JP4398342B2 - 荷電ビーム描画装置及び描画方法 - Google Patents
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Description
T+(8+22)×t0 …(1)
である。しかし、81のショットはセトリング時間t0 ではレジストヒーティングが無視できるのだから、(1)式の第3項は無駄時問が含まれることになる。
図1は、本発明の第1の実施形態に係わる可変成形ビーム方式の電子ビーム描画装置の概略構成を示す模式図である。
本実施形態における電子ビーム描画方法の特徴は、描画すべき可変成形ビームの最大面積を、レジスト及び基板の種類に応じて予め実験的に求められた相関関係が登録してあるテーブルを参照して決定することにある。
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではない。描画装置の構成は前記図1に何ら限定されるものではなく、仕様に応じて適宜変更可能である。要は、可変成形ビームを作製してショット描画する方式であればよい。また、実施形態では、電子ビームによる描画方法を例にとり説明したが、電子ビームに限らずイオンビームによる描画方法にも本発明は適用できる。さらに、マスクの描画に限るものではなく、ウェハ上に直接パターンを描画する方式にも本発明は適用できる。
2…試料
3…ステージ
4…ステージ駆動回路
5…位置検出回路
6…電子銃
7,8,9,11,12…各種レンズ
10…電子ビーム光学系
13…ブランキング用偏向器
14…ビーム寸法可変用偏向器
15…ビーム走査用主偏向器
16…ビーム走査用副偏向器
17,18…ビーム成形用アパーチャ
20…制御計算機
21…磁気ディスク
22…パターンメモリ
23…パターンデータデコーダ
24…描画データデコーダ
25…ブランキング回路
26…ビーム成形器ドライバ
27…主偏向器ドライバ
28…副偏向器ドライバ
30…面積認識部
31…描画データ修正部
32…偏向制御部
35…サブフィールド
36…ショット図形
40…レジストA
41…レジストB
42…レジストC
50…レジストヒーティングを最小に抑える最大サイズのショット
52…50と同じ面積を持つショット
Claims (6)
- 荷電ビーム源から放出された荷電ビームの形状及び寸法を制御して可変成形ビームを成形するビーム成形手段と、
試料上のレジストに描画すべきパターンを前記ビーム成形手段で成形可能な複数のショット図形に分割する手段と、
前記各ショット図形の面積を検出する手段と、
前記検出される前記各ショット図形の面積が前記レジスト及び基板の種類に応じて予め定められた最大面積に近づくように前記各ショット図形を再構築する手段と、
を具備してなることを特徴とする荷電ビーム描画装置。 - 荷電ビーム源から放出された荷電ビームの形状及び寸法を制御して可変成形ビームを成形するビーム成形手段と、
試料上に描画すべきパターンを前記ビーム成形手段で成形可能な複数のショット図形に分割する手段と、
前記各ショット図形の面積を検出する手段と、
前記検出される前記各ショット図形の面積が、前記レジスト及び基板の種類に応じて予め定められ、1つのショット図形を描画するためにビーム照射した後に次のショット図形を描画するためにビーム照射するまでのセトリング時間で決まるレジストヒーティングによる寸法変動が無視できる最大面積に近づくように、前記各ショット図形を再構築する手段と、
を具備してなることを特徴とする荷電ビーム描画装置。 - 前記各ショット図形の最大面積は、前記レジスト及び試料の種類に応じて予め実験的に求められた相関関係が登録してあるテーブルを参照して決定されることを特徴とする請求項1又は2記載の荷電ビーム描画装置。
- 前記各ショット図形を再構築する手段として、隣接するショット図形をマージ後の面積が前記最大面積を超えない範囲でマージすることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の荷電ビーム描画装置。
- 荷電ビーム源から放出された荷電ビームの形状及び寸法を制御して可変成形ビームを成形する工程と、
試料上のレジストに描画すべきパターンを前記ビーム成形手段で成形可能な複数のショット図形に分割する工程と、
前記各ショット図形の面積を検出する工程と、
前記検出される前記各ショット図形の面積が前記レジスト及び基板の種類に応じて予め定められた最大面積に近づくように前記各ショット図形を再構築する工程と、
を含むことを特徴とする荷電ビーム描画方法。 - 荷電ビーム源から放出された荷電ビームの形状及び寸法を制御して可変成形ビームを成形する工程と、
試料上に描画すべきパターンを前記ビーム成形手段で成形可能な複数のショット図形に分割する工程と、
前記各ショット図形の面積を検出する工程と、
前記検出される前記各ショット図形の面積が、前記レジスト及び基板の種類に応じて予め定められ、1つのショット図形を描画するためにビーム照射した後に次のショット図形を描画するためにビーム照射するまでのセトリング時間で決まるレジストヒーティングによる寸法変動が無視できる最大面積に近づくように、前記各ショット図形を再構築する工程と、
を含むことを特徴とする荷電ビーム描画方法。
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