JP4527289B2 - オージェ電子の検出を含む粒子光学装置 - Google Patents
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Description
本発明は、光軸を移動する荷電粒子の1次のビームを形成する粒子源と、射される試料のための試料保持台と、試料保持台の近くに1次のビームの焦点を形成する集束装置と、粒子源と集束装置の間に配置される少なくとも2つのウィーンフィルタを含む粒子光学装置に係る。
【0002】
本発明は、更に上記のような粒子光学装置の以下に説明されるような動きの方向によって荷電粒子を分離する方法に係る。
【0003】
このような粒子光学装置は、米国特許第5422486号から公知である。
【0004】
集束1次電子ビームが検査試料を横切って動く装置は、走査電子顕微鏡(SEM)として公知である。SEMでは、検査試料の領域は、一般的に装置の光軸に沿って移動する電子である荷電粒子の集束1次ビームによって走査される。SEMの1次電子ビームのエネルギーは、アプリケーションに依存して広い範囲で異なる。この値は1kV乃至30kVの大きさのオーダーの限界内である場合があるが、この範囲より高い値又は低い値も含まれる。
【0005】
検査試料が照射される間に、(通常は電子である)荷電粒子は試料内に放出される。これらの電子は、例えば1次ビームの10%から実際的に100%の、非常に低い値から1次ビームのエネルギーと同じ大きさのオーダーの値の異なるエネルギーを有する場合がある。低エネルギー放出電子のエネルギーは、1乃至50eVの大きさのオーダーの値を有し、2次電子と呼ばれる。高エネルギー放出電子のエネルギーは、50eVから1次ビームのエネルギー値までの大きさのオーダーの値を有し、後方散乱電子と呼ばれる。約50eV乃至5keVの間のエネルギー値を有するオージェ電子の範囲は、後方散乱電子の漸次的に変化するエネルギースペクトルの範囲内であり、上記スペクトルに重ねられる。後方散乱電子のエネルギースペクトルにおいて、上記のようなオージェ電子は当該のエネルギー範囲において僅かな強度変化をもたらす。この変化は、後方散乱電子の漸次的に変化するバックグラウンドに重ねられるリプルとして考えられる。上記リプルの位置と最大値の大きさは、試料内の材料の特徴である。オージェ電子のエネルギー変化を検出するために、オージェ電子のスペクトルを後方散乱電子のスペクトルから分離可能である特別な公知のオージェ検出器を使用する。
【0006】
放出電子のエネルギー及び/又はエネルギー分布は、試料の特性及び構成に関しての情報を提供する。1次ビームが入射する試料の側から電子は放出され、放出された後に電子は1次電子が入射した方向とは反対の方向に移動する。1次電子とは反対の方向に移動する2次電子の通路に一つ以上のウィーンフィルタが設けられる場合、これらの電子は1次ビームの方向とは反対の方向でこれらのフィルタを通過する。更に、放出電子のエネルギーは1次ビームのエネルギーから偏差する。従って、放出電子は光軸、つまり1次ビームの方向から偏向し、更なる偏向手段によって1次ビームを著しく影響することなくこれらの電子を検出器に導くことが可能になる。上記米国特許による更なる偏向手段は、電子源と集束装置の間で光軸の側面に設けられる電子鏡を含む。エネルギーが選択された試料の画像は、公知の方法によって実現される。電子源から走査点への高品質な映像を得るためには、ウィーンフィルタが1次ビームを著しく妨げないことが必要である。更に、このウィーンフィルタの分散が、試料上に集束される(電子が必然的に所与のエネルギーの拡がりを示す)1次ビームの走査点を拡大させないことが特に必要である。上記特許においては、これは第2のウィーンフィルタが第1のウィーンフィルタによってもたらされた分散を打ち消す二つのウィーンフィルタを使用することによって達成される。
【0007】
公知の粒子光学装置は、2次電子、即ち試料から放出され、エネルギーが約1eV乃至50eVの間である電子によって画像を形成するように配置される。しかし、2次電子のエネルギーより例えば100倍高いエネルギーの、例えばオージェ電子のような異なるエネルギーの放出電子によって画像を形成することもしばしば好適である。このような場合、ウィーンフィルタの電界及び磁界は、比例して強くならなければならない。このようなより大きな強度は必然的に映像に欠点を伴い、集束1次ビームの焦点の大きさに決定的に影響を与え、画像の分解能を低下させる。
【0008】
本発明は、オージェエネルギー範囲を選択することによって空間分解能をひどく低下させることなく試料のオージェ画像を形成する請求項の導入部に記載される粒子光学装置の提供を目的とする。このために、本発明の粒子光学装置は、各ウィーンフィルタに四重極場を発生する手段が設けられ、それらの手段は、各四重極場の少なくとも一部が関連したウィーンフィルタの場と一致するように対応した四重極場の領域に設けられている。
【0009】
従って、好適な分解能が保たれる1次ビームの鋭い焦点が得られる。特にウィーンフィルタによって引き起こされる非点収差が減少される。上記説明される四重極場の状況により、4重極の強度は、ウィーンフィルタの一つ又は両方の場の強度を調節することを同時に必要とすることなく変化する。
【0010】
原則的には、ある種類の四重極場を形成する電子レンズの非点収差を補正するために電子顕微鏡に既に含まれるスティグメータによってウィーンフィルタの映像欠点の好適である補正を実現させようとすることは実行可能である。しかし、これらのスティグメータは、小さな補正をするように設計され、適当に画成される磁極面を有さない。これは当該のスティグメータの場の光軸に対する補正位置が十分に画成されず、ウィーンフィルタと組合せられた補正効果は好適に予測されず、そして更にスティグメータによる印加の変化の際に、画像は光軸から大幅に外れる(画像の「ドリフト」)場合があることを意味する。しかし、より深刻な欠点は、光軸に沿ってのスティグメータの位置がウィーンフィルタの位置からずれることによって、x−z面とy−z面の間に起こる倍率の差である。電子源の映像化によって走査点を形成する際に、この差のために、試料の領域における1次ビームの開口角の比率は容易に2:3に達する。これは、例えば対象の(上記開口角の3乗に比例する)球面収差による画像欠点が、上記x−z面と上記y−z面の比率8:27を示し、従って走査点の回転対称性及び顕微鏡の分解能が著しく妨げられることを意味する。
【0011】
本発明の粒子光学装置の実施例は、電子源と集束装置の間に3つのウィーンフィルタが設けられる。この装置では、(電子源から見て)第1のウィーンフィルタの分散によって引き起こされる角度の拡がりは、次の第2のウィーンフィルタによって打ち消される。しかし、第1のフィルタと第2のフィルタの間に距離の差があるので、1次ビーム内の異なるエネルギーの電子は所与の横方向のシフトの影響を受け、所与の状況では好適な画像分解能は達成できなくなる。上記が好ましくない場合には、第2のウィーンフィルタの背後に第3のウィーンフィルタが配置される。次に第2のウィーンフィルタは僅かに高次にまで印加されて、異なるエネルギーの電子が第3のウィーンフィルタにおいて再び一致する。第3のフィルタの分散効果によって、電子は異なる角度を通過して偏向しても結果として角度変化を示さず、又フィルタから離れる際に結果として横断シフトも起きない。
【0012】
本発明の粒子光学装置の更なる実施例において、四重極場を発生する手段は、光軸と平行に配置され、ウィーンフィルタ内に電界を発生させる電極に対して垂直に延在する2つの付加的な電子によって形成される。
【0013】
静電電極に対して垂直に延在し、光軸と平行に延在する二つの電極は、磁界を発生させる磁極面によって形成され、この面は装置の面以外の部分とは電気的に絶縁される。或いは、磁極面に別個の導電電極を設けることも可能であり、この場合、これらの電極は電気的に絶縁された中間層によって磁極面に固定される。このステップは、例えば共通のゼロレベルに対する純粋な電圧差を電界電極(ゼロボルトに対する+Vと‐V)に供給することに加えて、二つの付加的な電極が共通電圧に接続されるように、当該のウィーンフィルタの電源を調節することにより、本実施例において直ぐに実施することが可能である。このステップを用いることによって、好適な四重極場を発生させるために付加的な物理的手段を必要とせず、更に四重極場の中心はウィーンフィルタの場の中心と常に一致する。この状況において、フィルタによるレンズ欠点の補正は最適化される。
【0014】
本発明の粒子光学装置の更なる実施例には、試料からの荷電粒子を光軸から偏向させる偏向手段が設けられ、偏向手段は電子源と集束装置の間で光軸の側面と接続され、略放射状の偏向電界を発生するように配置される。このステップは偏向システムの比較的単純な構成を可能にし、更に、円筒対称な偏向界のみならず球対称な偏向界も可能となる。これによって、電子ビームが極板に衝突することなく比較的小さな間隔で比較的長い偏向電極が使用できるという利点を提供する。
【0015】
本発明の粒子光学装置の更なる実施例では、偏向磁界を発生させ、偏向磁界と偏向電界を互いに別々に調節する偏向手段が設けられる。このステップはその設定に依存する集束特性を有する柔軟性のある装置をもたらす。従って、試料のオージェ電子を放射する点は検出器の入口面において可能な限り良好に映像化され、オージェ検出器は好適なスペクトル分解能を提供する。
【0016】
本発明は、更に移動の方向によって粒子光学装置の荷電粒子を分離する方法に係り、上記装置では、装置の光軸に沿って移動する荷電粒子の1次ビームが形成され、1次ビームは粒子源と集束装置の間に設けられるウィーンフィルタを通過し、集束装置は照射される試料のための試料保持台の付近に1次ビームの終端の焦点を形成し、荷電粒子は1次ビームに応答して試料から放出され、放出された粒子は1次ビームの移動する方向とは反対の方向に移動し、更に放出された粒子はウィーンフィルタ内の1次ビームから偏向する。
【0017】
本発明の更なる面において、オージェエネルギー範囲を選択することによって空間的分解能を深刻に低下させることのない試料のオージェ画像の好適な形成は一つのウィーンフィルタだけによっても達成される。これは粒子光学装置の扱いやすさという利点をもたらす。
【0018】
上記目的を達成するために、本発明の上記方法は、ウィーンフィルタの略中心に1次ビームの中間焦点が形成され、ウィーンフィルタの領域で四重極場が発生され、少なくともその一部がウィーンフィルタの場と一致することを特徴とする。
【0019】
ウィーンフィルタが1次ビームに与える効果は、公称エネルギー(即ちフィルタによって結果としての偏向が引き起こされないエネルギー)以外のエネルギーを有する1次ビーム内の光線がフィルタによって偏向されることである。この偏向された光線は、フィルタの出口から見ると、フィルタの中心の一点から略放射するように見え、この点はフィルタに続く映像素子の虚対象点、つまり試料にビームを集束する対物レンズとなる。1次ビームの中間焦点が上記虚対象点上に位置する場合、光軸について上記対象点から放射された光線によって付けられる角度に関係なく、対物レンズは上記対象点から放射される全ての光線を再び関連の画像点で一体化させる。従って、フィルタのエネルギー分散による上記対象点における任意の角度変化は、画像点においての変化、及び試料上に形成される1次ビームの電子焦点の大きさの変化も引き起こさない。従って、中間焦点の位置を以上のように選択することにより、電子焦点は上記中間焦点の分散のない画像を構成する。更に、中間焦点の位置を選択することは、明らかに第1のフィルタ内で分散が引き起こされないので第2、第3のウィーンフィルタを用いる必要がなく、従って補正のためのウィーンフィルタも必要としないという利点を提供する。
【0020】
本発明の上記方法の有利な実施例は従属請求項に定義される。
【0021】
本発明は、対応する符号は対応する構成要素を示す図を参照して以下に詳細に説明される。
【0022】
図1は、走査電子顕微鏡(SEM)の円柱2の一部の形状である粒子光学装置を示す。慣行として、この装置において電子のビーム(1次ビーム)は電子源(図示しない)によって形成される。このビームは装置の光軸4に沿って移動する。電子ビームは集光レンズ6のような一つ以上の電磁レンズを通過する場合があり、最終的に対物レンズ8に到達する。単極レンズと呼ばれるこのレンズは、試料室12の壁10を含む磁気回路の一部を形成する。対物レンズ8は、試料14を走査するために、1次電子ビームによって焦点を形成するために使用される。試料は、電子ビームを対物レンズ8内に設けられる走査コイル16によって、試料をx方向及びy方向に横断して動かすことによって走査される。試料14は、x方向への移動のためのキャリア20とy方向への移動のためのキャリア22とを含む試料保持台18上に置かれる。上記二つのキャリアは、検査のための試料の好適な領域を選択可能にする。従って対物レンズ8は、試料保持台18の付近に1次ビームの焦点を実現するための集束装置として機能する。本実施例の顕微鏡では、映像は、電子が試料に接触して脱離し、対物レンズ8の方向に移動することによって実現される。対物レンズが単極レンズとして構成されるので、放出電子は対物レンズの磁界を移動し、電子が対物レンズのボアに入る対物レンズの鋭い下向きの尖端の方向に動く。次に電子は、これから説明するウィーンフィルタ28内で1次ビームから分離され、その後放出電子は光軸4から、これから説明する偏向手段26によって検出器24の方向に偏向される。集束装置として機能する偏向手段26は電子源と対物レンズ8の間で光軸4の片側に配置される。制御装置(図示しない)は、検出器に接続されて検出器を起動させ、検出された電子の流れを、例えばブラウン管(図示しない)によって試料のエネルギーが選択された画像を形成するために使用できる信号に変換する。
【0023】
図2a、図2b及び図2cは一つ以上のウィーンフィルタの1次ビームへの効果を示す。公知のように、ウィーンフィルタの電子ビームへの効果は、フィルタの環境に関連付けられたエネルギー(公称エネルギー)の電子路はフィルタによって偏向されず、一方で公称エネルギーよりも高いエネルギーの電子路は一つの方向に偏向され、公称エネルギーよりも低いエネルギーの電子路は他の方向に偏向される事である。この効果は、1次電子ビーム30が光軸4に沿って略式に示されるウィーンフィルタ32に入射する図2aに示される。電子ビーム30は、3つの異なるエネルギーの電子、即ち公称エネルギーEn、低いエネルギーEl及び高いエネルギーEhから成ることが考えられる。ウィーンフィルタに隣接する矢印は、ウィーンフィルタ32内の(図面に対して垂直になる)磁界Bと(図面上の)電界Eの方向を示す。ウィーンフィルタ32を通過した後、1次ビームは低いエネルギーのサブビーム30a、公称エネルギーのサブビーム30b及び高いエネルギーのサブビーム30cに分離される。
【0024】
図2bでは、フィルタ32に第2のウィーンフィルタ34が追加される。フィルタ32の電界E及び磁界Bは、図2aに示されるフィルタ32の対応する電界及び磁界と対向し、フィルタ34の電界及び磁界はフィルタ32と同等の大きさであるがフィルタ32の電界及び磁界と対向する。結果として、サブビーム30a、30b及び30cは、ビーム30が入射した元の方向と平行に再び放射するように、即ちビーム30d、30e及び30fとしてフィルタ34によって偏向される。
【0025】
図2cでは、フィルタ32及び34に、第3のウィーンフィルタ36が追加される。フィルタ32の電界E及び磁界Bは図2a中に示されるフィルタ32の対応する電界及び磁界と同じ方向を有するが、フィルタ34の電界及び磁界の方向はフィルタ32の電界及び磁界の方向と対向する。図2cでは、図2bと比較して僅かに強い電界及び磁界が、フィルタ34に対して調節される。結果として、サブビーム30a、30b及び30cは、フィルタ34によってフィルタ36の中心に向かうようにサブビーム30d、30e及び30fとして偏向される。後者のフィルタにおいて、サブビームはフィルタ34では対向する偏向に影響を受けやすく、一体化されたサブビームは、再び一つのビームとしてフィルタ36から放射される。
【0026】
図3は、光軸に沿って移動しウィーンフィルタ36に入射する、集束する電子ビーム30の進路を示す。このビームは、ビームのユニオン点(中間焦点)40がフィルタの中間に位置するように集束が選択される。公称エネルギーからずれたエネルギーを有する1次ビームの電子はフィルタによって偏向され、サブビーム30cとしてフィルタから離れる。フィルタの出口から見ると、このサブビームは中間焦点40から放射するように見え、従ってこの焦点が、フィルタに続いて試料上にビームを集束する対物レンズ8の対象点となる。結果として、上記中間焦点から放射された全ての光線は、中間焦点から放射する光線によって付けられる角度に関係なく、対物レンズによって関連の画像点38において一体化する。従って、フィルタの偏向効果による中間焦点における任意の角度変化は、画像点の位置を変えず、1次ビームによって試料上に形成される電子焦点の大きさも変化しない。中間焦点の位置を以上のように選択することにより、電子焦点は、上記中間焦点の分散のない画像を構成する。
【0027】
図4は、ウィーンフィルタ32、34及び36と対物レンズ8を有するシステム28を通過する1次電子路30の進路を示す。この図は、更に試料から放出され、対物レンズ8、システム28の低いウィーンフィルタ36及び偏向手段26を続けて横断する電子路42も示す。
【0028】
図2cにおいて既に説明するように、1次電子ビーム30全体はシステム28内のウィーンフィルタによる影響を受けない。対物レンズ8によって集束される1次ビーム30が試料14上に入射することによって、試料内に50eV乃至5eVの大きさのオーダーであるオージェ電子を特に含む様々なエネルギーが放出される。これらのオージェ電子は、特に対物レンズが界浸レンズ、即ちレンズの磁界に試料が位置するレンズとして構成される場合に、対物レンズの方向に移動することが可能である。この場合、略全てのオージェ電子が、対物レンズ8(図4には示さない)のボアを介して、1次ビームが移動する方向とは反対の方向、即ち低いウィーンフィルタ36の方向で移動する。オージェ電子は1次ビームとは反対の方向に移動し、更に一般的に1次ビームのエネルギーよりも低いエネルギーを有するので、フィルタの偏向しない路のウィーン条件を満たさず、ウィーンフィルタ36はこれらの電子を、それらのエネルギーに依存して路42に沿って光軸から幾分離れて偏向する。オージェ電極が上記のように1次ビーム30から空間的に分離される後に、偏向手段26によってオージェ検出器(図示しない)の方向に更に伝導される。
【0029】
偏向手段26は、電界を発生させるための電極44及び46と、磁界を発生させるための磁極48及び50からなる。電極44及び46は図平面に対して垂直に延在する。電極は略円筒状の形状を有し、図平面との交差は円となる。偏向手段26は、略放射状の偏向電界を発生させるように配置される。磁極48及び50の磁極面は図平面と平行に延在し、偏向手段26の磁界が図平面に対して略垂直に延在する。偏向電界と偏向磁界は互いに別々に調節可能であることが好適であり、各界の強さを選択することは、好適な偏向の方向のためのオージェ電子からの好適なエネルギー範囲が選択可能となる。
【0030】
図5aは、x−z面及びそこに垂直に延在するy−z面についてウィーンフィルタと本発明のウィーンフィルタ装置28に使用される四重極場を発生させる手段を組合わせたもの部分的な断面を示す。ウィーンフィルタは、均一な磁界を形成するためにニッケル鉄から成る二つの磁極片52(図5aでは一つのみ示す)を有する。各磁極片にコイル54が設けられる。コイル54と磁極片52によって発生される磁界は、ニッケル鉄の磁気回路56によって伝導される。この回路は円筒状の形状を有し、その軸は光軸4と一致する。二つの電極58(図5aでは一つのみ示す)は磁極52の間に、電極58の磁極面が磁極片52の磁極面に対して垂直に延在するように設けられる。上記の全ての磁極面は、光軸4と平行に延在する。電極58は、絶縁体57によってウィーンフィルタの他の金属部から電気的に絶縁される。
【0031】
ウィーンフィルタの上部のみならず底部に、中心ボアが設けられた円状板の形状の導体(上部の導体60、低部の導体61)が設けられる。これらの板60及び61はニッケル鉄から形成されるので、ウィーンフィルタの電界のみならず磁界を絶つ。
【0032】
電極58は、上部と底部に丸みがつけられた部分を有する。結果としてウィーンフィルタの電界と磁界の変化は、その端においても高い程度で一致するので、公称エネルギーの電子が偏向しないウィーン条件は場の端でも満たされる。
【0033】
図5bは、ウィーンフィルタの図5a中の線A−Aについての部分的断面の詳細を示す。電極58の磁極面が磁極片52の磁極面と垂直に延在するように、電極58は二つの磁極52の間に設けられる。各電極58の中心には、光軸と平行に延在するV型の溝が設けられる。このような溝が電界の均一性を高める。磁極片52の各磁極面に、電気を絶縁する材料からなる基盤層62及び64をそれぞれ介して電極66及び68が設けられる。上記の二つの各電極は、それ自体の電圧が供給される。好適な静電気四重極場は、これらの電圧を好適に選択することによって発生される。ウィーンフィルタ効果のために好適な均一な電界は、電極58に所与の電位差を与え、電極66及び68を電位ゼロに維持することによって形成される。ゼロ以外の等しい電位を二つの電極66及び68に与えることができる。このゼロ以外の電位の効果は、ウィーンフィルタがウィーンフィルタ効果の他に静電気レンズ及び四重極場の効果を示すことである。若し必要であるならば、上記の(弱い)レンズ効果は、対物レンズの強度を僅かに適合することによって直ぐに補償される。
【0034】
絶縁体62及び64と電極66及び68を完全に省き、代わりに好適な電位を磁極片52に適応することも可能である。その場合、磁極片はそれがある環境から電気的に絶縁されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の粒子光学装置の当該部分を示す略図である。
【図2a】 本発明の電子顕微鏡で使用される一つ以上のウィーンフィルタを通る電子路の進路を示す図である。
【図2b】 本発明の電子顕微鏡で使用される一つ以上のウィーンフィルタを通る電子路の進路を示す図である。
【図2c】 本発明の電子顕微鏡で使用される一つ以上のウィーンフィルタを通る電子路の進路を示す図である。
【図3】 本発明のウィーンフィルタの中間焦点を用いる際のウィーンフィルタ内の幾つかの電子路の進路と対物レンズを示す図である。
【図4】 1次電子とウィーンフィルタ装置の試料から放出電子路と対物レンズを示す図である。
【図5a】 ウィーンフィルタと本発明の四重極場を発生させる手段から成る組合わせたもののx−z面及びそこに垂直に延在するy−z面について部分的な断面図である。
【図5b】 本発明の補正装置を示す、図5a中の線A−Aについてのより詳細な(部分的な)断面図である。
Claims (8)
- 光軸に沿って移動する荷電粒子の1次ビームを形成する粒子源と、
照射される試料のための試料保持台と、
上記試料保持台の付近に上記1次ビームの焦点を形成する集束装置と、
上記粒子源と上記集束装置の間に設けられる少なくとも二つのウィーンフィルタとを含む粒子光学装置であって、
各ウィーンフィルタには四重極場を発生させる手段が設けられ、
上記ウィーンフィルタの各々の領域に上記手段が設けられることにより、上記四重極場の各々の少なくとも一部が、上記手段が設けられたウィーンフィルタの場と一致する、
ことを特徴とする粒子光学装置。 - 上記粒子源と上記集束装置の間に3つのウィーンフィルタが設けられる請求項1記載の粒子光学装置。
- 上記四重極場を発生させる手段は、上記光軸に平行に設けられ、ウィーンフィルタ内に電界を発生させる電極に対して垂直に延在する二つの付加的な電極によって形成される請求項1又は2記載の粒子光学装置。
- 上記試料からの荷電粒子を、上記光軸から遠ざけるよう偏向させる偏向手段が設けられ、上記偏向手段は上記電子源と上記集束装置の間で上記光軸の片側に接続され、略放射状の偏向電界を発生させるように配置される請求項1乃至3のうちいずれか一項記載の粒子光学装置。
- 上記偏向手段は偏向磁界を発生させ、偏向磁界と偏向電界を互いに別々に調節するように配置される請求項4記載の粒子光学装置。
- 光軸軸に沿って移動する荷電粒子の1次ビームが形成され、
上記1次ビームは粒子源と集束装置の間に設けられるウィーンフィルタを通過し、
上記集束装置は照射される試料のための試料保持台の付近に上記1次ビームの終端の焦点を形成し、
上記荷電粒子は上記1次ビームの入射に応答して上記試料から放出され、上記1次ビームの移動する方向とは反対の方向に移動し、
上記放出された粒子は上記ウィーンフィルタ内で上記1次ビームから遠ざかるように偏向される、粒子光学装置における荷電粒子を移動の方向によって分離させる方法であって、
上記ウィーンフィルタの略中心に上記1次ビームの中間焦点が形成され、
四重極場が発生される上記ウィーンフィルタの領域において、上記四重極場の少なくとも一部が上記ウィーンフィルタの場と一致することを特徴とする方法。 - 上記粒子源と上記集束装置の間で上記光軸の片側に設けられる偏向手段によって上記放出された粒子は上記光軸から遠ざかるよう偏向され、上記偏向手段内における偏向は略放射状の偏向電界の影響下で行なわれる請求項6記載の方法。
- 上記1次ビームから放出された上記粒子の偏向は更に偏向磁界によっても実現され、上記偏向磁界と上記偏向電界が互いに別々に調節可能である請求項7記載の方法。
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