KR100660324B1 - 씨모스 이미지 센서의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 씨모스 이미지 센서의 제조방법에 관한 것으로, 반도체 기판내에 포토다이오드 영역을 형성하는 단계와, 상기 반도체 기판상에 상기 포토다이오드 영역의 에지에 일측면이 얼라인되는 제 1 게이트를 포함하여 다수개의 게이트들을 형성하는 단계와, 상기 전면에 제 1 절연막과 제 2 절연막을 차례로 형성하는 단계와, 상기 제 1 게이트의 상부 및 상기 제 1 게이트의 일측면에 반대되는 제 1 게이트의 타측면을 오픈하는 제 1 포토레지스트를 형성하는 단계와, 상기 제 1 포토레지스트를 마스크로 상기 제 2 절연막을 건식식각하여 상기 제 1 게이트의 타측면에 스페이서를 형성하고, 포토다이오드 영역 위에는 실리사이드 블록킹막을 형성하는 단계와, 상기 제 1 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하여 형성하는 것을 특징으로 한다.
암전류, 실리사이드 블록킹막, 스페이서
Description
도 1은 일반적인 4-T(Transistor) CMOS 이미지 센서의 단위 화소를 나타낸 회로도
도 2는 일반적인 CMOS 이미지 센서의 단위 화소를 나타낸 레이아웃도
도 3a 내지 도 3f는 종래 기술에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조공정 단면도
도 4는 종래 기술에 따른 씨모스 이미지 센서의 인테그레이션(Integration) 타임에 따른 암전류를 측정한 그래프
도 5a, 5b, 5c는 각각 1ms, 20ms, 100ms의 인테그레이션 타임(integration time)에서 종래 씨모스 이미지 센서의 캡춰 이미지(capture image)
도 6a 및 도 6b는 종래 기술에 의해 제조된 씨모스 이미지 센서를 찍은 SEM 사진
도 7a 내지 도 7b는 본 발명의 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조공정 단면도
도 8a 내지 도 8d는 본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서를 촬영한 SEM 사진
도 9는 본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서에 의한 모노크로놈 테스트 차트(monochrome test chart)의 이미지
도 10은 본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서에 의한 컬러 차트(color chart)의 이미지
**도면의 주요 부분에 대한 부호 설명**
31 : 반도체 기판 32 : 게이트
33 : 질화막 34 : TEOS막
34a : 스페이서 34b : 실리사이드 블록킹막
PD : 포토다이오드 PR : 포토레지스트
본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로 특히, 암전류(Dark current)를 줄이기에 적합한 씨모스 이미지 센서의 제조방법에 관한 것이다.
CMOS 이미지 센서는 SoC(System on Chip)에서 알맞은 소자로 제안되었다.
고집적 디자인이라 불리는 0.18㎛ 이하의 딥 서브 마이크론(deep sub micron)으로 스케일다운(scale down)됨에 따라서 CCD에 비하여 씨모스 이미지 센서가 보다 유용해지고 있다.
0.18㎛ CMOS이미지 센서 기술에 대한 요구가 증가함에 따라서, 픽셀 사이즈 제한, 비실리사이드(non-silicide) 공정, 컬러 필터 어레이 균일성(uniformity) 등의 픽셀 어레이 제조에서 많은 심각한 문제들이 대두되고 있다.
이러한 문제점들 중에 비실리사이드(non-silicide : NASL) 공정은 암전류 성 능에 가장 많은 영향력을 갖고 있으므로 픽셀의 결정적인 요소이며 딥 서브 마이크론 기술로 축소됨에 따라서 잘 컨트롤되어야 한다.
도 1은 일반적인 4-T(Transistor) CMOS 이미지 센서의 단위 화소를 나타낸 회로도이고, 도 2는 일반적인 CMOS 이미지 센서의 단위 화소를 나타낸 레이아웃도이다.
도면에 도시하는 바와 같이, 4-T CMOS 이미지 센서의 단위 화소는 1개의 포토다이오드(PD)와 4개의 트랜지스터로 구성된다.
4개의 트랜지스터는 포토다이오드(PD)에서 모아진 광전하를 플로팅 확산영역(Floating Diffusion : FD)으로 운송하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)와, 원하는 값으로 플로팅 확산영역(FD)의 전위를 셋팅하고 전하를 배출하여 플로팅 확산영역(FD)을 리셋시키기 위한 리셋 트랜지스터(Rx)와, 소스 팔로워 버퍼 증폭기(Source Follow Buffer Amplifier) 역할을 하는 드라이브 트랜지스터(Dx) 및 스위칭(Switching) 역할로 어드레싱(Addressing)할 수 있도록 하는 셀렉트 트랜지스터(Sx)로 구성된다. 그리고, 단위 화소 밖에는 출력신호(Output Signal)를 읽을 수 있도록 로드(load) 트랜지스터가 형성되어 있다.
상기 트랜지스터 형성 영역에는 기생 저항성분을 줄이어 트랜지스터(Tx, Rx, Dx, Sx)의 속도를 향상시키기 위하여 실리사이드를 형성해야 하나, 포토다이오드 영역(PD)에는 광학적 센싱 및 다크 누설 때문에 실리사이드를 형성하지 않아야 한다. 따라서, 실리사이드 공정은 도 2에서와 같이 포토다이오드 영역을 실리사이드 블록킹 마스크(silicide blocking mask)(NASL MASK)로 커버(cover)한 상태에서 진 행해야 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
도 3a 내지 도 3f는 4-T 구조를 갖는 종래 기술에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조공정 단면도로, 포토다이오드 영역(PD)과 이에 인접하는 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)를 중심으로 도시한 도면이다.
먼저, 도 3a에 도시하는 바와 같이 반도체 기판(11)내에 포토다이오드 영역(PD)을 형성하고, 반도체 기판(11)상에 게이트 산화막을 개재하여 게이트들을 형성한다. 상기 게이트들은 트랜스퍼 트랜지스터(Tx), 리셋 트랜지스터(Rx), 구동 트랜지스터(Dx), 선택 트랜지스터(Sx)에 각각 포함되는 게이트이다.
이때, 상기 게이트들 중 도면에 도시된 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)의 게이트(12)는 포토다이오드(PD)의 에지에 그 일측면이 얼라인되도록 형성한다.
그리고, 상기 게이트(12)를 포함한 반도체 기판(11) 전면에 TEOS막(13)을 형성한다.
이어, 도 3b에 도시하는 바와 같이 상기 TEOS막(13) 위에 질화막(14)을 형성하고 도 3c에 도시하는 바와 같이, 상기 질화막(14)을 에치백(etch back)하여 스페이서(14a)를 형성한다.
그 다음, 도 3d에 도시되는 바와 같이 전면에 실리사이드 블록킹용 TEOS막(15)을 형성하고 도 4e에 도시된 바와 같이 상기 실리사이드 블록킹용 TEOS막(15)상에 포토레지스트(PR)를 도포하고 노광 및 현상 공정으로 포토다이오드 영역(PD) 상부에 남도록 상기 포토레지스트(PR)를 패터닝한다.
이때, 이후 습식식각 공정의 레이아웃 마진을 고려하여 포토레지스트(PR)는 포토다이오드 영역(PD)보다 W만큼 크게 패터닝한다.
이어, 도 3f에 도시하는 바와 같이 패터닝된 포토레지스트(PR)를 마스크로 상기 실리사이드 블록킹용 TEOS막(15)을 습식 식각하여 실리사이드 블록킹막(15a)을 형성한다.
도면에 도시된 바와 같이, 상기 실리사이드 블록킹막(15a)은 등방성 식각 공정인 습식식각 공정의 영향으로 가장자리로 갈수록 두께가 얇아지는 탭퍼드 에지 프로파일(tapered edge profile)을 갖게 되는데, 이러한 형태의 실리사이드 블록킹막(15a)은 실리사이드 공정에 대해 블록킹 역할을 충분히 수행할 수 없는 문제점이 있다.
또한, 실리사이드 블록킹막(15a) 형성시 습식식각 공정을 사용하고 있는데, 습식식각 공정은 건식식각과 같은 비등방성 식각에 비해 실리콘 표면 손상을 낮출 수 있다는 장점을 가지고 있으나, 공정 컨트롤이 어렵고 칩 스케일이 다운됨에 따라서 균일한 칩 성능 제공이 불가능한 문제점이 있다.
도 4는 종래 기술에 따른 씨모스 이미지 센서의 인테그레이션(Integration) 타임에 따른 암전류를 측정한 그래프로, 높은 암전류 레벨을 가짐을 확인할 수 있다.
도 5a, 5b, 5c는 각각 1ms, 20ms, 100ms의 인테그레이션 타임(integration time)에서 종래 씨모스 이미지 센서의 캡춰 이미지(capture image)를 나타낸 것으 로, 마이크로 화이트 결함(micro white defect)이 심각하여 긴 인테그레이션 타임(integration time) 이후에 이미지를 잘 인식할 수 없음을 확인할 수 있다.
인테그레이션 타임이 길어질수록 전자-정공쌍은 더 생성되고, 이미지 밝기가 더욱 밝아지게 되어 인테그레이션 타임(integration time) 이후에 이미지를 잘 인식할 수 없게 되는 것이다.
도 6a 및 도 6b는 종래 기술에 의해 제조된 씨모스 이미지 센서를 찍은 SEM 사진으로, 가장자리로 갈수록 두께가 얇아지는 형상(tapered edge profile)의 실리사이드 블록킹막(15a)에 의해 포토다이오드 영역(PD)이 커버되지 않음에 따라 포토다이오드 영역(PD) 가장자리와 포토다이오드 영역(PD) 근방의 스페이서 에지가 스트레스에 의해 결함이 발생되었음을 확인할 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로 암전류를 줄일 수 있는 씨모스 이미지 센서의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 포토다이오드 영역(PD) 가장자리와 포토다이오드 영역(PD) 근방의 게이트 스페이서 에지의 결함을 방지할 수 있는 씨모스 이미지 센서의 제조방법을 제공하는데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조방법은 반도체 기판내에 포토다이오드 영역을 형성하는 단계와, 상기 반도체 기판상에 상기 포토다이오드 영역의 에지에 일측면이 얼라인되는 제 1 게이트를 포함 하여 다수개의 게이트들을 형성하는 단계와, 상기 전면에 제 1 절연막과 제 2 절연막을 차례로 형성하는 단계와, 상기 제 1 게이트의 상부 및 상기 제 1 게이트의 일측면에 반대되는 제 1 게이트의 타측면을 오픈하는 제 1 포토레지스트를 형성하는 단계와, 상기 제 1 포토레지스트를 마스크로 상기 제 2 절연막을 건식식각하여 상기 제 1 게이트의 타측면에 스페이서를 형성하고, 포토다이오드 영역 위에는 실리사이드 블록킹막을 형성하는 단계와, 상기 제 1 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하여 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 목적, 특징 및 이점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예의 구성과 그 작용을 설명하며, 도면에 도시되고 또 이것에 의해서 설명되는 본 발명의 구성과 작용은 적어도 하나의 실시예로서 설명되는 것이며, 이것에 의해서 상기한 본 발명의 기술적 사상과 그 핵심 구성 및 작용이 제한되지는 않는다.
도 7a 내지 도 7b는 4-T 구조의 본 발명의 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조공정 단면도로, 포토다이오드(PD)와 이에 인접한 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)를 중심으로 도시한 도면이다.
본 발명의 씨모스 이미지 센서의 제조방법은 우선, 도 7a에 도시하는 바와 같이 반도체 기판(31)내에 포토다이오드 영역(PD)을 형성하고, 반도체 기판(31)상에 게이트 산화막을 개재하여 다수의 게이트들을 형성한다.
이때, 상기 게이트들 중 도면에 도시된 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)의 게이트 (32)는 그 일측면이 상기 포토다이오드(PD)의 에지와 얼라인되게 형성한다.
그리고, 상기 게이트(32)를 포함한 반도체 기판(31)의 표면상에 TEOS막(33)을 형성한다.
이어, 도 7b에 도시하는 바와 같이 상기 TEOS막(33) 위에 질화막(34)을 형성하고, 포토레지스트(PR)를 도포한 다음 도 7c에 도시하는 바와 같이 상기 게이트(32)의 상부 및 상기 포토다이오드의 에지와 얼라인되는 게이트(32)의 일측면과 마주보는 게이트(32)의 타측면이 노출되도록 상기 포토레지스트(PR)를 패터닝한다.
따라서, 상기 포토다이오드 영역(PD)과 게이트(32)를 제외한 게이트들(도시하지 않음)을 포함하는 영역은 상기 포토레지스트(PR)에 의해 마스킹(masking)되게 된다.
이때, 이후에 실시할 건식식각 공정의 레이아웃 마진을 고려하여 포토레지스트(PR)는 포토다이오드 영역(PD)보다 R만큼 크게 패터닝한다.
그리고, 도 7d에 도시하는 바와 같이 상기 패터닝된 포토레지스트(PR)를 마스크로 상기 질화막(34)을 건식식각한다.
건식식각 특성상 상기 질화막(34)은 위에서부터 일정한 두께로 식각되게 되므로 포토레지스트(PR)에 의해 마스킹되지 않은 반도체 기판(31)과 상기 게이트(32) 상부의 질화막(34)은 완전히 제거되게 되나, 게이트(32) 측면에는 질화막(34)이 잔류되어 스페이서(34a)가 된다.
그리고, 포토레지스트(PR)에 의해 마스킹되었던 질화막(34)은 실리사이드 블록킹막(34b)이 된다.
그리고, 도 7d에 도시한 바와 같이 상기 포토레지스트(PR)를 제거한다.
이후, 도면에는 도시하지 않았지만 상기 포토다이오드 영역(PD)과 스페이서(34a) 및 게이트(32)를 덮는 포토레지스트를 형성하고, 상기 질화막(34)을 에치백하여 상기 게이트(32)를 제외한 나머지 게이트들 양측에 절연막 측벽을 형성한다.
이처럼, 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트(32)를 제외한 나머지 게이트들의 스페이서를 상기 스페이서(34a) 형성시 함께 형성하지 않고 별도의 에치백 공정을 통해 형성하는 이유는 상기 스페이서(34a)와 함께 건식 식각 공정을 통해 형성할 경우, 건식식각에 의한 잔류 산화막의 영향으로 이후 실시하는 소오스/드레인 이온 주입, TEOS막 제거 등의 후속 공정에서 실리콘 표면이 손상을 입기 때문이다.
계속해서, 상기 TEOS막(33)을 제거한 다음에 실리사이드 블록킹막(34b)을 마스크로 실리사이드 공정을 실시하여 포토다이오드 영역에는 실리사이드를 형성하지 않고 로직 영역에만 실리사이드를 형성한다.
도 8a 내지 도 8d는 본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서를 촬영한 SEM 사진이다.
도 8a 및 도 8b의 포토다이오드 영역(PD)에 인접한 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 스페이서는 도 8c 및 도 8d의 다른 게이트들의 스페이서와 다른 형태를 가짐을 확인할 수 있다.
이는 포토다이오드 영역(PD)에 인접한 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 스페이서는 마스크를 사용한 건식 식각 공정에 의해 형성하는 반면, 다른 게이트들의 스페이서들은 에치백 공정에 의해 형성하는 등 형성방법이 다르기 때문이다.
도 9는 본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서에 의한 모노크로놈 테스트 차트(monochrome test chart)의 이미지이고, 도 10은 컬러 차트(color chart)의 이미지로, 본 발명에 의해 제조된 씨모스 이미지 센서는 다크 특성이 향상되어 일정하고 선명한 이미지 구현이 가능함을 확인할 수 있다.
상기와 같은 본 발명의 씨모스 이미지 소자의 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 포토다이오드 영역에 인접한 게이트의 스페이서를 마스크를 이용한 건식 식각 공정으로 형성하여 일정한 두께를 갖는 실리사이드 블록킹막을 형성할 수 있으므로 포토다이오드 영역을 실리사이드 공정으로부터 확실히 보호할 수 있다. 따라서, 암전류 발생을 방지할 수 있는 효과가 있다.
둘째, 포토다이오드 영역에 인접한 게이트를 제외한 나머지 게이트들의 스페이서는 에치백 공정으로 형성하므로 잔류 산화막을 남기지 않으므로써 잔류 산화막으로 인하여 소오스/드레인 이온 주입, TEOS막 제거 등의 후속 공정에서 실리콘 표면이 손상을 방지할 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정하는 것이 아니라 특허 청구범위에 의해서 정해져야 한다.
Claims (4)
- 반도체 기판내에 포토다이오드 영역을 형성하는 단계;상기 반도체 기판상에 상기 포토다이오드 영역의 에지에 일측면이 얼라인되는 제 1 게이트를 포함하여 다수개의 게이트들을 형성하는 단계;상기 전면에 TEOS산화막인 제 1 절연막과 질화막인 제 2 절연막을 차례로 형성하는 단계;상기 제 1 게이트의 상부와 상기 제 1 게이트의 일측면에 반대되는 제 1 게이트의 타측면을 오픈하는 제 1 포토레지스트를 형성하는 단계;상기 제 1 포토레지스트를 마스크로 상기 제 2 절연막을 건식식각하여 상기 제 1 게이트의 타측면에 제1 스페이서를 형성하고, 포토다이오드 영역 위에는 실리사이드 블록킹막을 형성하는 단계;상기 제 1 포토레지스트를 제거하는 단계;상기 포토다이오드 영역, 상기 제 1 게이트의 상면 및 상기 제1 스페이서를 덮는 제 2 포토레지스트를 형성하는 단계;상기 제 2 포토레지스트를 마스크로 제 2 절연막을 에치백하여 상기 제 1 게이트를 제외한 나머지 게이트들의 측면에 제2 스페이서를 형성하는 단계; 및상기 제 2 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
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| KR100776169B1 (ko) * | 2006-08-09 | 2007-11-12 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 소자 및 이의 제조 방법 |
| KR100792343B1 (ko) * | 2006-08-29 | 2008-01-07 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 |
| US7772625B2 (en) * | 2006-10-10 | 2010-08-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Image sensor having an RPO layer containing nitrogen |
| KR100815937B1 (ko) * | 2006-10-20 | 2008-03-21 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR100764061B1 (ko) | 2006-12-04 | 2007-10-08 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 형성 방법 |
| KR100853792B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2008-08-25 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| JP5444694B2 (ja) * | 2008-11-12 | 2014-03-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、その製造方法および撮像装置 |
| US8835211B1 (en) * | 2013-05-24 | 2014-09-16 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor pixel cell with global shutter having narrow spacing between gates |
| US9935140B2 (en) | 2015-05-19 | 2018-04-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state imaging device, manufacturing method of solid state imaging device, and imaging system |
| US9899445B2 (en) | 2015-05-19 | 2018-02-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing solid-state image pickup apparatus, solid-state image pickup apparatus, and image pickup system including the same |
| CN111952328B (zh) * | 2020-09-25 | 2023-04-28 | 上海华力微电子有限公司 | Cmos图像传感器的制作方法 |
| CN113725244A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-11-30 | 上海华力微电子有限公司 | 图像传感器及其制造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010061533A (ko) * | 1999-12-28 | 2001-07-07 | 박종섭 | 광감도 및 동작 속도 개선을 위한 씨모스 이미지센서제조방법 |
| KR20030097648A (ko) * | 2002-06-20 | 2003-12-31 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR20040058733A (ko) * | 2002-12-27 | 2004-07-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 스페이서 블록마스크를 적용한 시모스 이미지센서의제조방법 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6021172A (en) * | 1994-01-28 | 2000-02-01 | California Institute Of Technology | Active pixel sensor having intra-pixel charge transfer with analog-to-digital converter |
| US5841126A (en) * | 1994-01-28 | 1998-11-24 | California Institute Of Technology | CMOS active pixel sensor type imaging system on a chip |
| US5990506A (en) * | 1996-03-20 | 1999-11-23 | California Institute Of Technology | Active pixel sensors with substantially planarized color filtering elements |
| US5886659A (en) * | 1996-08-21 | 1999-03-23 | California Institute Of Technology | On-focal-plane analog-to-digital conversion for current-mode imaging devices |
| US6005619A (en) * | 1997-10-06 | 1999-12-21 | Photobit Corporation | Quantum efficiency improvements in active pixel sensors |
| US6023081A (en) * | 1997-11-14 | 2000-02-08 | Motorola, Inc. | Semiconductor image sensor |
| KR100291179B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2001-07-12 | 박종섭 | 자기정렬된실리사이드층을갖는씨모스이미지센서및그제조방법 |
| US6376868B1 (en) * | 1999-06-15 | 2002-04-23 | Micron Technology, Inc. | Multi-layered gate for a CMOS imager |
| US6462365B1 (en) * | 2001-11-06 | 2002-10-08 | Omnivision Technologies, Inc. | Active pixel having reduced dark current in a CMOS image sensor |
| IL156497A (en) * | 2002-06-20 | 2007-08-19 | Samsung Electronics Co Ltd | Image sensor and method of fabricating the same |
| US6974715B2 (en) * | 2002-12-27 | 2005-12-13 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for manufacturing CMOS image sensor using spacer etching barrier film |
| US7071505B2 (en) * | 2003-06-16 | 2006-07-04 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for reducing imager floating diffusion leakage |
| US6908839B2 (en) * | 2003-09-17 | 2005-06-21 | Micron Technology, Inc. | Method of producing an imaging device |
| KR100535924B1 (ko) * | 2003-09-22 | 2005-12-09 | 동부아남반도체 주식회사 | 시모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR100535926B1 (ko) * | 2003-09-22 | 2005-12-09 | 동부아남반도체 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 제조 방법 |
| KR100544957B1 (ko) * | 2003-09-23 | 2006-01-24 | 동부아남반도체 주식회사 | 시모스 이미지 센서의 제조방법 |
| US7232712B2 (en) * | 2003-10-28 | 2007-06-19 | Dongbu Electronics Co., Ltd. | CMOS image sensor and method for fabricating the same |
| US7354789B2 (en) * | 2003-11-04 | 2008-04-08 | Dongbu Electronics Co., Ltd. | CMOS image sensor and method for fabricating the same |
| US6900507B1 (en) * | 2004-01-07 | 2005-05-31 | Micron Technology, Inc. | Apparatus with silicide on conductive structures |
-
2004
- 2004-07-01 KR KR1020040051216A patent/KR100660324B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-06-30 US US11/172,150 patent/US7238562B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010061533A (ko) * | 1999-12-28 | 2001-07-07 | 박종섭 | 광감도 및 동작 속도 개선을 위한 씨모스 이미지센서제조방법 |
| KR20030097648A (ko) * | 2002-06-20 | 2003-12-31 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR20040058733A (ko) * | 2002-12-27 | 2004-07-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 스페이서 블록마스크를 적용한 시모스 이미지센서의제조방법 |
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