JP5439856B2 - 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ - Google Patents
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Description
まず、図1〜図3を参照して、実施の形態1における絶縁ゲート型電界効果トランジスタである酸化膜電界効果トランジスタ(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor;MOSFET)について説明する。
次に、本発明の実施の形態2について説明する。図17〜図19を参照して、実施の形態2におけるMOSFET1と、図1〜図3に基づいて説明した実施の形態1におけるMOSFET1とは、基本的に同様の構成を有し、同様に動作するとともに同様の効果を奏する。しかし、実施の形態2におけるMOSFET1は、p+領域23の配置において、実施の形態1におけるMOSFET1とは異なっている。
次に、本発明の実施の形態3について説明する。実施の形態3におけるMOSFET1と、上記実施の形態1におけるMOSFET1とは、基本的に同様の構成を有し、同様に動作するとともに同様の効果を奏する。しかし、図24および図1を参照して、実施の形態3におけるMOSFET1は、pボディ21の平面形状において実施の形態1におけるMOSFET1とは異なっている。
Claims (7)
- 基板と、
前記基板上に形成された第1導電型の半導体層と、
前記半導体層において、前記基板側の主面である第1の主面とは反対側の主面である第2の主面を含むように形成された前記第1導電型とは異なる第2導電型の第2導電型領域と、
前記第2の主面を含むとともに前記第2導電型領域の内部に形成され、前記半導体層よりも高濃度の第1導電型の不純物を含む高濃度第1導電型領域と、
前記高濃度第1導電型領域内の前記第2の主面に含まれる第1の接触領域において、前記高濃度第1導電型領域に接触する第1の電極と、
前記第1の接触領域の外周側であって、前記第2導電型領域内の前記第2の主面に含まれる第2の接触領域において、前記第2導電型領域に接触する第2の電極と、
前記第2導電型領域の内部であって前記高濃度第1導電型領域の外周側に前記第2の主面を含むように形成され、前記第2導電型領域よりも高濃度の第2導電型の不純物を含む第1の高濃度第2導電型領域とを備え、
前記第1の高濃度第2導電型領域は、前記高濃度第1導電型領域と間隔を隔てて形成されており、
前記第2の主面において、前記第2の接触領域は、前記第1の高濃度第2導電型領域と重なっている、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。 - 前記第2導電型領域は、前記第2の主面において、3以上の頂点を有する多角形形状を有しており、
前記第2の接触領域は、前記第2の主面において、前記多角形の重心と前記頂点とを結ぶ直線上の、前記頂点から見て前記重心側の領域を含むように配置されている、請求項1に記載の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。 - 前記第2導電型領域は、前記第2の主面において四角形形状を有している、請求項2に記載の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。
- 前記第2導電型領域は、前記第2の主面において六角形形状を有している、請求項2に記載の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。
- 基板と、
前記基板上に形成された第1導電型の半導体層と、
前記半導体層において、前記基板側の主面である第1の主面とは反対側の主面である第2の主面を含むように形成された前記第1導電型とは異なる第2導電型の第2導電型領域と、
前記第2の主面を含むとともに前記第2導電型領域の内部に形成され、前記半導体層よりも高濃度の第1導電型の不純物を含む高濃度第1導電型領域と、
前記高濃度第1導電型領域内の前記第2の主面に含まれる第1の接触領域において、前記高濃度第1導電型領域に接触する第1の電極と、
前記第1の接触領域の外周側であって、前記第2導電型領域内の前記第2の主面に含まれる第2の接触領域において、前記第2導電型領域に接触する第2の電極とを備え、
前記第1の接触領域に取り囲まれた前記第2の主面に含まれる第3の接触領域において、前記第2導電型領域に接触する第3の電極と、
前記第2導電型領域よりも高濃度の第2導電型の不純物を含み、前記第2導電型領域内に形成され、前記第3の電極に接触する第2の高濃度第2導電型領域とをさらに備える、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。 - 前記第2の主面において、前記第2導電型領域内の前記第1の接触領域および前記第2の接触領域以外の領域を覆うように、前記第2の主面上に形成され、絶縁体からなるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に配置され、導電体からなるゲート電極とをさらに備えた、請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。 - 前記半導体層は、炭化珪素または窒化ガリウムからなっている、請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。
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