を抽出する。
Claims (5)
- 試料に形成されるデバイスパターンに要求される精度に応じたランクが付加された描画パターンのデータを格納する記憶部と、
前記ランクに応じて、前記描画パターンを分割した分割描画パターンのデータを生成する分割描画パターンデータ生成部と、
前記ランクに応じた分割描画パターンのデータに従って、電子ビームを照射させながらデバイスパターンを描画する制御部とを有し、
前記分割描画パターンデータ生成部は、前記ランクに応じて予め設定された面積の上限値に従って前記描画パターンを分割して分割描画パターンを生成した後、前記ランクに応じて予め設定された長辺サイズの上限に従って前記面積の上限値で分割された分割描画パターンを分割することを特徴とする電子線描画装置。 - 更に、少なくとも前記電子ビームを矩形に成形するか、又は、所定のマスクパターンを部分的に選択して電子ビームを成形するビーム成形部を備え、
前記分割描画パターンデータ生成部は、前記電子ビームを矩形に成形するときには、前記描画パターンのランクを基に、少なくとも前記分割描画パターンの長辺サイズの上限値又は前記分割描画パターンの面積の上限値を決定して当該上限値に応じて前記描画パターンを分割描画パターンに分割し、前記所定のマスクパターンを部分的に選択して電子ビームを成形するときには、前記描画パターンのランクを基に、前記マスクパターンを部分照射する範囲の上限値を決定して当該上限値に応じて前記マスクパターンの使用範囲を決定し、
前記静定待ち時間決定部は、前記ランクを基に電子ビームの偏向移動量に応じた静定待ち時間を決定することを特徴とする請求項1に記載の電子線描画装置。 - 前記分割描画パターンデータ生成部は、前記ランク毎に前記上限値が定義された上限値記憶部を備え、前記ランクに対応した前記上限値記憶部のアドレスを指定して前記上限値を決定し、
前記静定待ち時間決定部は、前記ランク毎に前記待ち時間が定義された待ち時間記憶部を備え、前記ランクに対応した前記待ち時間記憶部の記憶領域において、電子ビームの偏向移動量に対応した前記待ち時間記憶部のアドレスを指定して前記静定待ち時間を決定することを特徴とする請求項2に記載の電子線描画装置。 - 前記ランクは、所定の範囲の精度毎に低ランクから高ランクに複数に区分され、当該ランクが低くなるほど前記上限値は大きな値となり、前記ランクが低くなるほど前記静定待ち時間が短くなることを特徴とする請求項3に記載の電子線描画装置。
- 試料に形成されるデバイスパターンに要求される精度に応じたランクが付加された描画パターンのデータを格納する記憶部と、前記ランクに応じて、前記描画パターンを分割した分割描画パターンのデータを生成する分割描画パターンデータ生成部と、前記ランクに応じた分割描画パターンのデータ及び前記ランクに応じた静定待ち時間に従って、電子ビームを照射させながらデバイスパターンを描画する制御部とを備えた電子線描画装置を用いる電子線描画方法であって、
試料に形成されるデバイスパターンに要求される精度に応じたランクが付加された描画パターンのデータを取得するステップと、
前記ランクに基づいて、前記描画パターンを分割した分割描画パターンを生成するときに使用する分割描画パターンの面積の上限値及び長辺サイズの上限値を取得するステップと、
前記面積の上限値を満たす分割描画パターンのデータを生成するステップと、
前記面積の上限値を満たす分割描画パターンを、前記長辺サイズの上限値に基づいて更に分割するステップと、
前記面積の上限値及び前記長辺サイズの上限値で分割された前記分割描画パターンのデータに従って電子ビームを試料上に照射するステップと、
を含むことを特徴とする電子線描画方法。
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