JP5182138B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクター等の電子機器に関し、特に、電気光学装置を製造する際に、該電気光学装置を構成する基板の位置決めをするためのアライメントマークの近傍に配設される配線の技術分野に関する。

この種の電気光学装置は、例えば特許文献１に開示されているように、シール材によって互いに貼り合わされた一対の基板間に、例えば液晶等の電気光学物質を挟持してなる。ここで、シール材は、複数の画素が配列された画素領域（或いは、画素アレイ領域）の周囲に沿ったシール領域に配置される。そして、電気光学装置の製造時において一対の基板をアライメントするためのアライメントマークが、各基板におけるシール領域の内側（即ち、シール領域から見て画素領域側）の所定領域に設けられる。

特開２００４−１５１３４３号公報

この種の電気光学装置の製造時には、各基板に設けられたアライメントマークを、例えばカメラ等により検出しながら、一対の基板を互いに貼り合わせている。このため、アライメントマークを避けて、例えば電気光学装置の駆動用の配線等を配設しなければならず、配線のレイアウトの自由度が制限されるという技術的問題点がある。

本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、配線のレイアウトの自由度を向上させつつ、適切に一対の基板をアライメントすることができる電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。

本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、互いに対向して配置された一対の基板と、前記一対の基板のうち一方の基板における複数の画素が配列された画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられ、前記一対の基板のアライメントを行うためのアライメントマークと、前記一方の基板上において、前記アライメントマークの上層側に形成され、導電性及び光透過性を有する材料を含んでなる配線とを備え、前記一方の基板上で平面的に見て、前記配線は、前記アライメントマークを少なくとも部分的に覆っている。

本発明の電気光学装置によれば、一対の基板のアライメントを行うためのアライメントマークは、一対の基板のうち一方の基板における複数の画素が配列された画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられている。ここに「画素領域」とは、個々の画素の領域を意味するのではなく、複数の画素がマトリックス状に配列されてなる領域の全体を意味し、典型的には、「画像表示領域」或いは「表示領域」に相当する。

例えば信号配線、電源配線等である配線は、一方の基板上において、アライメントマークの上層側に形成されると共に、導電性及び光透過性を有する材料を含んでなる。そして、配線は、一方の基板上で平面的に見て、アライメントマークを少なくとも部分的に覆っている。ここで、「光透過性」の程度（例えば光の透過率等）は、極めて高い（即ち、配線が透明である）ことが望ましいが、当該電気光学装置の製造工程において、アライメントマークを検出できる程度であればよい。

本願発明者の研究によれば、電気光学装置の製造工程において、一対の基板を貼り合わせる際に、アライメントマークを検出可能とするために、アライメントマークを避けて配線が配設される（即ち、アライメントマークと配線とが、基板上で平面的に見て、重ならないように、配線が配設される）。このため、配線のレイアウトの自由度が制限されてしまうことが判明している。

しかるに本発明では、一方の基板上の周辺領域に、アライメントマークを少なくとも部分的に覆うように、該アライメントマークの上層側に形成される配線は、導電性及び光透過性を有する材料を含んでいる。即ち、本発明では、アライメントマークを少なくとも部分的に覆う配線を通して、アライメントマークを検出（又は認識）することができる。

このため、本発明では、「アライメントマークを避けて配線を配設する」という制限を受けない。即ち、本発明によれば、配線のレイアウトの自由度を向上させることができる。加えて、本発明によれば、アライメントマークを少なくとも部分的に覆う配線を通して、アライメントマークを検出することができるので、適切に一対の基板をアライメントすることができる。

更に、アライメントマークと配線とを、基板上で平面的に見て、重なるように配設できるので、配線の幅を比較的広くすることができる。この結果、配線の電気抵抗を低下させることができ、もって、当該電気光学装置の電力消費量を抑制することができる。

本発明の電気光学装置の一態様では、前記材料は、酸化インジウムスズである。

この態様によれば、比較的安価にして、当該電気光学装置を製造することができ、実用上非常に有利である。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記一方の基板上には、前記複数の画素の各々に対応して複数の画素電極が配列されており、前記配線は、前記周辺領域に、前記複数の画素電極よりも絶縁膜を介して下層側に形成されている。

この態様によれば、複数の画素の各々に対応して複数の画素電極は、一方の基板上に配置されている。尚、画素電極は、典型的には、酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）膜からなる透明電極として形成される。また、一方の基板上において、配線は、周辺領域に、複数の画素電極よりも絶縁膜を介して下層側に形成されている。

本発明に係る電子機器は、上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様を含む）を備える。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を備えているので、高品質な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。

また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパーなどの電気泳動装置、電子放出装置（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ及びＣｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。

本発明の実施形態に係る液晶装置のＴＦＴアレイ基板を、その上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。 図１のＨ−Ｈ´線断面図である。 液晶装置の画素領域を構成するマトリックス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。 図１の一部を拡大して示す拡大平面図である。 図５のＡ−Ａ´線断面図である。 本発明の実施形態に係る液晶装置を適用した電子機器の一例としてのプロジェクターの構成を示す平面図である。

以下、本発明に係る電気光学装置及び電子機器の各実施形態を図面に基づいて説明する。尚、以下の図では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また、以下の実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アクティブマトリックス駆動方式の液晶装置を挙げる。

＜液晶装置＞
本発明の実施形態に係る液晶装置について、図１乃至図５を参照して説明する。

先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに、図１は、本実施形態に係る液晶パネルのＴＦＴアレイ基板を、その上に形成された各構成要素と共に、対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。

図１及び図２において、液晶装置１００では、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の基板からなり、対向基板２０は、例えば、石英基板、ガラス基板等の基板からなる。ここに、本実施形態に係る「ＴＦＴアレイ基板１０」及び「対向基板２０」は、本発明に係る「一対の基板」の一例である。

ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明に係る「画素領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域５２ａに設けられたシール材５２により相互に接着されている。

シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャップ材を、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。

図１において、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの内側に並行して、画像表示領域１０ａを規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。

ＴＦＴアレイ基板１０上における、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域には、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路７、走査線駆動回路１０４及び外部回路接続端子１０２が夫々形成されている。

ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域において、シール領域５２ａより外周側に、データ線駆動回路１０１及び複数の外部回路接続端子１０２が、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に夫々沿って設けられている。

また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域のうちシール領域５２ａより内側に位置する領域には、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿う画像表示領域１０ａの一辺に沿って且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにしてサンプリング回路７が配置されている。また、走査線駆動回路１０４は、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。

ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。更に、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。

また、ここでは図示しないが、矩形枠形状を有する額縁領域５３ａの四隅の各々に、液晶装置１００の製造工程において、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０のアライメントを行うためのアライメントマークが設けられている。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。

画素電極９ａは、後述する対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面する側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成されている。

対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光膜２３によって区切られた領域が、例えばプロジェクター用のランプや直視用のバックライトから出射された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。

遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成されている。遮光膜２３上に、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図２には図示しないカラーフィルターが形成されるようにしてもよい。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向膜２２が形成されている。

尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、サンプリング回路７等に加えて、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置１００の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。

次に、液晶装置１００の画素部における原理的構成について、図３を参照して説明する。ここに、図３は、液晶装置の画素領域を構成するマトリックス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。

図３において、液晶装置１００の画像表示領域１０ａを構成するマトリックス状に形成された複数の画素には、夫々、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのトランジスタであるＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。

画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。

ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１との間に形成される液晶容量と電気的に並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと電気的に並列してＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量配線９１に電気的に接続されている。

容量配線９１は、外部回路接続端子１０２等を介して外部に設けられた電源回路に電気的に接続されている。容量配線９１に供給される電源の電位は、画素電極９ａに対向配置された対向電極２１（図２参照）に供給される共通電位ＬＣＣＯＭである。

次に、液晶装置１００におけるアライメントマーク周辺の具体的な構成について、図４及び図５を参照して説明する。ここに、図４は、図１の一部を拡大して示す拡大平面図であり、図５は、図４のＡ−Ａ´線断面図である。尚、図４及び図５では、説明の便宜上、関連する部材のみを示し、それ以外の部材については適宜省略している。また、図４は、図１に示した液晶装置１００の額縁領域５３ａの左上隅に設けられたアライメントマーク周辺の具体的な構成を示している。

図４において、アライメントマーク３１１、３１２、３２１及び３２２は、シール領域５２ａの内側、且つ画像表示領域１０ａの外側の領域（即ち、額縁領域５３ａ（図１参照））であって、額縁遮光膜５３が設けられていない位置に設けられている。アライメントマーク３１１、３１２、３２１及び３２２は、データ線６ａ及び中継電極６０と同一のアルミニウム等の金属膜から同時にパターニングして形成されている。

ここで、アライメントマーク３１１及び３２１は、ＸＹズレ量及びθズレ量を計測するためのアライメントマークであり、アライメントマーク３１２及び３２２は、組みズレ量を計測するためのアライメントマークである。尚、図５に示すように、アライメントマーク３１１及び３１２は、ＴＦＴアレイ基板１０上に設けられており、アライメントマーク３２１及び３２２は、対向基板２０上に設けられている。

図４に示すように、アライメントマーク３１１、３１２、３２１及び３２２の周囲に、例えばアルミニウム等からなる複数の配線を含んでなる配線群４００を配設することによって、アライメントマーク３１１、３１２、３２１及び３２２を除いた部分の遮光を行っている。即ち、複数の配線を配設することによって、額縁遮光膜５３が額縁領域５３ａ全体に設けられている場合と同様の効果を得ることができる。

本実施形態では特に、図４及び図５に示すように、ＩＴＯ膜からなる透明配線２００が、アライメントマーク３１２を覆うように、層間絶縁膜４２を介して、アライメントマーク３１２の上層側に配設されている。尚、本実施形態に係る「透明配線２００」は、本発明に係る「配線」の一例である。

透明配線２００はＩＴＯ膜からなっているため、図４に示すように、アライメントマーク３１２を覆うように配設されていても、透明配線２００を通して、アライメントマーク３１２を認識又は検出することができる。即ち、液晶装置１００の製造工程において、適切に、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０のアライメントを行うことができる。加えて、アライメントマーク３１２等を覆うように配線を設計することができるので、配線のレイアウトの自由度を向上させることができる。

図５に示すように、液晶装置１００の画像表示領域１０ａでは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、下から順に、走査線１１ｂ等を含む第１層、半導体層１ａ等を含む第２層、データ線６ａ及び中継電極６０等を含む第３層、容量電極７１等を含む第４層、並びに画素電極９ａ等を含む第５層が積層されている。

また、第１層及び第２層の間には下地絶縁膜１２が、第２層及び第３層の間には層間絶縁膜４１が、第３層及び第４層の間には層間絶縁膜４２が、第４層及び第５層の間には容量絶縁膜７５が、夫々積層されており、各種構成要素間が短絡することを防止している。尚、本実施形態に係る「容量絶縁膜７５」は、本発明に係る「絶縁膜」の一例である。

図５において、ＴＦＴ３０は、半導体層１ａ及びゲート電極３ａを含んで構成されている。半導体層１ａは、ポリシリコン膜からなり、チャネル領域１ａ´、データ線側ソースドレイン領域１ｂ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｃからなる。尚、ここでは図示を省略しているが、チャネル領域１ａ´及びデータ線側ソースドレイン領域１ｂの間には、データ線側ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域が形成され、チャネル領域１ａ´及び画素電極側ソースドレイン領域１ｃの間には、画素電極側ＬＤＤ領域が形成されている。即ち、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有している。

データ線側ソースドレイン領域１ｂは、層間絶縁膜４１及びゲート絶縁膜２に形成されたコンタクトホールを介して、データ線６ａと電気的に接続されている。他方、画素電極側ソースドレイン領域１ｃは、層間絶縁膜４１及びゲート絶縁膜２に形成されたコンタクトホールを介して中継電極６０と電気的に接続されている。

図５に示すように、ゲート電極３ａは、走査線１１ａの一部として構成されており、半導体層１ａよりもゲート絶縁膜２を介して上層側に、チャネル領域１ａ´に対向するように配置されている。また、図５において、半導体層１ａよりも下地絶縁膜１２を介して下層側に配置された走査線１１ｂは、半導体層１ａのチャネル領域１ａ´と重なる部分がゲート電極として機能する。

このように、本実施形態に係るＴＦＴ３０は、ダブルゲート構造を有している。このような構成によれば、仮に半導体層１ａよりも上層側又は下層側の一方だけにゲート電極が形成されている場合と比較して、ＴＦＴ３０のオン電流を大きくすることができる。

図５において、下地絶縁膜１２は、例えばシリコン酸化膜等からなる。下地絶縁膜１２は、走査線１１ｂから半導体層１ａを層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等によるＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。

図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上の半導体層１ａよりも層間絶縁膜４１を介して上層側には、データ線６ａ及び中継電極６０が設けられている。尚、中継電極６０は、層間絶縁膜４２及び容量絶縁膜７５に形成されたコンタクトホールを介して画素電極９ａと電気的に接続されている。

図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上のデータ線６ａ及び中継電極６０よりも層間絶縁膜４２を介して上層側には、容量電極７１が設けられている。容量電極７１には、画素電極９ａと中継電極６０とを電気的に接続するためのコンタクトホールが設けられた部分を除いて、開口領域及び非開口領域を共に覆うように設けられている。

容量電極７１は、画素電極９ａと容量絶縁膜７５を介して対向配置されており、蓄積容量７０を形成している。容量電極７１は、容量配線９１に電気的に接続され、共通電位ＬＣＣＯＭに維持された固定電位側容量電極である。容量電極７１は、例えばＩＴＯ等の透明導電材料から形成されている。

容量絶縁膜７５は、例えばＨＴＯ（Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｏｘｉｄｅ）膜、ＬＴＯ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｏｘｉｄｅ）膜等の酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜、或いは窒化シリコン（ＳｉＮ）膜等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。

蓄積容量７０が形成されることによって、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。また、画素電極９ａと容量電極７１とによって蓄積容量７０を形成しているため、例えば画素電極９ａの他に、上部電極及び下部電極を設けて蓄積容量を形成する場合と比較して、装置構成を単純化させることが可能である。

更に、容量電極７１は、画素電極９ａより下層側に設けられているため、画素電極９ａと容量電極７１の下層側（例えば、データ線６ａなど）との電気的或いは電磁気的なカップリングを防止するシールド層として機能することもできる。よって、画素電極９ａにおける電位変動等が生じる可能性を低減することも可能となる。

尚、上述した透明配線２００は、図５に示すように、容量電極７１と同一層に設けられている。即ち、透明配線２００及び容量電極７１は、同一の透明導電膜から同時にパターニングして形成されている。

他方、対向基板２０上には、下（即ち、図５の上側）から順に、アライメントマーク３２１及び３２２等を含む第１層、額縁遮光膜５３及び遮光膜２３等を含む第２層、並びに対向電極２１を含む第３層が積層されている。また、第１層及び第２層の間には層間絶縁膜４３が、第２層及び第３層の間には層間絶縁膜４４が、夫々積層されており、各種構成要素間が短絡することを防止している。

＜電子機器＞
次に、図６を参照しながら、上述した液晶装置を電子機器の一例であるプロジェクターに適用した場合を説明する。上述した液晶装置１００は、プロジェクターのライトバルブとして用いられている。図６は、プロジェクターの構成例を示す平面図である。

図６に示すように、プロジェクター１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置１００と同等の構成を有しており、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像に対して左右反転することが必要となる。

尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルターを設ける必要はない。

尚、図６を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピューターや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

１０…ＴＦＴアレイ基板、２０…対向基板、１００…液晶装置、２００…透明配線、３１１、３１２、３２１、３２２…アライメントマーク

Claims (4)

1. 互いに対向して配置された一対の基板と、
   前記一対の基板のうち一方の基板における複数の画素が配列された画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられ、前記一対の基板のアライメントを行うためのアライメントマークと、
   前記一方の基板上において、前記アライメントマークの上層側に形成され、導電性及び光透過性を有する材料を含んでなる配線と
   を備え、
   前記一方の基板上で平面的に見て、前記配線は、前記アライメントマークを少なくとも部分的に覆っている
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記材料は、酸化インジウムスズであることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記一方の基板上には、前記複数の画素の各々に対応して複数の画素電極が配列されており、
   前記配線は、前記周辺領域に、前記複数の画素電極よりも絶縁膜を介して下層側に形成されている
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。

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