JP5635256B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
半導体領域と、前記半導体領域上に設けられた柱状領域と、前記柱状領域の側面上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、第1の不純物拡散領域とを有するトランジスタを備え、
前記第1の不純物拡散領域は、前記柱状領域の上部に前記柱状領域の側面から離間して形成されている半導体装置に関する。
半導体領域と、前記半導体領域上に設けられた柱状領域と、を備える半導体基板と、
前記柱状領域の側面を覆うように設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
前記柱状領域の上部に、前記柱状領域の側面と離間するように設けられた第1の不純物拡散領域と、
前記半導体領域内に、前記柱状領域を囲むように設けられた第2の不純物拡散領域と、
を有するトランジスタを備える半導体装置に関する。
(1)半導体領域上に柱状領域を形成する工程と、
(2)前記半導体領域内に、前記柱状領域を囲むように第2の不純物拡散領域を形成する工程と、
(3)前記柱状領域の側面上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
(4)前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
(5)前記柱状領域の上部に、前記柱状領域の側面から離間するように第1の不純物拡散領域を形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法に関する。
(1)半導体領域と、前記半導体領域上に設けられた柱状領域と、前記柱状領域の側面及び上面上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、第1の不純物拡散領域と、第2の不純物拡散領域と、前記柱状領域上に第1の不純物拡散領域と接するように設けられた導電層と、前記柱状領域の上面上に設けられて前記導電層とゲート電極を絶縁するサイドウォール絶縁膜と、を有するトランジスタを備え、
前記第1の不純物拡散領域は、前記柱状領域の上部に前記柱状領域の側面から離間して形成されている半導体装置。
前記柱状領域の側面を覆うように設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に接触するように、前記柱状領域の側面上から上面上まで延在するゲート電極と、
前記柱状領域の上部に、前記柱状領域の側面と離間するように設けられた第1の不純物拡散領域と、
前記半導体領域内に、前記柱状領域を囲むように設けられた第2の不純物拡散領域と、
前記柱状領域上に前記第1の不純物拡散領域と接するように設けられた導電層と、
前記柱状領域の上面上に設けられ、前記導電層とゲート電極を絶縁するサイドウォール絶縁膜と、
を有するトランジスタを備える半導体装置。
前記第1の不純物拡散領域は、前記柱状領域の上部に前記柱状領域の側面から離間して形成され、
前記第1の方向に隣接する第2の不純物拡散領域同士を互いに短絡させる複数の下部電極が形成されることを特徴とする半導体装置。
前記第1の不純物拡散領域は、前記柱状領域の上部に前記柱状領域の側面から離間して形成され、
前記第2の不純物拡散領域は、前記柱状領域の前記下部の外周部分に形成されており、前記柱状領域の前記下部の中心部分には、前記チャネル領域と前記半導体領域とを繋ぐ放電層が形成されることを特徴とする半導体装置。
前記低耐圧トランジスタは、半導体領域と、前記半導体領域上に設けられた柱状領域と、前記柱状領域の側面上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、第1の不純物拡散領域と、第2の不純物拡散領域とを備え、前記第1の不純物拡散領域は、前記柱状領域の上部に前記柱状領域の側面から離間して形成された単一の単位トランジスタによって形成され、
前記高耐圧トランジスタは、前記低耐圧トランジスタを構成する単位トランジスタの柱状領域の高さと同じ高さの半導体の柱状領域を有する複数の単位トランジスタの第1の不純物拡散領域及び第2の不純物拡散領域を直列に接続し、且つ前記複数の単位トランジスタのゲート電極同士を電気的に接続することによって形成されていることを特徴とする半導体装置。
L2=(2εsiε02φF/qNA)1/2 (A)
φF=(kT/q)ln(NA/ni) (B)
(ここで、εsi:シリコンの比誘電率、ε0:真空の誘電率、q:素電荷、NA:シリコン基板中の不純物濃度、k:ボルツマン定数、T:温度、ni:真正キャリア濃度)。
まず、シリコン基板3を用意し、このシリコン基板3内に活性領域(以下の図中では活性領域のみを示すこととし、図中において活性領域を特に明示しない)を形成した。次に、活性領域内に柱状領域3aを形成した。
本実施例は、DRAM素子のメモリセルを有する半導体装置に関するものである。図19に示すように、トランジスタTr1と、トランジスタTr1の第1不純物拡散領域11にコンタクトプラグ12、15を介して接続されたキャパシタ素子16とから、メモリセルが概略構成されている。
図20は、本実施例のデータ処理システムの概略構成図である。データ処理システムには、演算処理デバイス32とDRAM素子33が含まれており、システムバス35を介して相互に接続されている。
2、5 シリコン酸化膜
3 半導体領域
3a 柱状領域
4 絶縁膜
6 第2の不純物拡散領域
7 ゲート絶縁膜
9 ゲート電極
10、21、22 層間絶縁膜
11 第1の不純物拡散領域
12、13、14、15 コンタクトプラグ
16 キャパシタ素子
17 ビット線
18 柱状領域の側面
19 柱状領域の上面
20 チャネル長方向
23 チャネル長方向と垂直な方向
32 演算処理デバイス32
33 DRAM素子
34 ROM
35 システムバス
36 不揮発性記憶デバイス
37 入出力装置
A、B、C コンタクトホール(開口部)
Tr トランジスタ
Claims (12)
- 半導体領域と、前記半導体領域上に設けられた柱状領域と、前記柱状領域の側面上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、第1の不純物拡散領域とを有するトランジスタを備えた半導体装置であって、
前記第1の不純物拡散領域は、前記柱状領域の上部に前記柱状領域の側面から離間して形成され、
前記ゲート電極は、前記柱状領域の側面上から上面上まで延在し、
半導体装置は更に、
前記第1の不純物拡散領域上に設けられたコンタクトプラグと、
前記柱状領域の上面上において、前記ゲート電極とコンタクトプラグの間に設けられたサイドウォール絶縁膜と、
を有する半導体装置。 - 半導体領域と、前記半導体領域上に設けられた柱状領域と、を備える半導体基板と、
前記柱状領域の側面を覆うように設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
前記柱状領域の上部に、前記柱状領域の側面と離間するように設けられた第1の不純物拡散領域と、
前記半導体領域内に、前記柱状領域を囲むように設けられた第2の不純物拡散領域と、
を有するトランジスタを備える半導体装置。 - 前記トランジスタは、完全空乏型のトランジスタである請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記柱状領域の側面と垂直な方向における柱状領域の寸法は、前記柱状領域の高さの2倍以下である請求項3に記載の半導体装置。
- 前記ゲート電極は、前記柱状領域の側面上から上面上まで延在し、
前記ゲート電極は、前記柱状領域の上面上において、前記第1の不純物拡散領域の上方に位置しないように配置される請求項2〜4の何れか1項に記載の半導体装置。 - 更に、
前記第1の不純物拡散領域上に設けられたコンタクトプラグと、
前記柱状領域の上面上において、前記ゲート電極とコンタクトプラグの間に設けられたサイドウォール絶縁膜と、
を有する請求項5に記載の半導体装置。 - 更に、
前記第1の不純物拡散領域に接続されたキャパシタと、
前記半導体領域内に設けられた第2の不純物拡散領域に接続されたビット線と、
を有し、
前記トランジスタ及びキャパシタは、DRAM(Dynamic Random Access Memory)のメモリセルを構成する請求項1〜6の何れか1項に記載の半導体装置。 - (1)半導体領域上に柱状領域を形成する工程と、
(2)前記半導体領域内に、前記柱状領域を囲むように第2の不純物拡散領域を形成する工程と、
(3)前記柱状領域の側面上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
(4)前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
(5)前記柱状領域の上部に、前記柱状領域の側面から離間するように第1の不純物拡散領域を形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記工程(4)において、
前記ゲート電極は、前記柱状領域の側面上から上面上まで延在し、
前記ゲート電極は、前記柱状領域の上面上において、前記第1の不純物拡散領域の上方に位置しないように形成される、請求項8に記載の半導体装置の製造方法。 - 更に、
前記工程(4)よりも前に、前記柱状領域の上面の一部の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記工程(4)と(5)の間に、前記柱状領域の上部が露出するように前記絶縁膜の一部を除去してサイドウォール絶縁膜とする工程と、
前記工程(5)の後に、前記第1の不純物拡散領域に接するように、前記柱状領域上にコンタクトプラグを形成する工程と、
を有し、
前記工程(4)において、
ゲート電極材料を堆積させた後、エッチバックを行うことにより前記ゲート電極を形成し、
前記工程(5)において、
前記サイドウォール絶縁膜をマスクに用いて、前記柱状領域の上部に不純物をイオン注入することにより、前記第1の不純物拡散領域を形成する請求項9に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記工程(1)において、
前記柱状領域の側面と垂直な方向における柱状領域の寸法は、前記柱状領域の高さの2倍以下となるように、前記柱状領域を形成する請求項8〜10の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記工程(5)の後に更に、
前記第1の不純物拡散領域に接続されるようにキャパシタを形成する工程と、
前記第2の不純物拡散領域に接続されるようにビット線を形成する工程と、
を有し、
前記トランジスタ及びキャパシタは、DRAM(Dynamic Random Access Memory)のメモリセルを構成する請求項8〜11の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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