JP5412730B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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そして、高濃度第2導電型領域を形成する工程では、高濃度第2導電型領域のうち基板に対向する面を含む領域に他の領域に比べて高濃度の第2導電型の不純物を含む高濃度領域を有するように、高濃度第2導電型領域が形成される。高濃度第2導電型領域を形成する工程よりも後であって、電極を形成する工程よりも前に、第2の主面から高濃度第2導電型領域の高濃度領域に到達するように、第2導電型領域に溝が形成される。
そして、電極を形成する工程において、電極は、高濃度第1導電型領域に含まれる第2の主面に接触し、かつ高濃度第1導電型領域上から溝の内部に位置する高濃度第2導電型領域上にまで延在するように形成される。
また上記製造プロセスによれば、高濃度第2導電型領域を、第2導電型領域における、高濃度第1導電型領域の基板に対向する面に沿った領域である底面側の領域から、一対の第2導電型領域のうち一方の第2導電型領域に形成された高濃度第1導電型領域から見て他方の第2導電型領域に形成された高濃度第1導電型領域に対向する面とは反対側の高濃度第1導電型領域の面に沿った領域である側面側の領域にまで延在するように、形成することができる。そして、これにより、高濃度第2導電型領域における第2導電型の不純物の濃度は、上記側面側の領域に比べて底面側の領域において高くなる。
上述のように、高濃度第1導電型領域は、側面側の領域に比べて、底面側の領域において、半導体装置の耐圧向上により大きく寄与する。一方、半導体装置の製造プロセスにおいて、高濃度第1導電型領域と高濃度第2導電型領域とが重なるように形成される場合、側面側の領域における高濃度第1導電型領域の不純物濃度を高く設定すると、電流の経路として利用可能な高濃度第1導電型領域の機能に影響するおそれがある。これに対し、上記プロセスによれば、高濃度第2導電型領域における第2導電型の不純物の濃度が、側面側の領域に比べて底面側の領域において高くなっているため、電流の経路としての高濃度第1導電型領域の機能への影響を抑制しつつ、製造される半導体装置の耐圧を有効に向上させることができる。
また上記プロセスにより、高濃度第2導電型領域が、第2導電型領域における、高濃度第1導電型領域の基板に対向する面に沿った領域である底面側の領域に形成される。そして、第2導電型領域に形成された溝の中にまで延在するように上記電極を形成すれば、当該電極は、第2導電型領域における、一対の第2導電型領域のうち一方の第2導電型領域に形成された高濃度第1導電型領域から見て他方の第2導電型領域に形成された高濃度第1導電型領域に対向する面とは反対側の高濃度第1導電型領域の面に沿った領域である側面側の領域から、第2の主面上にまで延在するように形成される。
これにより、半導体装置の耐圧向上に大きく寄与することができる底面側の領域に高濃度第2導電型領域が形成され、側面側の領域から、第2の主面上にまで延在する電極が高濃度第2導電型領域と接触する。そのため、不純物濃度を高く設定した高濃度第2導電型領域の高濃度領域と電極とを直接接触させることが可能となるため、高濃度第2導電型領域と電極とのコンタクト状態が向上し、製造される半導体装置の耐圧を一層向上させることができる。
図1は、本発明の一実施の形態である実施の形態1における半導体装置である酸化膜電界効果トランジスタ(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor;MOSFET)の構成を示す概略断面図である。まず、図1を参照して、実施の形態1におけるMOSFETについて説明する。
次に、本発明の実施の形態2について説明する。図9は、本発明の一実施の形態である実施の形態2における半導体装置であるMOSFETの構成を示す概略断面図である。
(付記)
本明細書は、以下の開示を含む。
半導体装置は、基板と、基板上に形成された第1導電型の半導体層と、第1導電型とは異なる第2導電型の一対の第2導電型領域と、半導体層よりも高濃度の第1導電型の不純物を含む高濃度第1導電型領域と、電極と、第2導電型領域よりも高濃度の第2導電型の不純物を含む高濃度第2導電型領域とを備え得る。第2導電型領域は、半導体層において、基板側の主面である第1の主面とは反対側の主面である第2の主面を含むように形成される。高濃度第1導電型領域は、一対の第2導電型領域内のそれぞれに第2の主面を含むように形成される。電極は、高濃度第1導電型領域に接するように形成される。高濃度第2導電型領域は、一対の第2導電型領域内のそれぞれにおいて、高濃度第1導電型領域と基板との間の領域から電極に接する位置にまで延在するように形成される。そして、一対の第2導電型領域のうち、一方の第2導電型領域内に形成された高濃度第1導電型領域と他方の第2導電型領域内に形成された高濃度第1導電型領域との距離は、一方の第2導電型領域内に形成された高濃度第2導電型領域と他方の第2導電型領域内に形成された高濃度第2導電型領域との距離よりも小さくなっている。
上記半導体装置においては、一対の第2導電型領域内のそれぞれにおいて、高濃度第1導電型領域と基板との間の領域から電極に接する位置にまで延在するように高濃度第2導電型領域が形成されている。そのため、第2導電型領域の電位固定能力が向上し、パンチスルー現象の発生が抑制されるため、半導体装置の耐圧を向上させることができる。さらに、一対の第2導電型領域内のそれぞれに形成された高濃度第1導電型領域同士の距離が、高濃度第2導電型領域同士の距離に比べて小さくなっている。そのため、高濃度第2導電型領域が所望の形成位置とは多少異なった位置に形成された場合でも、電流の経路として利用可能な高濃度第1導電型領域同士の間の領域に高濃度第2導電型領域が重なっ
て抵抗が上昇するおそれが抑制される。その結果、上記高濃度第2導電型領域を形成することによる不良品の発生リスクの上昇を抑制することができる。以上のように、本発明の半導体装置によれば、製造が容易で、かつ従来に比べて高い耐圧を実現することが可能な半導体装置を提供することができる。
上記半導体装置において好ましくは、高濃度第2導電型領域の第2導電型の不純物濃度は、第2導電型領域の第2導電型の不純物濃度よりも高濃度第1導電型領域の第1導電型の不純物濃度に近くなっている。
高濃度第1導電型領域の不純物濃度に近い、高い不純物濃度を有する高濃度第2導電型領域を形成することにより、高濃度第1導電型領域に向けて空乏層が延びることがさらに抑制される。その結果、半導体装置の耐圧を一層向上させることができる。
上記半導体装置において好ましくは、高濃度第2導電型領域は、第2導電型領域における、高濃度第1導電型領域の基板に対向する面に沿った領域である底面側の領域から、一対の第2導電型領域のうち一方の第2導電型領域に形成された高濃度第1導電型領域から見て他方の第2導電型領域に形成された高濃度第1導電型領域に対向する面とは反対側の高濃度第1導電型領域の面に沿った領域である側面側の領域にまで延在するように形成されている。そして、高濃度第2導電型領域における第2導電型の不純物の濃度は、当該側面側の領域に比べて底面側の領域において高くなっている。
高濃度第1導電型領域は、上記側面側の領域に比べて、底面側の領域において、半導体装置の耐圧向上により大きく寄与する。一方、半導体装置の製造プロセスにおいて、高濃度第1導電型領域と高濃度第2導電型領域とが重なるように形成される場合、側面側の領域における高濃度第1導電型領域の不純物濃度を高く設定すると、電流の経路として利用可能な高濃度第1導電型領域の機能に影響するおそれがある。これに対し、上記構成によれば、高濃度第2導電型領域における第2導電型の不純物の濃度が、側面側の領域に比べて底面側の領域において高くなっているため、電流の経路としての高濃度第1導電型領域の機能への影響を抑制しつつ、有効に半導体装置の耐圧を向上させることができる。
上記半導体装置において好ましくは、高濃度第2導電型領域は、第2導電型領域における、高濃度第1導電型領域の基板に対向する面に沿った領域である底面側の領域に形成されている。そして、上記電極は、第2導電型領域における、一対の第2導電型領域のうち一方の第2導電型領域に形成された高濃度第1導電型領域から見て他方の第2導電型領域に形成された高濃度第1導電型領域に対向する面とは反対側の高濃度第1導電型領域の面に沿った領域である側面側の領域から、第2の主面上にまで延在するように形成されている。
上記構成においては、半導体装置の耐圧向上に大きく寄与することができる底面側の領域に高濃度第2導電型領域が形成され、側面側の領域から、第2の主面上にまで延在する電極が高濃度第2導電型領域と接触している。そのため、不純物濃度を高く設定した高濃度第2導電型領域と電極とを直接接触させることが可能となるため、高濃度第2導電型領域と電極とのコンタクト状態が向上し、一層半導体装置の耐圧を向上させることができる。
半導体装置の製造方法は、基板を準備する工程と、当該基板上に第1導電型の半導体層を形成する工程と、第1導電型とは異なる第2導電型の一対の第2導電型領域を形成する工程と、第2導電型領域よりも高濃度の第2導電型の不純物を含む高濃度第2導電型領域を形成する工程と、上記半導体層よりも高濃度の第1導電型の不純物を含む高濃度第1導電型領域を形成する工程と、電極を形成する工程とを備え得る。第2導電型領域を形成する工程では、半導体層において、基板側の主面である第1の主面とは反対側の主面である第2の主面を含むように、第2導電型領域が形成される。高濃度第2導電型領域を形成する工程では、一対の第2導電型領域のそれぞれに、高濃度第2導電型領域が形成される。高濃度第1導電型領域を形成する工程では、一対の第2導電型領域のそれぞれに、第2の主面を含むとともに、基板との間に高濃度第2導電型領域を挟むように、高濃度第1導電型領域が形成される。電極を形成する工程では、高濃度第1導電型領域に接するとともに、高濃度第2導電型領域に接するように、電極が形成される。
そして、高濃度第2導電型領域を形成する工程および高濃度第1導電型領域を形成する工程では、一対の第2導電型領域のうち、一方の第2導電型領域内の高濃度第1導電型領域と他方の第2導電型領域内の高濃度第1導電型領域との距離が、一方の第2導電型領域内の高濃度第2導電型領域と他方の第2導電型領域内の高濃度第2導電型領域との距離よりも小さくなるように、高濃度第2導電型領域および高濃度第1導電型領域が、一対の第2導電型領域内の両方に形成され得る。
上記半導体装置の製造方法では、一対の第2導電型領域内のそれぞれにおいて、高濃度第1導電型領域と基板との間の領域から電極に接する位置にまで延在するように、高濃度第2導電型領域が形成される。そのため、第2導電型領域の電位固定能力が向上し、パンチスルー現象の発生が抑制されるため、製造される半導体装置の耐圧を向上させることができる。さらに、一対の第2導電型領域内のそれぞれに形成された高濃度第1導電型領域同士の距離が、高濃度第2導電型領域同士の距離に比べて小さくなるように、高濃度第1導電型領域および高濃度第2導電型領域が形成される。そのため、高濃度第2導電型領域が所望の形成位置とは多少異なった位置に形成された場合でも、電流の経路として利用可能な高濃度第1導電型領域同士の間の領域に高濃度第2導電型領域が重なって、抵抗が上昇するおそれが抑制されている。その結果、上記高濃度第2導電型領域を形成することによる不良品の発生リスクの上昇を抑制することが可能となっている。以上のように、本発明の半導体装置の製造方法によれば、従来に比べて高い耐圧を実現することが可能な半導体装置を容易に製造することができる。
上記半導体装置の製造方法において好ましくは、高濃度第2導電型領域の第2導電型の不純物濃度が、第2導電型領域の第2導電型の不純物濃度よりも高濃度第1導電型領域の第1導電型の不純物濃度に近くなるように、第2導電型領域を形成する工程、高濃度第2導電型領域を形成する工程および高濃度第1導電型領域を形成する工程が実施される。
高濃度第1導電型領域の不純物濃度に近い、高い不純物濃度を有する高濃度第2導電型領域を形成することにより、高濃度第1導電型領域に向けて空乏層が延びることがさらに抑制される。その結果、製造される半導体装置の耐圧を一層向上させることができる。
上記半導体装置の製造方法において好ましくは、高濃度第2導電型領域を形成する工程では、高濃度第2導電型領域のうち基板に対向する面を含む領域に他の領域に比べて高濃度の第2導電型の不純物を含む高濃度領域を有するように、高濃度第2導電型領域が形成される。
上記製造プロセスによれば、高濃度第2導電型領域を、第2導電型領域における、高濃度第1導電型領域の基板に対向する面に沿った領域である底面側の領域から、一対の第2導電型領域のうち一方の第2導電型領域に形成された高濃度第1導電型領域から見て他方の第2導電型領域に形成された高濃度第1導電型領域に対向する面とは反対側の高濃度第1導電型領域の面に沿った領域である側面側の領域にまで延在するように、形成することができる。そして、これにより、高濃度第2導電型領域における第2導電型の不純物の濃度は、上記側面側の領域に比べて底面側の領域において高くなる。
上述のように、高濃度第1導電型領域は、側面側の領域に比べて、底面側の領域において、半導体装置の耐圧向上により大きく寄与する。一方、半導体装置の製造プロセスにおいて、高濃度第1導電型領域と高濃度第2導電型領域とが重なるように形成される場合、側面側の領域における高濃度第1導電型領域の不純物濃度を高く設定すると、電流の経路として利用可能な高濃度第1導電型領域の機能に影響するおそれがある。これに対し、上記プロセスによれば、高濃度第2導電型領域における第2導電型の不純物の濃度が、側面側の領域に比べて底面側の領域において高くなっているため、電流の経路としての高濃度第1導電型領域の機能への影響を抑制しつつ、製造される半導体装置の耐圧を有効に向上させることができる。
上記半導体装置の製造方法において好ましくは、高濃度第2導電型領域を形成する工程よりも後であって、電極を形成する工程よりも前に、第2の主面から高濃度第2導電型領域の高濃度領域に到達するように、第2導電型領域に溝を形成する工程をさらに備えている。
上記プロセスにより、高濃度第2導電型領域が、第2導電型領域における、高濃度第1導電型領域の基板に対向する面に沿った領域である底面側の領域に形成される。そして、第2導電型領域に形成された溝の中にまで延在するように上記電極を形成すれば、当該電極は、第2導電型領域における、一対の第2導電型領域のうち一方の第2導電型領域に形成された高濃度第1導電型領域から見て他方の第2導電型領域に形成された高濃度第1導電型領域に対向する面とは反対側の高濃度第1導電型領域の面に沿った領域である側面側の領域から、第2の主面上にまで延在するように形成される。
これにより、半導体装置の耐圧向上に大きく寄与することができる底面側の領域に高濃度第2導電型領域が形成され、側面側の領域から、第2の主面上にまで延在する電極が高濃度第2導電型領域と接触する。そのため、不純物濃度を高く設定した高濃度第2導電型領域の高濃度領域と電極とを直接接触させることが可能となるため、高濃度第2導電型領域と電極とのコンタクト状態が向上し、製造される半導体装置の耐圧を一層向上させることができる。
Claims (4)
- 基板を準備する工程と、
前記基板上に第1導電型の半導体層を形成する工程と、
前記半導体層において、前記基板側の主面である第1の主面とは反対側の主面である第2の主面を含むように前記第1導電型とは異なる第2導電型の一対の第2導電型領域を形成する工程と、
前記一対の第2導電型領域のそれぞれに、前記第2導電型領域よりも高濃度の前記第2導電型の不純物を含む高濃度第2導電型領域を形成する工程と、
前記一対の第2導電型領域のそれぞれに、前記第2の主面を含むとともに、前記基板との間に前記高濃度第2導電型領域を挟むように、前記半導体層よりも高濃度の前記第1導電型の不純物を含む高濃度第1導電型領域を形成する工程と、
前記高濃度第1導電型領域に接するとともに、前記高濃度第2導電型領域に接するように電極を形成する工程とを備え、
前記高濃度第2導電型領域を形成する工程および前記高濃度第1導電型領域を形成する工程では、前記一対の第2導電型領域のうち、一方の第2導電型領域内の前記高濃度第1導電型領域と他方の第2導電型領域内の前記高濃度第1導電型領域との距離が、前記一方の第2導電型領域内の前記高濃度第2導電型領域と前記他方の第2導電型領域内の前記高濃度第2導電型領域との距離よりも小さくなるように、前記高濃度第2導電型領域および前記高濃度第1導電型領域が、前記一対の第2導電型領域内の両方に形成され、
前記高濃度第2導電型領域を形成する工程では、前記高濃度第2導電型領域のうち前記基板に対向する面を含む領域に他の領域に比べて高濃度の前記第2導電型の不純物を含む高濃度領域を有するように、前記高濃度第2導電型領域が形成され、
前記高濃度第2導電型領域を形成する工程よりも後であって、前記電極を形成する工程よりも前に、前記第2の主面から前記高濃度第2導電型領域の前記高濃度領域に到達するように前記第2導電型領域に溝を形成する工程をさらに備え、
前記電極を形成する工程において、前記電極は、前記高濃度第1導電型領域に含まれる前記第2の主面に接触し、かつ前記高濃度第1導電型領域上から前記溝の内部に位置する前記高濃度第2導電型領域上にまで延在するように形成される、半導体装置の製造方法。 - 前記高濃度第2導電型領域の前記第2導電型の不純物濃度が、前記第2導電型領域の前記第2導電型の不純物濃度よりも前記高濃度第1導電型領域の前記第1導電型の不純物濃度に近くなるように、前記第2導電型領域を形成する工程、前記高濃度第2導電型領域を形成する工程および前記高濃度第1導電型領域を形成する工程が実施される、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記溝を形成する工程の前に、不純物を活性化させるための活性化アニールを行う工程をさらに備えた、請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記活性化アニールを行う工程の後に、前記半導体層の前記第2の主面上にゲート酸化膜を形成する工程をさらに備えた、請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
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