JP5466816B2 - 縦型mosトランジスタの製造方法 - Google Patents
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Description
1.半導体基板と、前記半導体基板上に突起状領域と、
前記突起状領域内の下部から前記半導体基板内までの領域に下部不純物拡散領域と、前記突起状領域内の上部に上部不純物拡散領域と、前記突起状領域内の上部不純物拡散領域と下部不純物拡散領域間にチャネル領域と、
前記半導体基板内の下部不純物拡散領域上及び前記突起状領域の側面に、ゲート電極と、
前記半導体基板内の下部不純物拡散領域及び突起状領域とゲート電極間に絶縁膜と、を有し、
前記下部不純物拡散領域とゲート電極間の絶縁膜1は、前記チャネル領域とゲート電極間の前記絶縁膜で構成されるゲート絶縁膜よりも膜厚が厚い、縦型MOSトランジスタの製造方法であって、
(1)シリコン半導体の基板上に、マスクパターンを設ける工程と、
(2)前記マスクパターンをマスクに用いて、シリコン半導体の基板をパターニングすることにより、半導体基板から上方に突出した凸状領域を設ける工程と、
(3)熱酸化を行うことにより、前記凸状領域の露出した表面及び前記半導体基板の表面に酸化膜を形成する工程と、
(4)前記凸状領域上に形成した酸化膜側面に、シリコン窒化膜を形成する工程と、
(5)熱酸化を行うことにより、前記半導体基板上及び凸状領域の下部側面の前記酸化膜の膜厚を厚くして前記絶縁膜1とする工程と、
(6)不純物を注入することにより、前記下部不純物拡散領域を形成する工程と、
(7)前記絶縁膜1以外の前記酸化膜及びシリコン窒化膜を除去して前記凸状領域のシリコン側面を露出させる工程と、
(8)前記凸状領域の露出したシリコン側面を熱酸化することにより絶縁膜を形成する工程と、
(9)前記ゲート電極を形成する工程と、
(10)前記マスクパターンを除去する工程と、
(11)前記凸状領域に不純物を注入して凸状領域の上部を前記上部不純物拡散領域とすることにより、前記突起状領域を形成する工程と、
を有することを特徴とする縦型MOSトランジスタの製造方法。
前記工程(3)において、膜厚が5〜10nmの前記酸化膜を形成し、
前記工程(5)において、前記熱酸化を乾燥酸素雰囲気下で800〜1000℃の温度で行い、前記絶縁膜1として膜厚が30〜50nmのSiO2膜を形成することを特徴とする上記1に記載の縦型MOSトランジスタの製造方法。
前記突起状領域内の下部から前記半導体基板内までの領域に下部不純物拡散領域と、前記突起状領域内の上部に上部不純物拡散領域と、前記突起状領域内の上部不純物拡散領域と下部不純物拡散領域間にチャネル領域と、
前記半導体基板内の下部不純物拡散領域上及び突起状領域の側面に、ゲート電極と、
前記半導体基板内の下部不純物拡散領域及び突起状領域とゲート電極間に絶縁膜と、を有し、
前記上部不純物拡散領域とゲート電極間の絶縁膜B、及び半導体基板内の下部不純物拡散領域とゲート電極間の絶縁膜Aは、前記チャネル領域とゲート電極間の前記絶縁膜で構成されるゲート絶縁膜よりも膜厚が厚い、縦型MOSトランジスタの製造方法であって、
(A)シリコン半導体の基板上に、マスクパターンを設ける工程と、
(B)前記マスクパターンをマスクに用いて、シリコン半導体の基板をパターニングすることにより、半導体基板から上方に突出した凸状領域を設ける工程と、
(C)熱酸化を行うことにより、前記凸状領域の露出した表面及び前記半導体基板の表面に酸化膜を形成する工程と、
(D)前記凸状領域上に形成した酸化膜側面に、シリコン窒化膜を形成する工程と、
(E)熱酸化を行うことにより、前記半導体基板上の前記酸化膜の膜厚を厚くして前記絶縁膜Aとする工程と、
(F)不純物を注入することにより、前記下部不純物拡散領域を形成する工程と、
(G)前記絶縁膜A以外の前記酸化膜及びシリコン窒化膜を除去して前記凸状領域のシリコン側面を露出させる工程と、
(H)前記凸状領域の露出したシリコン側面を熱酸化することにより絶縁膜を形成する工程と、
(I)前記ゲート電極を形成する工程と、
(J)前記凸状領域の上部側面の絶縁膜を除去して前記凸状領域の上部以外の部分側面に前記絶縁膜を残留させる工程と、
(K)熱酸化を行うことにより、前記凸状領域の上部側面に、前記工程(J)で残留させた前記絶縁膜よりも膜厚が厚くなるように、前記絶縁膜Bを形成する工程と、
(L)前記マスクパターンを除去する工程と、
(M)前記凸状領域に不純物を注入して凸状領域の上部を前記上部不純物拡散領域とすることにより、前記突起状領域を形成する工程と、
を有することを特徴とする縦型MOSトランジスタの製造方法。
前記工程(K)において、
乾燥酸素雰囲気下又は水蒸気雰囲気下で、800〜1000℃で、前記熱酸化を行い、前記絶縁膜Bとして膜厚が10〜30nmのSiO2膜を形成することを特徴とする上記3に記載の縦型MOSトランジスタの製造方法。
前記突起状領域内の下部から前記半導体基板内までの領域に下部不純物拡散領域と、前記突起状領域内の上部に上部不純物拡散領域と、前記突起状領域内の上部不純物拡散領域と下部不純物拡散領域間にチャネル領域と、
前記半導体基板内の下部不純物拡散領域上及び突起状領域の側面に、ゲート電極と、
前記半導体基板内の下部不純物拡散領域及び突起状領域とゲート電極間に絶縁膜と、を有し、
前記上部不純物拡散領域とゲート電極間の絶縁領域Cの実効的膜厚及び半導体基板内の下部不純物拡散領域とゲート電極間の絶縁膜Aの膜厚は、前記チャネル領域とゲート電極間の前記絶縁膜で構成されるゲート絶縁膜の膜厚よりも厚く、
前記絶縁領域Cは絶縁膜及びエアギャップ領域で構成される、縦型MOSトランジスタの製造方法であって、
(a)シリコン半導体の基板上に、マスクパターンを設ける工程と、
(b)前記マスクパターンをマスクに用いて、シリコン半導体の基板をパターニングすることにより、半導体基板から上方に突出した凸状領域を設ける工程と、
(c)熱酸化を行うことにより、前記凸状領域の露出した表面及び前記半導体基板の表面に酸化膜を形成する工程と、
(d)前記凸状領域上に形成した酸化膜側面に、シリコン窒化膜を形成する工程と、
(e)熱酸化を行うことにより、前記半導体基板上の前記酸化膜の膜厚を厚くして前記絶縁膜Aとする工程と、
(f)不純物を注入することにより、前記下部不純物拡散領域を形成する工程と、
(g)前記絶縁膜A以外の前記酸化膜及びシリコン窒化膜を除去して前記凸状領域のシリコン側面を露出させる工程と、
(h)前記凸状領域の露出したシリコン側面を熱酸化することにより絶縁膜を形成する工程と、
(i)前記ゲート電極を形成する工程と、
(j)前記凸状領域の上部側面の絶縁膜を除去して前記凸状領域の上部以外の部分側面に前記絶縁膜を残留させる工程と、
(k)熱酸化を行うことにより、前記凸状領域の上部側面と前記上部側面に対向するゲート電極の上部側面間に空隙が生じるように、前記凸状領域の上部側面及びゲート電極の上部側面にそれぞれ絶縁膜D及びEを形成する工程と、
(l)前記絶縁膜D、及び前記凸状領域の上部側面を構成するシリコンをエッチングする工程と、
(m)前記空隙をエアギャップ領域として残留させるように、前記凸状領域の上部側面と前記ゲート電極の上部側面間に更に絶縁膜を形成することにより、前記絶縁領域Cを形成する工程と、
(n)前記マスクパターンを除去する工程と、
(o)前記凸状領域に不純物を注入して前記凸状領域の上部を前記上部不純物拡散領域とすることにより、前記突起状領域を形成する工程と、
を有することを特徴とする縦型MOSトランジスタの製造方法。
本発明の第1の縦型MOSトランジスタは、
半導体基板と、半導体基板上に突起状領域と、
突起状領域内の下部から半導体基板内までの領域に下部不純物拡散領域と、突起状領域内の上部に上部不純物拡散領域と、突起状領域内の上部不純物拡散領域と下部不純物拡散領域間にチャネル領域と、
半導体基板内の下部不純物拡散領域上及び突起状領域の側面に、ゲート電極と、
半導体基板内の下部不純物拡散領域及び突起状領域とゲート電極間に絶縁膜と、を有し、
下部不純物拡散領域とゲート電極間の絶縁膜1は、チャネル領域とゲート電極間の前記絶縁膜で構成されるゲート絶縁膜よりも膜厚が厚い、縦型MOSトランジスタである。
(1)シリコン半導体の基板上に、マスクパターンを設ける工程、
(2)マスクパターンをマスクに用いて、シリコン半導体の基板をパターニングすることにより、半導体基板から上方に突出した凸状領域を設ける工程、
(3)熱酸化を行うことにより、凸状領域の露出した表面及び半導体基板の表面に酸化膜を形成する工程、
(4)凸状領域上に形成した酸化膜側面に、シリコン窒化膜を形成する工程、
(5)熱酸化を行うことにより、半導体基板上及び凸状領域の下部側面の酸化膜の膜厚を厚くして絶縁膜1とする工程、
(6)不純物を注入することにより、下部不純物拡散領域を形成する工程、
(7)絶縁膜1以外の酸化膜及びシリコン窒化膜を除去して凸状領域のシリコン側面を露出させる工程、
(8)凸状領域の露出したシリコン側面を熱酸化することにより絶縁膜を形成する工程、
(9)ゲート電極を形成する工程、
(10)マスクパターンを除去する工程、
(11)凸状領域に不純物を注入して凸状領域の上部を上部不純物拡散領域とすることにより、突起状領域を形成する工程。
まず、P型シリコン基板(シリコン半導体の基板)1を準備した後、P型シリコン基板1の表面の熱酸化を行うことにより、シリコン酸化膜31を形成する。この後、シリコン酸化膜31上にシリコン窒化膜8を形成した後、通常のフォトリソグラフィー技術及びドライエッチング技術によりシリコン窒化膜8とシリコン酸化膜31をパターニングしてマスクパターンを形成する(工程(1))。
・工程(1)において、膜厚が5nm〜10nmのSiO2膜と、膜厚が100nm〜200nmのSiN膜とで構成されるマスクパターンを設ける。
・工程(3)において、膜厚が5nm〜10nmのシリコン酸化膜を形成する。
・工程(5)において、熱酸化を乾燥酸素雰囲気下で800℃〜1000℃の温度で行い、絶縁膜1として膜厚が30〜50nmのSiO2膜を形成する。
本発明の第2の縦型MOSトランジスタは、
半導体基板と、半導体基板上に突起状領域と、
突起状領域内の下部から半導体基板内までの領域に下部不純物拡散領域と、突起状領域内の上部に上部不純物拡散領域と、突起状領域内の上部不純物拡散領域と下部不純物拡散領域間にチャネル領域と、
半導体基板内の下部不純物拡散領域上及び突起状領域の側面に、ゲート電極と、
半導体基板内の下部不純物拡散領域及び突起状領域とゲート電極間に絶縁膜と、を有し、
上部不純物拡散領域とゲート電極間の絶縁膜B、及び半導体基板内の下部不純物拡散領域とゲート電極間の絶縁膜Aは、チャネル領域とゲート電極間の絶縁膜で構成されるゲート絶縁膜よりも膜厚が厚い、縦型MOSトランジスタである。
(A)シリコン半導体の基板上に、マスクパターンを設ける工程、
(B)マスクパターンをマスクに用いて、シリコン半導体の基板をパターニングすることにより、半導体基板から上方に突出した凸状領域を設ける工程、
(C)熱酸化を行うことにより、凸状領域の露出した表面及び半導体基板の表面に酸化膜を形成する工程、
(D)凸状領域上に形成した酸化膜側面に、シリコン窒化膜を形成する工程、
(E)熱酸化を行うことにより、半導体基板上の酸化膜の膜厚を厚くして絶縁膜Aとする工程、
(F)不純物を注入することにより、下部不純物拡散領域を形成する工程、
(G)絶縁膜A以外の酸化膜及びシリコン窒化膜を除去して凸状領域のシリコン側面を露出させる工程、
(H)凸状領域の露出したシリコン側面を熱酸化することにより絶縁膜を形成する工程、
(I)ゲート電極を形成する工程、
(J)凸状領域の上部側面の絶縁膜を除去して凸状領域の上部以外の部分側面に絶縁膜を残留させる工程、
(K)熱酸化を行うことにより、凸状領域の上部側面に、工程(J)で残留させた絶縁膜よりも膜厚が厚くなるように、絶縁膜Bを形成する工程、
(L)マスクパターンを除去する工程、
(M)凸状領域に不純物を注入して凸状領域の上部を上部不純物拡散領域とすることにより、突起状領域を形成する工程。
まず、上記第1の縦型MOSトランジスタの製造方法の工程(1)〜(4)と同様にして、P型Siの半導体基板(シリコン半導体の基板)1に、凸状領域9を形成すると共に、凸状領域9の側面に保護用のシリコン酸化膜(酸化膜)10及びシリコン窒化膜11のスペーサを形成する(工程(A)〜(D);図3)。次に、P型Siの半導体基板1の凸状領域9が設けられた以外の部分を熱酸化することにより、この部分上のシリコン酸化膜10の膜厚を厚くして絶縁膜A(符号6)を形成する(工程(E))。この絶縁膜A(符号6)の形成は、上記第1の縦型MOSトランジスタの製造方法の工程(5)のような方法で形成しても良いし、デポ成分とスパッタ成分とを制御したCVD法で形成しても良い。
本発明の第3の縦型MOSトランジスタは、
半導体基板と、半導体基板上に突起状領域と、
突起状領域内の下部から半導体基板内までの領域に下部不純物拡散領域と、突起状領域内の上部に上部不純物拡散領域と、突起状領域内の上部不純物拡散領域と下部不純物拡散領域間にチャネル領域と、
半導体基板内の下部不純物拡散領域上及び突起状領域の側面に、ゲート電極と、
半導体基板内の下部不純物拡散領域及び突起状領域とゲート電極間に絶縁膜と、を有し、
上部不純物拡散領域とゲート電極間の絶縁領域Cの実効的膜厚及び半導体基板内の下部不純物拡散領域とゲート電極間の絶縁膜Aの膜厚は、チャネル領域とゲート電極間の絶縁膜で構成されるゲート絶縁膜の膜厚よりも厚く、
絶縁領域Cは絶縁膜及びエアギャップ領域で構成される、縦型MOSトランジスタである。
(a)シリコン半導体の基板上に、マスクパターンを設ける工程、
(b)マスクパターンをマスクに用いて、シリコン半導体の基板をパターニングすることにより、半導体基板から上方に突出した凸状領域を設ける工程、
(c)熱酸化を行うことにより、凸状領域の露出した表面及び半導体基板の表面に酸化膜を形成する工程、
(d)凸状領域上に形成した酸化膜側面に、シリコン窒化膜を形成する工程、
(e)熱酸化を行うことにより、半導体基板上の酸化膜の膜厚を厚くして絶縁膜Aとする工程、
(f)不純物を注入することにより、下部不純物拡散領域を形成する工程、
(g)絶縁膜A以外の酸化膜及びシリコン窒化膜を除去して凸状領域のシリコン側面を露出させる工程、
(h)凸状領域の露出したシリコン側面を熱酸化することにより絶縁膜を形成する工程、
(i)ゲート電極を形成する工程、
(j)凸状領域の上部側面の絶縁膜を除去して凸状領域の上部以外の部分側面に絶縁膜を残留させる工程、
(k)熱酸化を行うことにより、凸状領域の上部側面と上部側面に対向するゲート電極の上部側面間に空隙が生じるように、凸状領域の上部側面及びゲート電極の上部側面にそれぞれ絶縁膜D及びEを形成する工程、
(l)絶縁膜D、及び凸状領域の上部側面を構成するシリコンをエッチングする工程、
(m)空隙をエアギャップ領域として残留させるように、凸状領域の上部側面と前記ゲート電極の上部側面間に更に絶縁膜を形成することにより、絶縁領域Cを形成する工程、
(n)マスクパターンを除去する工程、
(o)凸状領域に不純物を注入して凸状領域の上部を上部不純物拡散領域とすることにより、突起状領域を形成する工程。
まず、上記第1の縦型MOSトランジスタの製造方法の工程(1)〜(4)と同様にして、P型Siの半導体基板1上に凸状領域9を形成すると共に、凸状領域9の側面に保護用のシリコン酸化膜10及びシリコン窒化膜11のスペーサを形成する(工程(a)〜(d);図3)。次に、P型Siの半導体基板1の凸状領域9が設けられた以外の部分を熱酸化することにより、この部分上に酸化膜6の膜厚を厚くして絶縁膜A(符号6)を形成する(工程(e))。この絶縁膜6の形成は、上記第1の縦型MOSトランジスタの製造方法の工程(5)のような方法で形成しても良いし、デポ成分とスパッタ成分とを制御したCVD法で形成しても良い。
実施例1について、図1〜7を参照して、以下に詳細に説明する。なお、この実施例は、上記第1の縦型MOSトランジスタの製造方法に相当するものである。
実施例2について、図8〜15を参照して、以下に詳細に説明する。なお、この実施例は、上記第2の縦型MOSトランジスタの製造方法に相当するものである。
実施例3について、図16〜21を参照して、以下に詳細に説明する。なお、この実施例は、上記第3の縦型MOSトランジスタの製造方法に相当するものである。
2 下部不純物拡散領域
3 上部不純物拡散領域
4 チャネル領域
5 ゲート絶縁膜
7 ゲート電極
8 マスクパターン
9 突起状領域
10 シリコン酸化膜
11 シリコン窒化膜
12 絶縁膜B
13 シリコン酸化膜
14 酸化膜
15 エアギャップ領域
16 シリコン酸化膜
17 シリコン酸化膜
22 シリコン酸化膜
25 酸化膜1
26 絶縁膜A
101 層間絶縁膜
103 埋め込み電極
Claims (6)
- 半導体基板と、前記半導体基板上に突起状領域と、
前記突起状領域内の下部から前記半導体基板内までの領域に下部不純物拡散領域と、前記突起状領域内の上部に上部不純物拡散領域と、前記突起状領域内の上部不純物拡散領域と下部不純物拡散領域間にチャネル領域と、
前記半導体基板内の下部不純物拡散領域上及び前記突起状領域の側面に、ゲート電極と、
前記半導体基板内の下部不純物拡散領域及び突起状領域とゲート電極間に絶縁膜と、を有し、
前記下部不純物拡散領域とゲート電極間の絶縁膜1は、前記チャネル領域とゲート電極間の前記絶縁膜で構成されるゲート絶縁膜よりも膜厚が厚い、縦型MOSトランジスタの製造方法であって、
(1)シリコン半導体の基板上に、マスクパターンを設ける工程と、
(2)前記マスクパターンをマスクに用いて、シリコン半導体の基板をパターニングすることにより、半導体基板から上方に突出した凸状領域を設ける工程と、
(3)熱酸化を行うことにより、前記凸状領域の露出した表面及び前記半導体基板の表面に酸化膜を形成する工程と、
(4)前記凸状領域上に形成した酸化膜側面に、シリコン窒化膜を形成する工程と、
(5)熱酸化を行うことにより、前記半導体基板上及び凸状領域の下部側面の前記酸化膜の膜厚を厚くして前記絶縁膜1とする工程と、
(6)不純物を注入することにより、前記下部不純物拡散領域を形成する工程と、
(7)前記絶縁膜1以外の前記酸化膜及びシリコン窒化膜を除去して前記凸状領域のシリコン側面を露出させる工程と、
(8)前記凸状領域の露出したシリコン側面を熱酸化することにより絶縁膜を形成する工程と、
(9)前記ゲート電極を形成する工程と、
(10)前記マスクパターンを除去する工程と、
(11)前記凸状領域に不純物を注入して凸状領域の上部を前記上部不純物拡散領域とすることにより、前記突起状領域を形成する工程と、
を有することを特徴とする縦型MOSトランジスタの製造方法。 - 前記工程(1)において、膜厚が5〜10nmのSiO2膜と、膜厚が100〜200nmのSiN膜とで構成される前記マスクパターンを設け、
前記工程(3)において、膜厚が5〜10nmの前記酸化膜を形成し、
前記工程(5)において、前記熱酸化を乾燥酸素雰囲気下で800〜1000℃の温度で行い、前記絶縁膜1として膜厚が30〜50nmのSiO2膜を形成することを特徴とする請求項1に記載の縦型MOSトランジスタの製造方法。 - 半導体基板と、前記半導体基板上に突起状領域と、
前記突起状領域内の下部から前記半導体基板内までの領域に下部不純物拡散領域と、前記突起状領域内の上部に上部不純物拡散領域と、前記突起状領域内の上部不純物拡散領域と下部不純物拡散領域間にチャネル領域と、
前記半導体基板内の下部不純物拡散領域上及び突起状領域の側面に、ゲート電極と、
前記半導体基板内の下部不純物拡散領域及び突起状領域とゲート電極間に絶縁膜と、を有し、
前記上部不純物拡散領域とゲート電極間の絶縁膜B、及び半導体基板内の下部不純物拡散領域とゲート電極間の絶縁膜Aは、前記チャネル領域とゲート電極間の前記絶縁膜で構成されるゲート絶縁膜よりも膜厚が厚い、縦型MOSトランジスタの製造方法であって、
(A)シリコン半導体の基板上に、マスクパターンを設ける工程と、
(B)前記マスクパターンをマスクに用いて、シリコン半導体の基板をパターニングすることにより、半導体基板から上方に突出した凸状領域を設ける工程と、
(C)熱酸化を行うことにより、前記凸状領域の露出した表面及び前記半導体基板の表面に酸化膜を形成する工程と、
(D)前記凸状領域上に形成した酸化膜側面に、シリコン窒化膜を形成する工程と、
(E)熱酸化を行うことにより、前記半導体基板上の前記酸化膜の膜厚を厚くして前記絶縁膜Aとする工程と、
(F)不純物を注入することにより、前記下部不純物拡散領域を形成する工程と、
(G)前記絶縁膜A以外の前記酸化膜及びシリコン窒化膜を除去して前記凸状領域のシリコン側面を露出させる工程と、
(H)前記凸状領域の露出したシリコン側面を熱酸化することにより絶縁膜を形成する工程と、
(I)前記ゲート電極を形成する工程と、
(J)前記凸状領域の上部側面の絶縁膜を除去して前記凸状領域の上部以外の部分側面に前記絶縁膜を残留させる工程と、
(K)熱酸化を行うことにより、凸状領域の上部側面に、前記工程(J)で残留させた前記絶縁膜よりも膜厚が厚くなるように、前記絶縁膜Bを形成する工程と、
(L)前記マスクパターンを除去する工程と、
(M)前記凸状領域に不純物を注入して前記凸状領域の上部を前記上部不純物拡散領域とすることにより、前記突起状領域を形成する工程と、
を有することを特徴とする縦型MOSトランジスタの製造方法。 - 前記工程(C)において、膜厚が5〜10nmの前記酸化膜を形成し、
前記工程(K)において、
乾燥酸素雰囲気下又は水蒸気雰囲気下で、800〜1000℃で、前記熱酸化を行い、前記絶縁膜Bとして膜厚が10〜30nmのSiO2膜を形成することを特徴とする請求項3に記載の縦型MOSトランジスタの製造方法。 - 半導体基板と、前記半導体基板上に突起状領域と、
前記突起状領域内の下部から前記半導体基板内までの領域に下部不純物拡散領域と、前記突起状領域内の上部に上部不純物拡散領域と、前記突起状領域内の上部不純物拡散領域と下部不純物拡散領域間にチャネル領域と、
前記半導体基板内の下部不純物拡散領域上及び突起状領域の側面に、ゲート電極と、
前記半導体基板内の下部不純物拡散領域及び突起状領域とゲート電極間に絶縁膜と、を有し、
前記上部不純物拡散領域とゲート電極間の絶縁領域Cの実効的膜厚及び半導体基板内の下部不純物拡散領域とゲート電極間の絶縁膜Aの膜厚は、前記チャネル領域とゲート電極間の前記絶縁膜で構成されるゲート絶縁膜の膜厚よりも厚く、
前記絶縁領域Cは絶縁膜及びエアギャップ領域で構成される、縦型MOSトランジスタの製造方法であって、
(a)シリコン半導体の基板上に、マスクパターンを設ける工程と、
(b)前記マスクパターンをマスクに用いて、シリコン半導体の基板をパターニングすることにより、半導体基板から上方に突出した凸状領域を設ける工程と、
(c)熱酸化を行うことにより、前記凸状領域の露出した表面及び前記半導体基板の表面に酸化膜を形成する工程と、
(d)前記凸状領域上に形成した酸化膜側面に、シリコン窒化膜を形成する工程と、
(e)熱酸化を行うことにより、前記半導体基板上の前記酸化膜の膜厚を厚くして前記絶縁膜Aとする工程と、
(f)不純物を注入することにより、前記下部不純物拡散領域を形成する工程と、
(g)前記絶縁膜A以外の前記酸化膜及びシリコン窒化膜を除去して前記凸状領域のシリコン側面を露出させる工程と、
(h)前記凸状領域の露出したシリコン側面を熱酸化することにより絶縁膜を形成する工程と、
(i)前記ゲート電極を形成する工程と、
(j)前記凸状領域の上部側面の絶縁膜を除去して前記凸状領域の上部以外の部分側面に前記絶縁膜を残留させる工程と、
(k)熱酸化を行うことにより、前記凸状領域の上部側面と前記上部側面に対向するゲート電極の上部側面間に空隙が生じるように、前記凸状領域の上部側面及びゲート電極の上部側面にそれぞれ絶縁膜D及びEを形成する工程と、
(l)前記絶縁膜D、及び前記凸状領域の上部側面を構成するシリコンをエッチングする工程と、
(m)前記空隙をエアギャップ領域として残留させるように、前記凸状領域の上部側面と前記ゲート電極の上部側面間に更に絶縁膜を形成することにより、前記絶縁領域Cを形成する工程と、
(n)前記マスクパターンを除去する工程と、
(o)前記凸状領域に不純物を注入して前記凸状領域の上部を前記上部不純物拡散領域とすることにより、前記突起状領域を形成する工程と、
を有することを特徴とする縦型MOSトランジスタの製造方法。 - 前記工程(m)は、水蒸気を含む酸化雰囲気下で650〜850℃の温度範囲で熱酸化を行う工程であることを特徴とする請求項5に記載の縦型MOSトランジスタの製造方法。
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