JP5307814B2 - 電源装置 - Google Patents

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Description

この発明は、電気負荷への供給電力能力を高めることができる電源装置に関するものである。
従来の電源装置として、例えば、固定子の電機子鉄心に三相の電機子巻線が設けられ、回転子の磁極鉄心に界磁巻線が設けられ、車両の機関等の回転により駆動されて発電する三相交流発電機と、上記交流発電機により発電された三相交流電圧を整流して直流電圧に変換する整流器と、上記整流器の出力電圧を検出して所定値になるように界磁巻線に流す励磁電流を調整する界磁調整回路とを備えるものがあった(例えば、特許文献1参照)。
特開平5−292676号公報
ところで、例えば車両用の電源装置では、車両に装備される灯火電装品や空調コンプレッサ、ヒータ、バッテリ等の各種の電気負荷(以下、内部負荷という)に対して給電するだけでなく、電源装置のプラグに簡易冷蔵庫、掃除機、外部照明等の外部の電気負荷(以下、外部負荷という)を接続して給電することがある。電源装置に外部負荷を接続して給電する場合には、内部負荷にのみ給電する場合よりもさらに供給電力能力を高める必要がある。
上記特許文献1に示された従来の電源装置では、交流発電機の回転子の回転速度が大きくなると、発電量が増加するようになっている。しかし、交流発電機の発熱量が固定子巻線に流れる電流量に依存しているため、安全性及び信頼性の点から、回転速度が大きくなると電流量を抑えるように動作している。そして、上記電源装置の出力は、充電用として予め設定された電圧(例えば14V)のバッテリに接続されていることから、電源装置の出力電力を増加させることが困難であるといった問題点があった。
この発明は、上記のような課題を解消するためになされたものであり、従来よりも電気負荷への供給電力能力を高めることができる電源装置を提供することを目的とする。
この発明による電源装置は、交流発電部、この交流発電部に発生された交流電圧を直流の出力電圧に整流して出力する整流器を有する交流発電機と、
整流器の出力電圧を電圧値の異なる直流電圧に変換して出力するDC/DCコンバータ、を備えている電源装置であって、
上記DC/DCコンバータは、上記交流発電機の出力電圧を降圧する降圧動作及び上記交流発電機の出力と上記DC/DCコンバータの出力とを短絡状態にする短絡動作を行い、
上記交流発電部の回転速度が予め設定された値以上で、かつ上記DC/DCコンバータに接続される電気負荷への電力供給量が予め設定された値以上の場合には、上記DC/DCコンバータの上記降圧動作を行い、
上記交流発電部の回転速度が予め設定された値未満、または上記電気負荷への電力供給量が予め設定された値未満の場合には、上記DC/DCコンバータの上記短絡動作を行うものである。
この発明の電源装置は、交流発電部に発生された交流電圧を直流の出力電圧に整流して出力する整流器の出力側にDC/DCコンバータを設け、DC/DCコンバータは、交流発電部の回転速度が予め設定された値以下の場合には、整流器からの出力電圧をDC/DCコンバータ内をバイパスしてそのまま出力する。
また、交流発電部の回転速度が予め設定された値以上の場合には、電気負荷が必要とする電力量が大きければ、整流器の出力電圧をDC/DCコンバータの出力電圧よりも大きくするとともに、DC/DCコンバータにより降圧して出力する。一方、必要とする電力量が小さければ、整流器の出力電圧をDC/DCコンバータ内をバイパスしてそのまま出力する。
このように、この発明の電源装置は、電気負荷が必要とする電力量に応じて、整流器からの出力電圧をそのまま出力したり、降圧した電圧に変換して出力したりするので、回転速度がある値以下の領域では従来と同等の出力電力が得られ、また回転速度がある値以上の領域では従来以上の出力電力を得ることができる。
本発明の実施の形態1における電源装置の全体を示す構成図である。 実施の形態1の電源装置が備えるDC/DCコンバータの構成を示す回路図である。 実施の形態1の電源装置の交流発電機の出力電圧に対する交流発電機の回転速度と出力電力の関係を示す特性図である。 本発明の実施の形態2における電源装置の全体を示す構成図である。 実施の形態2の電源装置が備えるDC/DCコンバータの構成を示す回路図である。 実施の形態2の電源装置が備えるDC/DCコンバータを構成するMOSFETに流れる電流波形とゲート駆動信号波形を示すタイミングチャートである。 実施の形態2の電源装置の交流発電機の出力電圧に対する交流発電機の回転速度と出力電力の関係を示す特性図である。 本発明の実施の形態3における電源装置が備えるDC/DCコンバータの構成を示す回路図である。 本発明の実施の形態4における電源装置が備えるDC/DCコンバータの構成を示す回路図である。 本発明の実施の形態5における電源装置が備えるDC/DCコンバータの構成を示す回路図である。 実施の形態5の電源装置の交流発電機の出力電圧に対する交流発電機の回転速度と出力電力の関係を示す図である。 本発明の実施の形態6における電源装置が備えるDC/DCコンバータの構成を示す回路図である。 本発明の実施の形態7における電源装置が備えるDC/DCコンバータの構成を示す回路図である。 本発明の実施の形態8における電源装置が備えるDC/DCコンバータの構成を示す回路図である。 本発明の実施の形態9における電源装置が備える交流発電機の構成を示す回路図である。 本発明の実施の形態10における電源装置が備える交流発電機の構成を示す回路図である。 本発明の実施の形態11における電源装置が備える交流発電機の構成を示す回路図である。
実施の形態1.
図1は本発明の実施の形態1における電源装置の全体を示す構成図、図2は同装置のDC/DCコンバータの構成を示す回路図である。
実施の形態1では、車両用の電源装置を例に挙げて説明する。実施の形態1の電源装置は、例えばオルタネータ等の交流発電機100と、DC/DCコンバータ201と、交流発電機100及びDC/DCコンバータ201を制御する制御回路300を備えている。交流発電機100の回転子は、車両の機関であるエンジン400の回転部にベルトやギア等を介して機械的に接続されている(図示省略)。交流発電機100の出力電圧端子VxH、VxLは、DC/DCコンバータ201の入力電圧端子VaH、VaLに接続されている。DC/DCコンバータ201の出力電圧端子VbH、VbLには、図示しないバッテリや各種の電気負荷が接続されている。
制御回路300には、交流発電機100の出力電圧端子VxHの電圧V1、およびDC/DCコンバータ201の出力電圧端子VbHの電圧V2が入力されている。一方、制御回路300からは、交流発電機100へゲート駆動信号GateKが出力され、DC/DCコンバータ201へゲート駆動信号Gate0が出力されている。
次に、交流発電機100の構成について説明する。
交流発電機100は、三相交流発電部110と、整流器120と、界磁調整回路130を備えている。三相交流発電部110は、界磁巻線KCLを有する回転子と、U相、V相、W相の固定子巻線UCL、VCL、WCLを回転子の外周部に有する固定子を備えている。
整流器120は、ダイオードDUH、DUL、DVH、DVL、DWH、DWLを有して全波整流を行うダイオードブリッジ回路である。この場合、ダイオードDUH、DVH、DWHのカソード端子は、出力電圧端子VxHに接続され、ダイオードDUL、DVL、DWLのアノード端子は、出力電圧端子VxLに接続される。ダイオードDUHのアノードとダイオードDULのカソードは接続され、この接続点は固定子のU相の巻線UCLの一端に接続されている。ダイオードDVHのアノードとダイオードDVLのカソードは接続され、この接続点は固定子のV相の巻線VCLの一端に接続されている。ダイオードDWHのアノードとダイオードDWLのカソードは接続され、この接続点は固定子のW相の巻線WCLの一端に接続されている。
界磁調整回路130は、MOSFET(MOSK)とダイオードDKを備えている。界磁巻線KCLの一端は、ダイオードDKのカソード端子に接続されるとともに出力電圧端子VxHに接続されている。界磁巻線KCLの他端はダイオードDKのアノード端子とMOSFET(MOSK)のドレイン端子との接続点に接続されている。MOSFET(MOSK)のソース端子は接地され、ゲート端子は制御回路300に接続されている。
次に、交流発電機100の動作について説明する。
制御回路300は、検出された電圧V1が電気負荷への電力供給量に対応した目標の電圧値になるように、ゲート駆動信号GateKのデューティ比を調整し、その調整されたゲート駆動信号GateKによりMOSFET(MOSK)を駆動する。すなわち、このゲート駆動信号GateKは、制御回路300により、目標電圧よりも検出された電圧V1が小さい場合は、デューティ比が大きくなるように調整され、目標電圧よりも検出された電圧V1が大きい場合は、ゲート駆動信号GateKのデューティ比が小さくなるように調整される。
上記のようにMOSFET(MOSK)のスイッチング動作が制御されると、界磁巻線KCLに流れる電流の大きさが制御され、界磁巻線KCLを備えた回転子が発生する磁束の量が制御される。回転子が発生する磁束の量に応じて、U相、V相、W相の固定子巻線UCL、VCL、WCLに誘起される交流電圧(交流電力)が変化する。そして、誘起されたU相、V相、W相の交流電圧を整流器120によって直流電圧(直流電力)に変換し、交流発電機100の出力電圧端子VxH−VxL間に電圧V1として出力する。このように、制御回路300は、電圧V1を目標の電圧となるように界磁巻線KCLに流れる界磁電流を制御するので、交流発電機100からは常に発電電力が制御された所定の電圧V1が発生される。
次に、DC/DCコンバータ201の構成について説明する。
このDC/DCコンバータ201は、図2に示すように、一般的な降圧形の非絶縁DC/DC電力変換回路と同じである(例えば、電気学会・半導体電力変換システム調査専門委員会編:“パワーエレクトロニクス回路”,オーム社,pp.245−265,2000参照)。
DC/DCコンバータ201は、スイッチング素子としてのMOSFET(MOS0)と、ダイオードD0と、MOSFET(MOS0)のオン/オフ制御に基づいて磁気エネルギの蓄積量や放出量が上記オン/オフの時間間隔で制御されるインダクタLcと、2つの平滑コンデンサCi、Coを備える。MOSFET(MOS0)のドレイン端子は、入力電圧端子VaHと、平滑コンデンサCiの第1の端子とに接続されている。MOSFET(MOS0)のソース端子は、ダイオードD0のカソード端子と、インダクタLcの第1の端子とに接続されている。ダイオードD0のアノード端子は、入力電圧端子VaLと、出力電圧端子VbLと、平滑コンデンサCiの第2の端子と、平滑コンデンサCoの第2の端子とに接続されている。インダクタLcの第2の端子は、出力電圧端子VbHと、平滑コンデンサCoの第1の端子に接続されている。MOSFET(MOS0)のゲート端子には、制御回路300からゲート駆動信号Gate0が入力される。
次に、DC/DCコンバータ201の動作について説明する。
制御回路300は、出力電圧端子VbHの電圧V2を検出する。そして、制御回路300は、検出された電圧V2と目標電圧(この場合は14V)を比較して、MOSFET(MOS0)のゲート端子に入力するゲート駆動信号Gate0のデューティ比を決める。制御回路300は、目標電圧よりも検出電圧V2が小さい場合は、ゲート駆動信号Gate0のデューティ比が大きくなるように調整し、目標電圧よりも検出電圧V2が大きい場合は、ゲート駆動信号Gate0のデューティ比が小さくなるように調整する。
このように、制御回路300がMOSFET(MOS0)のゲート駆動信号Gate0のデューティ比を上記のように変化させることにより、DC/DCコンバータ201は、その入力電圧端子VaH−VaL間に入力された電圧V1を、その出力電圧端子VbH−VbL間に電圧V2として降圧調整して出力する。このとき、電圧V2は14Vに調整されることになる。このDC/DCコンバータ201の動作原理は、上記の文献に記載されている通りである。
次に、上記交流発電機100、DC/DCコンバータ201、制御回路300を備えた電源装置の全体動作について説明する。
まず、交流発電機100の出力特性について説明する。
交流発電機100は、界磁巻線KCLの電流を一定とすると、三相交流発電部110の回転速度の上昇とともに出力電力が上昇していく。しかし、この出力電力の上昇により、固定子巻線UCL、VCL、WCLの電流は増大して交流発電機100は発熱する。交流発電機の発熱量は、装置の信頼性、安全性の点からある値以下に維持されなければならない。よって、界磁巻線KCLの電流を界磁調整回路130によって調整して、交流発電機100の出力電力(出力電流)を調整する。また、発熱量は電流に依存することから、大きな電力を得るためには、出力電流はそのままで出力電圧を大きくすればよい。
図3は、一例として交流発電機100の出力電圧が14V、21V、28Vの場合の回転速度と出力電力との関係を示す。図3において、14Vの出力特性線(実線)と21Vの出力特性線(一点鎖線)の交点の回転速度をα、21Vの出力特性線(一点鎖線)と28Vの出力特性線(破線)の交点の回転速度をβとしている。図3から分かるように、交流発電機の回転速度がα以下の領域R1では出力電圧14Vの設定で大きな電力を出力することができ、回転速度がαからβの領域R2では出力電圧21Vの設定で大きな電力を出力することができ、回転速度がβ以上の領域R3では出力電圧28Vの設定で大きな電力を出力することができる。
ここで、交流発電機100の回転速度が図3のa(α<a<β)のとき、図示しない上位のコントローラが必要な電力供給量(発電量)を判断して、制御回路300に対して当該電力供給量に対応した電圧設定値の指令を出す。その際の電圧指令が14Vの場合、つまり、発電量の増加が必要でない場合、上述のごとく、制御回路300は、界磁調整回路130により界磁コイルKCLの電流を調整することで交流発電機100の出力電圧を14Vとし、DC/DCコンバータ201内のMOSFET(MOS0)を常時オン状態にし、交流発電機100の出力とDC/DCコンバータ201の出力とを短絡状態にする。この動作状態では、DC/DCコンバータ201のMOSFETがスイッチング動作を行わないため、電力損失の小さなエネルギ移行ができる。
一方、交流発電機100の回転速度が図3のa(α<a<β)であって、図示しない上位のコントローラから与えられる電圧指令が21Vの場合、つまり、発電量の増加が必要な場合、制御回路300は、交流発電機100の出力電圧を21Vとし、DC/DCコンバータ201内のMOSFET(MOS0)を上記説明のようにオンオフ動作を行い、21Vから14Vへの降圧の電力変換を行なう。その際、交流発電機100のみで構成された従来の電源装置と比べて、出力電力を増加することができる。このとき、DC/DCコンバータ201はスイッチング動作を行うため、MOSFET(MOS0)のスイッチング損失やインダクタLcの交流電流に伴う損失が発生し、電力損失は上記電圧指令14Vの動作と比べて幾分増加することになる。
また、交流発電機100の回転速度が図3のb(y<β)のとき、図示しない上位のコントローラが必要な電力供給量を判断して、制御回路300に対して当該電力供給量に対応した電圧設定値の指令を出す。その際の電圧指令が14Vの場合、つまり、発電量の増加が必要でない場合、制御回路300は、交流発電機100の出力電圧を14Vとし、DC/DCコンバータ201内のMOSFET(MOS0)を常時オン状態にし、交流発電機100の出力とDC/DCコンバータ201の出力を短絡状態にする。この動作状態では、DC/DCコンバータのMOSFET(MOS0)がスイッチング動作を行わないため、電力損失の小さなエネルギ移行ができる。
一方、交流発電機100の回転速度が図3のb(y<β)のときであって、図示しない上位のコントローラから与えられる電圧指令が21Vの場合、つまり、発電量の増加が必要な場合、制御回路300は、交流発電機100の出力電圧を21Vとし、DC/DCコンバータ201内のMOSFET(MOS0)のオンオフ動作により、21Vから14Vへの降圧の電力変換を行なう。また、上位のコントローラから与えられる電圧指令が28Vの場合、つまり、発電量の増加がさらに一層必要な場合、制御回路300は、交流発電機100の出力電圧を28Vとし、DC/DCコンバータ201内のMOSFET(MOS0)のオンオフ動作により28Vから14Vへの降圧の電力変換を行なう。なお、28Vから14Vに降圧される場合、21Vから14Vに降圧されるときよりもゲート駆動信号Gete0のデューティ比は小さく設定されることになる。
このように、この実施の形態1の電源装置は、交流発電機100のみで構成された従来の電源装置と比べて、出力電力を増加することができる。なお、DC/DCコンバータ201はスイッチング動作を行うため、MOSFET(MOS0)のスイッチング損失やインダクタLcの交流電流に伴う損失が発生し、電力損失は上記電圧指令14Vの動作と比べて幾分増加することになる。
例えば自動車において、エンジン回転速度1000rpm〜3000rpmの範囲が通常よく使用される範囲である。交流発電機100の回転子とエンジン回転部を接続しているギア比を調整することにより、図3に示したような特性が得られるようにしておけば、所望の出力電力を得ることができる。
実施の形態2.
図4はこの実施の形態2における電源装置の全体を示す構成図、図5は同装置のDC/DCコンバータの構成を示す回路図であり、図1および図2に示した構成と対応もしくは相当する部分には同一の符合を付す。
この実施の形態2において、交流発電機100、DC/DCコンバータ202、エンジン400の接続関係は、上記実施の形態1と同じであるが、DC/DCコンバータ202の回路構成、および制御回路300との接続の仕方が実施の形態1の場合と異なっている。
制御回路300からは、交流発電機100の界磁調整回路130に対してゲート駆動信号GateKが出力され、DC/DCコンバータ202に対して4つのゲート駆動信号Gate1L〜Gate2Hが出力されている。制御回路300には、DC/DCコンバータ202の出力電圧端子VbHの電圧V2が入力されている。ただし、制御回路300には、実施の形態1のような交流発電機100の出力電圧端子VxHの電圧V1は入力されていない。
次に、DC/DCコンバータ202の回路構成について説明する。
図5に示すように、DC/DCコンバータ202は、入力電圧端子VaH、VaLと出力電圧端子VbH、VbLとの間に、低圧側と高圧側のスイッチング素子としての2つのMOSFET(MOS1L、MOS1H)を接続してなる直列体、及びこの直列体に並列に接続された平滑コンデンサCs1からなる回路A1、並びに低圧側と高圧側のスイッチング素子としての2つのMOSFET(MOS2L、MOS2H)を直列接続してなる直列体、及びこの直列体に並列に接続された平滑コンデンサCs2とからなる回路A2を備えている。そして、これら回路A1、A2を2段に直列に接続している。また、後述するように回路A1、A2の内、第1の回路A1を整流回路、第2の回路A2を駆動用インバータ回路として機能させる。
各回路A1、A2の2つのMOSFET(MOS1L、MOS1H)、(MOS2L、MOS2H)のそれぞれの接続点を中間端子とし、第1の回路A1の中間端子と第2の回路A2の中間端子の間に、エネルギ移行用のコンデンサCrおよびインダクタLrの直列体からなるLC直列体LC12が接続されている。なお、各MOSFETは、ソース、ドレイン間に寄生ダイオードが形成されているパワーMOSFETである。なお、MOSFETは、シリコンのみならず、シリコンカーバイト、ガリウムナイトライドなどの他の材料のスイッチで構成してもよい。
具体的な接続状態として、平滑コンデンサCs1の低電圧側端子は、出力電圧端子VbLと、入力電圧端子VaLに接続される。平滑コンデンサCs1の高電圧側端子は、出力電圧端子VbHと、平滑コンデンサCs2の低電圧側端子に接続される。平滑コンデンサCs2の高電圧側端子は、入力電圧端子VaHに接続される。MOS1Lのソース端子は入出力電圧端子VaL及びVbLに、MOS1Hのドレイン端子とMOS2Lのソース端子とは平滑コンデンサCs1の高電圧側端子に接続され、MOS2Hのドレイン端子は平滑コンデンサCs2の高電圧側端子に接続される。LC直列体LC12の一端は、MOS1LとMOS1Hとの接続点に接続され、他端はMOS2LとMOS2Hとの接続点に接続される。
そして、各MOSFET(MOS1L〜MOS2H)のゲート端子には、制御回路300からそれぞれ4つのゲート駆動信号Gate1L〜Gate2Hが供給される。この場合、各ゲート駆動信号Gate1L〜Gate2Hは、対応するMOSFETのソース端子電圧を基準とした電圧信号になっている。また、ゲート駆動のタイミングは、Gate1LとGate2Lとは同じであり、また、Gate1HとGate2Hとは同じである。
次に、DC/DCコンバータ202の動作について説明する。
このDC/DCコンバータ202は、入力電圧端子VaH−VaL間に入力された電圧V1を、約1/2倍に降圧された電圧V2(14V)にして出力電圧端子VbH−VbL間に出力する。
この降圧動作の場合、制御回路300からの各ゲート駆動信号Gate1L〜Gate2Hにより各回路A1、A2が駆動されるが、上記のように第2の回路A2は駆動用インバータ回路として動作し、第1の回路A1は、駆動用インバータ回路で駆動された電流を整流してエネルギを低電圧側へ移行する整流回路として動作する。
図6は、高電圧側および低電圧側のMOSFETのゲート駆動信号と、駆動用インバータ回路A2および整流回路A1内の高圧側MOSFET(MOS2H、MOS1H)および低圧側MOSFET(MOS2L、MOS1L)にそれぞれ流れる電流の関係を示すタイミングチャートである。
駆動用インバータ回路A2内のMOSFET(MOS2H、MOS2L)ではドレインからソースに電流が流れ、整流回路A1内のMOSFET(MOS1H、MOS1L)ではソースからドレインに電流が流れる。各MOSFETはゲート駆動信号がハイ電圧でオンする。この場合、ゲート駆動信号は、インダクタLrとコンデンサCrによるLC直列体LCで定まる共振周期をTとした場合、デューティ比が約50%のオンオフ信号となっている。
ここで、高圧側MOSFETへのゲート駆動信号Gate2H、Gate1Hにより各回路A2、A1の高圧側MOSFETであるMOS2H、MOS1Hが共にオン状態となると、電圧差があるため、平滑コンデンサCs2に蓄えられた一部のエネルギが、以下に示す経路でコンデンサCrに移行する。
Cs2⇒MOS2H⇒Cr⇒Lr⇒MOS1H
次に、低圧側MOSFETへのゲート駆動信号Gate2L、Gate1Lにより各回路A2、A1の低圧側MOSFETであるMOS2L、MOS1Lが共にオン状態となると、電圧差があるため、コンデンサCrに充電されたエネルギが、以下に示す経路で平滑コンデンサCs1に移行する。
Cr⇒MOS2L⇒Cs1⇒MOS1L⇒Lr
このように、コンデンサCrの充放電により、平滑コンデンサCs2から平滑コンデンサCs1にエネルギが移行される。そして、入力電圧端子VaH−VaL間に入力された電圧V1を、約1/2倍に降圧された電圧V2(14V)にして出力電圧端子VbH−VbL間に出力する。なお、入力された電圧V1の電力は、電圧V2に降圧した電力として移行されることから、この電圧V1は、出力電圧V2(14V)の2倍の電圧28Vよりもやや大きな値となっている。
上記動作において、コンデンサCrにはインダクタLrが直列に接続されてLC直列体LCを構成しているため、上記エネルギの移行は共振現象を利用したものとなり、スイッチング素子の状態が変化(オン⇔オフ)するときの過渡的な損失が無いために大きなエネルギ量を効率よく移行することができる。また、この実施の形態2では、整流回路として動作する回路A1のスイッチング素子にMOSFETを用いているため、ダイオードを用いたものに比べて導通損失が低減でき、電力変換の効率が向上できる。
以上のように、この実施の形態2では、DC/DCコンバータの電力損失が実施の形態1と比べて小さく、電力変換の効率の点で優れている。そのため、回路を冷却するための放熱器を小さくすることができる。また、スイッチング素子のスイッチング時の過渡的な損失が無いため、スイッチング周波数を高く設定することができ、その結果、LC直列体の共振周波数を大きくでき、エネルギ移行用のインダクタLrとコンデンサCrのインダクタンス値と容量値を共に小さく設定することができる。このことから、これら回路素子も小形となっている。よって、実施の形態2では、DC/DCコンバータを全体として非常に小型化することができる。
なお、実施の形態2において、DC/DCコンバータは、整流回路として動作する回路A1をMOSFETで構成したが、ダイオードで構成しても同様の動作が実現することができる。ダイオードは導通時の電圧降下が大きいので、電力損失がやや大きくなり、効率もやや悪化するが、MOSFETのゲート端子を駆動するための回路素子が不要になるといったメリットもある。
また、実施の形態2のDC/DCコンバータは、エネルギ移行用の素子としてインダクタLrとコンデンサCrのLC直列体を利用したが、コンデンサCrのみでも同様の動作を実現することができる。ただし、この場合エネルギの移行量が小さくなることと、回路内を流れる電流の実効値が大きくなることから、電力損失は大きくなり電力変換効率は幾分悪化する。
次に、実施の形態2の交流発電機100、DC/DCコンバータ202、制御回路300からなる電源装置の全体動作について説明する。
図7は、一例として交流発電機100の出力電圧が14Vと28Vの場合の回転速度と出力電力の関係を示す。図7において、14Vの出力特性線(実線)と28Vの出力特性線(破線)の交点の回転速度をγとしている。図7から分かるように、交流発電機の回転速度がγ以下の領域R1では出力電圧14Vの設定で大きな電力を出力することができる一方、回転速度がγ以上の領域R2では出力電圧28Vの設定で大きな電力を出力することができる。
ここで、例えば交流発電機100の回転速度が図7のc(γ<c)のとき、図示しない上位のコントローラが必要な電力供給量(発電量)を判断して、制御回路300に当該電力供給量に対応した電圧設定値の指令を出す。その際の電圧指令が14Vの場合、つまり発電量の増加が必要でない場合、制御回路300は、DC/DCコンバータ202内の第2の回路A2のMOSFET(MOS2HおよびMOS2L)を常時オン状態、第1の回路A1のMOSFET(MOS1HとMOS1L、あるいはMOS1H)を常時オフ状態にし、交流発電機100の出力とDC/DCコンバータ202の出力を短絡状態にする。そして、この状態で実施の形態1で説明したように交流発電機100の界磁調整回路130により界磁コイルKCLの電流を調整することで、DC/DCコンバータ202の出力電圧(V2)を14Vに調整する。この動作状態では、DC/DCコンバータ202内に高周波の電流が流れないため、電力損失の小さなエネルギ移行ができる。
一方、図示しない上位のコントローラから制御回路300に与えられる電圧指令が28Vの場合、つまり発電量の増加が必要な場合、制御回路300は、DC/DCコンバータ202内のMOSFETを上述のごとくLC共振周期Tでオンオフ制御して、DC/DCコンバータ202の出力電圧V2と交流発電機100から出力される電圧V1の関係をV1=2×V2になるように維持する。次に、制御回路300は、交流発電機100の界磁調整回路130により界磁コイルKCLの電流を調整することで、DC/DCコンバータ202の出力電圧(V2)を14Vになるように調整する。このとき、交流発電機100の出力電圧は、14Vの2倍の28Vよりもやや大きな値となっている。
なお、交流発電機100の回転速度がγ以下のときにも、DC/DCコンバータ202内の第2の回路A2のMOSFET(MOS2HとMOS2L)を常時オン状態、第1の回路A1のMOSFET(MOS1HとMOS1L、あるいはMOS1H)を常時オフ状態にし、交流発電機100の出力とDC/DCコンバータ202の出力を短絡状態にする。
この実施の形態2においても、交流発電機100のみで構成された従来の電源装置と比べて、出力電力を増加することができる。このとき、DC/DCコンバータ202内には高周波の電流が流れるため、電力損失が上記電圧指令14Vの動作と比べて増加することになるが、DC/DCコンバータ202の電力変換効率が高いため、実施の形態1と比べると電力損失は小さくなる。
また、この実施の形態2では、DC/DCコンバータ202は短絡動作又はオンオフ制御のいずれかの選択のみで、交流発電機100は常にDC/DCコンバータ202出力の電圧V2を所定値の14Vに制御するだけであり、実施の形態1と比べて電源装置の電圧制御が簡素化されている。そして、この制御方法の簡素化により、制御回路300が簡素になり、小型化、低コスト化を図ることができる。
例えば自動車において、エンジン回転速度1000rpm〜3000rpmが通常よく使用される範囲である。この場合も、交流発電機100の回転子とエンジン回転部を接続しているギア比を調整して図7に示したような特性が得られるようにしておけば、所望の出力電力を得ることができる。
実施の形態3.
図8は本発明の実施の形態3における電源装置が備えるDC/DCコンバータの構成を示す回路図であり、図5に示した実施の形態2の構成と対応もしくは相当する部分には同一の符合を付す。
この実施の形態3の電源装置は、DC/DCコンバータ203の構成のみが実施の形態2の場合と異なっている。すなわち、DC/DCコンバータ203を構成するエネルギ移行用のインダクタLrは、両回路A1、A2の接続点間に設けられている。つまり、インダクタLrは、回路A1のMOSFET(MOS1H)のドレイン端子と回路A2のMOS2Lのソース端子の接続点と、平滑コンデンサCs1、Cs2の接続点との間に設けられている。インダクタLrの接続位置以外の構成は、実施の形態2(図5)と同じであるから、ここでは詳しい説明は省略する。
次に、DC/DCコンバータ203の動作について説明する。
回路A1、A2の各MOSFETに与えられる4つのゲート駆動信号Gate1L〜Gate2Hは、上記実施の形態2と同じである。
ここで、高圧側のMOSFETへのゲート駆動信号Gate2H、Gate1Hにより、回路A2、A1の高圧側MOSFETであるMOS2H、MOS1Hがオン状態となると、電圧差があるため、平滑コンデンサCs2に蓄えられた一部のエネルギが、以下に示す経路を経由してコンデンサCrに移行する。
Cs2⇒MOS2H⇒Cr⇒MOS1H⇒Lr
次に、低圧側のMOSFETへのゲート駆動信号Gate2L、Gate1Lにより、回路A2、A1の低圧側MOSFETであるMOS2L、MOS1Lがオン状態となると、電圧差があるため、コンデンサCrに充電されたエネルギが、以下に示す経路を経由して平滑コンデンサCs1に移行する。
Cr⇒MOS2L⇒Lr⇒Cs1⇒MOS1L
このように、コンデンサCrの充放電により、平滑コンデンサCs2から平滑コンデンサCs1にエネルギが移行される。そして、DC/DCコンバータ203は、入力電圧端子VaH−VaL間に入力された電圧V1を、約1/2倍に降圧された電圧V2(14V)にして出力電圧端子VbH−VbL間に出力する。
この実施の形態3の電源装置におけるDC/DCコンバータ203の動作は、基本的には実施の形態2の場合と同様であるので、電力損失が実施の形態1の場合に比べて小さく、また、実施の形態2と同様、制御方法が簡素で制御回路300の小型化、低コスト化するというメリットがある。
なお、このDC/DCコンバータ203を有する電源装置の全体動作、およびその他の作用、効果は、前述の実施の形態2の場合と同様であるから、ここでは詳しい説明は省略する。
実施の形態4.
図9は本発明の実施の形態4における電源装置が備えるDC/DCコンバータの構成を示す回路図であり、図5に示した実施の形態2の構成と対応もしくは相当する部分には同一の符合を付す。
この実施の形態4における電源装置は、DC/DCコンバータ204の構成のみが実施の形態2、3の場合と異なっている。すなわち、この実施の形態4において、DC/DCコンバータ204を構成する回路A2の平滑コンデンサCs2が入出力電圧端子VaH、VaL間に接続されている。この平滑コンデンサCs2の接続位置以外の構成は、実施の形態2(図5)と同じであるから、ここでは詳しい説明は省略する。
次に、DC/DCコンバータ204の動作について説明する。
回路A1、A2の各MOSFETの4つのゲート駆動信号Gate1L〜Gate2Hは、上記実施の形態2の場合と同じである。
ここで、高圧側MOSFETへのゲート駆動信号Gate2H、Gate1Hにより、高圧側MOSFETであるMOS2H、MOS1Hが共にオン状態となると、電圧差があるため、平滑コンデンサCs2に蓄えられた一部のエネルギが、以下に示す経路でコンデンサCrに移行する。
Cs2⇒MOS2H⇒Cr⇒Lr⇒MOS1H⇒Cs1
次に、低圧側MOSFETへのゲート駆動信号Gate2L、Gate1Lにより低圧側MOSFETであるMOS2L、MOS1Lが共にオン状態となると、電圧差があるため、コンデンサCrに充電されたエネルギが、以下に示す経路で平滑コンデンサCs1に移行する。
Cr⇒MOS2L⇒Cs1⇒MOS1L⇒Lr
このように、コンデンサCrの充放電により、平滑コンデンサCs2から平滑コンデンサCs1にエネルギを移行する。そして、DC/DCコンバータ204は、入力電圧端子VaH−VaL間に入力された電圧V1を、約1/2倍に降圧された電圧V2(14V)にして出力電圧端子VbH−VbL間に出力する。
以上のように、この実施の形態4の電源装置におけるDC/DCコンバータ204の動作は、基本的には実施の形態2の場合と同様であるので、電力損失が実施の形態1の場合に比べて小さく、また、実施の形態2、3と同様、制御方法が簡素で制御回路300の小型化、低コスト化するというメリットがある。
なお、このDC/DCコンバータ204を有する電源装置の全体動作、およびその他の作用、効果は、実施の形態2に場合と同様であるから、ここでは詳しい説明は省略する。
実施の形態5.
図10は本発明の実施の形態5における電源装置が備えるDC/DCコンバータの構成を示す回路図であり、図5に示した実施の形態2の構成と対応もしくは相当する部分には同一の符合を付す。
この実施の形態5における電源装置のDC/DCコンバータ205は、実施の形態2の構成に加えて、回路A2に隣接して回路A1とは反対側に回路A3が設けられている。この回路A3は、回路A1、A2と同様、低圧側および高圧側のスイッチング素子としての2つのMOSFET(MOS3L、MOS3H)の直列体と、この直列体に並列に接続された平滑コンデンサCs3を備えている。そして、回路A1、A2、A3を3段に直列に接続して、回路A1、A2、A3の内、第1の回路A1を整流回路、第2の回路A2、第3の回路A3を駆動用インバータ回路として動作させる。
回路A1、A2、A3内のそれぞれ2つのMOSFET(MOS1L、MOS1H)、(MOS2L、MOS2H)、(MOS3L、MOS3H)の各接続点を中間端子とする。そして、第1の回路A1の中間端子と第2の回路A2の中間端子の間に、エネルギ移行用のコンデンサCr12およびインダクタLr12の直列体からなるLC直列体LC12を、第1の回路A1の中間端子と第3の回路A3の中間端子の間に、エネルギ移行用のコンデンサCr13およびインダクタLr13の直列体からなるLC直列体LC13をそれぞれ接続する。この場合の各LC直列体LC12、LC13の共振周期は同じとなるように設定されている。なお、各MOSFETは、ソース、ドレイン間に寄生ダイオードが形成されているパワーMOSFETである。
各MOSFET(MOS1L〜MOS3H)のゲート端子には、制御回路300からそれぞれ6つのゲート駆動信号Gate1L〜Gate3Hが供給される。各ゲート駆動信号Gate1L〜Gate3Hは、対応するMOSFETのソース端子電圧を基準とした電圧信号になっている。ゲート駆動のタイミングは、Gate1L、Gate2L、Gate3Lが同じであり、また、Gate1H、Gate2H、Gate3Hが同じである。
次に、DC/DCコンバータ205の動作について説明する。
DC/DCコンバータ205は、入力電圧端子VaH−VaL間に入力された電圧V1を、約1/3倍に降圧された電圧V2(14V)にして出力電圧端子VbH−VbL間に出力する。
このDC/DCコンバータ205の降圧動作は、制御回路300からの各ゲート駆動信号Gate1L〜Gate3Hにより各回路A1、A2、A3が駆動されることにより行われる。この場合、上記のように回路A2、A3は駆動用インバータ回路として動作し、回路A1は、駆動用インバータ回路で駆動された電流を整流してエネルギを低電圧側へ移行する整流回路として動作する。
まず、高圧側MOSFETへのゲート駆動信号Gate3H、Gate2H、Gate1Hにより高圧側MOSFETであるMOS3H、MOS2H、MOS1Hが共にオン状態となると、電圧差があるため、平滑コンデンサCs2、Cs3に蓄えられた一部のエネルギが、以下に示す経路を経由してコンデンサCr12、Cr13に移行する。
Cs2⇒Cs3⇒MOS3H⇒Cr13⇒Lr13⇒MOS1H
Cs2⇒MOS2H⇒Cr12⇒Lr12⇒MOS1H
次に、低圧側MOSFETへのゲート駆動信号Gate3L、Gate2L、Gate1Lにより低圧側MOSFETであるMOS3L、MOS2L、MOS1Lが共にオン状態となると、電圧差があるため、コンデンサCr12、Cr13に充電されたエネルギが、以下に示す経路を経由して平滑コンデンサCs1、Cs2に移行する。
Cr13⇒MOS3L⇒Cs2⇒Cs1⇒MOS1L⇒Lr13
Cr12⇒MOS2L⇒Cs1⇒MOS1L⇒Lr12
このように、コンデンサCr12、Cr13の充放電により、平滑コンデンサCs2、Cs3から平滑コンデンサCs1、Cs2にエネルギが移行される。そして、DC/DCコンバータ205の入力電圧端子VaH−VaL間に入力された電圧V1は、約1/3倍に降圧された電圧V2(14V)にして出力電圧端子VbH−VbL間に出力される。なお、入力された電圧V1の電力は、電圧V2に降圧した電力として移行されることから、この電圧V1は、出力電圧V2(14V)の3倍の電圧42Vよりもやや大きな値となっている。
この実施の形態5の電源装置のDC/DCコンバータ205についても、実施の形態2〜4と同様に、その電力損失が実施の形態1と比べて小さいというメリットがある。また、実施の形態2〜4と同様、制御方法が簡素になり制御回路300が小型化、低コスト化するというメリットがある。さらに、この実施の形態5は、交流発電機100の出力とDC/DCコンバータ205の出力の電圧比を1:3とすることにより、さらに高出力化を図ることができるメリットがある。
なお、この実施の形態5に適用されるDC/DCコンバータ205のその他の作用、効果は、実施の形態2〜4の場合と同様であるから、ここでは詳しい説明は省略する。
次に、交流発電機100、DC/DCコンバータ205、制御回路300からなる電源装置の全体動作について説明する。
図11は、一例として交流発電機100の出力電圧が14Vと42Vの場合の回転速度と出力電力の関係を示す。図11において、14Vの出力特性線(実線)と42Vの出力特性線(破線)の交点の回転速度をδとしている。交流発電機の回転速度がδ以下の領域R1では、出力電圧14Vの設定のときに大きな電力を出力することができ、回転速度がδ以上の領域R2では出力電圧42Vの設定のときに大きな電力を出力することができる。
次に、交流発電機100の回転速度が図11のd(δ<d)の場合の動作について説明する。
図示しない上位のコントローラが必要な電力供給量(発電量)を判断して、制御回路300に対して当該電力供給量に対応した電圧設定値の指令を出す。その際の電圧指令が14Vの場合、つまり、発電量の増加が必要でない場合、DC/DCコンバータ205内のMOS3H、MOS3L、MOS2H、MOS2Lを常時オン状態、MOS1HとMOS1Lとを常時オフ状態(あるいはMOS1Hのみを常時オフ状態)にし、交流発電機100の出力とDC/DCコンバータ205の出力を短絡状態にする。続いて、上述のごとく交流発電機100の界磁調整回路130により界磁コイルKCLの電流を調整することで、DC/DCコンバータ205の出力電圧(V2)を14Vに調整する。この動作状態では、DC/DCコンバータ205内に高周波の電流が流れないため、電力損失の小さなエネルギ移行ができる。
一方、制御回路300に対して電圧指令が42Vの場合、つまり、発電量の増加が必要な場合、制御回路300は、DC/DCコンバータ205内のMOS1L〜MOS3Hを上述のごとくLC共振周期Tでオンオフ制御して、DC/DCコンバータ205の出力電圧V2と交流発電機100から出力される電圧V1の関係をV1=3×V2になるように維持する。次に、交流発電機100の界磁調整回路130により界磁コイルKCLの電流を調整することで、DC/DCコンバータ205の出力電圧(V2)を14Vに調整する。このとき、交流発電機100の出力電圧は、14Vの3倍の42Vよりもやや大きな値となっている。
なお、この実施の形態5において、実施の形態4のように、回路A3を構成する平滑コンデンサCs3を取り除き、この平滑コンデンサCs3を入力電圧端子VaH−VaL間に接続しても同様に動作する。
また、この実施の形態5の電源装置におけるその他の作用、効果は、実施の形態2〜4の場合と同様であるから、ここでは詳しい説明は省略する。
実施の形態6.
図12は本発明の実施の形態6における電源装置が備えるDC/DCコンバータの構成を示す回路図であり、図10に示した実施の形態5の構成と対応もしくは相当する部分には同一の符合を付す。
この実施の形態6の電源装置は、DC/DCコンバータ206の構成のみが実施の形態5の場合と異なっている。DC/DCコンバータ206に含まれる回路A1、A2、A3内の2つのMOSFET(MOS1L、MOS1H)、(MOS2L、MOS2H)、(MOS3L、MOS3H)の各接続点を中間端子とする。そして、第1の回路A1の中間端子と第2の回路A2の中間端子の間に、エネルギ移行用のコンデンサCr12およびインダクタLr12の直列体からなるLC直列体LC12が、また、第2の回路A2の中間端子と第3の回路A3の中間端子の間に、エネルギ移行用のコンデンサCr23およびインダクタLr23の直列体からなるLC直列体LC23が接続されている。なお、各LC直列体LC12、LC23の共振周期は同じとなっている。
次に、DC/DCコンバータ206の動作について説明する。
実施の形態5と同様、制御回路300から与えられる6つの各ゲート駆動信号Gate1L〜Gate3Hによって回路A1、A2、A3が駆動される。この場合、第2の回路A2及び第3の回路A3は駆動用インバータ回路として動作し、第1の回路A1は、駆動用インバータ回路で駆動された電流を整流してエネルギを低電圧側へ移行する整流回路として動作する点も実施の形態5と同様である。
まず、高圧側MOSFETへのゲート駆動信号Gate3H、Gate2H、Gate1Hにより高圧側MOSFETであるMOS3H、MOS2H、MOS1Hが共にオン状態となると、電圧差があるため、平滑コンデンサCs2Cs3に蓄えられた一部のエネルギが、以下に示す経路を経由してコンデンサCr12、Cr23に移行する。
Cs2⇒Cs3⇒MOS3H⇒Cr23⇒Lr23⇒Cr12⇒Lr12⇒MOS1H Cs2⇒MOS2H⇒Cr12⇒Lr12⇒MOS1H
次に、低圧側MOSFETへのゲート駆動信号Gate3L、Gate2L、Gate1Lにより低圧側MOSFETであるMOS3L、MOS2L、MOS1Lが共にオン状態となると、電圧差があるため、コンデンサCr12、Cr23に充電されたエネルギが、以下に示す経路を経由して平滑コンデンサCs1、Cs2に移行する。
Cr12⇒Lr23⇒Cr23⇒MOS3L⇒Cs2⇒Cs1⇒MOS1L⇒Lr12 Cr12⇒MOS2L⇒Cs1⇒MOS1L⇒Lr12
このように、コンデンサCr12、Cr23の充放電により、平滑コンデンサCs2、Cs3から平滑コンデンサCs1、Cs2にエネルギを移行する。そして、DC/DCコンバータ206は、入力電圧端子VaH−VaL間に入力された電圧V1を、約1/3倍に降圧された電圧V2(14V)にして出力電圧端子VbH−VbL間に出力する。
なお、この実施の形態6において、実施の形態4のように、回路A3を構成する平滑コンデンサCs3を取り除き、入力電圧端子VaH−VaL間にこの平滑コンデンサCs3を接続しても同様に動作する。
また、この実施の形態6において、DC/DCコンバータ206を備えた電源装置の全体動作は、上記実施の形態5と同様であり、また、その他の作用、効果も実施の形態5と同様であるから、ここでは詳しい説明は省略する。
実施の形態7.
図13は本発明の実施の形態7における電源装置が備えるDC/DCコンバータの構成を示す回路図であり、図5に示した実施の形態2の構成と対応もしくは相当する部分には同一の符合を付す。
前述の実施の形態2〜4において、交流発電機100の発電量の増加が必要でなく、交流発電機100の出力電圧を28Vから14Vに変更する場合、回路A2のMOS2H、MOS2Lを常時オン、回路A1のMOS1HとMOS1Lを常時オフ(あるいはMOS1Hを常時オフ)に変更して交流発電機100の出力とDC/DCコンバータ202〜204の出力とを短絡させることになる。その際、MOS2HとMOS2Lをオン動作すると、実施の形態2及び3ではコンデンサCs2の両端間に加わる電圧が14Vから0Vに、実施の形態4では28Vから14Vにそれぞれ変化するので、一瞬大きな電流がDC/DCコンバータの回路を流れる。このパルス状の大きな電流によりDC/DCコンバータの回路素子が過度に発熱して、回路素子が劣化することがある。この対策として、実施の形態7では、2つのMOSFET(MOSx、MOSy)からなるスイッチ回路SWを付加することにより、このパルス状の大きな電流がDC/DCコンバータの回路に流れるのを防止するようにしている。
図13は、一例として、実施の形態2(図5)の構成に対して上記の改善を加えた場合の、実施の形態7のDC/DCコンバータ207の回路構成を示す。
実施の形態7のDC/DCコンバータ207(図13)と、実施の形態2(図5)のDC/DCコンバータと異なる点は、2つのMOSFET(MOSx、MOSy)からなるスイッチ回路SWが付設されると共に、制御回路300から上記2つのMOSFETを駆動するためのゲート駆動信号Gatex、Gateyが出力され、各MOSFET(MOSx、MOSy)のゲート端子に入力されていることである。
図13において、MOSxのソース端子は、低圧側の入出力電圧端子VaL、VbLに接続され、MOSxのドレイン端子はMOSyのソース端子と平滑コンデンサCs2の低圧側の端子に接続されている。MOSyのドレイン端子は高圧側の出力電圧端子VbHに接続されている。平滑コンデンサCs2は、低圧側の端子が両MOSx及びMOSYの接続点に接続され、高圧側の端子が入力電圧端子VaHに接続されている。
上記DC/DCコンバータ207において、入力電圧端子VaH−VaL間の電圧V1(28V)から出力電圧端子VbH−VbL間の電圧V2(14V)に降圧する電力変換動作を行う場合には、MOSyをオンに、MOSxをオフにする。このときの接続形態は実施の形態2と同じになる。よって、DC/DCコンバータ207の動作は、実施の形態2の場合と同じである。
また、交流発電機100の出力とDC/DCコンバータ207の出力を短絡する動作を行う場合には、MOS2HとMOS2Lを常時オンし、MOS1HとMOS1Lを常時オフ(あるいはMOS1Hを常時オフ)するが、その場合、スイッチ回路SWのMOSyをオフ、MOSxをオンする。これにより、平滑コンデンサCs2は、平滑コンデンサCs1と並列に接続されることになる。このため、交流発電機100の出力電圧が28Vから14Vに変化するとき、平滑コンデンサCs1及びCs2にはそれぞれ14Vの電圧が蓄積されているので、この28Vから14Vへの変化時において、平滑コンデンサCs2から平滑コンデンサCs1への大きな電流は発生しない。
この実施の形態7のDC/DCコンバータ207は、スイッチ回路SWが付加されている点を除けば、実施の形態2〜6と同様の降圧動作を行うことができるので、DC/DCコンバータ207の電力損失が実施の形態1と比べて小さく、また、実施の形態2〜6と同様に、制御方法が簡素になり制御回路300が小型化、低コスト化するというメリットがある。
なお、このDC/DCコンバータ207を備えた電源装置の全体動作は、上記の説明以外は実施の形態2と同じである。また、その他の構成、および作用、効果についても、実施の形態2の場合と同様であるから、ここでは詳しい説明については省略する。
実施の形態8.
図14は本発明の実施の形態8における電源装置が備えるDC/DCコンバータの構成を示す回路図であり、図10に示した実施の形態5の構成と対応もしくは相当する部分には同一の符合を付す。
この実施の形態8の電源装置は、DC/DCコンバータ208の構成が実施の形態5と異なっている。前述の実施の形態5、6において、交流発電機100の出力電圧V1は14V、42Vにすることができた。しかし、この実施の形態8においては、交流発電機100の出力電圧V1を14V、28V、42Vにすることができる。よって、交流発電機100の電流をより細かく制御することができ、発熱を抑えることができる。
図14の実施の形態8のDC/DCコンバータ208において、図10の実施の形態5のDC/DCコンバータと異なる点は、2つのMOSFET(MOSx1、MOSy1)からなるスイッチ回路SW1、2つのMOSFET(MOSx2、MOSy2)からなるスイッチ回路SW2が付設されると共に、それらMOSFETを駆動するためのゲート駆動信号Gatex1、Gatey1、Gatex2、Gatey2が制御回路300から出力されて、各MOSFET(MOSx1、MOSy1、MOSx2、MOSy2)のゲート端子に入力されていることである。なお、この実施の形態8では、MOSy1、MOSy2のスイッチング素子にMOSFETを用いているため、ダイオードを用いたものに比べて導通損失が低減でき、電力変換の効率が向上できる。
図14のDC/DCコンバータ208において、MOSx1のソース端子は出力電圧端子VbHに接続され、MOSx1のドレイン端子はMOSy1のソース端子と入力電圧端子VaHに接続されている。MOSy1のドレイン端子はMOSx2のドレイン端子とMOSy2のソース端子に接続されている。MOSx2のソース端子はMOS2Hのドレイン端子とMOS3Lのソース端子と接続されている。MOSy2のドレイン端子は平滑コンデンサCs3の高電圧側端子とMOS3Hのドレイン端子に接続されている。
次に、DC/DCコンバータ208の動作について説明する。
実施の形態5と同様、制御回路300から与えられる6つの各ゲート駆動信号Gate1L〜Gate3Hによって回路A1、A2、A3が駆動される。この場合、第2の回路A2及び第3の回路A3は駆動用インバータ回路として動作し、第1の回路A1は、駆動用インバータ回路で駆動された電流を整流してエネルギを低電圧側へ移行する整流回路として動作する。
入力電圧端子VaH−VaL間の電圧V1(42V)から出力電圧端子VbH−VbL間の電圧V2(14V)に降圧する電力変換動作を行う場合には、MOSx1をオフに、MOSy1をオンに、MOSx2をオフに、MOSy2をオンにする。このときの回路接続形態は実施の形態5と同じになる。よって、DC/DCコンバータ208の動作は、実施の形態5の場合と同じである。
入力電圧端子VaH−VaL間の電圧V1(28V)から出力電圧端子VbH−VbL間の電圧V2(14V)に降圧する電力変換動作を行う場合には、MOSx1をオフに、MOSy1をオンに、MOSx2をオンに、MOSy2をオフにする。このときの接続形態は実施の形態2と同じになる。よって、DC/DCコンバータ208の動作は、実施の形態2の場合と同じである。
入力電圧端子VaH−VaL間の電圧V1(14V)から出力電圧端子VbH−VbL間の電圧V2(14V)を短絡する場合には、MOSx1をオンに、MOSy1をオフに、MOSx2をオフに、MOSy2をオフにする。
以上のように、この実施の形態8によれば、交流発電機100の出力電圧V1を14V、28V、42Vにすることができるので、交流発電機100の電流をより細かく制御することができ、発熱を抑えることができる。また、この実施の形態8のDC/DCコンバータ208は、スイッチ回路SW1、SW2が付加されている点を除けば、実施の形態2及び5と同様の降圧動作を行うことができるので、DC/DCコンバータ208の損失が実施の形態1と比べて小さく、また、実施の形態2及び5と同様に、制御方法が簡素になり制御回路300が小型化、低コスト化するというメリットがある。
なお、このDC/DCコンバータ208を備えた電源装置の全体動作は、上記の説明以外は実施の形態2及び5と同じである。また、その他の構成、および作用、効果についても、実施の形態2及び5の場合と同様であるから、ここでは詳しい説明については省略する。
実施の形態9.
この発明の実施の形態9における電源装置は、実施の形態1と比較して交流発電機の構成が異なる。実施の形態1では、交流発電機100の出力電圧を界磁調整回路130により調節する三相交流発電部110について説明したが、本実施の形態では、交流発電機の出力電圧を調整する機能を有していない例えば永久磁石式の三相交流発電部を有する交流発電機への本発明の適用について説明する。
図15は本発明の実施の形態9における電源装置が備える交流発電機101の構成を示す回路図である。本実施の形態の交流発電機101は、永久磁石式の三相交流発電部111と、実施の形態1と同じ整流器120を備える。三相交流発電部111は、固定子巻線UCL、VCL、WCLと、鉄等の磁性金属の回転子鉄心に磁石が埋め込まれた回転子を備えている。
このような三相交流発電部111を有する電源装置においても、実施の形態1と同様に、交流発電機101の出力電力が小さくてよい場合、DC/DCコンバータ201の入出力電圧端子VaHとVbHをDC/DCコンバータ201内のスイッチを用い短絡して、電気負荷やバッテリにエネルギを供給する。また、交流発電機101の高出力化を図りたい場合は、交流発電機101の出力電圧V1をDC/DCコンバータ201の出力電圧V2よりも大きくなるように、DC/DCコンバータ201をコントロールする。つまり、制御回路300は、出力電圧端子VbHの電圧V2を検出する。そして、制御回路300は、検出された電圧V2と目標電圧(例えば14V)を比較して、MOSFET(MOS0)のゲート端子に入力するゲート駆動信号Gate0のデューティ比を決める。制御回路300は、目標電圧よりも検出電圧V2が小さい場合は、ゲート駆動信号Gate0のデューティ比が大きくなるように調整し、目標電圧よりも検出電圧V2が大きい場合は、ゲート駆動信号Gate0のデューティ比が小さくなるように調整する。
なお、本実施の形態の交流発電機101を有する電源装置の全体動作、およびその他の作用、効果は、実施の形態1の場合と同様であるから、ここでは詳しい説明は省略する。
実施の形態10.
この発明の実施の形態10における電源装置は、実施の形態2〜8と比較して交流発電機の構成が異なる。本実施の形態の交流発電機102は、実施の形態9と同様な永久磁石式の三相交流発電部111と、三相交流発電部111の出力端子間を短絡制御することにより出力電力を調整するための短絡回路140と、実施の形態2と同様な整流器120を備えている。実施の形態2では、交流発電機100の出力電圧を界磁調整回路130により調節していたが、本実施の形態では、交流発電機102の出力電圧を短絡回路140により調節する。
図16は、本発明の実施の形態10における電源装置が備える交流発電機102の構成を示す回路図である。
図16において、短絡回路140は、MOSFET、サイリスタ、IGBT等のスイッチ素子を備える。ここでは、スイッチ素子として、MOSFETを用いた場合の回路接続の詳細について説明する。短絡回路140は、MOSFET(MOSU、MOSV、MOSW)を備える。MOSUのドレインは整流器120を構成するダイオードDULのカソードに接続され、ソースは出力電圧端子VxLに接続される。MOSVのドレインは整流器120を構成するダイオードDVLのカソードに接続され、ソースは出力電圧端子VxLに接続される。MOSWのドレインは整流器120を構成するダイオードDWLのカソードに接続され、ソースは電圧端子VxLに接続される。MOSU、MOSV、MOSWのゲートには、それぞれ制御回路300からゲート駆動信号が入力される。
そして、制御回路300は整流器120又はDC/DCコンバータの出力電圧を検出して、ゲート駆動信号をMOSU、MOSV、MOSWに出力する。このとき、制御回路300は、MOSU、MOSV、MOSWのスイッチング制御によって三相交流発電部111の出力端子を短絡又は開放することにより、三相交流発電部111の出力電圧を所定値に制御して、所望の電力供給量を得る。
実施の形態2〜8のDC/DCコンバータの構成では、入出力電圧比が1/n(nは自然数)に固定されるため出力電力の連続的な調整ができない。なお、実施の形態1では、交流発電機あるいはDC/DCコンバータにより出力電力の調整が可能である。実施の形態2〜8では、交流発電機により出力電力の調整が可能である。実施の形態9では、DC/DCコンバータにより出力電力の調整が可能である。本発明の実施の形態10では、短絡回路140を設け、三相交流発電部111の出力端子間を短絡したり開放したりすることにより、出力電力を調整する。
なお、この交流発電機102を有する電源装置の全体動作、およびその他の作用、効果は、実施の形態2〜8の場合と同様であるから、ここでは詳しい説明は省略する。
実施の形態11.
上記の実施の形態1〜10では、オルタネータ等の交流発電機や、永久磁石式の交流発電機を用いた電源装置について説明した。本実施の形態では、図17に示すように、発電機能だけではなく力行機能もある例えばアイドルストップ用のモータジェネレータ112と、MOSFET(MOSUH〜MOSWL)等の半導体素子からなるインバータ121を備えたシステムについても、上記実施の形態で説明したDC/DCコンバータを組み合わせて上記説明の動作を行い、発電時に出力を増加させてもよい。
また、上記の実施の形態1〜11では、車両用の電源装置を例に挙げて説明したが、発電機を含むシステムであれば車両用以外にも適用することができる。
この発明の電源装置は、車両用の電源装置のみならず発電機を含むシステムに広く適用できるものである。

Claims (17)

  1. 交流発電部、上記交流発電部に発生された交流電圧を直流の出力電圧に整流して出力する整流器を有する交流発電機と、
    上記整流器の出力電圧を電圧値の異なる直流電圧に変換して出力するDC/DCコンバータ、を備えている電源装置であって、
    上記DC/DCコンバータは、上記交流発電機の出力電圧を降圧する降圧動作及び上記交流発電機の出力と上記DC/DCコンバータの出力とを短絡状態にする短絡動作を行い、
    上記交流発電部の回転速度が予め設定された値以上で、かつ上記DC/DCコンバータに接続される電気負荷への電力供給量が予め設定された値以上の場合には、上記DC/DCコンバータの上記降圧動作を行い、
    上記交流発電部の回転速度が予め設定された値未満、または上記電気負荷への電力供給量が予め設定された値未満の場合には、上記DC/DCコンバータの上記短絡動作を行う電源装置。
  2. 上記整流器あるいは上記DC/DCコンバータの出力電圧を検出して、上記交流発電部の界磁巻線の励磁電流を調整し、上記整流器の出力電圧を所定値にして電力供給量を制御する請求項1に記載の電源装置。
  3. 上記交流発電機において、上記交流発電部は力行機能を有するモータジェネレータであり、上記整流器の代わりにインバータを設け、上記インバータによって上記モータジェネレータに発生された交流電圧を直流の出力電圧に整流して出力する請求項2に記載の電源装置。
  4. 上記整流器あるいは上記DC/DCコンバータの出力電圧を検出して、上記交流発電部の出力端子をスイッチング動作で短絡あるいは開放することにより、平均的に出力電圧を所定値にして電力供給量を制御する短絡回路を備えた請求項1に記載の電源装置。
  5. 上記DC/DCコンバータは、上記整流器の出力側に接続される入力電圧端子と上記電気負荷側に接続される出力電圧端子との間の接続をオン/オフ制御するスイッチング素子を備え、上記電力供給量が予め設定された値よりも大きい場合には上記スイッチング素子のオン/オフ制御により降圧動作を行う一方、上記電力供給量が予め設定された値よりも小さい場合には上記スイッチング素子による降圧動作を停止して上記整流器の出力電圧を出力するものである請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の電源装置。
  6. 上記DC/DCコンバータは、上記スイッチング素子のオン/オフ制御に基づいて磁気エネルギの蓄積量又は放出量が時間間隔で制御されるインダクタを備える請求項5に記載の電源装置。
  7. 上記DC/DCコンバータは、上記スイッチング素子のオン/オフ制御に基づく充放電によりエネルギを移行するエネルギ移行用のコンデンサを備える請求項5に記載の電源装置。
  8. 上記DC/DCコンバータは、上記入力電圧端子と上記出力電圧端子との間に、上記スイッチング素子として高圧側と低圧側のスイッチング素子の直列体とその直列体と並列に接続された平滑コンデンサとから構成される複数の回路を設け、各回路の内の少なくとも一つを整流回路として、他の回路を駆動用インバータ回路として上記各回路を互いに直列に接続するとともに、上記各回路内の上記高圧側と低圧側の各スイッチング素子の接続点を中間端子として、上記各回路の中間端子間に上記エネルギ移行用のコンデンサを配設している請求項7に記載の電源装置。
  9. 上記DC/DCコンバータは、上記入力電圧端子の高電圧側に接続された駆動用インバータ回路を構成する上記平滑コンデンサを省略し、その代わりに上記入力電圧端子間に平滑コンデンサを接続している請求項8に記載の電源装置。
  10. 上記エネルギ移行用のコンデンサは、上記整流回路と上記駆動用インバータ回路の一つとの間の上記各中間端子間にそれぞれ接続されている請求項8または請求項9に記載の電源装置。
  11. 上記エネルギ移行用のコンデンサは、互いに隣接する上記各回路の上記中間端子間にそれぞれ接続されている請求項8または請求項9に記載の電源装置。
  12. 上記DC/DCコンバータは、上記整流回路と上記駆動用インバータ回路とがそれぞれ単一であるとともに、高圧側スイッチング素子と低圧側スイッチング素子の直列体からなるスイッチ回路を備え、かつ、上記駆動用インバータ回路を構成する平滑コンデンサの低圧側の端子を、上記スイッチ回路内の高圧側スイッチング素子と低圧側スイッチング素子の接続点に接続した請求項8に記載の電源装置。
  13. 上記DC/DCコンバータは、上記整流器の出力電圧を降圧して出力する場合には、上記スイッチ回路の高圧側スイッチング素子をオン、低圧側スイッチング素子をオフし、上記整流器の出力電圧を降圧せずに直接出力する場合には、上記スイッチ回路の低圧側スイッチング素子をオン、高圧側スイッチング素子をオフする請求項12に記載の電源装置。
  14. 上記DC/DCコンバータは、上記エネルギ移行用のコンデンサが充放電する経路内にインダクタが配設されている請求項8から請求項13のいずれか1項に記載の電源装置。
  15. 上記各エネルギ移行用のコンデンサのコンデンサ容量と上記各インダクタのインダクタンスとで決まる共振周期は、それぞれ等しくなるように設定されている請求項14に記載の電源装置。
  16. 上記DC/DCコンバータは、上記DC/DCコンバータを構成する上記各回路の高圧側の端子と、上記DC/DCコンバータの高圧側の入力電圧端子との間を接続あるいは非接続に制御するスイッチ回路を備えた請求項8または請求項9に記載の電源装置。
  17. 上記各スイッチング素子は、ソース・ドレイン間に寄生ダイオードを有するパワーMOSFET、またはダイオードを逆並列に接続したものである請求項5から請求項16のいずれか1項に記載の電源装置。
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