JP5368381B2 - 有機発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
111 基板本体
10、20 薄膜トランジスター
115 バッファー層
121、145 ゲート電極
125、141 半導体層
126 チャンネル領域
127 ドレイン領域
128 ソース領域
130 ゲート絶縁膜
150 層間絶縁膜
153,155 ソース接触孔
154,156 ドレイン接触孔
163,165 ソース電極
164,166 ドレイン電極
221 ゲート電極中間体
225 半導体層中間体
70 有機発光素子
80 蓄電素子
DA 表示領域
NA 非表示領域
Claims (16)
- 基板本体、
第1ゲート電極、酸化物半導体層である第1半導体層、第1ソース電極、及び第1ドレイン電極を有して、前記基板本体上に形成された第1薄膜トランジスター、
第2半導体層、第2ゲート電極、第2ソース電極、及び第2ドレイン電極を有して、前記基板本体上に形成された第2薄膜トランジスター、並びに
前記第1薄膜トランジスターと直接接続された有機発光素子を含み、
前記第1半導体層は、前記第1ゲート電極上に絶縁配置され、
前記第2ゲート電極は、前記第2半導体層上に絶縁配置され、
前記第1ゲート電極及び前記第2半導体層は互いに同一層に形成されて、各々多結晶シリコンを含むことを特徴とする、有機発光表示装置。 - 前記第1ゲート電極及び前記第2半導体層上に形成されたゲート絶縁膜、
前記第1半導体層及び前記第2ゲート電極上に形成された層間絶縁膜を含み、
前記第1半導体層は、前記ゲート絶縁膜を間において前記第1ゲート電極上に形成され、
前記第2ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜を間において前記第2半導体層上に形成され、
第1ソース電極、第1ドレイン電極、第2ソース電極、及び第2ドレイン電極は、前記層間絶縁膜上に形成されたことを特徴とする、請求項1に記載の有機発光表示装置。 - 前記第1ソース電極及び前記第1ドレイン電極は、前記層間絶縁膜を貫通して前記第1半導体層と接触し、
前記第2ソース電極及び前記第2ドレイン電極は、前記層間絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜を共に貫通して前記第2半導体層と接触することを特徴とする、請求項2に記載の有機発光表示装置。 - 前記第1半導体層は、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、亜鉛(Zn)、及び錫(Sn)のうちの一つ以上の元素及び酸素(O)を含むことを特徴とする、請求項1乃至3のうちの何れか一つに記載の有機発光表示装置。
- 前記第2半導体層は、前記第2ゲート電極と重畳したチャンネル領域と、前記チャンネル領域の両側に形成されたソース領域及びドレイン領域とに区分されることを特徴とする、請求項1乃至3のうちの何れか一つに記載の有機発光表示装置。
- 前記第2ゲート電極は金属膜で形成されることを特徴とする、請求項5に記載の有機発光表示装置。
- 前記第2半導体層の前記チャンネル領域は不純物がドーピングされない多結晶シリコン層であり、
前記第2半導体層の前記ソース領域及び前記ドレイン領域は不純物がドーピングされた多結晶シリコン層であることを特徴とする、請求項5に記載の有機発光表示装置。 - 前記不純物はP型不純物であることを特徴とする、請求項7に記載の有機発光表示装置。
- 前記第1ゲート電極は、第2半導体層の前記ソース領域及び前記ドレイン領域と同様に形成されることを特徴とする、請求項7に記載の有機発光表示装置。
- 請求項2に記載の有機発光表示装置の製造方法であって、
基板本体上に多結晶シリコン層を形成する段階、
前記多結晶シリコン層をパターニングして第1ゲート電極中間体及び第2半導体層中間体を形成する段階、
前記第1ゲート電極中間体及び前記第2半導体層中間体上にゲート絶縁膜を形成する段階、
前記ゲート絶縁膜上に前記第2半導体層の一部と重畳するように第2ゲート電極を形成する段階、
前記第1ゲート電極中間体及び前記第2半導体層中間体に不純物をドーピングして第1ゲート電極及び第2半導体層を形成する段階、そして
前記ゲート絶縁膜上に前記第1ゲート電極と重畳するように前記第1半導体層を形成する段階を含むことを特徴とする、有機発光表示装置の製造方法。 - 前記第1半導体層は、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、亜鉛(Zn)、及び錫(Sn)のうちの一つ以上の元素及び酸素(O)を含むことを特徴とする、請求項10に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第2半導体層は、前記第2ゲート電極によって前記不純物のドーピングが遮断されたチャンネル領域と、前記不純物がドーピングされて前記チャンネル領域の両側に形成されたソース領域及びドレイン領域とに区分されることを特徴とする、請求項10に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第1ゲート電極は、前記第2半導体層の前記ソース領域及び前記ドレイン領域と同様に形成されることを特徴とする、請求項12に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第2ゲート電極は金属膜で形成されることを特徴とする、請求項12に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記不純物はP型不純物であることを特徴とする、請求項12に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第1半導体層及び前記第2ゲート電極上に層間絶縁膜を形成する段階、
前記層間絶縁膜をエッチングして前記第1半導体層の一部を露出する第1ソース接触孔及び第1ドレイン接触孔を形成し、前記層間絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜を共にエッチングして前記第2半導体層の一部を露出する第2ソース接触孔及び第2ドレイン接触孔を形成する段階、及び
前記第1ソース接触孔及び前記第1ドレイン接触孔を通して前記第1半導体層と接触して、互いに離隔された第1ソース電極及び第1ドレイン電極を形成し、前記第2ソース接触孔及び前記第2ドレイン接触孔を通して前記第2半導体層と接触して、互いに離隔された第2ソース電極及び第2ドレイン電極を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項10乃至15のうちの何れか一つに記載の有機発光表示装置の製造方法。
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