JP5378584B2 - 有機発光表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
をさらに含むことができる。
111 基板本体、
10、20 薄膜トランジスター、
70 有機発光素子、
80 キャパシター、
120 バッファー層、
135 半導体層、
138 キャパシター電極、
140 ゲート絶縁膜、
151 ゲートライン、
152 キャパシターライン、
155 ゲート電極、
158 キャパシター電極、
160 層間絶縁膜、
171 データライン、
172 共通電源ライン、
190 画素定義膜、
210 封止部材、
710 画素電極、
720 有機発光層、
730 共通電極、
810、820 駆動回路、
1355 チャンネル領域、
1356 ドレイン領域、
1357 ソース領域、
1551、711、1581 透明導電層部、
1552、712、1582 金属層部、
1605 開口部、
1607、1606、1601 接触孔、
1700 データ金属層、
1905 開口部、
7100 画素電極中間体。
Claims (11)
- 基板本体上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上に透明導電層及びゲート金属層を順次に形成する段階と、
前記透明導電層及び前記ゲート金属層を共にパターニングして透明導電層部及びゲート金属層部を含む複層構造を有する画素電極中間体、及び、ゲート電極を形成する段階と、
前記画素電極中間体及び前記ゲート電極上に層間絶縁膜を形成する段階と、
前記層間絶縁膜に前記画素電極中間体の一部を露出する開口部を形成する段階と、
前記層間絶縁膜上にデータ金属層を形成する段階と、
前記データ金属層をパターニングしてソース電極及びドレイン電極を形成し、前記層間絶縁膜の開口部を通して露出された前記画素電極中間体のゲート金属層部を除去して画素電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。 - 前記層間絶縁膜の開口部内に位置する前記データ金属層及び前記ゲート金属層部は、同一のエッチング工程によって連続的にエッチングされて除去されることを特徴とする、請求項1に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記画素電極は、前記透明導電層部で形成された発光領域と、前記透明導電層部及び前記ゲート金属層部で形成された非発光領域と、に区分されることを特徴とする請求項2に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記基板本体及び前記ゲート絶縁膜の間に半導体層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記半導体層は、多結晶シリコンで形成され、前記ゲート電極と重なるチャンネル領域と、前記チャンネル領域の両側に形成されたソース領域及びドレイン領域と、に区分されることを特徴とする請求項4に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記層間絶縁膜に開口部を形成するときに、前記半導体層の前記ソース領域、前記ドレイン領域、及び、前記画素電極中間体の前記非発光領域の一部、をそれぞれ露出する複数の接触孔を形成することを特徴とする請求項5に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記ソース電極は、前記接触孔を通して前記半導体層のソース領域と接続され、前記ドレイン電極は、前記半導体層のドレイン領域及び前記画素電極の前記非発光領域とそれぞれ接続されることを特徴とする請求項6に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記ゲート金属層及び前記データ金属層は、互いに同一の素材で形成されることを特徴とする請求項2〜7のいずれか一つに記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記ゲート電極のゲート金属層部、前記ソース電極、及び、前記ドレイン電極は、銅(Cu)及びアルミニウム(Al)のうちのいずれか一つで形成された金属膜とモリブデン(Mo)で形成された金属膜とを含む多層膜に形成されることを特徴とする請求項2〜8のいずれか一つに記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に前記画素電極の発光領域を露出する開口部を有する画素定義膜を形成する段階と、
前記画素定義膜の開口部を通して露出された前記画素電極の発光領域上に有機発光層を形成する段階と、
前記有機発光層上に共通電極を形成する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項1〜9のいずれか一つに記載の有機発光表示装置の製造方法。 - 前記半導体層と同一の層に多結晶シリコンで形成された第1キャパシター電極を形成する段階と、
前記ゲート電極と同一の層に同一な素材で第2キャパシター電極を形成する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の有機発光表示装置の製造方法。
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