JP5495524B2 - 光電変換装置 - Google Patents
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Description
2 転送用MOSトランジスタ
3 浮遊拡散領域
4 リセット用MOSトランジスタ
5 選択用MOSトランジスタ
6 増幅用MOSトランジスタ
7 読み出し線、垂直信号線
8 定電流源
31 n型シリコン基板
32 p型ウェル
33a MOSトランジスタのゲート絶縁膜
33b 半導体基板表面上の薄い酸化膜
34 転送用MOSトランジスタ2のゲート電極
36 フォトダイオード1のn型カソード
37 表面p型領域
38 素子分離のための酸化膜
39a、39b シリコン窒化膜
40a、40b シリコン酸化膜
41 高濃度不純物拡散層
42a 低不純物濃度拡散層
43 接合型電界効果トランジスタ(JFET)
42b、42c 低不純物濃度領域
44、45 JFET43のゲート
46 JFET43のn型チャネル領域
47 層間絶縁膜
48 コンタクトプラグ
Claims (9)
- 光を信号電荷に変換する受光素子と、前記受光素子の上に形成された反射防止膜と、接合型電界効果トランジスタと、を有する画素がアレイ状に配置された光電変換装置において、
前記接合型電界効果トランジスタは、前記受光素子から転送された電荷を一時的に蓄える浮遊拡散領域をリセットするためのリセット用トランジスタ、前記浮遊拡散領域の電荷を電圧に変換して増幅するための増幅用トランジスタ及び前記アレイ状に配置された画素のうちの任意の1行を選択するための選択用トランジスタのうちの少なくとも一つであり、
更に、MOSトランジスタを有し、
前記接合型電界効果トランジスタの上に前記反射防止膜が形成され、
前記反射防止膜は、前記受光素子上の酸化膜と直接接して配されたシリコン窒化膜を含んで形成されており、
前記MOSトランジスタのソースおよびドレインは、低濃度領域と、前記低濃度領域よりも不純物濃度の高い高濃度領域を有しており、
前記反射防止膜は、前記高濃度領域を形成する際のイオン注入工程においてマスクとして機能しており、
前記接合型電界効果トランジスタのソースおよびドレインの不純物濃度が、1E17/cm 3 〜5E18/cm 3 であることを特徴とする光電変換装置。 - 前記接合型電界効果トランジスタと前記反射防止膜の間にはシリコン酸化膜が配置されていることを特徴とする請求項1記載の光電変換装置。
- 前記反射防止膜は複数の層からなることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の光電変換装置。
- 前記接合型電界トランジスタのソースおよびドレインがシングルドレイン構造であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記接合型電界効果トランジスタのソース及びドレインが低濃度不純物領域のみで構成されることを特徴とする請求項4記載の光電変換装置。
- 前記反射防止膜を覆って酸化膜が形成され、前記反射防止膜を覆って形成される酸化膜は、前記受光素子及び前記接合型電界効果トランジスタを覆って形成されることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記反射防止膜上部に層間絶縁膜が形成され、前記層間絶縁膜の前記接合型電界効果トランジスタのソースもしくはドレイン領域に対応する領域にコンタクトプラグが形成されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記受光素子の電荷を前記浮遊拡散領域に転送する、転送トランジスタを有し、前記転送トランジスタはMOSトランジスタであることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記受光素子は埋め込み型フォトダイオードであり、前記埋め込み型フォトダイオードの表面領域が、前記受光素子上の酸化膜と直接接していることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の光電変換装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008209778A JP5495524B2 (ja) | 2008-08-18 | 2008-08-18 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008209778A JP5495524B2 (ja) | 2008-08-18 | 2008-08-18 | 光電変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010045292A JP2010045292A (ja) | 2010-02-25 |
JP5495524B2 true JP5495524B2 (ja) | 2014-05-21 |
Family
ID=42016414
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008209778A Expired - Fee Related JP5495524B2 (ja) | 2008-08-18 | 2008-08-18 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5495524B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105830219B (zh) * | 2013-12-25 | 2019-01-01 | 佳能株式会社 | 成像装置、成像***及用于制造成像装置的方法 |
WO2016161214A1 (en) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | Dartmouth College | Image sensor and image sensor pixel having jfet source follower |
JP7013119B2 (ja) * | 2016-07-21 | 2022-01-31 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、及び撮像システム |
CN107845649A (zh) | 2016-09-20 | 2018-03-27 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置及其制造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11126893A (ja) * | 1997-10-23 | 1999-05-11 | Nikon Corp | 固体撮像素子とその製造方法 |
JP2000164836A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Nikon Corp | 固体撮像装置等の半導体装置の製造方法 |
JP2006351729A (ja) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Canon Inc | 接合形電界効果トランジスタ及びその製造方法並びに固体撮像装置 |
JP4994747B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2012-08-08 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
-
2008
- 2008-08-18 JP JP2008209778A patent/JP5495524B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010045292A (ja) | 2010-02-25 |
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Date | Code | Title | Description |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100201 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20100630 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110812 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130322 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130326 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131105 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140106 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |