JP5408652B2 - 荷電粒子ビーム描画方法および装置 - Google Patents

Description

本発明は、可動ステージに載置された試料上に荷電粒子ビームによってパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法および装置に関する。

従来から、可動ステージに載置された試料上の描画領域が複数の短冊状のストライプに仮想分割され、可動ステージがストライプの長手方向に移動せしめられる可動ステージの描画移動中に、荷電粒子銃から照射され偏向器により偏向された荷電粒子ビームによって、試料上のストライプ内にパターンが描画される荷電粒子ビーム描画装置が知られている。この種の荷電粒子ビーム描画装置の例としては、例えば特許文献１（特開２００９−３８０５５号公報の図１および図２）などに記載されたものがある。

特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、可動ステージが第１ストライプの長手方向に移動せしめられる可動ステージの描画移動中に、荷電粒子銃から照射され偏向器により偏向された荷電粒子ビームによって試料上の第１ストライプ内にパターンが描画される。次いで、第１ストライプ内のパターンの描画が終了すると、可動ステージがストライプの短手方向に移動せしめられる可動ステージの折り返し移動が実行される。次いで、可動ステージが第２ストライプの長手方向に移動せしめられる第２ストライプに関する可動ステージの描画移動が開始され、荷電粒子銃から照射され偏向器により偏向された荷電粒子ビームによって試料上の第２ストライプ内にパターンが描画される。

特開２００９−３８０５５号公報の図１および図２

ところで、特許文献１に記載されているような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、第１ストライプ内に荷電粒子ビームが最後に照射された後も、可動ステージが第１ストライプの長手方向に移動せしめられる可動ステージの描画移動が無駄に継続される場合がある。

つまり、特許文献１に記載されているような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、第１ストライプ内に最後に照射された荷電粒子ビームの照射位置と第１ストライプの枠の下流端との間に荷電粒子ビームによるパターンの描画が行われないＮＵＬＬ領域が存在する場合に、第１ストライプ内に荷電粒子ビームが最後に照射された後に、可動ステージが第１ストライプの長手方向に移動せしめられる無駄な可動ステージの描画移動が継続されてしまう。

その結果、特許文献１に記載されているような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、第１ストライプ内に最後に照射された荷電粒子ビームの照射位置と第１ストライプの枠の下流端との間に荷電粒子ビームによるパターンの描画が行われないＮＵＬＬ領域が存在する場合に、第１ストライプに関する可動ステージの描画移動後の可動ステージの折り返し移動を早期に開始することができず、スループットを向上させることができない。

上述した問題点に鑑み、本発明は、可動ステージの描画移動後の可動ステージの折り返し移動を早期に開始することによってスループットを向上させることができる荷電粒子ビーム描画方法および装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様によれば、可動ステージに載置された試料上の描画領域が複数の短冊状のストライプに仮想分割され、可動ステージがストライプの長手方向に移動せしめられる可動ステージの描画移動中に、荷電粒子銃から照射され偏向器により偏向された荷電粒子ビームによって試料上のストライプ内にパターンを描画する描画部と、
荷電粒子ビーム描画装置による描画動作全体を制御するＪＯＢ制御部と、
荷電粒子ビームのショットデータを生成するショットデータ生成部と、
ショットデータ生成部によって生成されたショットデータを一時的に格納するショットバッファと、
ショットデータ生成部によって生成されたショットデータに基づくストライプ情報をショットデータ生成部から受け取り、動作要求を繰り返して発行することによって描画を制御する描画制御部と、
描画制御部からの動作要求を受けて、ショットバッファに一時的に格納されていたショットデータに基づいて偏向器を制御する偏向制御部と、
描画制御部からの動作要求を受けて、可動ステージの移動を制御するステージ制御部と、
描画制御部から発行された可動ステージの折り返し移動要求を格納する折り返し移動要求格納部と、
第ｎ（ｎは自然数）ストライプ内に最後に照射される荷電粒子ビームのショットデータに付属するストライプエンドデータが偏向制御部によって検出された時に、偏向制御部からステージ制御部に第ｎストライプのストライプエンド信号を通知するストライプエンド信号通知手段と、
偏向制御部からステージ制御部に通知された第ｎストライプのストライプエンド信号に基づいて、可動ステージがストライプの長手方向に移動せしめられる可動ステージの描画移動を停止する描画移動停止手段と、
可動ステージの描画移動の停止後に折り返し移動要求格納部を参照する折り返し移動要求格納部参照手段と、
折り返し移動要求格納部に折り返し移動要求が格納されている場合に、折り返し移動要求に基づいて、可動ステージが少なくともストライプの短手方向に移動せしめられる可動ステージの折り返し移動を実行する折り返し移動実行手段と、
可動ステージの折り返し移動の終了後に第ｎ＋１ストライプ内にパターンを描画するために可動ステージの描画移動を開始する描画移動開始手段とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置が提供される。

本発明の別の一態様によれば、可動ステージに載置された試料上の描画領域が複数の短冊状のストライプに仮想分割され、可動ステージがストライプの長手方向に移動せしめられる可動ステージの描画移動中に、荷電粒子銃から照射され偏向器により偏向された荷電粒子ビームによって、試料上のストライプ内にパターンが描画される荷電粒子ビーム描画方法において、
可動ステージがストライプの長手方向に移動せしめられる可動ステージの描画移動中に、荷電粒子銃から照射され偏向器により偏向された荷電粒子ビームによって、試料上の第ｎストライプ内にパターンを描画し、
第ｎストライプ内に最後に照射される荷電粒子ビームのショットデータに付属するストライプエンドデータが偏向制御部によって検出された時に、偏向制御部からステージ制御部に第ｎストライプのストライプエンド信号を通知し、
偏向制御部からステージ制御部に通知された第ｎストライプのストライプエンド信号に基づいて、可動ステージがストライプの長手方向の移動せしめられる可動ステージの描画移動を停止し、
可動ステージの描画移動の停止後に折り返し移動要求格納部を参照し、
折り返し移動要求格納部に折り返し移動要求が格納されている場合に、折り返し移動要求に基づいて、可動ステージが少なくともストライプの短手方向に移動せしめられる可動ステージの折り返し移動を実行し、
可動ステージの折り返し移動の終了後、可動ステージがストライプの長手方向に移動せしめられる可動ステージの描画移動を開始し、
可動ステージの描画移動中に、荷電粒子銃から照射され偏向器により偏向された荷電粒子ビームによって、試料上の第ｎ＋１ストライプ内にパターンを描画することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法が提供される。

本発明によれば、可動ステージの描画移動後の可動ステージの折り返し移動を早期に開始することによってスループットを向上させることができる。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の概略的な構成図である。 図１に示す制御計算機１０ｂ１の詳細図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍ上に描画することができるパターンＰの一例を説明するための図である。 図１および図２に示す描画データＤの一例を概略的に示した図である。 描画データＤに含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序を説明するための図である。 描画データＤに含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・に対応するパターンＰ１，Ｐ２，・・が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を詳細に説明するための図である。 描画データＤに含まれる図形ＦＧ１に対応するパターンＰ１が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を示した図である。 図１に示す可動ステージ１０ａ２ａの動きを詳細に説明するための図である。 図１に示す可動ステージ１０ａ２ａの動きを詳細に説明するための図である。 図１に示す可動ステージ１０ａ２ａの動きを詳細に説明するための図である。 図１に示す可動ステージ１０ａ２ａの動きを詳細に説明するための図である。 試料Ｍ上のストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６に対して相対移動する図８〜図１１に示す領域Ａの軌跡を概略的に示した図である。 第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の可動ステージ１０ａ２ａに載置された試料Ｍ上のストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６に対して相対移動する領域Ａの軌跡を概略的に示した図である。

以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の概略的な構成図である。図２は図１に示す制御計算機１０ｂ１の詳細図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、マスク（ブランク）、ウエハなどのような試料Ｍ上に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射することによって、試料Ｍ上に目的のパターンを描画するための描画部１０ａが設けられている。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂとして例えば電子ビームが用いられるが、第２の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂとして例えばイオンビーム等の電子ビーム以外の荷電粒子ビームを用いることも可能である。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、荷電粒子銃１０ａ１ａと、荷電粒子銃１０ａ１ａから照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを偏向する偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆと、偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによる描画が行われる試料Ｍを載置する可動ステージ１０ａ２ａとが、描画部１０ａに設けられている。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画部１０ａの一部を構成する描画室１０ａ２に、試料Ｍが載置された可動ステージ１０ａ２ａが配置されている。この可動ステージ１０ａ２ａは、例えば、Ｘ方向（図１の左右方向）およびＹ方向（図１の手前側−奥側方向）に移動可能に構成されている。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画部１０ａの一部を構成する光学鏡筒１０ａ１に、荷電粒子銃１０ａ１ａと、偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆと、レンズ１０ａ１ｇ，１０ａ１ｈ，１０ａ１ｉ，１０ａ１ｊ，１０ａ１ｋと、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌと、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍとが配置されている。

具体的には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、試料Ｍ上にパターンを描画するためのＪＯＢ登録が例えばオペレータによって行われると、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のＪＯＢ制御部１０ｂ１ｂによって、荷電粒子ビーム描画装置１０による描画動作全体の制御が行われる。詳細には、例えば、描画データＤが準備され、ショットデータ生成開始指示がＪＯＢ制御部１０ｂ１ｂからショットデータ生成部１０ｂ１ｃに送られ、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃによって描画データＤに基づいてショットデータが生成される。また、例えば、ＪＯＢ制御部１０ｂ１ｂからの指示に基づき、試料Ｍが描画室１０ａ２外から描画室１０ａ２内の可動ステージ１０ａ２ａ上に搬送される。次いで、描画の準備が整うと、例えば、ＪＯＢ制御部１０ｂ１ｂから描画制御部１０ｂ１ａに描画開始指示が送られる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のショットデータ生成部１０ｂ１ｃによって生成されたショットデータが、偏向制御部１０ｂ１ｅに送られる前に、ショットバッファ１０ｂ１ｄに一時的に格納される。詳細には、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃにより生成されたショットデータによってショットバッファ１０ｂ１ｄが満杯になるように、ショットデータがショットデータ生成部１０ｂ１ｃによって先行して生成される。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって、後述するストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，・・（図５参照）に関するストライプ情報が生成される。ストライプ情報には、例えば、ストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，・・の枠のサイズ、試料Ｍ上のストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，・・の配置座標、ストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，・・内に最初に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）のＸ方向（図５の左右方向）座標、ストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，・・内に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射時間分布データなどが含まれている。詳細には、ストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，・・の枠のサイズおよび試料Ｍ上のストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，・・の配置座標は、描画領域のサイズと描画領域をストライプサイズに分割するための描画条件によって決定される。ストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，・・の枠のサイズおよび試料Ｍ上のストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，・・の配置座標が決定された後、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によってストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，・・毎にショットデータが生成される過程で、ストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，・・内に描画パターンが存在するか否かが判定される。更に、描画パターンが存在するストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，・・については、ストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，・・の枠情報、ストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，・・内に最初に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのＸ方向座標、ストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，・・内に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射時間分布データなどが描画制御部１０ｂ１ａに送られる。ストライプ情報は、例えば、ストライプ情報要求が描画制御部１０ｂ１ａからショットデータ生成部１０ｂ１ｃに送られてくるまで、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃに蓄えられている。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のＪＯＢ制御部１０ｂ１ｂから描画制御部１０ｂ１ａに描画開始指示が送られると、描画制御部１０ｂ１ａによって描画処理が開始される。詳細には、例えば、描画制御部１０ｂ１ａからショットデータ生成部１０ｂ１ｃにストライプ情報要求が送られ、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃから描画制御部１０ｂ１ａにストライプ情報が送られる。例えば、描画制御部１０ｂ１ａでは、ストライプ情報に基づき、描画中の可動ステージ１０ａ２ａの移動速度、その移動速度まで加速するために必要な可動ステージ１０ａ２ａの助走距離、各ストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，・・（図５参照）内に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）が最初に照射される位置などが算出される。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、動作要求のうちのショット開始要求（図２参照）が、描画制御部１０ｂ１ａから偏向制御部１０ｂ１ｅに送られる。また、例えば、動作要求のうちの描画移動要求（図２参照）と折り返し移動要求（図２参照）とが、それぞれ単独で描画制御部１０ｂ１ａからステージ制御部１０ｂ１ｆに送られる。つまり、図１および図２に示す例では、描画制御部１０ｂ１ａからステージ制御部１０ｂ１ｆに送られる描画移動要求と折り返し移動要求とが分離されている。詳細には、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ全体にパターンを描画するために、ストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，・・（図５参照）毎に繰り返して、描画制御部１０ｂ１ａから偏向制御部１０ｂ１ｅにショット開始要求が送られ、描画制御部１０ｂ１ａからステージ制御部１０ｂ１ｆに描画移動要求と折り返し移動要求とが送られる。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の描画制御部１０ｂ１ａから偏向制御部１０ｂ１ｅにショット開始要求が送られると、ショットバッファ１０ｂ１ｄに一時的に格納されていたショットデータが偏向制御部１０ｂ１ｅに送られる。次いで、例えば、ショットデータに基づいて偏向制御部１０ｂ１ｅによって偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆが制御され、その結果、荷電粒子銃１０ａ１ａからの荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが試料Ｍ上の所望の位置に照射される。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のショットデータ生成部１０ｂ１ｃにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｅによって偏向制御回路１０ｂ２を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃを制御することにより、荷電粒子銃１０ａ１ａから照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、例えば第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられて試料Ｍに照射されるか、あるいは、例えば第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’以外の部分によって遮られて試料Ｍに照射されないかが、切り換えられる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ブランキング偏向器１０ａ１ｃを制御することにより、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射時間を制御することができる。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のショットデータ生成部１０ｂ１ｃにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｅによって偏向制御回路１０ｂ３を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄを制御することにより、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向される。次いで、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの全部または一部が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Ｍに照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの大きさ、形状などを調整することができる。

図３は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍ上に描画することができるパターンＰの一例を説明するための図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３（Ａ）に示すように、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上にパターンＰ（図３（Ａ）参照）が描画される時に、荷電粒子銃１０ａ１ａ（図１参照）から照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの例えば正方形の開口１０ａ１ｌ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられる。その結果、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状が、例えば概略正方形になる。次いで、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの全部または一部が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられる。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３（Ａ）に示すように、例えば、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によって偏向することにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられる荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状を、例えば矩形（正方形または長方形）にしたり、例えば三角形にしたりすることができる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３（Ａ）に示すように、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを、試料Ｍ上の所定の位置に所定の照射時間だけ照射し続けることにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状と概略同一形状のパターンＰ（図３（Ａ）参照）を試料Ｍ上に描画することができる。

つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３（Ａ）に示すように、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によって偏向される量および向きを偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２参照）によって制御することにより、例えば、図３（Ｂ）に示すような最大サイズの概略正方形のパターンＰ、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）よりも小さい図３（Ｃ）、図３（Ｄ）および図３（Ｅ）に示すような概略矩形（正方形または長方形）のパターンＰ、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）よりも小さい図３（Ｆ）、図３（Ｇ）、図３（Ｈ）および図３（Ｉ）に示すような概略三角形のパターンＰなどを、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍ上に描画することができる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のショットデータ生成部１０ｂ１ｃにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｅによって偏向制御回路１０ｂ４を介して主偏向器１０ａ１ｅを制御することにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、主偏向器１０ａ１ｅによって偏向される。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のショットデータ生成部１０ｂ１ｃにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｅによって偏向制御回路１０ｂ５を介して副偏向器１０ａ１ｆを制御することにより、主偏向器１０ａ１ｅによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、副偏向器１０ａ１ｆによって更に偏向される。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、主偏向器１０ａ１ｅおよび副偏向器１０ａ１ｆによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Ｍに照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射位置を調整することができる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の描画制御部１０ｂ１ａからステージ制御部１０ｂ１ｆにステージ移動要求（詳細には、後述する描画移動要求または折り返し移動要求）が送られると、ステージ制御部１０ｂ１ｆによって可動ステージ１０ａ２ａの移動が制御される。

図１および図２に示す例では、例えば、半導体集積回路の設計者などによって作成されたＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）を荷電粒子ビーム描画装置１０用のフォーマットに変換することにより得られた描画データＤが、荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の（詳細には、ディストリビュータ、コンバータなどを介して）ショットデータ生成部１０ｂ１ｃに入力される。一般的に、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）には、多数の微小なパターンが含まれており、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）のデータ量はかなりの大容量になっている。更に、一般的に、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）を他のフォーマットに変換しようとすると、変換後のデータのデータ量は更に増大してしまう。この点に鑑み、荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のショットデータ生成部１０ｂ１ｃに入力される描画データＤでは、データの階層化が採用され、描画データＤのデータ量の圧縮化が図られている。

図４は図１および図２に示す描画データＤの一例を概略的に示した図である。図４に示す例では、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０に適用される描画データＤ（図１および図２参照）が、例えば、チップ階層ＣＰ、チップ階層ＣＰよりも下位のフレーム階層ＦＲ、フレーム階層ＦＲよりも下位のブロック階層ＢＬ、ブロック階層ＢＬよりも下位のセル階層ＣＬ、および、セル階層ＣＬよりも下位の図形階層ＦＧに階層化されている。

詳細には、図４に示す例では、例えば、チップ階層ＣＰの要素の一部であるチップＣＰ１が、フレーム階層ＦＲの要素の一部である３個のフレームＦＲ１，ＦＲ２，ＦＲ３に対応している。また、例えば、フレーム階層ＦＲの要素の一部であるフレームＦＲ２が、ブロック階層ＢＬの要素の一部である１８個のブロックＢＬ００，・・，ＢＬ５２に対応している。更に、例えば、ブロック階層ＢＬの要素の一部であるブロックＢＬ２１が、セル階層ＣＬの要素の一部である複数のセルＣＬＡ，ＣＬＢ，ＣＬＣ，ＣＬＤ，・・に対応している。また、例えば、セル階層ＣＬの要素の一部であるセルＣＬＡが、図形階層ＦＧの要素の一部である多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・に対応している。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１、図２および図４に示すように、描画データＤ（図１および図２参照）に含まれる図形階層ＦＧ（図４参照）の多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・（図４参照）に対応するパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１参照）上に描画される。

図５は描画データＤに含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序を説明するための図である。図５に示す例では、試料Ｍ上の描画領域が例えば６個の短冊状のストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６に仮想分割されている。

図５に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ストライプＳＴＲ１内をＸ軸のプラス側（図５の右側）からマイナス側（図５の左側）に向かって走査され、描画データＤ（図１および図２参照）に含まれる多数の図形（図示せず）に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上のストライプＳＴＲ１内に描画される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ストライプＳＴＲ２内をＸ軸のマイナス側（図５の左側）からプラス側（図５の右側）に向かって走査され、描画データＤ（図１参照）に含まれる多数の図形（図示せず）に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上のストライプＳＴＲ２内に描画される。次いで、同様に、描画データＤ（図１参照）に含まれる多数の図形（図示せず）に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上のストライプＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６内に描画される。

詳細には、図５に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上のストライプＳＴＲ１内にパターンが描画される時、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）がＸ軸のマイナス側（図５の左側）からプラス側（図５の右側）に向かってストライプＳＴＲ１の長手方向（図５の左右方向）に移動するように、制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）の描画制御部１０ｂ１ａ（図２参照）からの描画移動要求（図２参照）に基づき、ステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上のストライプＳＴＲ２（図５参照）内にパターンが描画される前に、可動ステージ１０ａ２ａがＹ軸のプラス側（図５の上側）からマイナス側（図５の下側）に向かって少なくともストライプＳＴＲ１の短手方向（図５の上下方向）に移動するように、制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）の描画制御部１０ｂ１ａ（図２参照）からの折り返し移動要求（図２参照）に基づき、ステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２参照）によってステージ制御回路１０ｂ６を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。

次いで、図５に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上のストライプＳＴＲ２内にパターンが描画される時、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）がＸ軸のプラス側（図５の右側）からマイナス側（図５の左側）に向かってストライプＳＴＲ２の長手方向（図５の左右方向）に移動するように、制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）の描画制御部１０ｂ１ａ（図２参照）からの描画移動要求（図２参照）に基づき、ステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。

図６は描画データＤに含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・に対応するパターンＰ１，Ｐ２，・・が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を詳細に説明するための図である。

図６に示す例では、例えば、試料Ｍ（図５参照）のストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６（図５参照）内の領域が、サブフィールドＳＦｎ，ＳＦｎ＋１，・・と呼ばれる複数の矩形の仮想領域によって更に分割されている。詳細には、図６に示す例では、例えば、描画データＤ（図１参照）に含まれる図形ＦＧ１（図４参照）に対応するパターンＰ１が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される場合、まず最初に、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂがサブフィールドＳＦｎ内に照射されるように、制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）のショットデータ生成部１０ｂ１ｃ（図２参照）によって生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２参照）によって偏向制御回路１０ｂ４（図１参照）を介して主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）が制御される。

次いで、図６に示す例では、例えば、主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）の制御が完了すると（主偏向器１０ａ１ｅのセトリング時間が経過すると）、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってパターンＰ１が描画されるように、制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）のショットデータ生成部１０ｂ１ｃ（図２参照）によって生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。次いで、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が開始されるように、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のショットデータ生成部１０ｂ１ｃによって生成されたショットデータに基づき、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の偏向制御部１０ｂ１ｅによって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。

次いで、図６に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによるパターンＰ１の描画が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）のショットデータ生成部１０ｂ１ｃ（図２参照）によって生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってパターンＰ２が描画されるように、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のショットデータ生成部１０ｂ１ｃによって生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｅによって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御され、パターンＰ１の描画と同様にパターンＰ２の描画が実行される。

次いで、図６に示す例では、例えば、サブフィールドＳＦｎ内のすべてのパターンＰ１，Ｐ２，・・の描画が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂがサブフィールドＳＦｎ＋１内に照射されるように、制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）のショットデータ生成部１０ｂ１ｃ（図２参照）によって生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２参照）によって偏向制御回路１０ｂ４（図１参照）を介して主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）が制御される。

次いで、図６に示す例では、例えば、主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）の制御が完了すると（主偏向器１０ａ１ｅのセトリング時間が経過すると）、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってパターンＰ１１が描画されるように、制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）のショットデータ生成部１０ｂ１ｃ（図２参照）によって生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御され、パターンＰ１，Ｐ２の描画と同様にパターンＰ１１の描画が実行される。

次いで、図６に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによるパターンＰ１１の描画が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）のショットデータ生成部１０ｂ１ｃ（図２参照）によって生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってパターンＰ１２が描画されるように、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のショットデータ生成部１０ｂ１ｃによって生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｅによって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御され、パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ１１の描画と同様にパターンＰ１２の描画が実行される。

図７は描画データＤに含まれる図形ＦＧ１に対応するパターンＰ１が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を示した図である。詳細には、図７は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において描画データＤに含まれる図形ＦＧ１に対応するパターンＰ１を荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上に描画するために必要な荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショット数の一例を説明するための図である。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば描画データＤ（図１および図２参照）に含まれる図形ＦＧ１（図４参照）に対応するパターンＰ１（図６参照）が、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）よりも大きい場合などに、図７に示すように、複数回の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットが行われる。換言すれば、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば描画データＤ（図１および図２参照）に含まれる図形ＦＧ１（図４参照）に対応するパターンＰ１（図６参照）が、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）よりも大きい場合などに、制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）のショットデータ生成部１０ｂ１ｃ（図２参照）によって、描画データＤ（図１および図２参照）に含まれる図形ＦＧ１（図４参照）が、パターンＰ１ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ１ｃ，Ｐ１ｄ，Ｐ１ｅ，Ｐ１ｆ，Ｐ１ｇ，Ｐ１ｈ，Ｐ１ｉに対応する複数の小さい図形（図示せず）に描画データ上で分割され、ショットデータが生成される。この分割処理が、一般に、「ショット分割」、「図形分割」などと呼ばれている。

詳細には、図７に示す例では、例えば、まず最初に、図７（Ａ）に示すように、１回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰ１ａが試料Ｍ上に描画される。

更に詳細には、図７に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）をサブフィールドＳＦｎ（図６参照）に位置決めするための制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）の偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２参照）による主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）の制御が完了すると（主偏向器１０ａ１ｅのセトリング時間が経過すると）、１回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットによってパターンＰ１ａ（図７（Ａ）参照）が描画されるように、ショットデータに基づいて偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。

次いで、例えば、制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）の偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２参照）による副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ａ（図７（Ａ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットが開始されるように、ショットデータに基づいて偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。また、例えば、偏向制御部１０ｂ１ｅによる副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ａを描画するための水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが照射されるように、ショットデータに基づいて偏向制御部１０ｂ１ｅによって偏向制御回路１０ｂ３（図１参照）を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）が制御される。

次いで、例えば、パターンＰ１ａ（図７（Ａ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）の照射時間が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、ショットデータに基づいて制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）の偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。

次いで、図７に示す例では、例えば、図７（Ｂ）に示すように、２回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰ１ｂが試料Ｍ上に描画される。次いで、図７に示す例では、例えば、図７（Ｃ）に示すように、３回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）より小さいパターンＰ１ｃが試料Ｍ上に描画される。

次いで、図７に示す例では、例えば、図７（Ｄ）に示すように、４回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰ１ｄが試料Ｍ上に描画される。次いで、図７に示す例では、例えば、図７（Ｅ）に示すように、５回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰ１ｅが試料Ｍ上に描画される。次いで、図７に示す例では、例えば、図７（Ｆ）に示すように、６回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）より小さいパターンＰ１ｆが試料Ｍ上に描画される。

次いで、図７に示す例では、例えば、図７（Ｇ）に示すように、７回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）より小さいパターンＰ１ｇが試料Ｍ上に描画される。次いで、図７に示す例では、例えば、図７（Ｈ）に示すように、８回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）より小さいパターンＰ１ｈが試料Ｍ上に描画される。次いで、図７に示す例では、例えば、図７（Ｉ）に示すように、９回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）より小さいパターンＰ１ｉが試料Ｍ上に描画される。

その結果、図７に示す例では、描画データＤ（図１および図２参照）に含まれる図形ＦＧ１（図４参照）に対応するパターンＰ１が、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）によって試料Ｍ上に描画される。

図７に示す例では、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰ１ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ１ｄ，Ｐ１ｅを描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットを４回行っても試料Ｍ上にパターンＰ１を描画することができず、試料Ｍ上にパターンＰ１を描画するためには９回の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットが必要であることをわかりやすく説明するために、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰ１ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ１ｄ，Ｐ１ｅを描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）の４回のショットと、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）より小さいパターンＰ１ｃ，Ｐ１ｆ，Ｐ１ｇ，Ｐ１ｈ，Ｐ１ｉを描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）の５回のショットとにショット分割されている。実際の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えばパターンＰ１ｉ（図７（Ｉ）参照）のような微小パターンの描画を回避するように、ショット分割が実行される。つまり、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）の９回のショットによってパターンＰ１（図７（Ｉ）参照）を描画する場合には、パターンＰ１をＸ方向（図７の左右方向）３列×Ｙ方向（図７の上下方向）３列に９等分したパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）の１回のショットによって描画される。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図７（Ａ）〜図７（Ｉ）に示すように、描画データＤ（図１および図２参照）に含まれる図形ＦＧ１（図４参照）に対応するパターンＰ１が、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）によって試料Ｍ上のストライプＳＴＲ２（図５および図６参照）内に描画されている期間中、例えば、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）がＸ軸のプラス側（図５の右側）からマイナス側（図５の左側）に向かってストライプＳＴＲ２の長手方向（図５の左右方向）に移動するように、描画制御部１０ｂ１ａ（図２参照）からステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２参照）に送られた描画移動要求（図２参照）に基づいて、ステージ制御部１０ｂ１ｆによってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。

また、図５に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上のストライプＳＴＲ１内に多数のパターン（図示せず）が描画されている期間中、例えば、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）がＸ軸のマイナス側（図５の左側）からプラス側（図５の右側）に向かってストライプＳＴＲ１の長手方向（図５の左右方向）に移動するように、描画制御部１０ｂ１ａ（図２参照）からステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２参照）に送られた描画移動要求（図２参照）に基づいて、ステージ制御部１０ｂ１ｆによってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。

同様に、図５に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上のストライプＳＴＲ３内に多数のパターン（図示せず）が描画されている期間中、例えば、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）がＸ軸のマイナス側（図５の左側）からプラス側（図５の右側）に向かってストライプＳＴＲ３の長手方向（図５の左右方向）に移動するように、描画制御部１０ｂ１ａ（図２参照）からステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２参照）に送られた描画移動要求（図２参照）に基づいて、ステージ制御部１０ｂ１ｆによってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。

図８〜図１１は図１に示す可動ステージ１０ａ２ａの動きを詳細に説明するための図である。図８〜図１１において、Ａは主偏向器１０ａ１ｅおよび副偏向器１０ａ１ｆによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを偏向することにより、可動ステージ１０ａ２ａに載置された試料Ｍ上に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射することができる領域を示している。また、ＳＴＲ１ＲはストライプＳＴＲ１（図５参照）の枠の右端を示しており、ＳＴＲ１ＬはストライプＳＴＲ１の枠の左端を示している。更に、ＳＴＲ２ＲはストライプＳＴＲ２（図５参照）の枠の右端を示しており、ＳＴＲ２ＬはストライプＳＴＲ２の枠の左端を示している。また、ＳＴＲ３ＲはストライプＳＴＲ３（図５参照）の枠の右端を示しており、ＳＴＲ３ＬはストライプＳＴＲ３の枠の左端を示している。更に、ＳＴＲ４ＲはストライプＳＴＲ４（図５参照）の枠の右端を示している。

図５および図８〜図１１に示す例では、まず最初に、ストライプＳＴＲ１（図５、図８および図９参照）に関する描画移動要求（図２参照）が、描画制御部１０ｂ１ａ（図２参照）からステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２参照）に発行される。詳細には、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５、図８（Ｂ）および図９（Ａ）参照）によるストライプＳＴＲ１（図５、図８および図９参照）に対するパターンの描画の開始時までに、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃ（図２参照）から描画制御部１０ａ１ａ（図２参照）に送られたストライプＳＴＲ１に関するストライプ情報に基づいて、ストライプＳＴＲ１内に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図８（Ｂ）参照）が最初に照射される位置ＰＦ１’（図８（Ａ）参照）が算出される。また、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５、図８（Ｂ）および図９（Ａ）参照）によるストライプＳＴＲ１に対するパターンの描画中の可動ステージ１０ａ２ａ（図８および図９参照）の移動速度が算出される。更に、その移動速度まで加速するために必要な可動ステージ１０ａ２ａの助走距離ΔＸ１ａ（図８（Ａ）参照）が算出される。

次いで、図５および図８〜図１１に示す例では、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図８（Ｂ）参照）によるストライプＳＴＲ１（図５、図８および図９参照）に対するパターンの描画の開始時に、可動ステージ１０ａ２ａ（図８（Ａ）参照）が、図８（Ａ）に示すストライプＳＴＲ１に関する描画移動開始位置に配置される。つまり、可動ステージ１０ａ２ａがストライプＳＴＲ１に関する描画移動開始位置に配置されている状態では、領域Ａが図８（Ａ）に示す位置に位置する。

次いで、図５および図８〜図１１に示す例では、可動ステージ１０ａ２ａ（図８および図９参照）がＸ軸のマイナス側（図８の左側）からプラス側（図８の右側）に向かってストライプＳＴＲ１（図５、図８および図９参照）の長手方向（図８の左右方向）に移動せしめられる可動ステージ１０ａ２ａの描画移動が開始される。更に、描画制御部１０ｂ１ａ（図２参照）から偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２参照）に送られたショット開始要求（図２参照）に基づいて、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図８（Ｂ）および図９（Ａ）参照）をストライプＳＴＲ１内に照射するために偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。詳細には、ストライプＳＴＲ１内に最初に照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図８（Ｂ）参照）によって、パターンＰＦ１（図８（Ｂ）参照）が試料Ｍ（図８（Ｂ）参照）上のストライプＳＴＲ１内に描画される。

つまり、図５および図８〜図１１に示す例では、ストライプＳＴＲ１（図５、図８および図９参照）の右端の領域のうち、パターンＰＦ１（図８（Ｃ）参照）よりも右側の部分が、ＮＵＬＬ領域（パターンが描画されない領域）Ｎ１Ｒ（図８（Ｃ）参照）になる。

次いで、図５および図８〜図１１に示す例では、可動ステージ１０ａ２ａ（図８および図９参照）がＸ軸のマイナス側（図８の左側）からプラス側（図８の右側）に向かってストライプＳＴＲ１（図５、図８および図９参照）の長手方向（図８の左右方向）に移動せしめられる可動ステージ１０ａ２ａの描画移動中に、荷電粒子銃１０ａ１ａ（図１参照）から照射され偏向器１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆ（図１参照）により偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１および図５参照）によって、試料Ｍ（図５参照）上のストライプＳＴＲ１（図５参照）内にパターンが描画される。

次いで、図５および図８〜図１１に示す例では、可動ステージ１０ａ２ａ（図８および図９参照）がＸ軸のマイナス側（図９の左側）からプラス側（図９の右側）に向かってストライプＳＴＲ１（図５、図８および図９参照）の長手方向（図９の左右方向）に移動せしめられる可動ステージ１０ａ２ａの描画移動中に、ストライプＳＴＲ１内に最後に照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図９（Ａ）参照）によって、パターンＰＬ１（図９（Ａ）参照）が試料Ｍ（図９（Ａ）参照）上のストライプＳＴＲ１内に描画される。

つまり、図５および図８〜図１１に示す例では、ストライプＳＴＲ１（図５、図８および図９参照）の左端の領域のうち、パターンＰＬ１（図９（Ｂ）参照）よりも左側の部分が、ＮＵＬＬ領域（パターンが描画されない領域）Ｎ１Ｌ（図９（Ｂ）参照）になる。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃ（図２参照）からショットバッファ１０ｂ１ｄ（図２参照）を介して偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２参照）に送られたストライプＳＴＲ１（図５、図８および図９参照）内に最後に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図９（Ａ）参照）のショットデータにストライプエンドデータ（図示せず）が付属されている。

そのため、図５および図８〜図１１に示す例では、このストライプエンドデータが偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２参照）によって検出された時に、偏向制御部１０ｂ１ｅからステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２参照）にストライプＳＴＲ１のストライプエンド信号（図２参照）が通知される。

次いで、図５および図８〜図１１に示す例では、偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２参照）からステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２参照）に通知されたストライプＳＴＲ１（図５、図８および図９参照）のストライプエンド信号（図２参照）に基づき、ストライプＳＴＲ１（図９（Ａ）参照）内に最後に照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図９（Ａ）参照）によってパターンＰＬ１（図９（Ａ）参照）が試料Ｍ（図９（Ａ）参照）上のストライプＳＴＲ１内に描画された後に、可動ステージ１０ａ２ａ（図８および図９参照）がＸ軸のマイナス側（図９の左側）からプラス側（図９の右側）に向かってストライプＳＴＲ１の長手方向（図９の左右方向）に移動せしめられる可動ステージ１０ａ２ａの描画移動が、概略図９（Ａ）に示す状態で停止される。

つまり、図５および図８〜図１１に示す例では、ストライプＳＴＲ１（図９（Ａ）参照）の枠の左端ＳＴＲ１Ｌ（図９（Ａ）参照）が領域Ａ（図９（Ａ）参照）内に入るまでＸ軸のマイナス側（図９の左側）からプラス側（図９の右側）に向かう可動ステージ１０ａ２ａ（図９（Ａ）参照）の描画移動が継続されるのではなく、ストライプＳＴＲ１の枠の左端ＳＴＲ１Ｌが領域Ａ内に入っていない図９（Ａ）に示す状態で、Ｘ軸のマイナス側からプラス側に向かう可動ステージ１０ａ２ａの描画移動が停止される。

次いで、図５および図８〜図１１に示す例では、Ｘ軸のマイナス側（図９の左側）からプラス側（図９の右側）に向かう可動ステージ１０ａ２ａ（図９（Ａ）参照）の描画移動の停止後に、ステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２参照）の折り返し移動要求格納部１０ｂ１ｆ１（図２参照）が参照される。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ストライプＳＴＲ１（図８（Ｂ）参照）内に最初に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図８（Ｂ）参照）のショットデータがショットデータ生成部１０ｂ１ｃ（図２参照）からショットバッファ１０ｂ１ｄ（図２参照）を介して偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２参照）に送られる段階で、ストライプＳＴＲ２（図５および図９（Ｃ）参照）に関する可動ステージ１０ａ２ａ（図９（Ｃ）参照）の仮の描画移動開始位置が設定され、その仮の描画移動開始位置まで可動ステージ１０ａ２ａを折り返し移動させるための折り返し移動要求が、描画制御部１０ｂ１ａ（図２参照）によって発行され、ステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２参照）の折り返し移動要求格納部１０ｂ１ｆ１（図２参照）に格納される。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ストライプＳＴＲ２（図９（Ｃ）参照）の枠の左端ＳＴＲ２Ｌ（図９（Ｃ）参照）が領域Ａ（図９（Ｃ）参照）よりも右側に位置するように、ストライプＳＴＲ２（図５および図９（Ｃ）参照）に関する可動ステージ１０ａ２ａ（図９（Ｃ）参照）の仮の描画移動開始位置が設定される。

つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図９（Ａ）に示す状態で可動ステージ１０ａ２ａ（図９（Ａ）参照）の描画移動が停止され、ステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２参照）の折り返し移動要求格納部１０ｂ１ｆ１（図２参照）が参照された段階で、未だ図９（Ｃ）に示すストライプＳＴＲ２（図５および図９（Ｃ）参照）に関する可動ステージ１０ａ２ａ（図９（Ｃ）参照）の描画移動開始位置が確定していない場合には、図９（Ａ）に示すストライプＳＴＲ１に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動停止位置から上述したストライプＳＴＲ２に関する可動ステージ１０ａ２ａの仮の描画移動開始位置まで可動ステージ１０ａ２ａが移動せしめられる可動ステージ１０ａ２ａの折り返し移動が開始される。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、図９（Ａ）に示すストライプＳＴＲ１（図９（Ａ）参照）に関する可動ステージ１０ａ２ａ（図９（Ａ）参照）の描画移動停止位置からストライプＳＴＲ２（図９（Ｃ）参照）に関する可動ステージ１０ａ２ａの仮の描画移動開始位置まで可動ステージ１０ａ２ａが移動せしめられる可動ステージ１０ａ２ａの折り返し移動の実行中に、図９（Ｃ）に示すストライプＳＴＲ２に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動開始位置が確定し、それに伴って、折り返し移動要求格納部１０ｂ１ｆ１（図２参照）に格納されている折り返し移動要求が変更（上書き）された場合に、ストライプＳＴＲ２に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動開始位置が、仮の描画移動開始位置から図９（Ｃ）に示す描画移動開始位置に変更される。

詳細には、この場合には、例えば、変更前の折り返し移動要求に基づいて、仮の描画移動開始位置まで可動ステージ１０ａ２ａが移動せしめられる可動ステージ１０ａ２ａの折り返し移動が開始され、その折り返し移動の実行中に折り返し移動要求が変更されると、可動ステージ１０ａ２ａの折り返し移動が停止され、次いで、変更後の折り返し移動要求に基づいて、図９（Ｃ）に示す描画移動開始位置に向かって可動ステージ１０ａ２ａが移動せしめられる可動ステージ１０ａ２ａの折り返し移動が開始される。

更に詳細には、図５および図８〜図１１に示す例では、例えば、図９（Ｃ）に示すストライプＳＴＲ２に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動開始位置が確定する段階で、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃ（図２参照）から描画制御部１０ａ１ａ（図２参照）に送られたストライプＳＴＲ２に関するストライプ情報に基づいて、ストライプＳＴＲ２内に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図９（Ｄ）参照）が最初に照射される位置ＰＦ２’（図９（Ｃ）参照）が算出される。また、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図９（Ｄ）および図１０（Ｂ）参照）によるストライプＳＴＲ２に対するパターンの描画中の可動ステージ１０ａ２ａ（図９および図１０参照）の移動速度が算出される。更に、その移動速度まで加速するために必要な可動ステージ１０ａ２ａの助走距離ΔＸ２ａ（図９（Ｃ）参照）が算出される。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、可動ステージ１０ａ２ａ（図８および図９参照）がＸ軸のマイナス側（図８および図９の左側）からプラス側（図８および図９の右側）に向かってストライプＳＴＲ１（図５、図８および図９参照）の長手方向（図８および図９の左右方向）に移動せしめられるストライプＳＴＲ１に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動の実行中に、図９（Ｃ）に示すストライプＳＴＲ２に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動開始位置が確定し、それに伴って、折り返し移動要求格納部１０ｂ１ｆ１（図２参照）に格納されている折り返し移動要求が変更（上書き）された場合にも、ストライプＳＴＲ２に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動開始位置が、仮の描画移動開始位置から図９（Ｃ）に示す描画移動開始位置に変更される。

詳細には、この場合には、例えば、変更後の折り返し移動要求に基づいて、図９（Ａ）に示すストライプＳＴＲ１に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動停止位置から図９（Ｃ）に示すストライプＳＴＲ２に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動開始位置まで可動ステージ１０ａ２ａが移動せしめられる可動ステージ１０ａ２ａの折り返し移動が実行される。更に詳細には、図９に示す例では、例えば、可動ステージ１０ａ２ａの折り返し移動の実行中に、可動ステージ１０ａ２ａが、ストライプＳＴＲ２の幅寸法分ΔＹ１２（図９（Ｃ）参照）だけＹ軸のプラス側（図９の上側）からマイナス側（図９の下側）に向かってストライプＳＴＲ２の短手方向（図９の上下方向）に移動せしめられると同時に、ΔＸ１２（図９（Ｃ）参照）だけＸ軸のマイナス側（図９の左側）からプラス側（図９の右側）に向かってストライプＳＴＲ２の長手方向（図９の左右方向）に移動せしめられる。

このようにして、図５および図８〜図１１に示す例では、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図９（Ｄ）参照）によるストライプＳＴＲ２（図９および図１０参照）に対するパターンの描画の開始時に、可動ステージ１０ａ２ａ（図９（Ｃ）参照）が、図９（Ｃ）に示すストライプＳＴＲ２に関する描画移動開始位置に配置される。つまり、可動ステージ１０ａ２ａがストライプＳＴＲ２に関する描画移動開始位置に配置されている状態では、領域Ａが図９（Ｃ）に示す位置に位置する。例えば、可動ステージ１０ａ２ａが図９（Ｃ）に示すストライプＳＴＲ２に関する描画移動開始位置に配置された時に、折り返し移動要求格納部１０ｂ１ｆ１（図２参照）に格納されていた折り返し移動要求が削除される。

次いで、図５および図８〜図１１に示す例では、例えば、描画制御部１０ｂ１ａ（図２参照）からステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２参照）に発行されたストライプＳＴＲ２（図５、図８および図９参照）に関する描画移動要求（図２参照）に基づいて、可動ステージ１０ａ２ａ（図９および図１０参照）がＸ軸のプラス側（図９の右側）からマイナス側（図９の左側）に向かってストライプＳＴＲ２（図５、図９および図１０参照）の長手方向（図９の左右方向）に移動せしめられる可動ステージ１０ａ２ａの描画移動が開始される。更に、描画制御部１０ｂ１ａ（図２参照）から偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２参照）に送られたショット開始要求（図２参照）に基づいて、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図９（Ｄ）および図１０（Ｂ）参照）をストライプＳＴＲ２内に照射するために偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。詳細には、ストライプＳＴＲ２内に最初に照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図９（Ｄ）参照）によって、パターンＰＦ２（図９（Ｄ）参照）が試料Ｍ（図９（Ｄ）参照）上のストライプＳＴＲ２内に描画される。

つまり、図５および図８〜図１１に示す例では、ストライプＳＴＲ２（図５、図９および図１０参照）の左端の領域のうち、パターンＰＦ２（図１０（Ａ）参照）よりも左側の部分が、ＮＵＬＬ領域（パターンが描画されない領域）Ｎ２Ｌ（図１０（Ａ）参照）になる。

次いで、図５および図８〜図１１に示す例では、可動ステージ１０ａ２ａ（図９および図１０参照）がＸ軸のプラス側（図１０の右側）からマイナス側（図１０の左側）に向かってストライプＳＴＲ２（図５、図９および図１０参照）の長手方向（図１０の左右方向）に移動せしめられる可動ステージ１０ａ２ａの描画移動中に、荷電粒子銃１０ａ１ａ（図１参照）から照射され偏向器１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆ（図１参照）により偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１および図５参照）によって、試料Ｍ（図５参照）上のストライプＳＴＲ２（図５参照）内にパターンが描画される。

次いで、図５および図８〜図１１に示す例では、可動ステージ１０ａ２ａ（図９および図１０参照）がＸ軸のプラス側（図１０の右側）からマイナス側（図１０の左側）に向かってストライプＳＴＲ２（図５、図９および図１０参照）の長手方向（図１０の左右方向）に移動せしめられる可動ステージ１０ａ２ａの描画移動中に、ストライプＳＴＲ２内に最後に照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１０（Ｂ）参照）によって、パターンＰＬ２（図１０（Ｂ）参照）が試料Ｍ（図１０（Ｂ）参照）上のストライプＳＴＲ２内に描画される。

つまり、図５および図８〜図１１に示す例では、ストライプＳＴＲ２（図５、図９および図１０参照）の右端の領域のうち、パターンＰＬ２（図１０（Ｃ）参照）よりも右側の部分が、ＮＵＬＬ領域（パターンが描画されない領域）Ｎ２Ｒ（図１０（Ｃ）参照）になる。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃ（図２参照）からショットバッファ１０ｂ１ｄ（図２参照）を介して偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２参照）に送られたストライプＳＴＲ２（図５、図９および図１０参照）内に最後に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１０（Ｂ）参照）のショットデータにストライプエンドデータ（図示せず）が付属されている。

そのため、図５および図８〜図１１に示す例では、このストライプエンドデータが偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２参照）によって検出された時に、偏向制御部１０ｂ１ｅからステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２参照）にストライプＳＴＲ２のストライプエンド信号（図２参照）が通知される。

次いで、図５および図８〜図１１に示す例では、偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２参照）からステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２参照）に通知されたストライプＳＴＲ２（図５、図９および図１０参照）のストライプエンド信号（図２参照）に基づき、ストライプＳＴＲ２（図１０（Ｂ）参照）内に最後に照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１０（Ｂ）参照）によってパターンＰＬ２（図１０（Ｂ）参照）が試料Ｍ（図１０（Ｂ）参照）上のストライプＳＴＲ２内に描画された後に、可動ステージ１０ａ２ａ（図９および図１０参照）がＸ軸のプラス側（図１０の右側）からマイナス側（図１０の左側）に向かってストライプＳＴＲ２の長手方向（図１０の左右方向）に移動せしめられる可動ステージ１０ａ２ａの描画移動が、概略図１０（Ｂ）に示す状態で停止される。

つまり、図５および図８〜図１１に示す例では、ストライプＳＴＲ２（図１０（Ｂ）参照）の枠の右端ＳＴＲ２Ｒ（図１０（Ｂ）参照）が領域Ａ（図１０（Ｂ）参照）内に入るまでＸ軸のプラス側（図１０の右側）からマイナス側（図１０の左側）に向かう可動ステージ１０ａ２ａ（図１０（Ｂ）参照）の描画移動が継続されるのではなく、ストライプＳＴＲ２の枠の右端ＳＴＲ２Ｒが領域Ａ内に入っていない図１０（Ｂ）に示す状態で、Ｘ軸のプラス側からマイナス側に向かう可動ステージ１０ａ２ａの描画移動が停止される。

次いで、図５および図８〜図１１に示す例では、Ｘ軸のプラス側（図１０の右側）からマイナス側（図１０の左側）に向かう可動ステージ１０ａ２ａ（図１０（Ｂ）参照）の描画移動の停止後に、ステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２参照）の折り返し移動要求格納部１０ｂ１ｆ１（図２参照）が参照される。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ストライプＳＴＲ２（図９（Ｄ）参照）内に最初に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図９（Ｄ）参照）のショットデータがショットデータ生成部１０ｂ１ｃ（図２参照）からショットバッファ１０ｂ１ｄ（図２参照）を介して偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２参照）に送られる段階で、ストライプＳＴＲ３（図５および図１０（Ｄ）参照）に関する可動ステージ１０ａ２ａ（図１０（Ｄ）参照）の仮の描画移動開始位置が設定され、その仮の描画移動開始位置まで可動ステージ１０ａ２ａを折り返し移動させるための折り返し移動要求が、描画制御部１０ｂ１ａ（図２参照）によって発行され、ステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２参照）の折り返し移動要求格納部１０ｂ１ｆ１（図２参照）に格納される。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ストライプＳＴＲ３（図１０（Ｄ）参照）の枠の右端ＳＴＲ３Ｒ（図１０（Ｄ）参照）が領域Ａ（図１０（Ｄ）参照）よりも左側に位置するように、ストライプＳＴＲ３（図５および図１０（Ｄ）参照）に関する可動ステージ１０ａ２ａ（図１０（Ｄ）参照）の仮の描画移動開始位置が設定される。

つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１０（Ｂ）に示す状態で可動ステージ１０ａ２ａ（図１０（Ｂ）参照）の描画移動が停止され、ステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２参照）の折り返し移動要求格納部１０ｂ１ｆ１（図２参照）が参照された段階で、未だ図１０（Ｄ）に示すストライプＳＴＲ３（図５および図１０（Ｄ）参照）に関する可動ステージ１０ａ２ａ（図１０（Ｄ）参照）の描画移動開始位置が確定していない場合には、図１０（Ｂ）に示すストライプＳＴＲ２に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動停止位置から上述したストライプＳＴＲ３に関する可動ステージ１０ａ２ａの仮の描画移動開始位置まで可動ステージ１０ａ２ａが移動せしめられる可動ステージ１０ａ２ａの折り返し移動が開始される。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、図１０（Ｂ）に示すストライプＳＴＲ２（図１０（Ｂ）参照）に関する可動ステージ１０ａ２ａ（図１０（Ｂ）参照）の描画移動停止位置からストライプＳＴＲ３（図１０（Ｄ）参照）に関する可動ステージ１０ａ２ａの仮の描画移動開始位置まで可動ステージ１０ａ２ａが移動せしめられる可動ステージ１０ａ２ａの折り返し移動の実行中に、図１０（Ｄ）に示すストライプＳＴＲ３に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動開始位置が確定し、それに伴って、折り返し移動要求格納部１０ｂ１ｆ１（図２参照）に格納されている折り返し移動要求が変更（上書き）された場合に、ストライプＳＴＲ３に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動開始位置が、仮の描画移動開始位置から図１０（Ｄ）に示す描画移動開始位置に変更される。

詳細には、この場合には、例えば、変更前の折り返し移動要求に基づいて、仮の描画移動開始位置まで可動ステージ１０ａ２ａが移動せしめられる可動ステージ１０ａ２ａの折り返し移動が開始され、その折り返し移動の実行中に折り返し移動要求が変更されると、可動ステージ１０ａ２ａの折り返し移動が停止され、次いで、変更後の折り返し移動要求に基づいて、図１０（Ｄ）に示す描画移動開始位置に向かって可動ステージ１０ａ２ａが移動せしめられる可動ステージ１０ａ２ａの折り返し移動が開始される。

更に詳細には、図５および図８〜図１１に示す例では、例えば、図１０（Ｄ）に示すストライプＳＴＲ３に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動開始位置が確定する段階で、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃ（図２参照）から描画制御部１０ａ１ａ（図２参照）に送られたストライプＳＴＲ３に関するストライプ情報に基づいて、ストライプＳＴＲ３内に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１１（Ａ）参照）が最初に照射される位置ＰＦ３’（図１０（Ｄ）参照）が算出される。また、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１１（Ａ）参照）によるストライプＳＴＲ３に対するパターンの描画中の可動ステージ１０ａ２ａ（図１０および図１１参照）の移動速度が算出される。更に、その移動速度まで加速するために必要な可動ステージ１０ａ２ａの助走距離ΔＸ３ａ（図１０（Ｄ）参照）が算出される。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、可動ステージ１０ａ２ａ（図９および図１０参照）がＸ軸のプラス側（図９および図１０の左側）からマイナス側（図９および図１０の右側）に向かってストライプＳＴＲ２（図５、図９および図１０参照）の長手方向（図９および図１０の左右方向）に移動せしめられるストライプＳＴＲ２に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動の実行中に、図１０（Ｄ）に示すストライプＳＴＲ３に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動開始位置が確定し、それに伴って、折り返し移動要求格納部１０ｂ１ｆ１（図２参照）に格納されている折り返し移動要求が変更（上書き）された場合にも、ストライプＳＴＲ３に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動開始位置が、仮の描画移動開始位置から図１０（Ｄ）に示す描画移動開始位置に変更される。

詳細には、この場合には、例えば、変更後の折り返し移動要求に基づいて、図１０（Ｂ）に示すストライプＳＴＲ２に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動停止位置から図１０（Ｄ）に示すストライプＳＴＲ３に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動開始位置まで可動ステージ１０ａ２ａが移動せしめられる可動ステージ１０ａ２ａの折り返し移動が実行される。更に詳細には、図１０に示す例では、例えば、可動ステージ１０ａ２ａの折り返し移動の実行中に、可動ステージ１０ａ２ａが、ストライプＳＴＲ３の幅寸法分ΔＹ２３（図１０（Ｄ）参照）だけＹ軸のプラス側（図１０の上側）からマイナス側（図１０の下側）に向かってストライプＳＴＲ３の短手方向（図１０の上下方向）に移動せしめられると同時に、ΔＸ２３（図１０（Ｄ）参照）だけＸ軸のプラス側（図１０の右側）からマイナス側（図１０の左側）に向かってストライプＳＴＲ３の長手方向（図１０の左右方向）に移動せしめられる。

このようにして、図５および図８〜図１１に示す例では、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１１（Ａ）参照）によるストライプＳＴＲ３（図１０および図１１参照）に対するパターンの描画の開始時に、可動ステージ１０ａ２ａ（図１０（Ｄ）参照）が、図１０（Ｄ）に示すストライプＳＴＲ３に関する描画移動開始位置に配置される。つまり、可動ステージ１０ａ２ａがストライプＳＴＲ３に関する描画移動開始位置に配置されている状態では、領域Ａが図１０（Ｄ）に示す位置に位置する。例えば、可動ステージ１０ａ２ａが図１０（Ｄ）に示すストライプＳＴＲ３に関する描画移動開始位置に配置された時に、折り返し移動要求格納部１０ｂ１ｆ１（図２参照）に格納されていた折り返し移動要求が削除される。

次いで、図５および図８〜図１１に示す例では、例えば、描画制御部１０ｂ１ａ（図２参照）からステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２参照）に発行されたストライプＳＴＲ３（図５、図８および図９参照）に関する描画移動要求（図２参照）に基づいて、可動ステージ１０ａ２ａ（図１０および図１１参照）がＸ軸のマイナス側（図１０の左側）からプラス側（図１０の右側）に向かってストライプＳＴＲ３（図５、図１０および図１１参照）の長手方向（図１０の左右方向）に移動せしめられる可動ステージ１０ａ２ａの描画移動が開始される。更に、描画制御部１０ｂ１ａ（図２参照）から偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２参照）に送られたショット開始要求（図２参照）に基づいて、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１１（Ａ）参照）をストライプＳＴＲ３内に照射するために偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。詳細には、ストライプＳＴＲ３内に最初に照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１１（Ａ）参照）によって、パターンＰＦ３（図１１（Ａ）参照）が試料Ｍ（図１１（Ａ）参照）上のストライプＳＴＲ３内に描画される。

つまり、図５および図８〜図１１に示す例では、ストライプＳＴＲ３（図５、図１０および図１１参照）の右端の領域のうち、パターンＰＦ３（図１１（Ｂ）参照）よりも右側の部分が、ＮＵＬＬ領域（パターンが描画されない領域）Ｎ３Ｒ（図１１（Ｂ）参照）になる。

次いで、図５および図８〜図１１に示す例では、可動ステージ１０ａ２ａ（図１０および図１１参照）がＸ軸のマイナス側（図１１の左側）からプラス側（図１１の右側）に向かってストライプＳＴＲ３（図５、図１０および図１１参照）の長手方向（図１１の左右方向）に移動せしめられる可動ステージ１０ａ２ａの描画移動中に、荷電粒子銃１０ａ１ａ（図１参照）から照射され偏向器１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆ（図１参照）により偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１および図５参照）によって、試料Ｍ（図５参照）上のストライプＳＴＲ３（図５参照）内にパターンが描画される。

すなわち、図５および図８〜図１１に示す例では、例えば、ストライプＳＴＲ１（図９（Ａ）参照）内に最後に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図９（Ａ）参照）のショットデータがショットデータ生成部１０ｂ１ｃ（図２参照）によって生成される前に、つまり、図９（Ａ）に示すストライプＳＴＲ１に関する可動ステージ１０ａ２ａ（図９（Ａ）参照）の描画移動停止位置が確定する前に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図８（Ｂ）参照）による試料Ｍ（図８（Ｂ）参照）上のストライプＳＴＲ１内のパターンＰＦ１，・・（図８（Ｂ）参照）の描画を開始することができる。

換言すれば、図５および図８〜図１１に示す例では、例えば、ストライプＳＴＲ２（図９（Ｄ）参照）内に最初に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図９（Ｄ）参照）のショットデータがショットデータ生成部１０ｂ１ｃ（図２参照）によって生成される前に、つまり、図９（Ｃ）に示すストライプＳＴＲ２に関する可動ステージ１０ａ２ａ（図９（Ｃ）参照）の描画移動開始位置が確定する前に、ストライプＳＴＲ２に関する可動ステージ１０ａ２ａの仮の描画移動開始位置を設定し、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図８（Ｂ）参照）による試料Ｍ（図８（Ｂ）参照）上のストライプＳＴＲ１内のパターンＰＦ１，・・（図８（Ｂ）参照）の描画を開始することができる。

同様に、図５および図８〜図１１に示す例では、例えば、ストライプＳＴＲ２（図１０（Ｂ）参照）内に最後に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１０（Ｂ）参照）のショットデータがショットデータ生成部１０ｂ１ｃ（図２参照）によって生成される前に、つまり、図１０（Ｂ）に示すストライプＳＴＲ２に関する可動ステージ１０ａ２ａ（図１０（Ｂ）参照）の描画移動停止位置が確定する前に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図９（Ｄ）参照）による試料Ｍ（図９（Ｄ）参照）上のストライプＳＴＲ２内のパターンＰＦ２，・・（図９（Ｄ）参照）の描画を開始することができる。

換言すれば、図５および図８〜図１１に示す例では、例えば、ストライプＳＴＲ３（図１１（Ａ）参照）内に最初に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１１（Ａ）参照）のショットデータがショットデータ生成部１０ｂ１ｃ（図２参照）によって生成される前に、つまり、図１０（Ｄ）に示すストライプＳＴＲ３に関する可動ステージ１０ａ２ａ（図１０（Ｄ）参照）の描画移動開始位置が確定する前に、ストライプＳＴＲ３に関する可動ステージ１０ａ２ａの仮の描画移動開始位置を設定し、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図９（Ｄ）参照）による試料Ｍ（図９（Ｄ）参照）上のストライプＳＴＲ２内のパターンＰＦ２，・・（図９（Ｄ）参照）の描画を開始することができる。

図１２は試料Ｍ上のストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６に対して相対移動する図８〜図１１に示す領域Ａの軌跡を概略的に示した図である。図１２において、矢印Ａ１はストライプＳＴＲ１に関する可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）の描画移動中における領域Ａ（図８（Ａ）〜図９（Ａ）参照）の軌跡を示している。矢印Ａ１２はストライプＳＴＲ１に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動停止位置からストライプＳＴＲ２に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動開始位置まで可動ステージ１０ａ２ａが移動せしめられる可動ステージ１０ａ２ａの折り返し移動中における領域Ａ（図９（Ａ）〜図９（Ｃ）参照）の軌跡を示している。矢印Ａ１’はストライプエンド信号（図２参照）が通知されない従来の荷電粒子ビーム描画装置１０のストライプＳＴＲ１内に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図９（Ａ）参照）が最後に照射された後の無駄な可動ステージ１０ａ２ａの描画移動中における領域Ａの軌跡を示している。

また、図１２において、矢印Ａ２はストライプＳＴＲ２に関する可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）の描画移動中における領域Ａ（図９（Ｃ）〜図１０（Ｂ）参照）の軌跡を示している。矢印Ａ２３はストライプＳＴＲ２に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動停止位置からストライプＳＴＲ３に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動開始位置まで可動ステージ１０ａ２ａが移動せしめられる可動ステージ１０ａ２ａの折り返し移動中における領域Ａ（図１０（Ｂ）〜図１０（Ｄ）参照）の軌跡を示している。矢印Ａ２’はストライプエンド信号（図２参照）が通知されない従来の荷電粒子ビーム描画装置１０のストライプＳＴＲ２内に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１０（Ｂ）参照）が最後に照射された後の無駄な可動ステージ１０ａ２ａの描画移動中における領域Ａの軌跡を示している。

更に、図１２において、矢印Ａ３はストライプＳＴＲ３に関する可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）の描画移動中における領域Ａ（図１０（Ｄ）参照）の軌跡を示している。矢印Ａ３４はストライプＳＴＲ３に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動停止位置からストライプＳＴＲ４に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動開始位置まで可動ステージ１０ａ２ａが移動せしめられる可動ステージ１０ａ２ａの折り返し移動中における領域Ａの軌跡を示している。矢印Ａ３’はストライプエンド信号（図２参照）が通知されない従来の荷電粒子ビーム描画装置１０のストライプＳＴＲ３内に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが最後に照射された後の無駄な可動ステージ１０ａ２ａの描画移動中における領域Ａの軌跡を示している。

また、図１２において、矢印Ａ４はストライプＳＴＲ４に関する可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）の描画移動中における領域Ａの軌跡を示している。矢印Ａ４５はストライプＳＴＲ４に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動停止位置からストライプＳＴＲ５に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動開始位置まで可動ステージ１０ａ２ａが移動せしめられる可動ステージ１０ａ２ａの折り返し移動中における領域Ａの軌跡を示している。矢印Ａ４’はストライプエンド信号（図２参照）が通知されない従来の荷電粒子ビーム描画装置１０のストライプＳＴＲ４内に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが最後に照射された後の無駄な可動ステージ１０ａ２ａの描画移動中における領域Ａの軌跡を示している。

更に、図１２において、矢印Ａ５はストライプＳＴＲ５に関する可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）の描画移動中における領域Ａの軌跡を示している。矢印Ａ５６はストライプＳＴＲ５に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動停止位置からストライプＳＴＲ６に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動開始位置まで可動ステージ１０ａ２ａが移動せしめられる可動ステージ１０ａ２ａの折り返し移動中における領域Ａの軌跡を示している。矢印Ａ５’はストライプエンド信号（図２参照）が通知されない従来の荷電粒子ビーム描画装置１０のストライプＳＴＲ５内に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが最後に照射された後の無駄な可動ステージ１０ａ２ａの描画移動中における領域Ａの軌跡を示している。

また、図１２において、矢印Ａ６はストライプＳＴＲ６に関する可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）の描画移動中における領域Ａの軌跡を示している。矢印Ａ６’はストライプエンド信号（図２参照）が通知されない従来の荷電粒子ビーム描画装置１０のストライプＳＴＲ６内に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが最後に照射された後の無駄な可動ステージ１０ａ２ａの描画移動中における領域Ａの軌跡を示している。

図８〜図１２に示す例では、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）の描画移動要求（図２参照）と可動ステージ１０ａ２ａの折り返し移動要求（図２参照）とが分離されている。更に、ストライプＳＴＲ１に関する可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）の描画移動開始時に、ストライプＳＴＲ２に関する可動ステージ１０ａ２ａの仮の描画移動開始位置を設定することができる。そのため、図８〜図１２に示す例では、ストライプＳＴＲ２内に最初に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図９（Ｄ）参照）のショットデータが生成されておらず、ストライプＳＴＲ２に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動開始位置（図９（Ｃ）参照）が決定していない状態で、ストライプＳＴＲ１に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動を開始することができる。

また、図８〜図１２に示す例では、ストライプＳＴＲ１内に最後に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図９（Ａ）参照）のショットデータにストライプエンドデータが付属されている。更に、そのストライプエンドデータが偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２参照）によって検出された時にステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２参照）に通知されるストライプエンド信号（図２参照）に基づき、図１２中に矢印Ａ１で示すようにストライプＳＴＲ１に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動が停止され、図１２中に矢印Ａ１２で示すように可動ステージ１０ａ２ａの折り返し移動が開始される。そのため、図８〜図１２に示す例では、図１２中に矢印Ａ１’で示すように無駄なストライプＳＴＲ１に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動が継続される場合よりも、可動ステージ１０ａ２ａの折り返し移動を早期に開始することができ、その結果、スループットを向上させることができる。

更に、図１２に示す例では、図１２中に矢印Ａ６で示すストライプＳＴＲ６に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動が停止された時に、折り返し移動要求格納部１０ｂ１ｆ１（図２参照）に折り返し移動要求が格納されていない。そのため、ストライプＳＴＲ６に関する可動ステージ１０ａ２ａの描画移動が停止された後に可動ステージ１０ａ２ａの折り返し移動は実行されない。

図１３は第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の可動ステージ１０ａ２ａに載置された試料Ｍ上のストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６に対して相対移動する領域Ａの軌跡を概略的に示した図である。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１２に示すように、領域ＡがＸ軸のプラス側（図１２の右側）からＸ軸のマイナス側（図１２の左側）に向かってストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ３，ＳＴＲ５に対して相対移動せしめられ、領域ＡがＸ軸のマイナス側（図１２の左側）からＸ軸のプラス側（図１２の右側）に向かってストライプＳＴＲ２，ＳＴＲ４，ＳＴＲ６に対して相対移動せしめられるが、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、図１３に示すように、領域ＡをＸ軸のマイナス側（図１３の左側）からＸ軸のプラス側（図１３の右側）に向かってストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６に対して相対移動させることも可能である。

第４の実施形態では、上述した第１から第３の実施形態を適宜組み合わせることも可能である。

１０ 荷電粒子ビーム描画装置
１０ａ 描画部
１０ａ１ａ 荷電粒子銃
１０ａ１ｂ 荷電粒子ビーム
１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ 偏向器
１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆ 偏向器
１０ａ２ａ 可動ステージ
１０ｂ 制御部
１０ｂ１ 制御計算機
１０ｂ１ａ 描画制御部
１０ｂ１ｂ ＪＯＢ制御部
１０ｂ１ｃ ショットデータ生成部
１０ｂ１ｄ ショットバッファ
１０ｂ１ｅ 偏向制御部
１０ｂ１ｆ ステージ制御部
１０ｂ１ｆ１ 折り返し移動要求格納部
Ｍ 試料
ＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３ ストライプ
ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６ ストライプ

Claims (5)

1. 可動ステージに載置された試料上の描画領域が複数の短冊状のストライプに仮想分割され、可動ステージがストライプの長手方向に移動せしめられる可動ステージの描画移動中に、荷電粒子銃から照射され偏向器により偏向された荷電粒子ビームによって試料上のストライプ内にパターンを描画する描画部と、
   荷電粒子ビーム描画装置による描画動作全体を制御するＪＯＢ制御部と、
   荷電粒子ビームのショットデータを生成するショットデータ生成部と、
   前記ショットデータ生成部によって生成されたショットデータを一時的に格納するショットバッファと、
   前記ショットデータ生成部によって生成されたショットデータに基づくストライプ情報を前記ショットデータ生成部から受け取り、動作要求を繰り返して発行することによって描画を制御する描画制御部と、
   前記描画制御部からの動作要求を受けて、前記ショットバッファに一時的に格納されていたショットデータに基づいて偏向器を制御する偏向制御部と、
   前記描画制御部からの動作要求を受けて、可動ステージの移動を制御するステージ制御部と、
   前記描画制御部から発行された可動ステージの折り返し移動要求を格納する折り返し移動要求格納部と、
   第ｎストライプ内に最後に照射される荷電粒子ビームのショットデータに付属するストライプエンドデータが前記偏向制御部によって検出された時に、前記偏向制御部から前記ステージ制御部に第ｎストライプのストライプエンド信号を通知するストライプエンド信号通知手段と、
   前記偏向制御部から前記ステージ制御部に通知された第ｎストライプのストライプエンド信号に基づいて、可動ステージがストライプの長手方向に移動せしめられる可動ステージの描画移動を停止する描画移動停止手段と、
   可動ステージの描画移動の停止後に前記折り返し移動要求格納部を参照する折り返し移動要求格納部参照手段と、
   前記折り返し移動要求格納部に折り返し移動要求が格納されている場合に、折り返し移動要求に基づいて、可動ステージが少なくともストライプの短手方向に移動せしめられる可動ステージの折り返し移動を実行する折り返し移動実行手段と、
   可動ステージの折り返し移動の終了後に第ｎ＋１ストライプ内にパターンを描画するために可動ステージの描画移動を開始する描画移動開始手段とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
2. 可動ステージに載置された試料上の描画領域が複数の短冊状のストライプに仮想分割され、可動ステージがストライプの長手方向に移動せしめられる可動ステージの描画移動中に、荷電粒子銃から照射され偏向器により偏向された荷電粒子ビームによって、試料上のストライプ内にパターンが描画される荷電粒子ビーム描画方法において、
   可動ステージがストライプの長手方向に移動せしめられる可動ステージの描画移動中に、荷電粒子銃から照射され偏向器により偏向された荷電粒子ビームによって、試料上の第ｎストライプ内にパターンを描画し、
   第ｎストライプ内に最後に照射される荷電粒子ビームのショットデータに付属するストライプエンドデータが偏向制御部によって検出された時に、偏向制御部からステージ制御部に第ｎストライプのストライプエンド信号を通知し、
   偏向制御部からステージ制御部に通知された第ｎストライプのストライプエンド信号に基づいて、可動ステージがストライプの長手方向の移動せしめられる可動ステージの描画移動を停止し、
   可動ステージの描画移動の停止後に折り返し移動要求格納部を参照し、
   折り返し移動要求格納部に折り返し移動要求が格納されている場合に、折り返し移動要求に基づいて、可動ステージが少なくともストライプの短手方向に移動せしめられる可動ステージの折り返し移動を実行し、
   可動ステージの折り返し移動の終了後、可動ステージがストライプの長手方向に移動せしめられる可動ステージの描画移動を開始し、
   可動ステージの描画移動中に、荷電粒子銃から照射され偏向器により偏向された荷電粒子ビームによって、試料上の第ｎ＋１ストライプ内にパターンを描画することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
3. 第ｎストライプ内に最後に照射される荷電粒子ビームのショットデータの生成が終了する前に、試料上の第ｎストライプ内のパターンの描画を開始することを特徴とする請求項２に記載の荷電粒子ビーム描画方法。
4. 第ｎストライプに関する可動ステージの描画移動の実行中に、折り返し移動要求格納部に格納されている折り返し移動要求が変更された場合に、第ｎ＋１ストライプに関する可動ステージの描画移動開始位置を変更することを特徴とする請求項３に記載の荷電粒子ビーム描画方法。
5. 第ｎストライプに関する可動ステージの描画移動停止位置から第ｎ＋１ストライプに関する可動ステージの仮の描画移動開始位置まで可動ステージが移動せしめられる可動ステージの折り返し移動の実行中に、折り返し移動要求格納部に格納されている折り返し移動要求が変更された場合に、第ｎ＋１ストライプに関する可動ステージの描画移動開始位置を変更することを特徴とする請求項４に記載の荷電粒子ビーム描画方法。

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