JP5281792B2 - 粒子光学的照射系用の照射コンデンサー - Google Patents
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- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 26
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 20
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 13
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 9
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 241000220317 Rosa Species 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3175—Projection methods, i.e. transfer substantially complete pattern to substrate
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/10—Lenses
- H01J2237/14—Lenses magnetic
- H01J2237/1405—Constructional details
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/153—Correcting image defects, e.g. stigmators
- H01J2237/1534—Aberrations
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Magnetic Means (AREA)
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
Description
照射コンデンサー10のビーム出口Bに近づくほど、磁場線がビーム経路20の軸21からより遠くへ後退するように、磁場線22は本発明による照射コンデンサー10の場合において形成される。言い換えれば、磁場線22によって表される照射コンデンサー10のビーム出口Aでの磁場強さ24は、ビーム入口での磁場強さよりも小さい。
10 照射コンデンサー
11 磁界レンズ
12 複数の隙間
14,15,16,17,18 部分レンズ
14a,15a,16a,17a,18a 第一巻線
14b,15b,16b,17b,18b 第二巻線
19 極片
20 ビーム経路
21 ビーム経路の軸
22 磁場線
24 磁場強さ
30 電子銃(粒子銃)
31 電子線
310 ソースクロスオーバー
312 第二クロスオーバー
32 光軸
33 ビーム中央化装置
34 口径プレート
35 複数の開口部
36 加速レンズ
37 磁界レンズ
38 対物レンズ
40 ターゲット
42 偏光装置
44 焦点レンズ
46 コイル装置
48 高度センサー
50 磁界レンズ
A ビーム入口
B ビーム出口
Claims (14)
- 複数の隙間を有する磁界レンズ(11)からなる照射コンデンサー(10)を有する粒子光学的照射系用の照射コンデンサー(10)において、
磁界レンズ(11)が複数の部分レンズ(14,15,16,17,18)の一群から構成されること
複数の部分レンズ(14,15,16,17,18)がそれぞれ、別々の巻線(14a,15a,16a,17a,18a)を有し、それらの巻線(14a,15a,16a,17a,18a)は異なるものである一方で、同一の電流方向で制御可能であること、
二つの隣接した部分レンズ(14,15,16,17,18)が極片(19)を共有し、極片(19)の直径が互いに異なっていること、
を特徴とした、照射コンデンサー - 請求項1に記載の照射コンデンサーにおいて、隙間の数が5より多いことを特徴とした、照射コンデンサー。
- 請求項1に記載の照射コンデンサーにおいて、隙間の数が5であることを特徴とした、照射コンデンサー。
- 請求項1に記載の照射コンデンサーにおいて、別々の巻線(14a,15a,16a,17a,18a)のそれぞれが独自に制御可能であることを特徴とした、照射コンデンサー。
- 請求項1に記載の照射コンデンサーにおいて、複数の部分レンズ(14,15,16,17,18)のそれぞれが第一分離巻線(14a,15a,16a,17a,18a)と第二分離巻線(14b,15b,16b,17b,18b)を内包すること、そして、第一巻線(14a,15a,16a,17a,18a)を直列接続で動かして、また、第二巻線(14b,15b,16b,17b,18b)を直列接続で動かす場合、部分レンズ(14,15,16,17,18)が所望の励磁を得るように、第一巻線(14a,15a,16a,17a,18a)の或いは第二巻線(14b,15b,16b,17b,18b)の巻き数の比率が選ばれていることを特徴とした、照射コンデンサー。
- 請求項5に記載の照射コンデンサーにおいて、部分レンズ(14,15,16,17,18)の第一巻線(14a,15a,16a,17a,18a)が同一の定電流によって通電されており、また、部分レンズ(14,15,16,17,18)の第二巻線(14b,15b,16b,17b,18b)が、同一の電流で通電されている場合、個別の巻き数に起因して直列接続内で異なる励起を有すること、そして、直列接続内で駆動される細かい巻線の電流変化を用いて、照射コンデンサー(10)の焦点距離変更が精密に変更可能であることを特徴とした、照射コンデンサー。
- 請求項4に記載の照射コンデンサーにおいて、少なくとも二つの隣接した部分レンズ(14,15,16,17,18)が極片(19)を共有しており、極片(19)の間に存する部分レンズ(14,15,16,17,18)の隙間が互いに異なっていることを特徴とした、照射コンデンサー。
- 請求項1から7のいずれか一項に記載の照射コンデンサーにおいて、粒子光学的照射系(2)が光軸(10)を定義し、照射コンデンサー(10)がその軸の周りで回転対称に構成されていることを特徴とした、照射コンデンサー。
- 請求項8に記載の照射コンデンサーにおいて、ソースクロスオーバー(310)の光学収差を最小に抑えて、照射コンデンサー(10)のボアホール半径Rkが150mmよりも小さい値であること特徴とした、照射コンデンサー。
- 請求項9に記載の照射コンデンサーにおいて、磁場の強さ(24)の値が、個々の部分レンズ(14,15,16,17,18)を介して、ビーム出口(B)で近似的に0に達するように、分布されていることを特徴とした、照射コンデンサー。
- 請求項1から10のいずれか一項に記載の照射コンデンサーにおいて、電子銃(30)のソースクロスオーバー(310)が照射コンデンサー(10)の対象側の焦点にあり且つ無限遠に写されるように、磁場の強さ(24)が部分レンズ(14,15,16,17,18)を介して調整されていることを特徴とした、照射コンデンサー。
- 請求項1から11のいずれか一項に記載の照射コンデンサーにおいて、照射コンデンサー(10)が500mmほどの長い焦点距離を持つように、磁場の強さ(24)が部分レンズ(14,15,16,17,18)を介して調整されていることを特徴とした、照射コンデンサー。
- 請求項1から12のいずれか一項に記載の照射コンデンサーにおいて、照射コンデンサーに静電的な発散レンズが組み合わされていることを特徴とした、照射コンデンサー。
- 請求項1から12のいずれか一項に記載の照射コンデンサーにおいて、照射コンデンサー(10)が、2枚の多重隙間のあるレンズのダブレットから構成されていることを特徴とした、照射コンデンサー。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102004019835.7 | 2004-04-23 | ||
DE102004019835A DE102004019835B4 (de) | 2004-04-23 | 2004-04-23 | Beleuchtungskondensor für ein Partikeloptik-Projektionssystem |
PCT/EP2005/050941 WO2005104170A1 (de) | 2004-04-23 | 2005-03-03 | Beleuchtungskondensor für ein partikeloptik - projektionssystem |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007534124A JP2007534124A (ja) | 2007-11-22 |
JP5281792B2 true JP5281792B2 (ja) | 2013-09-04 |
Family
ID=34961043
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007508888A Active JP5281792B2 (ja) | 2004-04-23 | 2005-03-03 | 粒子光学的照射系用の照射コンデンサー |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7601969B2 (ja) |
EP (1) | EP1738392B1 (ja) |
JP (1) | JP5281792B2 (ja) |
AT (1) | ATE557415T1 (ja) |
DE (1) | DE102004019835B4 (ja) |
WO (1) | WO2005104170A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7851755B2 (en) * | 2006-12-20 | 2010-12-14 | Jeol Ltd. | Apparatus for detecting backscattered electrons in a beam apparatus |
JP5928320B2 (ja) | 2012-12-07 | 2016-06-01 | 株式会社日立製作所 | 電気自動車向けナビゲーションシステム |
JP6242314B2 (ja) * | 2014-09-11 | 2017-12-06 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置及びイオンビームの調整方法 |
JP7354037B2 (ja) * | 2020-03-23 | 2023-10-02 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 集束イオンビーム加工装置 |
CN112769025A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-05-07 | 中国科学院微电子研究所 | 光学整形装置及方法 |
JP7468795B1 (ja) | 2023-01-16 | 2024-04-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1019407B (de) * | 1943-12-09 | 1957-11-14 | Dr Heinrich Herbst | Elektronenoptisches Linsensystem fuer Elektronen- oder Ionenmikroskope |
DE1564761C3 (de) | 1966-11-18 | 1974-07-04 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Elektromagnetische Linse für ein Korpuskularstrahlgerät mit mehreren Linsenspalten |
DE1614122B1 (de) * | 1967-02-24 | 1970-06-25 | Max Planck Gesellschaft | Magnetische,insbesondere elektromagnetische,Polschuhlinse fuer Korpuskularstrahlgeraete,insbesondere fuer Elektronenmikroskope und Verfahren zu ihrer Justierung |
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DE2627176B2 (de) * | 1976-06-15 | 1978-09-14 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Elektronenstrahloptisches Projektionsgerät mit einer langbrennweitigen magnetischen Linse |
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JPS587755A (ja) * | 1981-07-06 | 1983-01-17 | Jeol Ltd | 電子レンズ |
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US6420713B1 (en) * | 1999-04-28 | 2002-07-16 | Nikon Corporation | Image position and lens field control in electron beam systems |
US6566664B2 (en) * | 2000-03-17 | 2003-05-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Charged-particle beam exposure apparatus and device manufacturing method |
DE10034412A1 (de) * | 2000-07-14 | 2002-01-24 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Verfahren zur Elektronenstrahl-Lithographie und elektronen-optisches Lithographiesystem |
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US6727507B2 (en) * | 2001-01-22 | 2004-04-27 | Leepl Corporation | Electron beam proximity exposure apparatus and method |
-
2004
- 2004-04-23 DE DE102004019835A patent/DE102004019835B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-03-03 WO PCT/EP2005/050941 patent/WO2005104170A1/de active Application Filing
- 2005-03-03 JP JP2007508888A patent/JP5281792B2/ja active Active
- 2005-03-03 AT AT05716895T patent/ATE557415T1/de active
- 2005-03-03 EP EP05716895A patent/EP1738392B1/de active Active
- 2005-03-03 US US11/587,227 patent/US7601969B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2005104170A1 (de) | 2005-11-03 |
DE102004019835B4 (de) | 2007-08-02 |
DE102004019835A1 (de) | 2006-03-02 |
US20080035853A1 (en) | 2008-02-14 |
EP1738392B1 (de) | 2012-05-09 |
JP2007534124A (ja) | 2007-11-22 |
US7601969B2 (en) | 2009-10-13 |
EP1738392A1 (de) | 2007-01-03 |
ATE557415T1 (de) | 2012-05-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080226 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110427 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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