JP5157131B2 - 加熱体及びそれを搭載した半導体製造装置 - Google Patents
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Description
下記表2に示す各材料からヒータ基板を作製し、直径を320mmとし且つ厚みを表2のとおり変化させた。これらのヒータ基板に、ステンレス箔(厚み0.05mm)をエッチングして所定のパターンとした発熱体を取り付け、ヒータとした。得られた各ヒータの発熱体側に、断熱層として厚み0.5mmのマイカと、下記表2に示す均熱板を順に取り付け、全体をボルト締めにより固定して加熱体を作製した。また、冷却モジュールとして、流路を形成した銅板をロウ付けにより張り合わせたものを用意した。
上記実施例1と同様に加熱体を作製したが、均熱板として下記表4に示すようにAlあるいはCu−Wを使用した。得られた各加熱体について、上記と同様の試験を行い、均熱性と昇温速度及び降温速度を評価した。得られた結果を下記表4に示す。下記表4の結果ら、均熱板の熱容量がヒータ基板の熱容量より大きい方が、昇温特性に優れていることが分る。
ヒータ基板として下記表5に示すSi−SiC又はAl−SiCを用い、直径を320mmとし且つ厚みを表5のとおり変化させた。これらのヒータ基板は導電性を有するため、ウエハ載置面の反対側に厚み0.1mmのポリイミドフィルムを貼り付け、更に発熱体として上記実施例1と同様にステンレス箔を、及び断熱層として厚さ0.2mmのポリイミドフィルムを、更に均熱板として表5に示す厚みのCu板を使用して、それぞれ加熱体を作製した。
1a ウエハ載置面
2 ヒータ基板
3 発熱体
4 断熱層
5 均熱板
6 冷却モジュール
7 容器
Claims (7)
- ウエハを加熱するための加熱体であって、ウエハ載置面を有するヒータ基板と該ヒータ基板の下面に当接して設けられる発熱体を備えたヒータと、該ヒータ基板より熱伝導率の高い均熱板とを具備し、該均熱板がヒータのウエハ載置面の反対側に断熱層を介して固定され、該断熱層の材質がポリイミド、フッ素樹脂、マイカのいずれかであることを特徴とする加熱体。
- 前記ヒータ基板の材質がセラミックスであることを特徴とする、請求項1に記載の加熱体。
- 前記ヒータ基板の材質が窒化アルミニウムであることを特徴とする、請求項2に記載の加熱体。
- 前記均熱板の熱容量が前記ヒータ基板よりも大きいことを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の加熱体。
- 前記均熱板の材質が銅又は銅合金であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の加熱体。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の加熱体を備えたことを特徴とする半導体ウエハ加熱用装置。
- 請求項6に記載の半導体ウエハ加熱用装置を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
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