JP4670276B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1(図1−1〜図1−4)は、本発明の実施の形態1にかかる製造プロセスを示す図である。図2は、実施の形態1において用いられる半導体基板を模式的に示す断面図である。図2に示すように、半導体基板1の外周縁部は、各種拡散層や電極などの表面側素子構造部9が形成される側の面、すなわち表面(第1主面)2に設けられた段差1aにより、基板中央部分よりも薄くなっている。この段差1aは、半導体基板1の、各種拡散層や電極などの表面側素子構造部9が形成される側の面、すなわち表面2の外周縁部を、エッチングによって例えば幅2mmにわたって30μm以上、例えば40μm程度の深さに削ることにより形成されている。段差1aは、表面側素子構造部9が形成されない半導体基板の外周縁部に形成されるため、図2に示すような段差1aを形成しても、半導体素子のチップサイズ等に影響はない。
図3(図3−1〜図3−5)は、本発明の実施の形態2にかかる製造プロセスを示す図である。実施の形態2では、実施の形態1と同様に、図2に示す構成の半導体基板1を用いる。図3(図3−1〜図3−5)に示すように、まず、石英ガラスでできた支持基板11の表面全面に、後にUV硬化型樹脂を剥離させるための剥離層12を形成する(図3−1、(a))。次に、剥離層12の表面にUV硬化型樹脂13を例えば50μm程度の厚さに塗布する(図3−2、(b))。このとき、支持基板11の外周縁部では、UV硬化型樹脂13が盛り上がる。
1a 段差
2 表面
3 保護膜
4 保護テープ
5 裏面
9 表面側素子構造部
11 支持基板
13 UV硬化型樹脂
Claims (8)
- 半導体基板の第1主面に、半導体素子の第1主面側素子構造部を作製する第1の工程と、
前記半導体基板の第1主面側の外周縁に沿って外周縁部を薄くし、該半導体基板の外周縁部の薄い部分を、外周縁に至るまで、該半導体基板の前記第1主面側素子構造部が形成された面と平行にする第2の工程と、
前記半導体基板の、前記素子構造部が作製された第1主面を保護膜で覆う第3の工程と、
前記半導体基板の第1主面を、該第1主面の前記外周縁部の薄い部分を含め、前記保護膜で平坦に覆った状態で前記半導体基板の第2主面を研削する第4の工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 研削終了後、前記保護膜を除去することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記保護膜の第1主面に保護テープを貼り付けてから研削を行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 研削終了後、前記保護テープおよび前記保護膜を除去することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記保護膜としてレジスト膜を用いることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板の第1主面に、半導体素子の第1主面側素子構造部を作製する第1の工程と、
前記半導体基板の第1主面側の外周縁に沿って外周縁部を薄くし、該半導体基板の外周縁部の薄い部分を、外周縁に至るまで、該半導体基板の前記第1主面側素子構造部が形成された面と平行にする第2の工程と、
紫外線を透過する支持基板上にUV硬化型樹脂を塗布し、前記半導体基板の、前記素子構造部が作製された第1主面を、該第1主面の前記外周縁部の薄い部分を含め、該UV硬化型樹脂に固着する第3の工程と、
前記支持基板と一体化した状態で前記半導体基板の第2主面を研削する第4の工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 研削終了後、前記支持基板および前記UV硬化型樹脂を除去することを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 研削終了後、前記半導体基板の第2主面側に、第2主面側素子構造部を形成することを特徴とする請求項1または請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
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