JPH0822937A - 電子ビーム露光方法 - Google Patents
電子ビーム露光方法Info
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- JPH0822937A JPH0822937A JP15406294A JP15406294A JPH0822937A JP H0822937 A JPH0822937 A JP H0822937A JP 15406294 A JP15406294 A JP 15406294A JP 15406294 A JP15406294 A JP 15406294A JP H0822937 A JPH0822937 A JP H0822937A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は微細パターンの描画に用いる電子ビ
ーム露光方法に関し、小分割領域の切り換えの際の偏向
器の出力の変化を小さくして電子ビームの偏向位置精度
を向上させると共に、前の小分割領域の露光に伴う熱の
影響を無くしてパターン幅精度を向上させることを目的
とする。 【構成】 電子ビームを用いてレジストを塗布した基板
を露光する電子ビーム露光方法において、第１の小分割
領域ＳＡ1 を露光した後、引続き隣接する第２の小分割
領域ＳＡ2 を露光する際に、第１の小分割領域ＳＡ1 の
露光が終了した時点の偏向位置データ近傍から第２の小
分割領域ＳＡ2 の露光を開始し、第１の小分割領域ＳＡ
1 とは逆方向３に走査して露光する。
ーム露光方法に関し、小分割領域の切り換えの際の偏向
器の出力の変化を小さくして電子ビームの偏向位置精度
を向上させると共に、前の小分割領域の露光に伴う熱の
影響を無くしてパターン幅精度を向上させることを目的
とする。 【構成】 電子ビームを用いてレジストを塗布した基板
を露光する電子ビーム露光方法において、第１の小分割
領域ＳＡ1 を露光した後、引続き隣接する第２の小分割
領域ＳＡ2 を露光する際に、第１の小分割領域ＳＡ1 の
露光が終了した時点の偏向位置データ近傍から第２の小
分割領域ＳＡ2 の露光を開始し、第１の小分割領域ＳＡ
1 とは逆方向３に走査して露光する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子ビーム露光方法に関
するものであり、特に、微細パターンを描画する際に好
適な電子ビームの偏向位置安定性とパターン幅の安定性
を向上した電子ビーム露光方法に関するものである。
するものであり、特に、微細パターンを描画する際に好
適な電子ビームの偏向位置安定性とパターン幅の安定性
を向上した電子ビーム露光方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、微細パターンを描画するために電
子ビーム露光を用いており、この場合、主偏向器と副偏
向器とを有する電子ビーム露光装置を用いるのが一般的
であり、応答速度は遅いが高分解能の主偏向器で大領域
を偏向し、応答速度の早い副偏向器で小分割領域を偏向
していた。
子ビーム露光を用いており、この場合、主偏向器と副偏
向器とを有する電子ビーム露光装置を用いるのが一般的
であり、応答速度は遅いが高分解能の主偏向器で大領域
を偏向し、応答速度の早い副偏向器で小分割領域を偏向
していた。
【０００３】図４は従来の電子ビーム露光方法を説明す
る図であり、例えば１０．２４ｍｍ□の大領域を主偏向
器で偏向し、辺の長さの比で１００分の１の１０２．４
μｍ□の小分割領域を副偏向器で偏向するものである。
る図であり、例えば１０．２４ｍｍ□の大領域を主偏向
器で偏向し、辺の長さの比で１００分の１の１０２．４
μｍ□の小分割領域を副偏向器で偏向するものである。
【０００４】この場合、主偏向器用のデジタル・アナロ
グコンバータは１８ビット精度（１０．２４ｍｍ÷２18
≒０．０４μｍで約０．０４μｍ精度）であり、副偏向
器用のデジタル・アナログコンバータは１２乃至１５ビ
ット精度（１０２．４μｍ÷２12≒０．０２５μｍ、１
０２．４μｍ÷２15≒０．００３μｍであるので、約
０．００３〜０．０２５μｍ精度）である。
グコンバータは１８ビット精度（１０．２４ｍｍ÷２18
≒０．０４μｍで約０．０４μｍ精度）であり、副偏向
器用のデジタル・アナログコンバータは１２乃至１５ビ
ット精度（１０２．４μｍ÷２12≒０．０２５μｍ、１
０２．４μｍ÷２15≒０．００３μｍであるので、約
０．００３〜０．０２５μｍ精度）である。
【０００５】図４の点Ａ1 に主偏向器で電子ビームを偏
向し、副偏向器で点（０，０）の近傍から矢印の様に点
（１，１）の近傍まで０．４μｍラインアンドスペース
・パターン（ＬＡＳパターン）を露光する。
向し、副偏向器で点（０，０）の近傍から矢印の様に点
（１，１）の近傍まで０．４μｍラインアンドスペース
・パターン（ＬＡＳパターン）を露光する。
【０００６】これは、０．４×３．２μｍ2 のショット
でライン状に露光するものであり、且つ、露光されたラ
イン間の距離が０．４μｍになる露光方法である。
でライン状に露光するものであり、且つ、露光されたラ
イン間の距離が０．４μｍになる露光方法である。
【０００７】次いで、主偏向器で点Ａ2 に電子ビームを
偏向し、副偏向器で点（０，１）の近傍から矢印２の様
に点（１，２）の近傍まで露光し、以後同様にして破線
の矢印４の方向に順次露光してゆき、Ａn （長さ方向に
１００に分割している場合には、ｎ＝１００）の露光終
了後、Ｂn に電子ビームを偏向しＢ1 方向に向かって順
次露光するものであり、例えば、Ｂn においては点
（１，ｍ）近傍から点（２，ｎ）近傍まで矢印２の様に
露光し、次に、主偏向器で電子ビームを点Ｂm に偏向
し、副偏向器で点（１，ｋ）近傍から点（２，ｍ）近傍
まで矢印２の様に露光していた。
偏向し、副偏向器で点（０，１）の近傍から矢印２の様
に点（１，２）の近傍まで露光し、以後同様にして破線
の矢印４の方向に順次露光してゆき、Ａn （長さ方向に
１００に分割している場合には、ｎ＝１００）の露光終
了後、Ｂn に電子ビームを偏向しＢ1 方向に向かって順
次露光するものであり、例えば、Ｂn においては点
（１，ｍ）近傍から点（２，ｎ）近傍まで矢印２の様に
露光し、次に、主偏向器で電子ビームを点Ｂm に偏向
し、副偏向器で点（１，ｋ）近傍から点（２，ｍ）近傍
まで矢印２の様に露光していた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の露光方
法では、二つの大きな問題点があり、その一つは、小分
割領域（図４のような場合は、サブフィールドと言う）
が切り換わる時に、副偏向器出力の変化が大きくなり、
副偏向器出力の整定に時間がかかり、露光位置精度が悪
くなることである。
法では、二つの大きな問題点があり、その一つは、小分
割領域（図４のような場合は、サブフィールドと言う）
が切り換わる時に、副偏向器出力の変化が大きくなり、
副偏向器出力の整定に時間がかかり、露光位置精度が悪
くなることである。
【０００９】サブフィールドＳＡ1 の露光が終了したと
きには、副偏向器は点（１，１）近傍に偏向（この時の
副偏向器の出力を〔Ｖx ，Ｖy 〕とする）しており、次
にサブフィールドＳＡ2 を露光する時には、副偏向器の
出力をほぼ〔−Ｖx ，−Ｖy〕として点（０，１）近傍
に偏向する。
きには、副偏向器は点（１，１）近傍に偏向（この時の
副偏向器の出力を〔Ｖx ，Ｖy 〕とする）しており、次
にサブフィールドＳＡ2 を露光する時には、副偏向器の
出力をほぼ〔−Ｖx ，−Ｖy〕として点（０，１）近傍
に偏向する。
【００１０】この時、副偏向器は出力〔Ｖx ，Ｖy 〕か
ら出力〔−Ｖx ，−Ｖy 〕へと大きく変化させる必要が
あり、副偏向器の出力の変化が大きいと副偏向器の整定
に時間がかかり、時間が短いと露光位置精度が悪くな
る。
ら出力〔−Ｖx ，−Ｖy 〕へと大きく変化させる必要が
あり、副偏向器の出力の変化が大きいと副偏向器の整定
に時間がかかり、時間が短いと露光位置精度が悪くな
る。
【００１１】もう一つは、サブフィールド境界でＬＡＳ
パターンに疎密を生ずることであり、例えば乾板上にネ
ガレジストを塗布して露光した場合、乾板は熱が逃げに
くく、ネガレジストの感度は熱の影響を受けるという問
題点であり、各ショットの熱の影響は２μｓｅｃ〜５０
μｓｅｃ続くので、１ショットのサイクルタイムを１μ
ｓｅｃとすると２ショット〜５０ショットの間続くこと
になる。
パターンに疎密を生ずることであり、例えば乾板上にネ
ガレジストを塗布して露光した場合、乾板は熱が逃げに
くく、ネガレジストの感度は熱の影響を受けるという問
題点であり、各ショットの熱の影響は２μｓｅｃ〜５０
μｓｅｃ続くので、１ショットのサイクルタイムを１μ
ｓｅｃとすると２ショット〜５０ショットの間続くこと
になる。
【００１２】図４においてサブフィールドＳＡ1 の点
（０，１）近傍から点（１，１）近傍を露光した後サブ
フィールドＳＡ2 を露光すると、点（０，１）近傍から
点（１，１）近傍は前のショットの熱の影響で基板の温
度が高くなっているのでレジストの感度が高く、パター
ン幅が太くなる。
（０，１）近傍から点（１，１）近傍を露光した後サブ
フィールドＳＡ2 を露光すると、点（０，１）近傍から
点（１，１）近傍は前のショットの熱の影響で基板の温
度が高くなっているのでレジストの感度が高く、パター
ン幅が太くなる。
【００１３】さらに、サブフィールド境界部は電子ビー
ムの偏向精度の誤差要因のため露光位置ずれを起こしや
すく、また、０．４μｍＬＡＳパターンの様に通常の
０．８μｍＬＡＳパターンよりパターン間隔の狭いＬＡ
Ｓパターンを用いた場合には、パターン間近接効果によ
りパターン幅が更に太くなるので、サブフィールド境界
での電子ビーム露光位置精度は特に重要であった。
ムの偏向精度の誤差要因のため露光位置ずれを起こしや
すく、また、０．４μｍＬＡＳパターンの様に通常の
０．８μｍＬＡＳパターンよりパターン間隔の狭いＬＡ
Ｓパターンを用いた場合には、パターン間近接効果によ
りパターン幅が更に太くなるので、サブフィールド境界
での電子ビーム露光位置精度は特に重要であった。
【００１４】したがって、本発明は小分割領域（サブフ
ィールド）の切り換えの際の偏向器（副偏向器）の出力
の変化を無くし、且つ、前のショットに起因する熱の影
響を小さくすることにより、電子ビームの偏向位置精度
を向上させると共に、パターン幅精度を向上させること
を目的とする。
ィールド）の切り換えの際の偏向器（副偏向器）の出力
の変化を無くし、且つ、前のショットに起因する熱の影
響を小さくすることにより、電子ビームの偏向位置精度
を向上させると共に、パターン幅精度を向上させること
を目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】電子ビームを用いてレジ
ストを塗布した基板を露光する電子ビーム露光方法にお
いて、第１の小分割領域を露光した後、引続き隣接する
第２の小分割領域を露光する際に、第１の小分割領域の
露光が終了した時点の偏向位置データ近傍から第２の小
分割領域の露光を開始することを特徴とする。
ストを塗布した基板を露光する電子ビーム露光方法にお
いて、第１の小分割領域を露光した後、引続き隣接する
第２の小分割領域を露光する際に、第１の小分割領域の
露光が終了した時点の偏向位置データ近傍から第２の小
分割領域の露光を開始することを特徴とする。
【００１６】
【作用】小分割領域を切り換える時に、偏向器の出力が
出力〔Ｖx ，Ｖy 〕から出力〔−Ｖx ，−Ｖy 〕へと大
きく変化することがないので、電子ビームの位置が早く
整定でき電子ビーム偏向位置精度、即ち、パターン位置
精度が良くなる。
出力〔Ｖx ，Ｖy 〕から出力〔−Ｖx ，−Ｖy 〕へと大
きく変化することがないので、電子ビームの位置が早く
整定でき電子ビーム偏向位置精度、即ち、パターン位置
精度が良くなる。
【００１７】また、小分割領域の境界において前の小分
割領域の露光終了位置と離れた位置から露光を開始する
ので、前の露光に伴う熱の影響を受けることがなく、パ
ターン幅の変化が少なくなる。
割領域の露光終了位置と離れた位置から露光を開始する
ので、前の露光に伴う熱の影響を受けることがなく、パ
ターン幅の変化が少なくなる。
【００１８】
【実施例】図１は本発明の第１実施例を説明するもので
あり、従来と同様にレジストを塗布した乾板或いは半導
体ウェハからなる基板の１つの露光区画１（図の場合
は、１０．２４ｍｍ□）を多数の小分割領域（図の場合
は１０２．４μｍ□）に分割したサブフィールドＳ
Ａ1 ，ＳＡ2 ・・，ＳＢ1 ，ＳＢ2 ・・を順次露光し、
これらのサブフィールドを繋ぎ合わせて全体のパターン
を形成するものである。
あり、従来と同様にレジストを塗布した乾板或いは半導
体ウェハからなる基板の１つの露光区画１（図の場合
は、１０．２４ｍｍ□）を多数の小分割領域（図の場合
は１０２．４μｍ□）に分割したサブフィールドＳ
Ａ1 ，ＳＡ2 ・・，ＳＢ1 ，ＳＢ2 ・・を順次露光し、
これらのサブフィールドを繋ぎ合わせて全体のパターン
を形成するものである。
【００１９】先ず、主偏向器で点Ａ1 に電子ビームを偏
向し、副偏向器で点（０，０）近傍（この場合の副偏向
器の出力を〔−Ｖx ，−Ｖy 〕とする）から矢印２の様
に折り返しパターンで点（１，１）近傍（この場合の副
偏向器の出力を〔Ｖx ，Ｖy〕とする）まで走査して露
光し、次いで、主偏向器で点Ａ2 に電子ビームを偏向す
る。
向し、副偏向器で点（０，０）近傍（この場合の副偏向
器の出力を〔−Ｖx ，−Ｖy 〕とする）から矢印２の様
に折り返しパターンで点（１，１）近傍（この場合の副
偏向器の出力を〔Ｖx ，Ｖy〕とする）まで走査して露
光し、次いで、主偏向器で点Ａ2 に電子ビームを偏向す
る。
【００２０】ここで、副偏向器の出力の変化ができるだ
け小さくなるようにサブフィールドＳＡ2 内の点（１，
２）近傍（この場合の副偏向器の出力は略〔Ｖx ，
Ｖy 〕である）から矢印３の様にサブフィールドＳＡ1
の場合とは逆方向に点（０，１）近傍（この場合の副偏
向器の出力は略〔−Ｖx ，−Ｖy 〕である）まで走査し
露光する。
け小さくなるようにサブフィールドＳＡ2 内の点（１，
２）近傍（この場合の副偏向器の出力は略〔Ｖx ，
Ｖy 〕である）から矢印３の様にサブフィールドＳＡ1
の場合とは逆方向に点（０，１）近傍（この場合の副偏
向器の出力は略〔−Ｖx ，−Ｖy 〕である）まで走査し
露光する。
【００２１】この様にして各サブフィールドを破線の矢
印４の方向に順次露光してゆき、サブフィールドＳＡn
の露光終了後、主偏向器でサブフィールドＳＢn の点Ｂ
n に電子ビームを偏向し、点（１，ｍ）近傍（この場合
の副偏向器の出力は略〔−Ｖ x ，−Ｖy 〕である）から
矢印２の様にサブフィールドＳＡn の場合とは逆方向に
点（２，ｎ）近傍（この場合の副偏向器の出力は略〔Ｖ
x ，Ｖy 〕である）まで走査して露光し、以後同様の工
程を繰り返す。
印４の方向に順次露光してゆき、サブフィールドＳＡn
の露光終了後、主偏向器でサブフィールドＳＢn の点Ｂ
n に電子ビームを偏向し、点（１，ｍ）近傍（この場合
の副偏向器の出力は略〔−Ｖ x ，−Ｖy 〕である）から
矢印２の様にサブフィールドＳＡn の場合とは逆方向に
点（２，ｎ）近傍（この場合の副偏向器の出力は略〔Ｖ
x ，Ｖy 〕である）まで走査して露光し、以後同様の工
程を繰り返す。
【００２２】図２を用いて第１の実施例における走査及
び露光について具体的に説明すると、（ａ）はサブフィ
ールドＳＡ1 内の走査及び露光の様子を示すもので、第
３象限にある点（０，０）近傍から第１象限にある点
（１，１）近傍に向かって折り返しパターンによって矢
印２の方向に走査しながら、所定領域で実線で表す様に
露光をし、露光箇所の集合で所望の露光パターンを得
る。
び露光について具体的に説明すると、（ａ）はサブフィ
ールドＳＡ1 内の走査及び露光の様子を示すもので、第
３象限にある点（０，０）近傍から第１象限にある点
（１，１）近傍に向かって折り返しパターンによって矢
印２の方向に走査しながら、所定領域で実線で表す様に
露光をし、露光箇所の集合で所望の露光パターンを得
る。
【００２３】図２（ｂ）は、サブフィールドＳＡ2 内の
走査及び露光の様子を示すもので、第１象限にある点
（１，２）近傍から第３象限にある点（０，１）近傍に
向かって折り返しパターンによって矢印２とは逆方向の
矢印３の方向に走査しながら、所定領域で実線で表す様
に露光をし、露光箇所の集合で所望の露光パターンを得
る。
走査及び露光の様子を示すもので、第１象限にある点
（１，２）近傍から第３象限にある点（０，１）近傍に
向かって折り返しパターンによって矢印２とは逆方向の
矢印３の方向に走査しながら、所定領域で実線で表す様
に露光をし、露光箇所の集合で所望の露光パターンを得
る。
【００２４】この実施例においてはサブフィールドの切
り換えの際に副偏向器出力の変化がほとんどないので副
偏向器の整定が速く、また、サブフィールドの露光開始
位置が前のサブフィールドの露光終了位置から離れてい
るので前のサブフィールドの露光の際の露光による熱の
影響を受けることがない。また、この露光方法は、パタ
ーン間近接効果がより顕著になる幅が０．４μｍ以下の
矩形に成形された電子ビームを用いた場合に実施効果が
より顕著になる。
り換えの際に副偏向器出力の変化がほとんどないので副
偏向器の整定が速く、また、サブフィールドの露光開始
位置が前のサブフィールドの露光終了位置から離れてい
るので前のサブフィールドの露光の際の露光による熱の
影響を受けることがない。また、この露光方法は、パタ
ーン間近接効果がより顕著になる幅が０．４μｍ以下の
矩形に成形された電子ビームを用いた場合に実施効果が
より顕著になる。
【００２５】図３は本発明の第２の実施例を説明するも
のであり、露光フィールド５（図の場合は、２０４８μ
ｍ□）を４つの小分割領域（１０２４μｍ□）に分割し
たメインフィールドＭ11、Ｍ12、Ｍ21及びＭ22を単一偏
向器を用いて順次走査・露光し、複数のメインフィール
ドを繋ぎ合わせて全体のパターンを形成するものであ
る。
のであり、露光フィールド５（図の場合は、２０４８μ
ｍ□）を４つの小分割領域（１０２４μｍ□）に分割し
たメインフィールドＭ11、Ｍ12、Ｍ21及びＭ22を単一偏
向器を用いて順次走査・露光し、複数のメインフィール
ドを繋ぎ合わせて全体のパターンを形成するものであ
る。
【００２６】先ず、偏向器でメインフィールドＭ11内の
点（０，０）近傍から露光を開始し、第１の実施例と同
様に点（１，１）近傍に向かって折り返しパターンによ
って矢印６の方向に走査しながら所定領域で露光をし、
次いで、ステージを移動することにより乾板を移動さ
せ、メインフィールドＭ12が偏向器の偏向領域にくる様
にし、今度は、点（１，２）近傍から露光を開始し、点
（０，１）近傍に向かって折り返しパターンによって矢
印６とは逆方向の矢印７の方向に走査しながら所定領域
で露光する。
点（０，０）近傍から露光を開始し、第１の実施例と同
様に点（１，１）近傍に向かって折り返しパターンによ
って矢印６の方向に走査しながら所定領域で露光をし、
次いで、ステージを移動することにより乾板を移動さ
せ、メインフィールドＭ12が偏向器の偏向領域にくる様
にし、今度は、点（１，２）近傍から露光を開始し、点
（０，１）近傍に向かって折り返しパターンによって矢
印６とは逆方向の矢印７の方向に走査しながら所定領域
で露光する。
【００２７】その後、同じ様にステージを移動してメイ
ンフィールドＭ22を矢印６の方向に走査・露光し、次
に、ステージを移動してメインフィールドＭ21を矢印７
の方向に走査・露光して全体の露光を終了する。
ンフィールドＭ22を矢印６の方向に走査・露光し、次
に、ステージを移動してメインフィールドＭ21を矢印７
の方向に走査・露光して全体の露光を終了する。
【００２８】この第２の実施例においては、単一偏向器
としては、応答速度の早い静電偏向器が好適であるが、
このような一つの偏向器しか備えていない電子ビーム露
光装置に限られるものではなく、主偏向器及び副偏向器
を備えた電子ビーム露光装置の主偏向器のみを用いて実
施することも可能であり、更に、この様な露光方法は、
露光すべき面積が小さい場合に特に有効である。
としては、応答速度の早い静電偏向器が好適であるが、
このような一つの偏向器しか備えていない電子ビーム露
光装置に限られるものではなく、主偏向器及び副偏向器
を備えた電子ビーム露光装置の主偏向器のみを用いて実
施することも可能であり、更に、この様な露光方法は、
露光すべき面積が小さい場合に特に有効である。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、第１の小分割領域を露
光した後、引続き隣接する第２の小分割領域を露光する
際に、第１の小分割領域の露光が終了した時点の偏向位
置データ近傍から第２の小分割領域の走査・露光を開始
することにより、電子ビームの偏向位置精度が向上し、
且つ、パターン幅精度も向上するので、微細加工精度が
高く、したがって、信頼性の高い半導体集積回路装置を
生産することが可能となる。
光した後、引続き隣接する第２の小分割領域を露光する
際に、第１の小分割領域の露光が終了した時点の偏向位
置データ近傍から第２の小分割領域の走査・露光を開始
することにより、電子ビームの偏向位置精度が向上し、
且つ、パターン幅精度も向上するので、微細加工精度が
高く、したがって、信頼性の高い半導体集積回路装置を
生産することが可能となる。
【図１】本発明の第１の実施例である主偏向器と副偏向
器とを用いた電子ビーム露光における走査方法を説明す
る図である。
器とを用いた電子ビーム露光における走査方法を説明す
る図である。
【図２】本発明の第１の実施例の走査・露光方法を説明
する図である。
する図である。
【図３】本発明の第２の実施例である単一偏向器を用い
た電子ビーム露光における走査方法を説明する図であ
る。
た電子ビーム露光における走査方法を説明する図であ
る。
【図４】従来の主偏向器と副偏向器とを用いた電子ビー
ム露光における走査方法を説明する図である。
ム露光における走査方法を説明する図である。
１ 基板内の１露光区画 ２ 副偏向器による第１の走査方向 ３ 副偏向器による第２の走査方向 ４ 主偏向器の偏向方向 ５ 露光フィールド ６ 単一偏向器による小分割領域内の第１の走査方向 ７ 単一偏向器による小分割領域内の第２の走査方向
Claims (7)
- 【請求項１】 電子ビームを用いてレジストを塗布した
基板を露光する電子ビーム露光方法において、第１の小
分割領域を露光した後、引続き隣接する第２の小分割領
域を露光する際に、第１の小分割領域の露光が終了した
時点の偏向位置データ近傍から第２の小分割領域の露光
を開始することを特徴とする電子ビーム露光方法。 - 【請求項２】 上記第２の小分割領域を露光する際に、
第１の小分割領域の走査方向とは逆方向に走査すること
を特徴とする請求項１記載の電子ビーム露光方法。 - 【請求項３】 上記電子ビームとして幅が０．４μｍ以
下の矩形に成形された電子ビームを用いることを特徴と
する請求項１または２記載の電子ビーム露光方法。 - 【請求項４】 上記小分割領域間の切り換えを主偏向器
を用いた電子ビーム偏向により行うと共に、小分割領域
内の走査を副偏向器で行うことを特徴とする請求項１乃
至３のいずれか１項に記載の電子ビーム露光方法。 - 【請求項５】 上記小分割領域の切り換えをステージの
移動により行うことを特徴とする請求項１乃至３のいず
れか１項に記載の電子ビーム露光方法。 - 【請求項６】 上記小分割領域内の走査を単一偏向器で
行うことを特徴とする請求項５記載の電子ビーム露光方
法。 - 【請求項７】 上記単一偏向器が静電偏向器であること
を特徴とする請求項６記載の電子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15406294A JPH0822937A (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 電子ビーム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15406294A JPH0822937A (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 電子ビーム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0822937A true JPH0822937A (ja) | 1996-01-23 |
Family
ID=15576074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15406294A Withdrawn JPH0822937A (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 電子ビーム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0822937A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001319872A (ja) * | 2000-03-01 | 2001-11-16 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JP2010267844A (ja) * | 2009-05-15 | 2010-11-25 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法および装置 |
-
1994
- 1994-07-06 JP JP15406294A patent/JPH0822937A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001319872A (ja) * | 2000-03-01 | 2001-11-16 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JP2010267844A (ja) * | 2009-05-15 | 2010-11-25 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法および装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011002 |