JP6781615B2 - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Description
試料を載置する、移動可能なステージと、
図形パターンが配置されるチップのチップデータを記憶する記憶装置と、
チップのチップ領域が第1の方向に向かって所定の幅で短冊状に仮想分割された複数のストライプ領域の第1の方向と直交する第2の方向のストライプ領域長さに応じて第2の方向にステージが移動する場合のステージの最大ステージ速度を可変に演算する最大ステージ速度演算部と、
最大ステージ速度を超えないように、第2の方向へのステージの移動を制御するステージ制御部と、
ストライプ領域長さに応じて可変に設定された最大ステージ速度を超えないようにステージが第2の方向に移動している状態で、荷電粒子ビームを用いて、チップデータに定義される図形パターンを試料に描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
複数のチップをマージ処理するマージ処理部をさらに備え、
ストライプ領域長さは、マージ処理されたチップの第2の方向の幅サイズに対応するように構成すると好適である。
ストライプ領域長さに応じて可変に設定された最大ステージ速度を用いて、複数の小領域を描画する場合のステージの速度分布を演算する速度分布演算部をさらに備えると好適である。
図形パターンが配置されるチップのチップ領域が第1の方向に向かって所定の幅で短冊状に仮想分割された複数のストライプ領域の前記第1の方向と直交する第2の方向のストライプ領域長さに応じて第2の方向に試料を載置するステージが移動する場合のステージの最大ステージ速度を可変に演算する工程と、
最大ステージ速度を超えないように、第2の方向へステージを移動させる工程と、
ストライプ領域長さに応じて可変に設定された最大ステージ速度を超えないようにステージが第2の方向に移動している状態で、荷電粒子ビームを用いて、チップデータに定義される図形パターンを試料に描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型(VSB方式)の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、主偏向器208及び副偏向器209が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象となるマスク等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスクが含まれる。また、試料101には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
(1) T=2V/G+L/V
(2) tc=t+tst
(3) tcpm=tc×M
(4) Vcpm=Lcpm/tcpm
実施の形態1では、ストライプ領域長さLをチップ12のステージ移動方向(−x方向)サイズとしたが、これに限るものではない。実施の形態2では、さらに詳細にストライプ領域長さLを設定することで、さらに、最適なステージ速度を可変に求める。描画装置100の構成は図1と同様で構わない。また、以下、特に説明する点以外の内容は、実施の形態1と同様である。
12 チップ
20 ストライプ領域
22 CPM領域
30 SF(サブフィールド)
32 ショット図形
50 取得部
52 長さ演算部
54 可変上限速度演算部
56 選択部
58 チップマージ処理部
59 領域分割部
60 ショット分割部
62 ショット数演算部
64 ショットデータ生成部
66 ステージ速度分布演算部
68 描画制御部
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機
112 メモリ
120 ステージ制御回路
122 ステージ駆動機構
130 制御回路
140,142,144 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
330 電子線
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (5)
- 試料を載置する、移動可能なステージと、
図形パターンが配置されるチップのチップデータを記憶する記憶装置と、
前記チップのチップ領域が第1の方向に向かって所定の幅で短冊状に仮想分割された複数のストライプ領域の前記第1の方向と直交する第2の方向のストライプ領域長さに応じて前記第2の方向に前記ステージが移動する場合の前記ステージの最大ステージ速度を可変に演算する最大ステージ速度演算部と、
前記最大ステージ速度を超えないように、前記第2の方向への前記ステージの移動を制御するステージ制御部と、
前記ストライプ領域長さに応じて可変に設定された前記最大ステージ速度を超えないように前記ステージが前記第2の方向に移動している状態で、荷電粒子ビームを用いて、前記チップデータに定義される前記図形パターンを前記試料に描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記記憶装置は、複数のチップのチップデータが記憶され、
前記複数のチップをマージ処理するマージ処理部をさらに備え、
前記ストライプ領域長さは、マージ処理されたチップの前記第2の方向の幅サイズに対応することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記ストライプ領域長さは、描画する際の前記ステージの移動方向における、前記複数のストライプ領域のうちの当該ストライプ領域内の描き始めのビームのショットと描き終わりのビームのショットとの間の前記第2の方向の距離で定義されることを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記複数のストライプ領域の各ストライプ領域は、前記第2の方向に所定の間隔で複数の小領域に分割され、
前記ストライプ領域長さに応じて可変に設定された前記最大ステージ速度を用いて、前記複数の小領域を描画する場合の前記ステージの速度分布を演算する速度分布演算部をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜3いずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 図形パターンが配置されるチップのチップ領域が第1の方向に向かって所定の幅で短冊状に仮想分割された複数のストライプ領域の前記第1の方向と直交する第2の方向のストライプ領域長さに応じて前記第2の方向に試料を載置するステージが移動する場合の前記ステージの最大ステージ速度を可変に演算する工程と、
前記最大ステージ速度を超えないように、前記第2の方向へ前記ステージを移動させる工程と、
前記ストライプ領域長さに応じて可変に設定された前記最大ステージ速度を超えないように前記ステージが前記第2の方向に移動している状態で、荷電粒子ビームを用いて、前記チップデータに定義される前記図形パターンを前記試料に描画する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
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JP2016236419A JP6781615B2 (ja) | 2016-12-06 | 2016-12-06 | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
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CN112562318B (zh) * | 2020-11-12 | 2022-05-13 | 云南省交通规划设计研究院有限公司 | 一种恶劣天气多发高速公路限速区的速度协同控制方法 |
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