JP5110820B2 - 光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び撮像システム - Google Patents
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Description
図4は本実施例の光電変換装置の模式的断面図である。本実施例においては、光電変換領域に配されるMOSトランジスタとしてリセットMOSトランジスタを例に説明する。
本実施例においては、光電変換装置の製造方法に関して説明する。図5(a)〜(e)に製造方法のフローを示す。
本実施例においては、光電変換領域に配されるMOSトランジスタとして、増幅MOSトランジスタの構造を説明する。これは第1、2の実施例で説明したリセットMOSトランジスタの構成と組み合わせることも可能である。
図7は本実施例の光電変換装置の断面構造である。第1〜第3の実施例と同様の機能を有するものには同様の番号を付し詳細な説明は省略する。
本実施例においては、ドレインの、導電体と直接接触する領域に関して説明する。一般的にMOSトランジスタを形成するソース・ドレインと配線を電気的に接続するコンタクトプラグ等の導電体は、低抵抗かつオーミック特性を示すことが求められる。金属不純物に起因する点キズに敏感な光電変換装置においては、シリサイド・サリサイドを形成するプロセスをあえて適用しない場合が考えられる。したがって特に光電変換装置において、ドレインと導電体とのオーミックコンタクトの取り方は重要となる。
図8は、本発明による光電変換装置をカメラに応用する場合の回路ブロックの例を示したものである。撮影レンズ1002の手前にはシャッター1001があり、露出を制御する。絞り1003により必要に応じ光量を制御し、光電変換装置1004に結像させる。光電変換装置1004から出力された信号は信号処理回路1005で処理され、A/D変換器1006によりアナログ信号からディジタル信号に変換される。出力されるディジタル信号はさらに信号処理部1007で演算処理される。処理されたディジタル信号はメモリ1010に蓄えられたり、外部I/F1013を通して外部の機器に送られる。光電変換装置1004、撮像信号処理回路1005、A/D変換器1006、信号処理部1007はタイミング発生部1008により制御される他、システム全体は全体制御部・演算部1009で制御される。記録媒体1012に画像を記録するために、出力ディジタル信号は全体制御部・演算部で制御される記録媒体制御I/F部1011を通して、記録される。
101、1001 光電変換領域
102、1002 周辺回路領域
3 浮遊拡散領域
2,4,5 MOSトランジスタ
Claims (17)
- 光電変換素子と該光電変換素子で生じた電荷に基づく信号を読み出す複数の第1のMOSトランジスタとを含む画素が複数配された光電変換領域と、
前記複数の第1のMOSトランジスタのうちのいずれかのMOSトランジスタの駆動もしくは前記光電変換領域から読み出される信号の処理の少なくとも一方を行なう複数の第2のMOSトランジスタが配された周辺回路領域とが、同一の半導体基板に配された光電変換装置であって、
前記第1、第2のMOSトランジスタのドレインは、導電体と直接接触している第1の領域と、該第1の領域と前記第1、第2のMOSトランジスタのそれぞれのチャネルとの間に配された第2の領域とを有し、前記第2のMOSトランジスタの第2の領域は、更に、チャネルに近接した第3の領域と、該第3の領域と第1の領域の間に配された第4の領域を有しており、
前記第1のMOSトランジスタの第2の領域の不純物濃度は、前記第2のMOSトランジスタの第4の領域の不純物濃度よりも低く、
前記第1のMOSトランジスタはシングルドレイン構造であり、前記第2のMOSトランジスタはLDD構造であることを特徴とする光電変換装置。 - 前記第2のMOSトランジスタのゲート電極の側壁にサイドスペーサが配されており、前記第1のMOSトランジスタのゲート電極の側壁にはサイドスペーサが配されていないことを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記光電変換領域の全体を覆ってシリコン酸化膜及びシリコン窒化膜を含む積層膜が配されており、前記第2のMOSトランジスタのサイドスペーサは、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項2に記載の光電変換装置。
- 前記積層膜は前記光電変換素子表面での入射光の反射を低減する反射防止膜であることを特徴とする請求項3に記載の光電変換装置。
- 前記反射防止膜は水素分子を含むシリコン窒化膜である請求項4記載の光電変換装置。
- 前記画素に含まれる複数の第1のMOSトランジスタは、
前記光電変換素子で生じた電荷に基づく信号を増幅する増幅MOSトランジスタと、
前記光電変換素子で生じた電荷を前記増幅MOSトランジスタの入力部に転送する転送MOSトランジスタと、
前記増幅MOSトランジスタのゲートに電気的に接続されたリセットMOSトランジスタと、を含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 複数の光電変換素子で、前記増幅MOSトランジスタ及び前記リセットMOSトランジスタを共有することを特徴とする請求項6に記載の光電変換装置。
- 光電変換素子と、該光電変換素子で生じた電荷に基づく信号を読み出すための複数の第1のMOSトランジスタとが配された光電変換領域と、
前記画素に含まれる複数の第1のMOSトランジスタのうちのいずれかのMOSトランジスタの駆動もしくは前記光電変換領域から読み出される信号の処理の少なくとも一方を行なう複数の第2のMOSトランジスタが配された周辺回路領域とが、同一の半導体基板に配された光電変換装置の製造方法であって、
前記第1、第2のMOSトランジスタのゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極をマスクに第1導電型の不純物を導入する工程と、
前記光電変換領域及び周辺回路領域を覆って、絶縁膜を形成する工程と、
前記光電変換領域に形成された前記絶縁膜をマスクにより保護し、前記周辺回路領域の前記絶縁膜をエッチバックにより除去して、前記第2のMOSトランジスタのゲート電極側壁にサイドスペーサを形成する工程と、
前記光電変換領域に配された前記絶縁膜及び前記サイドスペーサをマスクに第1導電型の不純物を導入する工程と、
前記光電変換領域及び周辺回路領域全体を覆うように第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜の前記ドレイン領域に対応した領域に、コンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホールにセルフアラインで第1導電型の不純物を導入する工程と、を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 前記絶縁膜はシリコン酸化膜、シリコン窒化膜の積層膜であることを特徴とする請求項8に記載の光電変換装置の製造方法。
- 光電変換素子と、該光電変換素子で生じた電荷を浮遊拡散領域に転送する転送MOSトランジスタと、前記浮遊拡散領域とゲートが接続された増幅MOSトランジスタとを含む画素が複数配された光電変換領域と、
前記転送MOSトランジスタの駆動もしくは前記光電変換領域から読み出される信号の処理の少なくとも一方を行なう複数の周辺MOSトランジスタが配された周辺回路領域とが、同一の半導体基板に配された光電変換装置の製造方法であって、
前記転送MOSトランジスタ、前記増幅MOSトランジスタ及び前記周辺MOSトランジスタのゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極をマスクに第1導電型の不純物を導入する工程と、
前記光電変換領域及び周辺回路領域を覆って、絶縁膜を形成する工程と、
前記光電変換領域に形成された前記絶縁膜をマスクにより保護し、前記周辺回路領域に形成された前記絶縁膜をエッチバックして、前記第2のMOSトランジスタのゲート電極側壁にサイドスペーサを形成する工程と、
前記光電変換領域に配された前記絶縁膜及び前記サイドスペーサをマスクに前記周辺MOSトランジスタのソース領域およびドレイン領域に第1導電型の不純物を導入し、前記浮遊拡散領域の不純物濃度よりも前記周辺MOSトランジスタのソース領域およびドレイン領域の不純物濃度を高くする工程と、を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 前記浮遊拡散領域の不純物濃度よりも前記周辺MOSトランジスタのソース領域およびドレイン領域の不純物濃度を高くした状態で層間絶縁膜を形成することを特徴とする請求項10に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記光電変換領域及び周辺回路領域全体を覆うように層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜の前記浮遊拡散領域、前記周辺MOSトランジスタのソースおよびドレイン領域に対応した領域に、コンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホールにセルフアラインで第1導電型の不純物を導入する工程と、を含むことを特徴とする請求項11に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記絶縁膜はシリコン窒化膜を含んでおり、前記シリコン窒化膜が、前記増幅MOSトランジスタのソース領域およびドレイン領域に接続されるコンタクトプラグのためのコンタクトホールを形成する際のエッチングストップ膜であることを特徴とする請求項12に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記絶縁膜はシリコン酸化膜、シリコン窒化膜の積層膜であることを特徴とする請求項10〜13のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記絶縁膜はシリコン窒化膜を含んでおり、前記シリコン窒化膜を形成した後に、350℃以上の熱処理を行なうことを特徴とする請求項10〜14のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記シリコン窒化膜はプラズマCVD法により形成されることを特徴とする請求項15に記載の光電変換装置の製造方法。
- 請求項1〜7のいずれかの請求項に記載の光電変換装置と、該光電変換装置へ光を結像する光学系と、該光電変換装置からの出力信号を処理する信号処理回路とを有することを特徴とする撮像システム。
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