JPS5983336A - 荷電粒子線集束偏向装置 - Google Patents
荷電粒子線集束偏向装置Info
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- JPS5983336A JPS5983336A JP19307782A JP19307782A JPS5983336A JP S5983336 A JPS5983336 A JP S5983336A JP 19307782 A JP19307782 A JP 19307782A JP 19307782 A JP19307782 A JP 19307782A JP S5983336 A JPS5983336 A JP S5983336A
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- deflector
- charged particle
- particle beam
- electromagnetic lens
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は荷電粒子線を大きい角度偏向さけても、偏向に
伴なう収差の影響を極めて少くし得る荷電粒子線集束偏
向装置に関づる。
伴なう収差の影響を極めて少くし得る荷電粒子線集束偏
向装置に関づる。
電子あるいはイオンビーム描画装置に８３いて、荷電粒
子線の偏向範囲を拡大−づることは、荷電粒子線の偏向
に比べて著しく時間を要り゛る被描画材１’３＋の移動
の回数を減少させることができるため、スルーブッ１へ
を向上させる意味において最も重要な要因となる。しか
しながら、偏向範囲を拡大するに什なっで、電子線の材
料への斜め入射の問題が無視できなくなると共に、各種
の収差が大きくなり、微細な図形の高精度の描画が困難
となる。
子線の偏向範囲を拡大−づることは、荷電粒子線の偏向
に比べて著しく時間を要り゛る被描画材１’３＋の移動
の回数を減少させることができるため、スルーブッ１へ
を向上させる意味において最も重要な要因となる。しか
しながら、偏向範囲を拡大するに什なっで、電子線の材
料への斜め入射の問題が無視できなくなると共に、各種
の収差が大きくなり、微細な図形の高精度の描画が困難
となる。
特開昭５／１１３２９６２号に開示された発明では、様
な軸上分布を右する回転対称磁界内に少くとも３段の静
電偏向電極を配置し、該各電極の位置。
な軸上分布を右する回転対称磁界内に少くとも３段の静
電偏向電極を配置し、該各電極の位置。
幅、内径、印加電圧等のパラメータを荷電粒子線の斜め
入射と各収差を減少ゼしめるように選択しくいる。この
発明によって、理論上は荷電粒子線の斜め入射の影響を
無くし、色収差、コマ収差等を実用−に無視でさる程度
まで減少させることができるが、実際上は、偏向器の数
が多く構成が複雑（あると具に、現状では次のような欠
点を有していることが判明した。すなわち、装置製作時
におい−（、偏向電極の工作９組立が必ずしもこの発明
ｒ要求される精度で行うことができないため、組立後に
ｄ３いて偏向器の大きさ、内径１位置等に誤差が生じる
。この誤差の補正を行うため、該誤差に応じて他のパラ
メータ、例えば、各偏向器への印加電圧、磁場の強さ等
の再調整を行わねばならないが、この再調整によって該
電圧、磁場の強さの最適値を見出すことは誤差が生じた
パラメータ（３つ以上の偏向器夫々の位置、大きさ、内
径）の数が多いために極めて困難である。更に、この発
明においては、非線形的収差、すなわち、偏向非点収差
及び偏向湾曲収差の補正は偏向角度に応じた補正電圧を
各偏向器に供給する所謂動的補正によって行っているた
め、該補正電圧を作成する制御回路が複雑且つ高価とな
る。更に又、当然のことながら上述した一部のパラメー
タには製造上の誤差があるため、該動的補正電圧も予め
求めた理論的な値から変化させねばならないが、該補正
電圧は偏向角度に応じて各偏向器毎にｎｌ算によって求
められているもので、このような微細な角度毎に各偏向
器用に求められている補正電圧全てに対して該誤差を除
去するための補止を加えることは、はとんど不可能に近
い。
入射と各収差を減少ゼしめるように選択しくいる。この
発明によって、理論上は荷電粒子線の斜め入射の影響を
無くし、色収差、コマ収差等を実用−に無視でさる程度
まで減少させることができるが、実際上は、偏向器の数
が多く構成が複雑（あると具に、現状では次のような欠
点を有していることが判明した。すなわち、装置製作時
におい−（、偏向電極の工作９組立が必ずしもこの発明
ｒ要求される精度で行うことができないため、組立後に
ｄ３いて偏向器の大きさ、内径１位置等に誤差が生じる
。この誤差の補正を行うため、該誤差に応じて他のパラ
メータ、例えば、各偏向器への印加電圧、磁場の強さ等
の再調整を行わねばならないが、この再調整によって該
電圧、磁場の強さの最適値を見出すことは誤差が生じた
パラメータ（３つ以上の偏向器夫々の位置、大きさ、内
径）の数が多いために極めて困難である。更に、この発
明においては、非線形的収差、すなわち、偏向非点収差
及び偏向湾曲収差の補正は偏向角度に応じた補正電圧を
各偏向器に供給する所謂動的補正によって行っているた
め、該補正電圧を作成する制御回路が複雑且つ高価とな
る。更に又、当然のことながら上述した一部のパラメー
タには製造上の誤差があるため、該動的補正電圧も予め
求めた理論的な値から変化させねばならないが、該補正
電圧は偏向角度に応じて各偏向器毎にｎｌ算によって求
められているもので、このような微細な角度毎に各偏向
器用に求められている補正電圧全てに対して該誤差を除
去するための補止を加えることは、はとんど不可能に近
い。
本発明は上）ホした点に鑑みてなされたもので、荷電粒
子線を大きな角度偏向させても収差を極めて少くし得る
構造が簡単で且つ動的補正の必要がない荷電粒子線集束
偏向装置を提供する。
子線を大きな角度偏向させても収差を極めて少くし得る
構造が簡単で且つ動的補正の必要がない荷電粒子線集束
偏向装置を提供する。
本発明者は集束偏向系の収差の大きさと、偏向器の大き
さ１位置、印加電圧等のパラメータとの関係を大型電子
８１算機を使用して詳細に調べた結果、ある電磁レンズ
系内に第１と第２の偏向器を配置し、偏向色収差、偏向
コマ収差あるいは垂直入射誤差のうちいずれかが零どな
るように、これらの偏向器への印加電圧の比と偏向方向
のなり角度を固定して偏向電圧を供給ずれば、荷電粒子
線が照ｑ・１される面上での偏向収差の合計が実用上問
題とならない範囲にまで減少できることを見出し、本発
明を完成り゛るにに至った。
さ１位置、印加電圧等のパラメータとの関係を大型電子
８１算機を使用して詳細に調べた結果、ある電磁レンズ
系内に第１と第２の偏向器を配置し、偏向色収差、偏向
コマ収差あるいは垂直入射誤差のうちいずれかが零どな
るように、これらの偏向器への印加電圧の比と偏向方向
のなり角度を固定して偏向電圧を供給ずれば、荷電粒子
線が照ｑ・１される面上での偏向収差の合計が実用上問
題とならない範囲にまで減少できることを見出し、本発
明を完成り゛るにに至った。
本発明に桔づく荷電粒子線集束偏向装置は、荷電粒子線
を所望の面に集束するための縮小電磁レンズと該縮小電
磁レンズの後段に配置された投影電磁レンズと、該縮小
電磁レンズの像面近傍であり該投影電磁レンズの物面近
傍に配置された第１の静電偏向器と、該投影電磁レンズ
が形成する磁場因に配置された第２の静電偏向器と、該
第１と第２の偏向器にＪ、って該荷電粒子線を偏向さけ
、該所望の面上の荷電粒子線の照射位置を変化させるた
めに該第１と第２の偏向器に偏向電圧を供給Ｊるための
回路とを備え、該第１の偏向器と第２の偏向器に供給さ
れる電圧の比ど、該第１の偏向器による荷電粒子線の偏
向方向と第２の偏向器による荷電粒子線の偏向方向との
なす角度が、該所望の面上での荷電粒子線の偏向色収差
、偏向コマ収差あるいは垂直入射誤差のいずれかが零と
なるＪ：うに選択されている。
を所望の面に集束するための縮小電磁レンズと該縮小電
磁レンズの後段に配置された投影電磁レンズと、該縮小
電磁レンズの像面近傍であり該投影電磁レンズの物面近
傍に配置された第１の静電偏向器と、該投影電磁レンズ
が形成する磁場因に配置された第２の静電偏向器と、該
第１と第２の偏向器にＪ、って該荷電粒子線を偏向さけ
、該所望の面上の荷電粒子線の照射位置を変化させるた
めに該第１と第２の偏向器に偏向電圧を供給Ｊるための
回路とを備え、該第１の偏向器と第２の偏向器に供給さ
れる電圧の比ど、該第１の偏向器による荷電粒子線の偏
向方向と第２の偏向器による荷電粒子線の偏向方向との
なす角度が、該所望の面上での荷電粒子線の偏向色収差
、偏向コマ収差あるいは垂直入射誤差のいずれかが零と
なるＪ：うに選択されている。
以下本発明の一実施例を添付図面に基づき詳ｊホする。
第１図は本発明に基づく電子ビーム集束偏向装置を示し
ており、第２図は該第１図の装置に使用されている電磁
レンズ系の軸上磁場分布を示している。図中１はヨーク
２と励磁コイル３ｊ、りなる短焦点の縮小電磁レンズで
あり、４はヨーク５ど４つの励磁コイル６ａ、６ｂ、６
ｃ、６ｄよりなる投影電磁レンズである。該縮小電磁レ
ンズ１には強い励磁電流が流され、第２図のＭｌで示す
分布のｒ４１揚が形成される。該投影電磁レンズ４のヨ
ーク５は４つのｌ、ｉｔ １４ｉ間ギャップが形成され
るように形づくられ−（’ Ｊ５す、夫々のギャップに
対応して励（６二１イル６ａ〜６ｄが設【〕られている
。該励磁：Ｊイル５ａ〜６ｄには別々に励磁電流が供給
され（おり、函励）４１電流を適切に調整りることによ
つ（第２図の分布Ｍ４の如くある範囲内において所望な
磁場分イ５、例えば、略一様な磁場分布を１ｑることが
できる。尚、該ギャップ及び励磁コイルの数をより多く
し、夫々の励磁電流を調整づれば、Ｊ、り所望とりる磁
場分布を得ることができる。該両電罎レンズは該縮小電
磁レンズ１の像面位置と該投影電磁レンズ４の物面位置
とが略一致するように配置され（いる。該縮小電磁レン
ズ１の像面（Ｏ置、づなわ１）、該投影電磁レンズ４の
物面位置近傍には第１の静電偏向器７が配置され、又、
該投影電長長レンズ４の形成する磁場の中には第２の静
電偏向器８３が配置されている。該両偏向器は第１図で
は２枚の偏向板の如く示されているが、実際には第３図
に承り如く、光＠Ｚの回りに等間隔で配置された８つの
電極「１〜「８に」；ってｌｆ６成されている。該各偏
向器を構成する電極の数は例えば、４本でも良いが、電
子ビームを正確に定められた方向に偏向するためには、
８極あるいは１２極等の多極である方が望ましい。該両
電磁レンズ１，４によって電子ビームは被描画材料の如
き材料９上に集束されると共に、該第１と第２の偏向器
７，８に供給される偏向電圧に応じて該電子ビームは偏
向され、該材料９上での電子ビームの照射位置は変化さ
せられる。尚、該第１と第２の偏向器の間には第３の偏
向器１０が配置されているが、該第３の偏向器１０は第
１と第２の偏向器（こｊ；って人ぎく偏向された電子ビ
ームを微小な領域内で偏向するために使用される。１１
は電子計算（幾であり、該電子計算ｆＸ１１１からは大
偏向信号と小偏向信号が発生され、該大偏向信号はＤＡ
変換器１２を介して該第１の偏向器７に供給されると共
に、偏向信号調整回路１３及びＤＡ変換器１４を介して
該第２の偏向器８に供給されてｄ３す、該小偏向信号は
ＤＡ変換器１５を介して第３の偏向器に供給されている
。
ており、第２図は該第１図の装置に使用されている電磁
レンズ系の軸上磁場分布を示している。図中１はヨーク
２と励磁コイル３ｊ、りなる短焦点の縮小電磁レンズで
あり、４はヨーク５ど４つの励磁コイル６ａ、６ｂ、６
ｃ、６ｄよりなる投影電磁レンズである。該縮小電磁レ
ンズ１には強い励磁電流が流され、第２図のＭｌで示す
分布のｒ４１揚が形成される。該投影電磁レンズ４のヨ
ーク５は４つのｌ、ｉｔ １４ｉ間ギャップが形成され
るように形づくられ−（’ Ｊ５す、夫々のギャップに
対応して励（６二１イル６ａ〜６ｄが設【〕られている
。該励磁：Ｊイル５ａ〜６ｄには別々に励磁電流が供給
され（おり、函励）４１電流を適切に調整りることによ
つ（第２図の分布Ｍ４の如くある範囲内において所望な
磁場分イ５、例えば、略一様な磁場分布を１ｑることが
できる。尚、該ギャップ及び励磁コイルの数をより多く
し、夫々の励磁電流を調整づれば、Ｊ、り所望とりる磁
場分布を得ることができる。該両電罎レンズは該縮小電
磁レンズ１の像面位置と該投影電磁レンズ４の物面位置
とが略一致するように配置され（いる。該縮小電磁レン
ズ１の像面（Ｏ置、づなわ１）、該投影電磁レンズ４の
物面位置近傍には第１の静電偏向器７が配置され、又、
該投影電長長レンズ４の形成する磁場の中には第２の静
電偏向器８３が配置されている。該両偏向器は第１図で
は２枚の偏向板の如く示されているが、実際には第３図
に承り如く、光＠Ｚの回りに等間隔で配置された８つの
電極「１〜「８に」；ってｌｆ６成されている。該各偏
向器を構成する電極の数は例えば、４本でも良いが、電
子ビームを正確に定められた方向に偏向するためには、
８極あるいは１２極等の多極である方が望ましい。該両
電磁レンズ１，４によって電子ビームは被描画材料の如
き材料９上に集束されると共に、該第１と第２の偏向器
７，８に供給される偏向電圧に応じて該電子ビームは偏
向され、該材料９上での電子ビームの照射位置は変化さ
せられる。尚、該第１と第２の偏向器の間には第３の偏
向器１０が配置されているが、該第３の偏向器１０は第
１と第２の偏向器（こｊ；って人ぎく偏向された電子ビ
ームを微小な領域内で偏向するために使用される。１１
は電子計算（幾であり、該電子計算ｆＸ１１１からは大
偏向信号と小偏向信号が発生され、該大偏向信号はＤＡ
変換器１２を介して該第１の偏向器７に供給されると共
に、偏向信号調整回路１３及びＤＡ変換器１４を介して
該第２の偏向器８に供給されてｄ３す、該小偏向信号は
ＤＡ変換器１５を介して第３の偏向器に供給されている
。
さて、本発明者は上述した構成において各偏向器を動作
させない時の電子ビームの軌道Δｌと第１と第２０）偏
向；（１：を動作さけた時の軌道ＣＩを用い、偏向にｆ
′４”、’；う各収差の８１算を電子計樟機を使用しで
ｉｉつだ。そ（〕て、第１の偏向器７に印加される偏向
電圧と第２の偏向器８に印加される偏向電圧の杜をある
値に固定覆ると共に、該第１の偏向器７にＪ、る偏向方
向と第２の偏向器８による偏向方向どのなり角磨く相対
偏向角）をある値に固定した場合に、偏向電圧値を変化
させても、偏向色１１ｖ、差、偏向］７１１Ｖ、差ある
いは材料に対する電子じ一ムの垂直入射誤差のいずれか
１つが零となることをＭｒ ’ＦｒｌしＩＣｏ尚、第１
図の電磁レンズ系に入用した電子ビームは該電磁レンズ
によって集束されると共に、偏向作用、回転作用も受番
プる。その結果、第４図に示Ｊ矢印りに示す方向に電子
ビームを偏向りるためには、該第１の偏向器によって矢
印１〕１に示り方向に偏向し、該第２の偏向器８にＪ、
つ（矢印１） ４の方向に偏向しな（プればならない。
させない時の電子ビームの軌道Δｌと第１と第２０）偏
向；（１：を動作さけた時の軌道ＣＩを用い、偏向にｆ
′４”、’；う各収差の８１算を電子計樟機を使用しで
ｉｉつだ。そ（〕て、第１の偏向器７に印加される偏向
電圧と第２の偏向器８に印加される偏向電圧の杜をある
値に固定覆ると共に、該第１の偏向器７にＪ、る偏向方
向と第２の偏向器８による偏向方向どのなり角磨く相対
偏向角）をある値に固定した場合に、偏向電圧値を変化
させても、偏向色１１ｖ、差、偏向］７１１Ｖ、差ある
いは材料に対する電子じ一ムの垂直入射誤差のいずれか
１つが零となることをＭｒ ’ＦｒｌしＩＣｏ尚、第１
図の電磁レンズ系に入用した電子ビームは該電磁レンズ
によって集束されると共に、偏向作用、回転作用も受番
プる。その結果、第４図に示Ｊ矢印りに示す方向に電子
ビームを偏向りるためには、該第１の偏向器によって矢
印１〕１に示り方向に偏向し、該第２の偏向器８にＪ、
つ（矢印１） ４の方向に偏向しな（プればならない。
該矢印Ｄ１の方向と矢印Ｄ４の方向とのな１゛角度θが
上述した相対偏向角である。更に、本発明者は偏向色収
差、偏向コマ収差あるいは垂直入射誤差のいずれかが零
どなるような偏向電圧比及び該角度θにおいて、第１と
第２の偏向器の中心位置及び該偏向器を構成する電極の
長さを任意パラメータどして変化させ、電子計算例によ
るシミュレーションを行ったところ、該任意パラメータ
がある値の時に、除去し１りない他の偏向収差あるいは
垂直入射誤差σ） ｌ−一タルが極めて小さくなること
を見出した。尚、この最適な任意パラメータの値は電磁
レンズによる磁場の強さ、８向器に印加される電圧の比
、相対偏向角に応じて変化り゛る。
上述した相対偏向角である。更に、本発明者は偏向色収
差、偏向コマ収差あるいは垂直入射誤差のいずれかが零
どなるような偏向電圧比及び該角度θにおいて、第１と
第２の偏向器の中心位置及び該偏向器を構成する電極の
長さを任意パラメータどして変化させ、電子計算例によ
るシミュレーションを行ったところ、該任意パラメータ
がある値の時に、除去し１りない他の偏向収差あるいは
垂直入射誤差σ） ｌ−一タルが極めて小さくなること
を見出した。尚、この最適な任意パラメータの値は電磁
レンズによる磁場の強さ、８向器に印加される電圧の比
、相対偏向角に応じて変化り゛る。
ここで、上記シミュレーションの一例を第１表に示ず。
法衣において、Ａ、Ｂ、Ｃは夫々偏向コマ収差、偏向色
収差及び垂直入射誤差を零とした場合のシミュレーショ
ン結果である。法衣にＪ３いて、垂直入射誤差の単位が
ラジアンである以外は各収差の単位はｐＨである。又、
該表中の総合収差には歪収差が含まれていないが、これ
は、歪収差か、偏向電圧に応じて必要な補正電圧を該偏
向電圧にΦ畳りるようにした、既に一般的となっている
技術を使用して独立に除去することができるノζめであ
る。
収差及び垂直入射誤差を零とした場合のシミュレーショ
ン結果である。法衣にＪ３いて、垂直入射誤差の単位が
ラジアンである以外は各収差の単位はｐＨである。又、
該表中の総合収差には歪収差が含まれていないが、これ
は、歪収差か、偏向電圧に応じて必要な補正電圧を該偏
向電圧にΦ畳りるようにした、既に一般的となっている
技術を使用して独立に除去することができるノζめであ
る。
第１表
尚、上記シミコレ−ジョンは、電子線の加速型ｊ−１が
２０ｋＶ、電子線エネルギーの広がりが２０Ｖ、４．ｆ
ｌ斜面面上Ｊ３ Ｃｊる電子線の聞き角が５×１０−３
ラジアン、電磁レンズ系の物面上の電子ビームの形状は
一辺が１０ ＋ｒＷの正方形１月利面上の偏向領域が１
０ｍｎ＋の正方形の条件で行われており、各収差の値は
、該偏向領域のコーナーにおける値である。
２０ｋＶ、電子線エネルギーの広がりが２０Ｖ、４．ｆ
ｌ斜面面上Ｊ３ Ｃｊる電子線の聞き角が５×１０−３
ラジアン、電磁レンズ系の物面上の電子ビームの形状は
一辺が１０ ＋ｒＷの正方形１月利面上の偏向領域が１
０ｍｎ＋の正方形の条件で行われており、各収差の値は
、該偏向領域のコーナーにおける値である。
上記した第１表より明らかな如く、Ａ、Ｂ、Ｃのいずれ
の場合も全収差の和を極めて小さくすることができる。
の場合も全収差の和を極めて小さくすることができる。
特に、偏向色収差を零とり−るような電圧比と相対偏向
角の第１と第２の偏向器を使用Ｊ゛れば、総合収差の値
は０．１７５ｐｍと著しく小さく出来、ｉＱｎ＋ｎ＋角
の大偏向領域においても、月利の移動を伴な４つずに１
ノブミクロンの精度で描画を行うことが可能となる。尚
、偏向色収差を零とする電磁レンズ系及び静電偏向系の
一例は、次のとおりである。
角の第１と第２の偏向器を使用Ｊ゛れば、総合収差の値
は０．１７５ｐｍと著しく小さく出来、ｉＱｎ＋ｎ＋角
の大偏向領域においても、月利の移動を伴な４つずに１
ノブミクロンの精度で描画を行うことが可能となる。尚
、偏向色収差を零とする電磁レンズ系及び静電偏向系の
一例は、次のとおりである。
物面と祠斜面の間の距離・・・・・・・・・３００ｍｍ
縮小電磁レンズの縮小比・・・・・・・・・１／３第１
の偏向器の電極長・・・・・・・・・・・・３０ｍｍ第
２の偏向器の電極長・・・・・・・・・・・・９Ｑｎ＋
ｍ両偏向器間の相対的回転角・・・・・・２８゜両偏向
器に印加する電圧の比・・・１：２ここで、第１図に示
した実施例において、偏向伝号調整回路１３は、該第１
の偏向器７に印加される電圧値に３・１して第２の偏向
器８に印加される電圧値が常に２４８となるように、又
、該第２の偏向器と第１の偏向器との相対回転角が２８
°となるＪ、うに調整されている。この状態Ｃ電子削粋
礪１１から描画Ｊべぎパターンに応じた大偏向信号と小
偏向信号を各偏向器に供給覆れば、拐料上には収差の極
めて小さな電子ビームが投射され、微細なパターンが高
精度で描画される。尚、第３の偏向器９に印加される偏
向電圧には特別な補正が施されていないが、該第３の偏
向器による偏向は偏向範囲が極めて制限された微細な領
域であるため、それによる収差は無視し１ｑる。
縮小電磁レンズの縮小比・・・・・・・・・１／３第１
の偏向器の電極長・・・・・・・・・・・・３０ｍｍ第
２の偏向器の電極長・・・・・・・・・・・・９Ｑｎ＋
ｍ両偏向器間の相対的回転角・・・・・・２８゜両偏向
器に印加する電圧の比・・・１：２ここで、第１図に示
した実施例において、偏向伝号調整回路１３は、該第１
の偏向器７に印加される電圧値に３・１して第２の偏向
器８に印加される電圧値が常に２４８となるように、又
、該第２の偏向器と第１の偏向器との相対回転角が２８
°となるＪ、うに調整されている。この状態Ｃ電子削粋
礪１１から描画Ｊべぎパターンに応じた大偏向信号と小
偏向信号を各偏向器に供給覆れば、拐料上には収差の極
めて小さな電子ビームが投射され、微細なパターンが高
精度で描画される。尚、第３の偏向器９に印加される偏
向電圧には特別な補正が施されていないが、該第３の偏
向器による偏向は偏向範囲が極めて制限された微細な領
域であるため、それによる収差は無視し１ｑる。
以」二詳述した如く、本発明は偏向器が２段の簡！、ｌ
ｉ ＩＤ ４ｔ４成て・あり、更には動的な補正の必要
なしに、電子ビームを大きい角度偏向させても偏向に伴
なう収差を実用上問題とならない範囲とすることがＣき
る。又、装置の製作時に、加工誤差２組立誤フイがあつ
一ηも、調整パラメータは両偏向器に印加される電圧の
比と相対的回転角の２つしかなく、又、動的補正も行っ
ていないため、該電圧比と回転角を予め計紳された値の
近傍で若干変化さければ、収差の極めて少ない最良の値
を見イ」（プ出すことができるので、該誤差の補正も簡
単に行うことができる。従って、本発明に基づく集束偏
向装置を電子ビーム描画装置に組込めば、その実用的価
値は頗る大である。尚、上述した実施例は電子ビームを
例に説明したが、イオンビームにも本発明を適用するこ
とができる。
ｉ ＩＤ ４ｔ４成て・あり、更には動的な補正の必要
なしに、電子ビームを大きい角度偏向させても偏向に伴
なう収差を実用上問題とならない範囲とすることがＣき
る。又、装置の製作時に、加工誤差２組立誤フイがあつ
一ηも、調整パラメータは両偏向器に印加される電圧の
比と相対的回転角の２つしかなく、又、動的補正も行っ
ていないため、該電圧比と回転角を予め計紳された値の
近傍で若干変化さければ、収差の極めて少ない最良の値
を見イ」（プ出すことができるので、該誤差の補正も簡
単に行うことができる。従って、本発明に基づく集束偏
向装置を電子ビーム描画装置に組込めば、その実用的価
値は頗る大である。尚、上述した実施例は電子ビームを
例に説明したが、イオンビームにも本発明を適用するこ
とができる。
第１図は本発明の一実施例を示Ｊ−図、第２図は第１図
に示した実施例におｔプる電磁レンズ系の軸上磁場分布
を示す図、第３図は静電偏向器のＩＪＪｉ面形状を示す
図、第４図は電子線の材料面上の偏向方向と第１と第２
の偏向器による偏向方向とを示す図である。 １：縮小電磁レンズ ４：投影電磁レンズ ７．８．１０：静電偏向器 ９ ： １．ｆｌ籾 １１：電子５１亦懇 １２．１４．１５：ＤＡ変換器 １３：偏向信号調整回路 特許出願人 日木雷子株式会社 代表者 伊藤 −夫 理化学研究所 理事長 宮島 龍興
に示した実施例におｔプる電磁レンズ系の軸上磁場分布
を示す図、第３図は静電偏向器のＩＪＪｉ面形状を示す
図、第４図は電子線の材料面上の偏向方向と第１と第２
の偏向器による偏向方向とを示す図である。 １：縮小電磁レンズ ４：投影電磁レンズ ７．８．１０：静電偏向器 ９ ： １．ｆｌ籾 １１：電子５１亦懇 １２．１４．１５：ＤＡ変換器 １３：偏向信号調整回路 特許出願人 日木雷子株式会社 代表者 伊藤 −夫 理化学研究所 理事長 宮島 龍興
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ イ１１電粒子線を所望の面に集束りるための縮小電
磁レンズと該縮小電磁レンズの接設に配置された投影電
磁レンズと、該縮小Ｗｉ磁レンズの像面近傍であり該投
影電磁レンズの物面近傍に配置され／、： ｆｆ＋ １
の静電偏向器と、該投影電磁レンズが形成づる讃場内に
配置された第２の静電偏向器と、該第１と第２の偏向器
によって該荷電粒子線を偏向さけ、該所望の面上の荷電
粒子線の照射位置を変化さけるために該第１ど第２の偏
向器に偏向電圧をＩｌｌ給りるための回路とを備え、該
第１の偏向器と第２の偏向器に供給される電ＬＬの比と
、該第１の偏向器による荷電粒子線の偏向方向と第２の
偏向器による荷電粒子線の偏向方向とのなづ角度が、該
所望の面上での荷電粒子線の偏向色収差、偏向〕７収シ
イ−あるいは垂直入射誤差のいずれかが零となるＪ、う
に選ＩＩ＜されていることを特徴とする荷電粒子線集束
偏向装置。 ２、該投影電磁レンズは複数の磁極間ギ１７ツブを有し
、該ギャップに対応した励磁コイルが設ｃノられ−Ｕ
Ｊ３す、該励磁コイルに供給される励磁電流を調整覆る
ことによっ−Ｃ所望な磁場が形成されるにうにＩｆ（成
されている特許請求の範囲第１項記載の荷電粒子線集束
偏向装置。 ３、該第１と第２の偏向器によって比較的大きな角度の
偏向を行い、第３の偏向器によって微ｍな角度の偏向を
行うようにした特許請求の範囲第１項乃至第２項記載の
荷電粒子線集束偏向装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19307782A JPS5983336A (ja) | 1982-11-02 | 1982-11-02 | 荷電粒子線集束偏向装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19307782A JPS5983336A (ja) | 1982-11-02 | 1982-11-02 | 荷電粒子線集束偏向装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5983336A true JPS5983336A (ja) | 1984-05-14 |
| JPH0234426B2 JPH0234426B2 (ja) | 1990-08-03 |
Family
ID=16301824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19307782A Granted JPS5983336A (ja) | 1982-11-02 | 1982-11-02 | 荷電粒子線集束偏向装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5983336A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6476656A (en) * | 1987-09-16 | 1989-03-22 | Toshiba Corp | Charged beam depicting device |
| JP2007534124A (ja) * | 2004-04-23 | 2007-11-22 | ヴィステック エレクトロン ビーム ゲーエムべーハー | 粒子光学照的射系用の照射コンデンサー |
| JP2008153131A (ja) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置 |
| US7521688B2 (en) | 2006-01-11 | 2009-04-21 | Jeol Ltd. | Charged-particle beam instrument |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0642644U (ja) * | 1992-11-06 | 1994-06-07 | 佐藤工業株式会社 | 包装用仕切りと仕切り付き包装箱 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5648052A (en) * | 1979-09-17 | 1981-05-01 | Varian Associates | Method of double deflecting and scanning charged particle beam and condenser |
-
1982
- 1982-11-02 JP JP19307782A patent/JPS5983336A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5648052A (en) * | 1979-09-17 | 1981-05-01 | Varian Associates | Method of double deflecting and scanning charged particle beam and condenser |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6476656A (en) * | 1987-09-16 | 1989-03-22 | Toshiba Corp | Charged beam depicting device |
| JP2007534124A (ja) * | 2004-04-23 | 2007-11-22 | ヴィステック エレクトロン ビーム ゲーエムべーハー | 粒子光学照的射系用の照射コンデンサー |
| US7521688B2 (en) | 2006-01-11 | 2009-04-21 | Jeol Ltd. | Charged-particle beam instrument |
| JP2008153131A (ja) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置 |
| US7820978B2 (en) | 2006-12-19 | 2010-10-26 | Jeol Ltd. | Charged-particle beam system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0234426B2 (ja) | 1990-08-03 |
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