JP5471064B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
る。
しかし、ウエハ中央部とリブ部を分離する場合には、分離工程でウエハ(特に薄いウエハ中央部)が撓んだり、割れたり、反ったりする。ウエハが撓んだり、反ったりすると、ウエハ中央部とリブ部を切り離す切削加工が精度よくできなくなる。
半導体ウエハ1の表側の面Aに図示しない所望の素子の表面構造(ベース層、ソース層、ゲート電極など)を形成した後に、その表側の面Aに保護テープ2を貼付ける(図1)。
つぎに、半導体ウエハ1の裏側の面Bに図示しない所望の深さで高濃度の半導体層(ドレイン層やコレクタ層など)を形成しその上に図示しない所望の裏面電極(ドレイン電極やコレクタ電極)を形成する(図4)。
あるいは、図示しないステージに半導体ウエハ1の表側の面Aを固定して、半導体ウエハ1を回転させて、レンジスト剤6を凹部内に塗り広げてもよい。
つぎに、保護テープ5を貼った状態のまま裏側の面Cに接着したレジスト剤6を例えば硫酸/過酸化水素水などによるウエットエッチングにより除去し、その後半導体ウエハ1aを超純水などで洗浄して乾燥させる(図7)。表側の面には保護テープ5が貼られているので、裏側の面をウエットエッチングしても、表側の面の保護層(図示せず)などは保護されている。
この発明では、半導体ウエハの第2主面に保護テープ5を貼付し、リブ部4の内側の半導体ウエハ1の凹部をポリマー(高分子材料)からなるレジスト剤6を充填し、保護テープを貼付した第2主面側から半導体ウェハを切断することで、リブ部をウエハ中央部から切り離すときの半導体ウエハ1の撓み、割れ、反りおよび切削精度不良を防止することができる。
1a 半導体ウエハ(薄い)
2 保護テープ
3、7 グラインダー
4 リブ部
5 保護テープ
6 レジスト剤
8、11 ダイシングライン
9 ダイシングテープ
10 ダイシングリング
12 半導体チップ
Claims (2)
- 半導体ウエハの第1主面側の中央部に凹部を設けてその厚みを外周部よりも薄くし該外周部にリブ部を残す工程と、
前記半導体ウエハの中央部の凹部に高分子材料からなるレジスト剤を充填して前記半導体ウエハの中央部における、半導体ウエハの厚さと前記充填したレジスト剤の厚さの合計の厚さを前記外周部のリブ部の厚さとほぼ同じにするとともに、前記半導体ウエハの第2主面側に保護用テープを貼付する工程と、
前記保護用テープが貼付された前記半導体ウエハの中央部を第2主面側から切断し前記リブ部を前記半導体ウエハの中央部から切り離す工程と、
を含んだことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記高分子材料が、アルキレングリコール系ポリマー、セルロース系ポリマー、尿素系ポリマー、メラミン系ポリマー、エポキシ系ポリマーまたはアミド系ポリマーのいずれかであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
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