JP5306436B2 - Cmosイメージセンサの製造方法 - Google Patents
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Description
基板上に形成されたエピタキシャル層の一定領域に活性領域とフィールド領域とを画定するフィールド絶縁膜を形成するフィールド絶縁膜形成ステップと、
前記フィールド絶縁膜により画定された前記活性領域の前記エピタキシャル層上に前記トランスファートランジスタのゲート電極を形成するゲート電極形成ステップと、
前記エピタキシャル層上に形成された前記ゲート電極の片側の前記活性領域における前記エピタキシャル層表層部に前記フォトダイオード領域を形成するフォトダイオード領域形成ステップと、
前記エピタキシャル層、前記フィールド絶縁膜、及び前記ゲート電極を形成した後の全体構造の露出した表面に、酸化膜と窒化膜とを積層したスペーサ形成用絶縁膜を形成するスペーサ形成用絶縁膜形成ステップと、
前記スペーサ形成用絶縁膜を形成した後、前記フォトダイオード領域における前記エピタキシャル層上面、及び前記フォトダイオード領域側の前記ゲート電極の端部上面を覆い、前記ゲート電極の反対側の端部上面を露出させるスペーサマスクを形成するスペーサマスク形成ステップと、
前記スペーサマスクを利用して、前記スペーサマスク下に前記スペーサ形成用絶縁膜を残しつつ、前記スペーサ形成用絶縁膜をドライエッチングして、前記フォトダイオード領域と反対側の前記ゲート電極側壁にスペーサを形成するスペーサ形成ステップと、
前記スペーサマスクを除去するスペーサマスク除去ステップと、
前記スペーサを利用して、前記フォトダイオード領域と反対側の前記ゲート電極片側の前記エピタキシャル層表層部にフローティング拡散領域を形成するフローティング拡散領域形成ステップとを含むことを特徴としている(発明1)。
基板上に形成されたエピタキシャル層の一定領域に活性領域とフィールド領域とを画定するフィールド絶縁膜を形成するフィールド絶縁膜形成ステップと、
前記フィールド絶縁膜により画定された前記活性領域の前記エピタキシャル層上に前記トランスファートランジスタのゲート電極を形成するゲート電極形成ステップと、
前記エピタキシャル層上に形成された前記ゲート電極の片側の前記活性領域における前記エピタキシャル層上面にイオン注入用酸化膜を形成し、該イオン注入用酸化膜下方の前記エピタキシャル層表層部に、前記フォトダイオード領域を形成するフォトダイオード領域形成ステップと、
前記エピタキシャル層、前記フィールド絶縁膜、前記ゲート電極、及び前記イオン注入用酸化膜を形成した後の全体構造の露出した表面に、窒化膜を形成し、該窒化膜上に酸化膜を形成して、前記窒化膜、前記酸化膜の順で積層したスペーサ形成用絶縁膜を形成するスペーサ形成用絶縁膜形成ステップと、
前記窒化膜及び前記酸化膜を積層して形成した前記スペーサ形成用絶縁膜の前記酸化膜をドライエッチングして、前記ゲート電極の両側壁の前記窒化膜上に酸化膜スペーサを形成する酸化膜スペーサ形成ステップと、
前記ドライエッチングによって露出された前記スペーサ形成用絶縁膜の前記窒化膜を、ウェットエッチングにより除去する窒化膜除去ステップと、
前記ウェットエッチング後に残留する前記窒化膜及び前記酸化膜スペーサを利用して、前記フォトダイオード領域と反対側の前記ゲート電極片側の前記エピタキシャル層表層部にフローティング拡散領域を形成するフローティング拡散領域形成ステップとを含むことを特徴としている(発明5)。
基板上に形成されたエピタキシャル層の一定領域に活性領域とフィールド領域とを画定するフィールド絶縁膜を形成するフィールド絶縁膜形成ステップと、
前記フィールド絶縁膜により画定された前記活性領域の前記エピタキシャル層上に前記トランスファートランジスタのゲート電極を形成するゲート電極形成ステップと、
前記エピタキシャル層上に形成された前記ゲート電極の片側の前記活性領域における前記エピタキシャル層上面にイオン注入用酸化膜を形成し、該イオン注入用酸化膜下方の前記エピタキシャル層表層部に、前記フォトダイオード領域を形成するフォトダイオード領域形成ステップと、
前記エピタキシャル層、前記フィールド絶縁膜、前記ゲート電極、及び前記イオン注入用酸化膜を形成した後の全体構造の露出した表面に、窒化膜を形成し、該窒化膜上に酸化膜を形成して、前記窒化膜、前記酸化膜の順で積層したスペーサ形成用絶縁膜を形成するスペーサ形成用絶縁膜形成ステップと、
前記窒化膜及び前記酸化膜を積層して形成した前記スペーサ形成用絶縁膜の前記酸化膜をドライエッチングして、前記ゲート電極の両側壁の前記窒化膜上に酸化膜スペーサを形成する酸化膜スペーサ形成ステップと、
前記酸化膜スペーサを利用して、前記フォトダイオード領域と反対側の前記ゲート電極片側の前記エピタキシャル層表層部にフローティング拡散領域を形成するフローティング拡散領域形成ステップとを含むことを特徴としている(発明8)。
31、51 エピタキシャル層
32、52 フィールド絶縁膜
33a、33b、53a、53b ゲート電極
35 イオン注入用酸化膜
36、55 フォトダイオード領域形成マスク
37、56 第1のフォトダイオード領域
38、57 第2のフォトダイオード領域
39 窒化膜
40 酸化膜
41 酸化膜スペーサ
42、61 フローティング拡散領域形成マスク
58 スペーサ形成用絶縁膜
59 スペーサマスク
60 スペーサ
Claims (4)
- フォトダイオード領域とトランスファートランジスタとを含んで構成されたCMOSイメージセンサの製造方法において、
基板上に形成されたエピタキシャル層の一定領域に活性領域とフィールド領域とを画定するフィールド絶縁膜を形成するフィールド絶縁膜形成ステップと、
前記フィールド絶縁膜により画定された前記活性領域の前記エピタキシャル層上に前記トランスファートランジスタのゲート電極を形成するゲート電極形成ステップと、
前記エピタキシャル層上に形成された前記ゲート電極の片側の前記活性領域における前記エピタキシャル層上面にイオン注入用酸化膜を形成し、該イオン注入用酸化膜下方の前記エピタキシャル層表層部に、前記フォトダイオード領域を形成するフォトダイオード領域形成ステップと、
前記エピタキシャル層、前記フィールド絶縁膜、前記ゲート電極、及び前記イオン注入用酸化膜を形成した後の全体構造の露出した表面に、窒化膜を形成し、該窒化膜上に酸化膜を形成して、前記窒化膜、前記酸化膜の順で積層したスペーサ形成用絶縁膜を形成するスペーサ形成用絶縁膜形成ステップと、
前記窒化膜及び前記酸化膜を積層して形成した前記スペーサ形成用絶縁膜の前記酸化膜をドライエッチングして、前記ゲート電極の両側壁の前記窒化膜上に酸化膜スペーサを形成する酸化膜スペーサ形成ステップと、
前記ドライエッチングによって露出された前記スペーサ形成用絶縁膜の前記窒化膜を、ウェットエッチングにより除去する窒化膜除去ステップと、
前記ウェットエッチング後に残留する前記窒化膜及び前記酸化膜スペーサを利用して、前記フォトダイオード領域と反対側の前記ゲート電極片側の前記エピタキシャル層表層部にフローティング拡散領域を形成するフローティング拡散領域形成ステップとを含むことを特徴とするCMOSイメージセンサの製造方法。 - 前記イオン注入酸化膜を約100〜約500Åの厚さに形成し、前記スペーサ形成用絶縁膜の前記窒化膜を100〜500Åの厚さに形成することを特徴とする請求項1に記載のCMOSイメージセンサの製造方法。
- 前記フォトダイオード領域形成ステップが、
前記ゲート電極の片側の前記活性領域における前記エピタキシャル層上の領域に開口を有するフォトダイオード領域形成マスクを形成するステップと、
該フォトダイオード領域形成マスクを用いて高エネルギーイオン注入を行い、n型イオン注入領域となる第1のフォトダイオード領域を、前記ゲート電極の片側と前記フィールド絶縁膜との間の前記エピタキシャル層表層部に形成するステップと、
連続的に前記フォトダイオード領域形成マスクを用いて低エネルギーイオン注入を行い、p型イオン注入領域となる第2のフォトダイオード領域を、前記第1のフォトダイオード領域と前記エピタキシャル層上面と間に形成するステップとを含むことを特徴とする請求項1に記載のCMOSイメージセンサの製造方法。 - フォトダイオード領域とトランスファートランジスタとを含んで構成されたCMOSイメージセンサの製造方法において、
基板上に形成されたエピタキシャル層の一定領域に活性領域とフィールド領域とを画定するフィールド絶縁膜を形成するフィールド絶縁膜形成ステップと、
前記フィールド絶縁膜により画定された前記活性領域の前記エピタキシャル層上に前記トランスファートランジスタのゲート電極を形成するゲート電極形成ステップと、
前記エピタキシャル層上に形成された前記ゲート電極の片側の前記活性領域における前記エピタキシャル層上面にイオン注入用酸化膜を形成し、該イオン注入用酸化膜下方の前記エピタキシャル層表層部に、前記フォトダイオード領域を形成するフォトダイオード領域形成ステップと、
前記エピタキシャル層、前記フィールド絶縁膜、前記ゲート電極、及び前記イオン注入用酸化膜を形成した後の全体構造の露出した表面に、窒化膜を形成し、該窒化膜上に酸化膜を形成して、前記窒化膜、前記酸化膜の順で積層したスペーサ形成用絶縁膜を形成するスペーサ形成用絶縁膜形成ステップと、
前記窒化膜及び前記酸化膜を積層して形成した前記スペーサ形成用絶縁膜の前記酸化膜をドライエッチングして、前記ゲート電極の両側壁の前記窒化膜上に酸化膜スペーサを形成する酸化膜スペーサ形成ステップと、
前記酸化膜スペーサを利用して、前記フォトダイオード領域と反対側の前記ゲート電極片側の前記エピタキシャル層表層部にフローティング拡散領域を形成するフローティング拡散領域形成ステップとを含むことを特徴とするCMOSイメージセンサの製造方法。
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