JP5301831B2 - 歪補償回路を有する電力増幅器 - Google Patents

Description

本発明は，歪補償回路を有する電力増幅器に関し，特にメモリ効果による非線形歪を補償する歪補償回路を有する電力増幅器に関する。

近年，無線通信において，ディジタル化による高能率伝送が多く採用されるようになっている。無線通信に線形変調方式を適用する場合，送信側で特に電力増幅器の増幅特性を直線化して非線形歪を抑え，隣接チャネル漏洩電力を低減する技術が重要である。また線形性に劣る増幅器を使用し電力効率の向上を図る場合は，そのために生じる非線形歪を補償する技術が必須である。

かかる非線形歪を補償するために，電力増幅器で生じる非線形歪に対応するプリディストーション（歪補償値）を入力側で信号に付与する歪補償装置が知られている（例えば，特許文献１，特許文献２，特許文献３）。かかる歪補償装置は，増幅すべき信号レベルに対応した歪補償値を予め歪補償テーブルに設定し，入力信号レベルに応じて歪補償テーブルから対応する歪補償値を読み出し，入力信号に付与するものである。

ここで，ＴＤＭＡ方式用移動機では，上り回線信号はバーストモードになる。このため，移動機用電力増幅器は，送信信号の停止状態において温度が低下し，バーストの立ち上がりで再度温度が上昇する。

そして，温度変動により電力増幅器の各種パラメータ（電力増幅器のＡＭ/ＡＭ：入力振幅に対する出力振幅変動,ＡＭ/ＰＭ：入力振幅に対する出力位相変動，直交変調器のキャリア漏洩，直交復調器のＤＣオフセットなど）が変動し，非線形歪の原因となる。さらに，前記電力増幅器の温度上昇及び，温度低下は，熱の蓄積作用により入力信号の変化に対して，時間的に遅れて現れる特性を有する。このような温度変動の特性と電力増幅器の出力特性との関係はメモリ効果として知られている。

図１は，かかる増幅器におけるメモリ効果の例を更に示す図である。横軸は，時間であり，縦軸に入力電力（振幅）Ａと，増幅用半導体電力デバイスのジャンクション温度Ｋの関係を示している。例えば，時刻Ｔ１において，過去における大入力電力（振幅）を経由してそれより小さい現在の入力電力（振幅）Ａに到達した場合（実線），熱の蓄積により温度の変動（破線）は入力電力変化に遅れ，ほぼ温度Ｋ１の状態である。反対に，時刻Ｔ２においては，小入力電力を経由して現在の入力電力Ａに上昇しているが，温度（破線）の変動は低い温度Ｋ２の状態である。

すなわち，振幅レベルは同一であっても，時刻Ｔ１，Ｔ２で温度差Ｋ１，Ｋ２に差が生じてしまっている。これは，電力デバイスの周囲の金属に熱が蓄積されるため，振幅レベルに相当する発熱量（消費電力に比例）と，温度は通常一致しないことを示している。これが，熱のメモリ効果といわれているものである。
特開２００１−１８９６８５号公報 ＰＣＴ国際公開ＷＯ２００３/１０３１６３号公報 特開２００５−１０１９０８号公報

このように過去の入力電力時の温度の蓄積（メモリ）が残っているので，歪補償テーブルに入力電力（振幅）値に対応した（線形化した）歪補償値を設定することでは十分な歪補償ができない。これにより温度変動を考慮すると，同一の入力振幅に対して同一の補償値を設定している補償テーブルは使用できなくなり，メモリ効果を持たない場合とは異なる補償方式が必要になってくる。

すなわち、図１に示す関係からメモリ効果が存在しない場合は、同一振幅Ａとなる異なる時刻Ｔ１、Ｔ２における歪補償テーブルに設定される歪補償値は同一でよい。一方、半導体増幅素子の接合温度は時刻Ｔ１時点の方が、時刻Ｔ２時点よりも高いことが予想される。したがって、かかる時間によって温度が異なる特性を有する電力デバイスを使用する増幅器のＡＭ／ＡＭ、ＡＭ／ＰＭ特性は、図２に示すように温度により変化する。図２において、ＡはＡＭ／ＡＭ特性、ＢはＡＭ／ＰＭ特性を示す。ＡＭ／ＡＭ特性Ａは、入力レベルが大きい領域において利得が小さくなる特性を有し、温度が上昇すると特性全体が、利得が減少する矢印ｂの方向に変位する。一方、ＡＭ／ＰＭ特性は、入力レベルが大きくなると位相回転が大きくなる特性を有し、更に温度が上昇するとより特性全体が、位相が大きくなる矢印ａ方向に変位する。

したがって，本発明の目的は，電力増幅器に存在する上記のメモリ効果を打ち消し，安価なデバイスにおいてもディジタル・プリディストーション方式によるリニアライザが適用できるようになり，安価で，高電力効率の電力増幅器を提供することにある。

上記の課題を達成する本発明の第１の側面は、増幅すべき入力信号の振幅と前記入力信号を増幅器で増幅した出力信号の振幅とを比較し、比較結果の差分に応じて前記入力信号に対しプリディストーションを付与する歪補償回路を有する電力増幅器であって、前記歪補償回路と前記増幅器との間に前記増幅器のメモリ効果を抑制するメモリ効果抑制回路を有し、前記メモリ効果抑制回路は、前記入力信号の振幅に対して求められる温度アドレスに対応して利得係数値を格納する利得用ルックアップテーブルと、前記入力信号の振幅に対して求められる温度アドレスに対応して位相係数値を格納する位相用ルックアップテーブルと、前記入力信号が入力され前記温度アドレスを出力するトランスバーサルフィルタと、前記温度アドレスにおける、前記利得係数用ルックアップテーブルおよび位相用ルックアップテーブルから読み出される利得係数値及び位相係数値で前記歪補償回路の出力信号を変調する係数乗算器を有することを特徴とする。

上記の課題を達成する本発明の第２の側面における、増幅すべき入力信号の振幅と前記入力信号を増幅器で増幅した出力信号の振幅とを比較し、比較結果の差分に応じて前記入力信号に対しプリディストーションを付与する電力増幅器は、指定された書き込みアドレスを持つ記憶エリアに歪補償係数を格納し、指定された読み出しアドレスを持つ記憶エリアに記憶している歪み補償係数を出力する歪補償係数用ルックアップテーブルと、該歪補償係数用ルックアップテーブルから出力された歪補償係数で前記入力信号を変調する第１の乗算器と、前記入力信号の振幅と、前記入力信号を増幅後の送信信号の振幅とに基づいて歪補償係数を演算する歪補償演算部を有し、該歪補償演算部により演算された歪補償係数で前記歪補償係数用ルックアップテーブルに格納されている歪補償係数を更新し、更に、前記入力信号の振幅に対して求められる温度アドレスに対応して利得係数値を格納する利得用ルックアップテーブルと、前記入力信号の振幅に対して求められる温度アドレスに対応して位相係数値を格納する位相用ルックアップテーブルと、前記入力信号が入力され前記温度アドレスを出力するトランスバーサルフィルタと、前記温度アドレスに対応する、前記利得係数用ルックアップテーブルおよび位相用ルックアップテーブルから読み出される利得係数値及び位相係数値で前記第１の乗算器の出力を変調する第２の乗算器を有することを特徴とする。

上記特徴において、さらに、前記利得用ルックアップテーブル及び位相用ルックアップテーブルに格納される利得係数値及び位相係数値を求める際に、パルス幅Ｔｗ、振幅Ａｋ、パルス間隔Ｔｄとするパルス信号を入力信号として与え、その時検出される前記出力信号と前記入力信号の振幅差をＡｄ（Ｔｗ、Ａｋ、Ｔｄ）及び位相差をΦｄ（Ｔｗ、Ａｋ、Ｔｄ）とし、さらに、前記入力信号の振幅ＡｋをΔＡだけ変化させた時の振幅差Ａｄの変化分及び位相差Φｄの変化分を測定し、それぞれ変化の割合Ｇｄ、Ｐｄを次式により定義し、
Ｇｄ＝｛Ａｄ（Ｔｗ、Ａｋ、Ｔｄ）−Ａｄ（Ｔｗ、Ａｋ＋ΔＡ、Ｔｄ）｝／ΔＡ
Ｐｄ＝｛Φｄ（Ｔｗ、Ａｋ、Ｔｄ）−Φｄ（Ｔｗ、Ａｋ＋ΔＡ、Ｔｄ）｝／ΔＡ
前記Ｇｄ、Ｐｄをそれぞれ前記利得用ルックアップテーブル及び位相用ルックアップテーブルに格納される利得係数値及び位相係数値とする。

また、前記変化のＧｄ、Ｐｄをそれぞれ前記利得用ルックアップテーブル及び位相用ルックアップテーブルに格納される利得係数値及び位相係数値とする際に、前記パルス幅Ｔｗ及びパルス間隔Ｔｄを変化させ、前記パルス幅Ｔｗが前記変化において最小値であるときのＡＭ／ＡＭ特性及びＡＭ／ＰＭ特性を常温における特性とし、ＡＭ／ＡＭ特性及びＡＭ／ＰＭ特性が変化しなくなったときを最大温度における特性とし、 分解能をＮとして、（最大温度−常温）／Ｎの温度に対応して求められたＡＭ／ＡＭ特性及びＡＭ／ＰＭ特性に対して、前記変化の割合Ｇｄ、Ｐｄを求めることができる。

さらに，上記特徴において，前記トランスバーサルフィルタの各タップに対する重み付け係数を摂動して，歪成分を最小とする最適な温度アドレスを出力するように設定する。

本発明の特徴は，以下に図面に従い説明される実施例から更に明らかになる。

図１は，増幅器におけるメモリ効果の例を更に示す図である。

図２は，ＡＭ／ＡＭ，ＡＭ／ＰＭ特性の温度による変化を説明する図である。

図３は，本発明に従う歪補償回路を有する電力増幅器の構成例のブロック図である。

図４は，図３における本発明の特徴であるメモリ効果を抑圧する構成例２の拡大図である。

図５は，図３の下部に示す領域１を再掲した図である。

図６は，制御部３０により出力される送信信号パルスを説明する図である。

以下に図面に従い本発明の実施例を説明する。なお，実施例は本発明の理解のためのものであり本発明の技術的範囲がこれに限定されるものはない。

図３は，本発明に従う歪補償回路を有する電力増幅器の構成例のブロック図である。図３において，下部に示す領域１は，上記特許文献１，２等に示されたデジタル型歪補償回路（リニアライザ）を有する電力増幅器の基本構成を示す図である。さらに図の上部に示す領域２は本発明の特徴であり，電力増幅器のメモリ効果に起因する非線形歪を解消する構成例を示し，電力増幅器の基本構成１に挿入されている。

電力増幅器の基本構成１において，ｘ(t)を入力信号とすれば振幅をａ=|ｘ(t)|
と表現することができる。したがって，エンベロープ変換部１１で振幅ａ=|ｘ(t)| を求める。

ここで，ｈを補償係数，ｆを電力増幅器１０の歪関数とすれば両者とも振幅ａの関数であるから，それぞれｈ(a)，ｆ(a)と表すことができる。乗算器１２により両者は乗算されて，ｈ(a)ｆ(a)となり，本発明によるメモリ効果に起因する非線形歪を解消する構成２が挿入されていない場合，Ｄ／Ａ変換部１３を通して電力増幅器１０に入力される。

ｙ(t)を電力増幅器１０の出力とすれば，これは式（１）のように表現される。

ｙ(t) =ｈ(a)ｆ(a) ｘ(t) ・・・（１）
ここでｈ(a)ｆ(a)は，いかなる振幅においても定数でなければならないので
ｈ(a)ｆ(a)=Ｇ=一定 とする。

これで，出力ｙ(t)はｘ(t)に対して比例したということになり，換言すれば電力増幅器１０が線形化（リニアライズ）されたことになる。

残留歪成分であるΔ(t)は，帰還路で生じる帰還成分ｙ(t−τ2)/Ｇと，入力信号の遅延信号ｘ (t−τ1)との差分を演算することにより式（２）のように得られる。

すなわち
Δ(t)= ｙ(t−τ2)/Ｇ−ｘ(t−τ1) ・・・ （２）
である。このΔ(t)の絶対値が規定された閾値以下になるまでＭＭＳＥ回路１６におけるＭＭＳＥ（最小２乗平均誤差）アルゴリズムによりルックアップテーブル１７に格納されている歪補償係数ｈ(a)の更新を続ける。

ここでτ1は，図３中のパス１における遅延要素の遅延時間の合計を表している。

τ2は，図３中のパス２の全ての遅延要素（Ｄ／Ａ変換部１３，電力増幅器１０，デジタル信号処理部１４，Ａ／Ｄ変換部１５など）を合計した遅延時間を表している。

さらに，歪補償係数ｈ(a)の更新については以下の漸化式（３）に従う。

ｈn(a) =ｈn-1 (a) + μΔ(t) ・・・ （３）
μは，次のステップの修正を行う場合の修正の程度（きざみステップ量）を表す。

ｈ(a)の値が格納されているルックアップテーブル１７は，上記誤差Δ(t)が規定の値以下に収束した場合，更新作業は停止する。又，温度変化や，経時変化によるパラメータ変動に対応するため，適度な周期により上記更新アルゴリズムを開始する。
このようにして各種パラメータ変動に対して安定動作が得られることになる。

しかし，電力増幅器の基本構成１における上記動作のみでは，上記した電力増幅器１０におけるメモリ効果に起因する歪を補償することができない。したがって，本発明は，メモリ効果を抑圧する構成を更に提示するものである。

図３における本発明の特徴であるメモリ効果を抑圧する構成例２の拡大図が図４に示される。

図４において，利得（Ｇａ）を有する増幅器１０の入力側に，増幅すべき入力信号ｘ(t)に対して乗算器１２で歪補償係数ｈ（ａ）で変調した信号に対し，更にメモリ効果を抑圧するための利得係数ｋ及び位相係数Φで変調する乗算器２２を有する。

乗算器２２は，具体的には，利得係数ｋを乗算する利得係数乗算器２２ａと，位相係数Φを乗算する位相係数乗算器２２ｂを有している。

利得係数乗算器２２ａ及び位相係数乗算器２２ｂにより乗算される利得係数ｋ及び位相係数Φは，それぞれ利得用ルックアップテーブル２０，位相用ルックアップテーブル２１から読み出される。

後に説明するように，図２で説明した温度により変動するＡＭ／ＡＭ特性（図２，Ａ）を測定し，これにより求められた補正値が，利得係数ｋとして利得用ルックアップテーブル２０に格納されている。同様に，温度により変動するＡＭ／ＰＭ特性（図２，Ｂ）を測定し，これにより求められた補正値が，位相係数Φとして位相用ルックアップテーブル２１に格納されている。

図４において，エンベロープ変換部１１で求められた振幅値ａ=|ｘ(t)| が，トランスバーサルフィルタ２３に入力される。同時に振幅値ａ=|ｘ(t)|は，乗算器２２に入力される。

トランスバーサルフィルタ２３は、複数の遅延素子２３ａ1〜２３ａｎと、遅延素子２３ａ１〜２３ａｎのそれぞれのタップに重み付け係数ω１〜ωｎを与える乗算器２３ｂ１〜２３ｂｎを有して構成される。この乗算器２３ｂ１〜２３ｂｎにおける重み付け係数を変化（摂動）して、利得用ルックアップテーブル２０及び位相用ルックアップテーブル２１の読み出しアドレスとなる温度アドレス（ＴＡＤＤ）の、前記誤差信号（図３、１６ｂ）を最小とする最適値を設定する。

次に，利得用ルックアップテーブル２０及び位相用ルックアップテーブル２１に格納される利得係数ｋ及び，位相係数Φの求め方について説明する。

先ず、パルス幅Ｔｗ、振幅Ａｋ、パルス間隔Ｔｄとするパルス信号を入力として与え、その時検出される出力電力との振幅差をＡｄ（Ｔｗ、Ａｋ、Ｔｄ）及び位相差をΦｄ（Ｔｗ、Ａｋ、Ｔｄ）とし、さらに、振幅ＡｋをΔＡだけ変化させた時（図２の入力レベルの変化に相当）の振幅差Ａｄの変化分及び位相差Φｄの変化分を測定し、それぞれ変化の割合Ｇｄ、Ｐｄを次式により定義する。

Ｇｄ＝｛Ａｄ（Ｔｗ，Ａｋ，Ｔｄ）−Ａｄ（Ｔｗ，Ａｋ＋ΔＡ，Ｔｄ）｝／ΔＡ
Ｐｄ＝｛Φｄ（Ｔｗ，Ａｋ，Ｔｄ）−Φｄ（Ｔｗ，Ａｋ＋ΔＡ，Ｔｄ）｝／ΔＡ
前記Ｇｄ，Ｐｄをそれぞれ前記利得用ルックアップテーブル及び位相用ルックアップテーブルに格納される利得係数値及び位相係数値とする。

さらに、前記変化の割合Ｇｄ、Ｐｄは、時間経過即ち、蓄熱温度に応じて変化するＡＭ／ＡＭ、ＡＭ／ＰＭ特性に対応して求めることが必要である。これは、以下に説明するように、蓄熱温度の変化を上記パルス幅Ｔｗの変化に置き換えて求めることが出来る。

図５は、図３の下部に示す領域１を再掲した図である。図５において、制御部３０により図６に示すように、送信信号として上記パルス幅Ｔｗの信号を入力する。ついで、乗算器１２の出力であるプリディストーションされた送信信号Ａ（＝（ｈ(a)ｘ(t)）と、Ａ／Ｄ変換部１５の出力である帰還信号Ｂ（＝ｙ(t)）を制御部３０に入力する。

制御部３０は、信号ＡとＢを比較し、上記Ｇｄ、Ｐｄを表す式において、パルス幅Ｔｗを変化させて図２で説明したＡＭ／ＡＭ特性及び、ＡＭ／ＰＭ特性におけるＧｄ、Ｐｄを求める。すなわち、パルス幅Ｔｗを大きくするように変化すれば、蓄熱温度が上昇し、図２に示すように、それぞれ矢印ｂ、ａ方向に移動変化するＡＭ／ＡＭ特性及び、ＡＭ／ＰＭ特性におけるＧｄ、Ｐｄが求められる。

この際、最小のパルス幅に設定した時のＡＭ／ＡＭ特性及び、ＡＭ／ＰＭ特性を常温における特性とする。さらに、パルス幅Ｔｗを大きくして行き、ＡＭ／ＡＭ特性及び、ＡＭ／ＰＭ特性が一定となり変化がなくなった時の状態を最大温度における特性とする。

前記常温と最大温度におけるＡＭ／ＡＭ特性及び、ＡＭ／ＰＭ特性の間の差分を、分解能をＮとして、（最大温度−常温）／Ｎの温度に対応して求められた上記ＡＭ／ＡＭ特性データ（利得係数値Ｇｄ）及び、ＡＭ／ＰＭ特性データ（位相係数値Ｐｄ）を、それぞれ対応する利得用ルックアップテーブル２０及び位相用ルックアップテーブル２１に格納する。

したがって、入力振幅に対応するトランスバーサルフィルタ２３の出力が、温度アドレスとなり、温度アドレス（ＴＡＤＤ）に対応して、利得用ルックアップテーブル２０及び位相用ルックアップテーブル２１から読み出される利得係数値及び位相係数値がそれぞれ利得用乗算器２２ａ及び位相用乗算器２２ｂに入力される。

ここで、遅延素子が従続されているトランスバーサルフィルタ２３の構成から、トランスバーサルフィルタ２３の出力は、一の入力信号振幅に対してそれまでの信号振幅の履歴により決まる。したがって、トランスバーサルフィルタ２３の各パラメータτ１〜τｎ、ω１〜ωｎを、送信信号ｘ(t)の振幅値ａ=|ｘ(t)| が最適な温度アドレス（ＴＡＤＤ）に対応するように摂動法により求め設定する。

上記に図面に従い実施例を説明したように，本発明により電力増幅器のメモリ効果を容易に解消する非線形歪補正を可能とする。これにより，電力増幅器の電力効率を向上させることができ産業上寄与するところ大である。

Claims (5)

1. 増幅すべき入力信号の振幅と前記入力信号を増幅器で増幅した出力信号の振幅とを比較し、比較結果の差分に応じて前記入力信号に対しプリディストーションを付与する歪補償回路を有する電力増幅器であって、
   前記歪補償回路と前記増幅器との間に前記増幅器の温度変動に起因するメモリ効果を抑制するメモリ効果抑制回路を有し、
   前記メモリ効果抑制回路は、
   前記入力信号の振幅に対して求められる温度アドレスに対応して利得係数値を格納する利得用ルックアップテーブルと、
   前記入力信号の振幅に対して求められる温度アドレスに対応して位相係数値を格納する位相用ルックアップテーブルと、
   前記入力信号が入力され前記温度アドレスを出力するトランスバーサルフィルタと、
   前記温度アドレスにおける、前記利得係数用ルックアップテーブルおよび位相用ルックアップテーブルから読み出される利得係数値及び位相係数値で前記歪補償回路の出力信号を変調する係数乗算器を有する、
   ことを特徴とする電力増幅器。
2. 増幅すべき入力信号の振幅と前記入力信号を増幅器で増幅した出力信号の振幅とを比較し、比較結果の差分に応じて前記入力信号に対しプリディストーションを付与する電力増幅器であって、
   歪補償回路と前記増幅器の間に前記増幅器の温度変動に起因するメモリ効果を抑制するメモリ抑制回路を有し、
   前記歪補償回路は、
   指定された書き込みアドレスを持つ記憶エリアに歪補償係数を格納し、指定された読み出しアドレスを持つ記憶エリアに記憶している歪み補償係数を出力する歪補償係数用ルックアップテーブルと、
   該歪補償係数用ルックアップテーブルから出力された歪補償係数で前記入力信号を変調する第１の乗算器と、
   前記入力信号の振幅と、前記入力信号を増幅後の送信信号の振幅とに基づいて歪補償係数を演算する歪補償演算部を有し、
   該歪補償演算部により演算された歪補償係数で前記歪補償係数用ルックアップテーブルに格納されている歪補償係数を更新し、
   更に、前記メモリ効果抑制回路は、
   前記入力信号の振幅に対して求められる温度アドレスに対応して利得係数値を格納する利得用ルックアップテーブルと、
   前記入力信号の振幅に対して求められる温度アドレスに対応して位相係数値を格納する位相用ルックアップテーブルと、
   前記入力信号が入力され前記温度アドレスを出力するトランスバーサルフィルタと、
   前記温度アドレスに対応する、前記利得係数用ルックアップテーブルおよび位相用ルックアップテーブルから読み出される利得係数値及び位相係数値で前記第１の乗算器の出力を変調する第２の乗算器を有する、
   ことを特徴とする電力増幅器。
3. 請求項１又は２において、
   前記利得用ルックアップテーブル及び位相用ルックアップテーブルに格納される利得係数値及び位相係数値を求める際に、
   パルス幅Ｔｗ、振幅Ａｋ、パルス間隔Ｔｄとするパルス信号を入力信号として与え、
   その時検出される前記出力信号と前記入力信号の振幅差をＡｄ（Ｔｗ、Ａｋ、Ｔｄ）及び位相差をΦｄ（Ｔｗ、Ａｋ、Ｔｄ）とし、
   さらに、前記入力信号の振幅ＡｋをΔＡだけ変化させた時の振幅差Ａｄの変化分及び位相差Φｄの変化分を測定し、それぞれ変化の割合Ｇｄ、Ｐｄを次式により定義し、
   Ｇｄ＝｛Ａｄ（Ｔｗ、Ａｋ、Ｔｄ）−Ａｄ（Ｔｗ、Ａｋ＋ΔＡ、Ｔｄ）｝／ΔＡ
   Ｐｄ＝｛Φｄ（Ｔｗ、Ａｋ、Ｔｄ）−Φｄ（Ｔｗ、Ａｋ＋ΔＡ、Ｔｄ）｝／ΔＡ
   前記Ｇｄ、Ｐｄをそれぞれ前記利得用ルックアップテーブル及び位相用ルックアップテーブルに格納される利得係数値及び位相係数値とする、
   ことを特徴とする電力増幅器。
4. 請求項３において、
   更に、前記変化のＧｄ、Ｐｄをそれぞれ前記利得用ルックアップテーブル及び位相用ルックアップテーブルに格納される利得係数値及び位相係数値とする際に、
   前記パルス幅Ｔｗを変化させ、前記パルス幅Ｔｗが前記変化において最小値であるときのＡＭ／ＡＭ特性及びＡＭ／ＰＭ特性を常温における特性とし、ＡＭ／ＡＭ特性及びＡＭ／ＰＭ特性が変化しなくなったときを最大温度における特性とし、
   分解能をＮとして、（最大温度−常温）／Ｎの温度に対応して求められたＡＭ／ＡＭ特性及びＡＭ／ＰＭ特性に対して、前記変化の割合Ｇｄ、Ｐｄを求める、
   ことを特徴とする電力増幅器。
5. 請求項４において、
   前記トランスバーサルフィルタの各タップに対する重み付け係数を摂動して、前記入力信号の振幅と前記入力信号を増幅器で増幅した出力信号の振幅との誤差分を最小とする最適な温度アドレスを出力するように設定することを特徴とする電力増幅器。

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