JP5091687B2 - 基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、基板に種々の処理を行う基板処理装置に関する。
従来より、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
基板処理装置においては、例えばスピンチャックにより保持された基板が水平姿勢で回転される。そして、回転する基板の表面または裏面に洗浄液が供給されることにより、基板の洗浄処理が行われる。このような洗浄処理を行う基板処理装置の一例として、特許文献１の回転式基板処理装置を説明する。
図１４は、特許文献１の基板処理装置の構成を示す模式図である。この回転式基板処理装置は、回転保持部（メカ式スピンチャック）９０１を備える。回転保持部９０１は、円形板状の回転部材９０２を有する。回転部材９０２は、下方に設けられるモータ９０３から上方に延びるシャフト９０４の上端部に水平に固定されている。回転部材９０２の上面には基板Ｗを水平姿勢で保持する複数の保持ピン９０６が設けられている。
上記モータ９０３のシャフト９０４は、中空体により構成され、その内部に基板Ｗの裏面を洗浄するためのバックリンスノズル９０７が挿入されている。このバックリンスノズル９０７は、回転部材９０２の略中央部を貫通して基板Ｗの裏面側に突出するように設けられている。
バックリンスノズル９０７の上端には鉛直上方に洗浄液を吐出する第１の吐出口９７１が形成されている。バックリンスノズル９０７の上端近傍の周壁部には側方に洗浄液を吐出する第２の吐出口９７２が形成されている。
基板Ｗの裏面洗浄処理時には、回転部材９０２上の複数の保持ピン９０６により基板Ｗの外周端部が保持される。この状態でモータ９０３が動作することにより、基板Ｗが回転する。そして、バックリンスノズル９０７から基板Ｗの裏面に洗浄液が供給される。
バックリンスノズル９０７の第１の吐出口９７１から吐出される洗浄液は、遠心力により基板Ｗの中心部から基板Ｗの裏面に沿って外方に流れる。これにより、基板Ｗの裏面全体が洗浄される。
特開平１０−１３７６６４号公報
基板Ｗの洗浄処理後には、洗浄処理が施された当該基板Ｗの表面に気体を供給して乾燥処理を行う場合がある。この場合、基板Ｗの表面が迅速かつ確実に乾燥される。
特許文献１の回転式基板処理装置において、基板Ｗの裏面に洗浄液に加えて気体を供給する場合、シャフト９０４の内部に気体供給用ノズルを設ける必要がある。
しかしながら、実際には、シャフト９０４の内部に新たに気体供給用ノズルを設けると、シャフト９０４が大径化するとともに、モータ９０３が大型化する。その結果、基板処理装置全体が大型化する。
特許文献１の回転式基板処理装置において、基板Ｗの回転中心からずれた箇所に洗浄液が供給されると、その洗浄液は遠心力により基板Ｗの回転中心を通ることなく外方に流れる。この場合、基板Ｗの回転中心には洗浄液が供給されない。
したがって、基板Ｗの裏面全体に洗浄液を供給するためには、基板Ｗの回転中心に洗浄液を精度よく吐出する必要がある。そのため、複数のノズルをシャフト９０４内に設ける場合には、各ノズルの加工精度およびシャフト９０４内部での各ノズルの位置精度を十分に向上させる必要がある。しかしながら、実際には複数のノズルをシャフト９０４内に精度よく取り付ける作業は困難性を伴うので、製造コストが増大する。
本発明の目的は、複数種類の流体を精度よく基板に供給することができるとともに製造が容易でかつ小型化が可能な基板処理装置を提供することである。
（１）本発明に係る基板処理装置は、基板の上面に所定の処理を行う基板処理装置であって、鉛直方向に延びる中空の回転軸を有する回転駆動装置と、回転駆動装置の下側に設けられ、回転軸とともに回転するように回転軸に取り付けられかつ中央部に開口を有する回転部材と、回転部材の下側に設けられ、基板の上面が回転部材に対向する状態で基板の外周端部を保持する複数の保持部材と、複数の保持部材により保持される基板の上面に第１の流体および第２の流体を供給する流体供給機構とを備え、流体供給機構は、回転駆動装置の回転軸内および回転部材の開口に挿通され、回転軸の内周面との間に一定の隙間を形成するように回転駆動装置に支持された金属製の外管と、外管内の中心部に挿入されるとともに基板の上面に対向する端部に吐出口を有し、吐出口から第１の流体を基板に供給するための樹脂製の第１の内管と、第１の内管の外周面と外管の内周面とに接するように外管内の第１の内管の周囲に挿入されるとともに基板の上面に対向する端部に吐出口を有し、吐出口から第２の流体を基板に供給するための樹脂製の複数の第２の内管とを含むものである。
この基板処理装置においては、回転部材の下側に設けられた複数の保持部材により基板の上面が回転部材に対向する状態で基板の外周端部が保持される。回転部材は、回転駆動装置の下側で回転駆動装置の回転軸に取り付けられている。これにより、回転駆動装置により回転軸とともに回転部材が回転され、複数の保持部材により保持された基板が回転する。
回転駆動装置の回転軸内および回転部材の開口には、流体供給機構の金属製の外管が挿通されている。外管は、回転軸の内周面との間に一定の隙間が形成されるように回転駆動装置に支持されている。金属製の外管は、高い剛性を有するので、回転軸が回転する場合においても、外管と回転軸の内周面との間の隙間が一定に保たれる。
外管内には、第１の内管および複数の第２の内管が挿入されている。回転する基板の上面には、第１の内管の端部の吐出口から第１の流体が供給され、または、複数の第２の内管の端部の吐出口から第２の流体が供給される。これにより、基板の処理が行われる。
外管の内部においては、中心部に第１の内管が挿入されている。また、第１の内管の外周面と外管の内周面とに接するように複数の第２の内管が挿入されている。これにより、第１の内管が複数の第２の内管により外管内の中心部に自動的にかつ精度よく位置決めされる。また、複数の第２の内管が第１の内管の外周面および外管の内周面により自動的かつ精度よく位置決めされる。それにより、基板の上面の中心部に第１の流体および第２の流体を精度よく供給することができる。
また、外管が回転駆動装置に支持されているので、回転駆動装置が振動した場合でも、回転軸と外管との位置関係が保持される。それにより、外管が回転軸に接触することが確実に防止される。
さらに、樹脂製の第１の内管および第２の内管は可撓性を有するので、外管内に第１の内管および複数の第２の内管を容易に挿入することができる。また、第１の内管および複数の第２の内管が外管内に挿入されているので、流体供給機構がコンパクトになる。したがって、基板処理装置の小型化が可能である。
加えて、第１の内管および複数の第２の内管が挿入された外管を回転駆動装置に取り付けることにより流体供給機構を容易に基板処理装置に組み付けることができる。したがって、基板処理装置を容易に製造することが可能となる。
（２）基板処理装置は、回転軸が鉛直方向に延びるように回転駆動装置を支持する支持部材をさらに備え、外管はフランジ部を有し、フランジ部が支持部材に固定されてもよい。
この場合、回転駆動装置が支持部材により支持され、外管のフランジ部が支持部材に固定される。それにより、外管がフランジ部および支持部材を介して回転駆動装置に確実に固定される。また、外管のフランジ部を支持部材に取り付けることにより、流体供給機構を回転駆動装置に容易に固定することができる。したがって、基板処理装置の製造がさらに容易となる。
（３）外管は、基板の上面に対向する開口端を有し、第１の内管および複数の第２の内管の端部が、外管の開口端から突出してもよい。
これにより、第１の内管および第２の内管の吐出口から基板に供給される第１の流体および第２の流体が金属製の外管に付着することが防止される。それにより、外管に付着した第１または第２の流体が基板の上面に落下して基板に金属汚染が発生することが防止される。
（４）第１の流体は気体であり、第２の流体は処理液であってもよい。
この場合、複数の第２の内管の吐出口から回転する基板の上面に処理液を供給することができるので、基板に多量の処理液を迅速に供給することが可能となる。それにより、基板の処理時間を短縮することができる。
また、回転する基板の上面に気体を供給することにより、基板の上面に付着する処理液を迅速に取り除き、十分かつ確実に基板を乾燥することができる。
ここで、第１の内管は外管内の中心部に位置し、外管は回転軸の内周面との間に一定の隙間が形成されるように回転駆動装置に支持されている。これにより、第１の内管の吐出口は、複数の保持部材により保持される基板の回転中心に対向する。そのため、気体が第１の内管から確実に基板の回転中心に供給される。それにより、第１の内管から基板の回転中心に気体を供給することにより、基板の上面上に存在する処理液を確実に基板の外方へ吹き飛ばすことができる。
（５）第１の内管の内径は、複数の第２の内管の各々の内径よりも大きくてもよい。
この場合、第１の内管から基板に十分な量の第１の流体を供給することができる。
（６）基板処理装置は、複数の保持部材により保持される基板の下面を洗浄するための洗浄具と、複数の保持部材により保持される基板の下面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段とをさらに備えてもよい。
（７）複数の保持部材は、基板の外周端部に当接して基板を保持する基板保持状態と基板の外周端部から離間する基板解放状態とに切替可能に回転部材に設けられ、基板処理装置は、複数の保持部材を基板保持状態と基板解放状態とに切り替える保持部材切替手段と、洗浄具を移動させる洗浄具移動手段とをさらに備え、複数の保持部材の各々は、回転駆動装置による回転軸の回転に伴い基板の外周端部に沿った第１の領域および第２の領域を通って回転軸の中心を通る軸の周りで回転し、保持部材切替手段は、回転軸の回転中に複数の保持部材のうち第１の領域に位置する保持部材を基板保持状態にするとともに複数の保持部材のうち第２の領域に位置する保持部材を基板解放状態にし、洗浄具移動手段は、第１の領域に位置する保持部材が基板保持状態にあるとともに第２の領域に位置する保持部材が基板解放状態にあるときに洗浄具が複数の保持部材により保持される基板の外周端部に接触するように洗浄具を第２の領域に移動させてもよい。
本発明によれば、複数種類の流体を精度よく基板に供給することができるとともに製造が容易でかつ小型化が可能な基板処理装置を提供することができる。
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について図面を参照しつつ説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１ならびに後述する図２〜図４には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。露光装置１６においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５の各々を処理ブロックと呼ぶ。
インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。
反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部５０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部５０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１３にも同様に設けられる。
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部６０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部６０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１８が設けられる。この隔壁１８には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。
現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部７０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部７０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。
レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部８０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。レジストカバー膜用塗布処理部８０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。
現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。
レジストカバー膜除去ブロック１４は、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１、レジストカバー膜除去用処理部９０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。露光後ベーク用熱処理部１４１はインターフェースブロック１５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２を備える。レジストカバー膜除去用処理部９０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１に対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。
レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。
インターフェースブロック１５は、送りバッファ部ＳＢＦ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第６のセンターロボットＣＲ６、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰＡＳＳ−ＣＰ（以下、Ｐ−ＣＰと略記する）、基板載置部ＰＡＳＳ１３、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよび洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２を含む。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行い、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行う。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の詳細は後述する。
また、第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２（図４参照）が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２（図４参照）が上下に設けられる。インターフェースブロック１５の詳細については後述する。
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５が順に並設されている。
図２は図１の基板処理装置５００の一方の側面図であり、図３は図１の基板処理装置５００の他方の側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の＋Ｘ側に設けられるものを主に示し、図３においては、基板処理装置５００の−Ｘ側に設けられるものを主に示している。
まず、図２を用いて、基板処理装置５００の＋Ｘ側の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部５０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル５２を備える。
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。
現像処理ブロック１２の現像処理部７０には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル７２を備える。
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部８０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８１およびスピンチャック８１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル８２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部９０（図１参照）には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９１およびスピンチャック９１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル９２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。
なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。
インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、エッジ露光部ＥＥＷおよび３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。
次に、図３を用いて、基板処理装置５００の−Ｘ側の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０，１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
レジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１４１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
次に、図４を用いてインターフェースブロック１５について詳細に説明する。
図４は、インターフェースブロック１５を露光装置１６側から見た概略側面図である。図４に示すように、インターフェースブロック１５内において、−Ｘ側には、送りバッファ部ＳＢＦおよび３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が積層配置される。また、インターフェースブロック１５内において、＋Ｘ側の上部には、エッジ露光部ＥＥＷが配置される。
エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の略中央部には、戻りバッファ部ＲＢＦ、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３が上下に積層配置される。エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。
また、インターフェースブロック１５内の下部には、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが設けられている。第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦおよび洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１と、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３と、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。
（２）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図４を参照しながら説明する。
（２−１）インデクサブロック〜レジストカバー膜除去ブロックの動作
まず、インデクサブロック９〜レジストカバー膜除去ブロック１４の動作について簡単に説明する。
インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。
さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部５０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部５０では、露光時に発生する低在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部６０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部８０では、塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストカバー膜が塗布形成される。レジストカバー膜が形成されることにより、露光装置１６において基板Ｗが液体と接触しても、レジスト膜が液体と接触することが防止され、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用塗布処理部８０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られ、後述するように、インターフェースブロック１５および露光装置１６において所定の処理が施される。インターフェースブロック１５および露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が施された後、その基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６によりレジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬入される。
露光後ベーク用熱処理部１４１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、露光後ベーク用熱処理部１４１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。
なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部１４１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１４０により露光後ベークを行ってもよい。
基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部９０に搬入する。レジストカバー膜除去用処理部９０においては、レジストカバー膜が除去される。
次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜除去用処理部９０から処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。
基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部７０に搬入する。現像処理部７０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。
次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部７０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
（２−２）インターフェースブロックの動作
次に、インターフェースブロック１５の動作について詳細に説明する。
上述したように、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、所定の処理を施された後、レジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置される。
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図４）に搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを複数の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１のいずれかに搬入する。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、上述したように露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
ここで、露光装置１６による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。その結果、露光装置１６が後の基板Ｗの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦ（図４）に一時的に収納保管される。本実施の形態では、第６のセンターロボットＣＲ６は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに搬送する。
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦに収納保管されている基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入する。載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入された基板Ｗは、露光装置１６内と同じ温度（例えば、２３℃）に維持される。
なお、露光装置１６が十分な処理速度を有する場合には、送りバッファ部ＳＢＦに基板Ｗを収納保管せずに、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに基板Ｗを搬送してもよい。
続いて、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰで上記所定温度に維持された基板Ｗが、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ１（図４）により受け取られ、露光装置１６内の基板搬入部１６ａ（図１）に搬入される。
露光装置１６において露光処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの下側のハンドＨ２（図４）により基板搬出部１６ｂ（図１）から搬出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ２により、その基板Ｗを洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２のいずれかに搬入する。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、上述したように露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において洗浄および乾燥処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１（図４）により取り出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ１により、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬送する。
なお、除去ユニットＲＥＭ（図２）の故障等により、レジストカバー膜除去ブロック１４が一時的に基板Ｗの受け入れをできないときは、戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
ここで、本実施の形態においては、第６のセンターロボットＣＲ６は、基板載置部ＰＡＳＳ１１（図１）、エッジ露光部ＥＥＷ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、送りバッファ部ＳＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ１３および露光後ベーク用熱処理部１４１の間で基板Ｗを搬送するが、この一連の動作を短時間（例えば、２４秒）で行うことができる。
また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、露光装置１６、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２および基板載置部ＰＡＳＳ１３の間で基板Ｗを搬送するが、この一連の動作を短時間（例えば、２４秒）で行うことができる。
これらの結果、スループットを確実に向上させることができる。
（３）洗浄／乾燥処理ユニット
次に、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１について図面を用いて詳細に説明する。図５および図６は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の構成を示す側面図および概略平面図である。なお、図６には、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の一部の構成要素が模式的に示される。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１と同様の構成を有する。
なお、本実施の形態において、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は、図示しない筐体を備え、その筐体の内部に以下の構成要素が設けられる。
図５および図６に示すように、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、基板Ｗを水平に保持して回転させるスピンチャック６００を備える。スピンチャック６００は、スピンモータ２００、回転軸２１０、円板状のスピンプレート５２０、プレート支持部材５１０、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂおよび複数のチャックピン６１５を含む。
洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の上部にスピンモータ２００が設けられている。スピンモータ２００は、モータ支持部材２００ｓによって支持されている。モータ支持部材２００ｓは、鉛直方向に延びる貫通孔２００ｈを有し、モータ固定部２９０に取り付けられている。モータ固定部２９０は、図示しない洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の筐体に取り付けられている。
スピンモータ２００の内部から下方に延びるように円筒形状を有する回転軸２１０が設けられている。回転軸２１０はスピンモータ２００の出力軸として機能し、約２０ｍｍの内径を有する。
回転軸２１０の下端部にはプレート支持部材５１０が取り付けられている。後述するように、プレート支持部材５１０は円筒形状を有する。プレート支持部材５１０によりスピンプレート５２０が水平に支持されている。スピンモータ２００によって回転軸２１０が回転することにより、プレート支持部材５１０とともにスピンプレート５２０が鉛直軸の周りで回転する。
モータ支持部材２００ｓの貫通孔２００ｈ、スピンモータ２００の回転軸２１０の内部、およびプレート支持部材５１０の内部には、流体供給管４００が挿通されている。流体供給管４００を通して、スピンチャック６００により保持される基板Ｗ上に洗浄液および気体を供給することができる。流体供給管４００およびその周辺部材の構造の詳細は後述する。
スピンプレート５２０の周縁部には、複数（本例では５つ）のチャックピン６１５が回転軸２１０に関して等角度間隔で設けられている。チャックピン６１５の個数は、５つ以上であることが望ましい。その理由については後述する。
各チャックピン６１５は、軸部６１５ａ、ピン支持部６１５ｂ、保持部６１５ｃおよびマグネット６１６を含む。スピンプレート５２０を貫通するように軸部６１５ａが設けられ、軸部６１５ａの下端部に水平方向に延びるピン支持部６１５ｂが接続されている。ピン支持部６１５ｂの先端部から下方に突出するように保持部６１５ｃが設けられている。また、スピンプレート５２０の上面側において、軸部６１５ａの上端部にマグネット６１６が取り付けられている。
各チャックピン６１５は、軸部６１５ａを中心に鉛直軸の周りで回転可能であり、保持部６１５ｃが基板Ｗの外周端部に当接する閉状態と、保持部６１５ｃが基板Ｗの外周端部から離間する開状態とに切替可能である。なお、本例では、マグネット６１６のＮ極が内側にある場合に各チャックピン６１５が閉状態となり、マグネット６１６のＳ極が内側にある場合に各チャックピン６１５が開状態となる。
スピンプレート５２０の上方には、回転軸２１０を中心とする周方向に沿ってマグネットプレート６１４ａ，６１４ｂが配置される。マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂは、外側にＳ極を有し、内側にＮ極を有する。マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂは、マグネット昇降機構６１７ａ，６１７ｂによってそれぞれ独立に昇降し、チャックピン６１５のマグネット６１６よりも高い上方位置とチャックピン６１５のマグネット６１６とほぼ等しい高さの下方位置との間で移動する。
マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂの昇降により、各チャックピン６１５が開状態と閉状態とに切り替えられる。マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂおよびチャックピン６１５の動作の詳細については後述する。
スピンチャック６００の外方には、基板Ｗから飛散する洗浄液を受け止めるためのガード６１８が設けられている。ガード６１８は、スピンチャック６００の回転軸２１０に関して回転対称な形状を有する。また、ガード６１８は、ガード昇降機構６１８ａにより昇降する。ガード６１８により受け止められた洗浄液は、図示しない排液装置または回収装置により排液または回収される。
ガード６１８の外方には、３つ以上（本例では３つ）の基板受け渡し機構６２０がスピンチャック６００の回転軸２１０を中心として等角度間隔で配置されている。各基板受け渡し機構６２０は、昇降回転駆動部６２１、回転軸６２２、アーム６２３および保持ピン６２４を含む。昇降回転駆動部６２１から上方に延びるように回転軸６２２が設けられ、回転軸６２２の上端部から水平方向に延びるようにアーム６２３が連結されている。アーム６２３の先端部に、基板Ｗの外周端部を保持するための保持ピン６２４が設けられている。
昇降回転駆動部６２１により、回転軸６２２が昇降動作および回転動作を行う。それにより、保持ピン６２４が水平方向および上下方向に移動する。
また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の下部には、スピンチャック６００により保持される基板Ｗの外周端部および裏面を洗浄するための洗浄ブラシ６３０が設けられている。洗浄ブラシ６３０は略円柱形状を有し、外周面には断面Ｖ字状の溝６３５が形成されている。洗浄ブラシ６３０はブラシ保持部材６３１により保持されている。ブラシ保持部材６３１がブラシ移動機構６３２によって駆動されことにより、洗浄ブラシ６３０が水平方向および鉛直方向に移動する。
洗浄ブラシ６３０の近傍におけるブラシ保持部材６３１の部分には洗浄ノズル６３３が取り付けられている。洗浄ノズル６３３には洗浄液が供給される液供給管（図示せず）が接続されている。洗浄ノズル６３３の吐出口は洗浄ブラシ６３０周辺に向けられており、吐出口から洗浄ブラシ６３０周辺に向けて洗浄液が吐出される。なお、本例では洗浄水として例えば純水が用いられる。
（４）流体供給管の詳細
図５の流体供給管４００およびその周辺部材の構造の詳細を図７および図８を参照しつつ説明する。図７は主として図５の流体供給管４００の構造を示す縦断面図である。図８（ａ）は図５の流体供給管４００の先端部近傍の構造を示す拡大縦断面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）の矢印ＹＡから見た流体供給管４００の先端部の平面図である。
上述のように、流体供給管４００は、モータ支持部材２００ｓ、スピンモータ２００、回転軸２１０およびプレート支持部材５１０に挿通されている。
図７に示すように、流体供給管４００は、モータ支持部材２００ｓの上方で湾曲し、水平方向に延びている。以下の説明において、鉛直方向に延びる直管部の端部を先端部と呼び、水平方向に延びる直管部の端部を後端部と呼ぶ。
流体供給管４００において、鉛直方向に延びる直管部の湾曲部近傍には、第１フランジＦＲ１が一体形成されている。また、後端部には第２フランジＦＲ２が一体形成されている。
第１フランジＦＲ１がモータ支持部材２００ｓに固定され、第２フランジＦＲ２が管固定部２８０に固定される。管固定部２８０は、図示しない洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の筐体に取り付けられる。
これにより、流体供給管４００は、管固定部２８０、モータ支持部材２００ｓおよびモータ固定部２９０により、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の筐体に固定される。
上述のように、スピンモータ２００は、モータ支持部材２００ｓにより支持されている。これにより、流体供給管４００がモータ支持部材２００ｓに取り付けられることにより、スピンモータ２００が動作する場合でも、流体供給管４００とスピンモータ２００との位置関係が保たれる。したがって、流体供給管４００に位置ずれが発生することが防止される。
図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、流体供給管４００は、ガイド管４１０の内部に１本の気体供給管４２０および複数本（本例では６本）の洗浄液供給管４３０が収容された構造を有する。気体供給管４２０は基板Ｗに気体（本例ではＮ２ガス）を供給するために用いられる。洗浄液供給管４３０は基板Ｗに洗浄液（本例では純水）を供給するために用いられる。
本実施の形態において、ガイド管４１０はステンレス鋼からなり、約１８ｍｍの外径を有する。気体供給管４２０および洗浄液供給管４３０はＰＴＦＥ（四フッ化エチレン樹脂）およびＰＦＡ（四フッ化エチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合体）等のフッ素樹脂からなり、それぞれ約６ｍｍおよび約５ｍｍの外径を有する。
ガイド管４１０の内部において、１本の気体供給管４２０は、６本の洗浄液供給管４３０に取り囲まれた状態で、その軸心がガイド管４１０の軸心に沿うように配置される。ここで、ガイド管４１０の内径は、気体供給管４２０の外径と洗浄液供給管４３０の外径を２倍した値との合計にほぼ等しい。この場合、複数の洗浄液供給管４３０は、それぞれ気体供給管４２０の外周面およびガイド管４１０の内周面に当接する。
この場合、流体供給管４００の製造時に、１本の気体供給管４２０および６本の洗浄液供給管４３０をガイド管４１０に挿入することにより、ガイド管４１０内部の中心部に気体供給管４２０が容易かつ正確に位置決めされる。
図８（ａ）に示すように、洗浄液供給管４３０および気体供給管４２０の先端部は、ガイド管４１０の先端部から突出している。これにより、例えば洗浄液供給管４３０から基板Ｗに洗浄液が供給される際に、洗浄液供給管４３０から吐出された洗浄液がガイド管４１０に付着することが防止される。それにより、金属製のガイド管４１０に付着した洗浄液が基板Ｗの表面に落下して基板Ｗに金属汚染（メタルコンタミネーション）が発生することが防止される。
流体供給管４００の先端部の周辺部材について説明する。上述のように、本例では、回転軸２１０は約２０ｍｍの内径を有し、ガイド管４１０は約１８ｍｍの外径を有する。これにより、流体供給管４００が図７のモータ支持部材２００ｓおよび管固定部２８０に取り付けられた状態で、回転軸２１０とガイド管４１０との間に約１ｍｍのギャップＧＡが形成される。
流体供給管４００の先端部近傍において、回転軸２１０には、略円筒形状を有するプレート支持部材５１０が取り付けられている。プレート支持部材５１０の内周面５１０ｈは、軸心に沿って階段状に形成されている。
プレート支持部材５１０を回転軸２１０に取り付ける際には、プレート支持部材５１０の内周面５１０ｈと回転軸２１０の外周面との間の隙間に円筒形状のパッド固定片５１２を嵌め込み、パッド固定片５１２をプレート支持部材５１０のねじ受け部５１１にネジ止めする。これにより、プレート支持部材５１０が回転軸２１０の先端部に確実に固定される。
プレート支持部材５１０の下端部近傍には、フランジ５１０Ｆが形成されている。フランジ５１０Ｆとスピンプレート５２０とがネジ止めされることにより、スピンプレート５２０が回転軸２１０に固定される。
図７に戻り、流体供給管４００の後端部には、上述のように第２フランジＦＲ２が形成されている。そして、第２フランジＦＲ２は管固定部２８０に固定される。
ここで、流体供給管４００の後端部近傍には、１本の気体供給管４２０および６本の洗浄液供給管４３０を互いに固定するとともにガイド管４１０に固定する供給管固定部４９０が設けられる。
供給管固定部４９０においては、例えば気体供給管４２０および洗浄液供給管４３０が互いに融着加工または接着剤により固定される。また、気体供給管４２０および洗浄液供給管４３０は粘着シート等を用いてガイド管４１０に固定される。
供給管固定部４９０によりガイド管４１０、気体供給管４２０および洗浄液供給管４３０の位置関係が固定される。これにより、流体供給管４００の先端部近傍における各供給管４３０，４２０の位置精度が向上する。
ガイド管４１０内部に挿入される１本の気体供給管４２０および６本の洗浄液供給管４３０は、それぞれガイド管４１０の後端部から外部に延びている。ガイド管４１０の後端部から延びる気体供給管４２０の後端部は、図示しない気体供給装置に接続される。また、ガイド管４１０の後端部から延びる洗浄液供給管４３０の後端部は、図示しない洗浄液供給装置に接続される。
気体供給装置から気体供給管４２０にＮ２ガスが供給されることにより、基板ＷにＮ２ガスが供給される。また、洗浄液供給装置から洗浄液供給管４３０に純水が供給されることにより、基板Ｗに純水が供給される。
（５）基板の保持動作
スピンチャック６００による基板Ｗの保持動作について説明する。図９および図１０は、スピンチャック６００による基板Ｗの保持動作を説明するための図である。
まず、図９（ａ）に示すように、ガード６１８がチャックピン６１５よりも低い位置に移動する。そして、複数の基板受け渡し機構６２０（図５）の保持ピン６２４がガード６１８の上方を通ってスピンプレート５２０の下方に移動する。複数の保持ピン６２４上に第６のセンターロボットＣＲ６（図１）により基板Ｗが載置される。
このとき、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂは上方位置にある。この場合、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂの磁力線Ｂは、チャックピン６１５のマグネット６１６の高さにおいて内側から外側に向かう。それにより、各チャックピン６１５のマグネット６１６のＳ極が内側に吸引される。したがって、各チャックピン６１５は開状態となる。
続いて、図９（ｂ）に示すように、複数の保持ピン６２４が基板Ｗを保持した状態で上昇する。これにより、基板Ｗが複数のチャックピン６１５の保持部６１５ｃの間に移動する。
続いて、図１０（ｃ）に示すように、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂが下方位置に移動する。この場合、各チャックピン６１５のマグネット６１６のＮ極が内側に吸引される。それにより、各チャックピン６１５が閉状態となり、各チャックピン６１５の保持部６１５ｃによって基板Ｗの外周端部が保持される。なお、各チャックピン６１５は、隣接する保持ピン６２４間で基板Ｗの外周端部を保持する。そのため、チャックピン６１５と保持ピン６２４とは互いに干渉しない。その後、複数の保持ピン６２４がガード６１８の外方に移動する。
続いて、図１０（ｄ）に示すように、ガード６１８がチャックピン６１５により保持される基板Ｗを取り囲む高さに移動する。そして、基板Ｗの洗浄処理および乾燥処理が順に行われる。
（６）洗浄処理および乾燥処理
洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、洗浄処理として基板Ｗの表面（上面）を洗浄する表面洗浄処理、基板の裏面（下面）を洗浄する裏面洗浄処理、および基板Ｗの外周端部（ベベル部）を洗浄するベベル洗浄処理が行われ、その後、基板Ｗの乾燥処理が行われる。
図１１は基板Ｗの表面洗浄処理および裏面洗浄処理について説明するための側面図であり、図１２は基板Ｗのベベル洗浄処理について説明するための側面図および平面図である。
基板Ｗの表面洗浄処理時には、図１１（ａ）に示すように、スピンチャック６００により基板Ｗが回転する状態で、流体供給管４００を通して基板Ｗの表面に純水ＤＩＷが供給される。純水ＤＩＷは遠心力によって基板Ｗの表面の全体に広がり、外方に飛散する。これにより、基板Ｗの表面に付着する塵埃等が洗い流される。また、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分の一部が純水ＤＩＷ中に溶出し、洗い流される。
基板Ｗの裏面洗浄処理時には、図１１（ｂ）に示すように、スピンチャック６００により基板Ｗが回転する状態で、洗浄ブラシ６３０が基板Ｗの下方に移動する。そして、洗浄ブラシ６３０の上面と基板Ｗの裏面とが接触する状態で、洗浄ブラシ６３０が基板Ｗの中心部下方と周縁部下方との間で移動する。基板Ｗと洗浄ブラシ６３０との接触部分には、洗浄ノズル６３３から純水が供給される。これにより、基板Ｗの裏面の全体が洗浄ブラシ６３０により洗浄され、基板Ｗの裏面に付着する汚染物が取り除かれる。
基板Ｗのベベル洗浄処理時には、図１２（ａ）および図１２（ｂ）に示すように、マグネットプレート６１４ａが下方位置に配置され、マグネットプレート６１４ｂが上方位置に配置される。その状態で、スピンチャック６００により基板Ｗが回転する。
この場合、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１（図１２（ｂ）参照）においては各チャックピン６１５が閉状態となり、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２（図１２（ｂ）参照）においては各チャックピン６１５が開状態となる。すなわち、各チャックピン６１５の保持部６１５ｃは、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１を通過する際に基板Ｗの外周端部に接触した状態で維持され、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２を通過する際に基板Ｗの外周端部から離間する。
本例では、５つのチャックピン６１５のうちの少なくとも４つのチャックピン６１５がマグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１に位置する。この場合、少なくとも４つのチャックピン６１５により基板Ｗが保持される。それにより、基板Ｗの安定性が確保される。
その状態で、洗浄ブラシ６３０が、外方領域Ｒ２においてチャックピン６１５の保持部６１５ｃと基板Ｗの外周端部との間に移動する。そして、洗浄ブラシ６３０の溝６３５が、基板Ｗの外周端部に押し当てられる。洗浄ブラシ６３０と基板Ｗとの接触部分には、洗浄ノズル６３３（図５）から純水が供給される。これにより、基板Ｗの外周端部の全体が洗浄され、基板Ｗの外周端部に付着する汚染物が取り除かれる。
なお、ベベル洗浄処理時に図５の液体供給管４００を通して基板Ｗの表面に純水を供給してもよい。その場合、ベベル洗浄処理と表面洗浄処理とを同時に行うことができる。また、基板Ｗの裏面を洗浄する裏面洗浄ブラシを洗浄ブラシ６３０と別個に設け、ベベル洗浄処理時に裏面洗浄ブラシを基板Ｗの裏面に接触させてもよい。その場合、ベベル洗浄処理と裏面洗浄処理とを同時に行うことができる。あるいは、ベベル洗浄処理、表面洗浄処理および裏面洗浄処理を同時に行ってもよい。
上記の表面洗浄処理、裏面洗浄処理およびベベル洗浄処理の後には、基板Ｗの乾燥処理が行われる。この場合、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂが下方位置に配置され、全てのチャックピン６１５により基板Ｗが保持される。その状態で、スピンチャック６００により基板Ｗが高速で回転する。それにより、基板Ｗに付着する純水が振り切られ、基板Ｗが乾燥する。
ここで、上述のように、図５の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、流体供給管４００から基板Ｗの表面に純水を供給することが可能であるとともに、Ｎ２ガスを供給することが可能である。
そこで、上記の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、以下のように基板Ｗの表面の洗浄処理および乾燥処理を行ってもよい。
図１３は、図５の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１による基板Ｗ表面の洗浄処理および乾燥処理の一例を示す図である。
ここで、本例では、図７の洗浄液供給管４３０が、リンス液を供給可能な図示しない洗浄液供給装置に接続されているものとする。なお、本例において、リンス液とは、例えば純水または露光装置１６において液浸法による露光処理に用いられる液浸液をいう。
図１１（ａ）の例で説明したように、初めにスピンチャック６００により基板Ｗが回転する状態で、流体供給管４００を通して基板Ｗの表面にリンス液を供給する。この場合、リンス液は遠心力によって基板Ｗの表面の全体に広がり、外方に飛散する。これにより、基板Ｗの表面全体がリンス液により洗い流される。
その後、基板Ｗの回転速度を低下させる。これにより、基板Ｗの回転により振り切られるリンス液の量が減少し、図１３（ａ）に示すように、基板Ｗの表面全体にリンス液ＲＩＮの液層Ｌが形成される。なお、基板Ｗの回転を停止させて基板Ｗの表面全体に液層Ｌを形成してもよい。
その後、図１３（ｂ）に示すように、流体供給管４００からＮ２ガスを吐出させる。これにより、図１３（ｃ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液ＲＩＮが基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。
次に、基板Ｗの回転数を上昇させることにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用する。それにより、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。
（７）実施の形態の効果
上記のように、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２においては、スピンプレート５２０に設けられた複数のチャックピン６１５により基板Ｗの外周端部が保持される。スピンプレート５２０は、プレート支持部材５１０を介して回転軸２１０に取り付けられている。これにより、スピンモータ２００により回転軸２１０とともにプレート支持部材５１０が回転され、プレート支持部材５１０上の複数のチャックピン６１５により保持された基板Ｗが回転する。
スピンモータ２００の回転軸２１０内およびプレート支持部材５１０の内部には、流体供給管４００のステンレス製のガイド管４１０が挿通されている。ガイド管４１０は、回転軸２１０の内周面との間にギャップＧＡが形成されるようにスピンモータ２００を支持するモータ支持部材２００ｓに支持されている。ステンレス製のガイド管４１０は、高い剛性を有するので、回転軸２１０が回転する場合においても、ガイド管４１０と回転軸２１０の内周面との間のギャップＧＡが一定に保たれる。
ガイド管４１０内部には、気体供給管４２０および複数の洗浄液供給管４３０が挿入されている。回転する基板Ｗの表面には、複数の洗浄液供給管４３０の先端部の吐出口から洗浄液（純水）が供給される。また、回転する基板Ｗの表面には、気体供給管４２０の先端部の吐出口から気体（Ｎ２ガス）が供給される。これにより、基板Ｗの処理が行われる。
ガイド管４１０の内部においては、中心部に気体供給管４２０が挿入されている。また、気体供給管４２０の外周面とガイド管４１０の内周面とに接するように複数の洗浄液供給管４３０が挿入されている。これにより、気体供給管４２０が複数の洗浄液供給管４３０によりガイド管４１０内の中心部に自動的にかつ精度よく位置決めされる。また、複数の洗浄液供給管４３０が気体供給管４２０の外周面およびガイド管４１０の内周面により自動的かつ精度よく位置決めされる。それにより、基板Ｗの表面の中心部に気体および洗浄液を精度よく供給することができる。
また、ガイド管４１０がスピンモータ２００に支持されているので、スピンモータ２００が振動した場合でも、回転軸２１０とガイド管４１０との位置関係が保持される。それにより、ガイド管４１０が回転軸２１０に接触することが確実に防止される。
さらに、樹脂製の気体供給管４２０および洗浄液供給管４３０は可撓性を有するので、ガイド管４１０内に気体供給管４２０および洗浄液供給管４３０を容易に挿入することができる。また、気体供給管４２０および複数の洗浄液供給管４３０がガイド管４１０内に挿入されているので、流体供給管４００がコンパクトになる。したがって、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の小型化が可能である。
加えて、気体供給管４２０および洗浄液供給管４３０が挿入されたガイド管４１０をスピンモータ２００に取り付けることにより流体供給管４００を容易に洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２に組み付けることができる。したがって、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２を容易に製造することが可能となる。
この場合、スピンモータ２００がモータ支持部材２００ｓにより支持され、ガイド管４１０の第１フランジＦＲ１がモータ支持部材２００ｓに固定される。それにより、ガイド管４１０が第１フランジＦＲ１およびモータ支持部材２００ｓを介してスピンモータ２００に確実に固定される。また、ガイド管４１０の第１フランジＦＲ１をモータ支持部材２００ｓに取り付けることにより、流体供給管４００をスピンモータ２００に容易に固定することができる。したがって、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の製造がさらに容易となる。
また、ガイド管４１０と、ガイド管４１０の内部に設けられる複数の供給管４２０，４３０とが、供給管固定部４９０により固定される。これにより、流体供給管４００を洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２に取り付ける際に、ガイド管４１０の内部で、気体供給管４２０および洗浄液供給管４３０の位置関係がずれることが防止される。
さらに、気体供給管４２０および複数の洗浄液供給管４３０の先端部が、ガイド管４１０の先端部から突出している。これにより、洗浄液供給管４３０の先端部の吐出口から基板Ｗに供給される洗浄液がステンレス製のガイド管４１０に付着することが防止される。それにより、ガイド管４１０に付着した洗浄液が基板Ｗの表面に落下して基板Ｗに金属汚染が発生することが防止される。
上述のように、複数の洗浄液供給管４３０から回転する基板Ｗの表面に洗浄液を供給することができるので、基板Ｗに多量の洗浄液を迅速に供給することが可能となる。それにより、基板Ｗの処理時間を短縮することができる。
特に、基板Ｗの表面に洗浄液を供給して液層Ｌ（図１３）を形成する場合、複数の洗浄液供給管４３０から十分な量の洗浄液を基板Ｗの表面上に供給することができる。それにより、洗浄処理の時間を短縮することができる。
また、回転する基板Ｗの表面に気体供給管４２０から気体を供給することにより、基板Ｗの表面に付着する洗浄液を迅速に取り除き、十分かつ確実に基板Ｗを乾燥することができる。
ここで、気体供給管４２０はガイド管４１０内の中心部に位置し、ガイド管４１０は回転軸２１０の内周面との間に一定のギャップＧＡが形成されるようにモータ支持部材２００ｓに支持されている。これにより、気体供給管４２０の先端部は、基板Ｗの回転中心に対向する。そのため、基板Ｗへの気体の供給時には、気体が気体供給管４２０から確実に基板Ｗの回転中心に供給される。それにより、気体供給管４２０から基板Ｗの回転中心に気体を供給することにより、基板Ｗの表面上に存在する洗浄液を確実に基板Ｗの外方へ吹き飛ばすことができる。
本実施の形態では、気体供給管４２０の内径は、複数の洗浄液供給管４３０の各々の内径よりも大きい。これにより、気体供給管４２０から基板Ｗに十分な量の気体を供給することができる。
特に、本実施の形態では、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１において、露光処理前の基板Ｗの洗浄処理が行われる。それにより、露光装置１６内の汚染を防止することができ、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生することを防止することができる。
また、基板Ｗの表面洗浄処理時に、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分の一部が洗浄液中に溶出し、洗い流される。そのため、露光装置１６において基板Ｗ上に液体が供給された際に、その液体中にレジストカバー膜の成分が溶出することが防止される。
さらに、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２では、外方領域Ｒ１に位置するチャックピン６１５の保持部６１５ｃで基板Ｗの外周端部を保持して基板Ｗを回転させながら、外方領域Ｒ２に位置するチャックピン６１５の保持部６１５ｃを基板Ｗの外周端部から離間させることにより、洗浄ブラシ６３０により基板Ｗの外周端部を洗浄することができる。この場合、基板Ｗの裏面を真空吸着により保持する吸着式のスピンチャックを用いる場合と異なり、基板Ｗの裏面に吸着痕等を形成することなく、基板Ｗの外周端部を十分に清浄にすることができる。
また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２では、スピンチャック６００が基板Ｗの上方に位置するので、洗浄ブラシ６３０による基板Ｗの裏面の洗浄が可能となり、基板Ｗの裏面に付着する汚染物を確実に取り除くことができる。また、塗布ユニットＲＥＳ等の他のユニットにおいて、吸着式のスピンチャックにより基板Ｗの裏面に吸着痕が形成された場合でも、その吸着痕を露光処理前に確実に取り除くことができる。これにより、露光装置内の汚染、および基板Ｗの裏面の凹凸に起因するデフォーカスの発生を確実に防止することができる。
また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄処理が行われる。この場合、露光処理時に液体が付着した基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着しても、その付着物を取り除くことができる。それにより、基板Ｗの処理不良をより確実に防止することができる。また、露光処理後の基板Ｗが清浄に維持されることにより、現像欠陥の発生を防止することができる。
（８）変形例
（８−１）
流体供給管４００は、基板Ｗの表面（上面）に限らず、基板Ｗの裏面（下面）を洗浄するために用いることもできる。この場合、例えば図１４のシャフト９０４に流体供給管４００を挿通し、流体供給管４００をモータ９０３とともに固定することにより、基板Ｗの裏面に洗浄液および気体を供給することが可能となり、上記と同様の効果を得ることができる。
（８−２）
上記実施の形態に係る洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は、薬液を用いて基板を洗浄する薬液洗浄装置としても用いることができる。
ここで、薬液を用いた基板の表面の洗浄処理および乾燥処理の例について説明する。
本例では、図７の洗浄液供給管４３０が、薬液およびリンス液を供給可能な図示しない洗浄液供給装置に接続されているものとする。なお、本例において薬液とは、例えばＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸、過酸化水素水もしくはアンモニア等の水溶液、またはそれらの混合溶液をいう。また、リンス液とは、例えば純水、炭酸水、オゾン水、磁気水、還元水（水素水）もしくはイオン水、またはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の有機溶剤をいう。
まず、スピンチャック６００により基板Ｗが回転する状態で、流体供給管４００を通して基板Ｗの表面に薬液を供給する。この場合、薬液は遠心力によって基板Ｗの表面の全体に広がり、外方に飛散する。これにより、基板Ｗの表面全体が薬液により洗い流される。
所定時間経過後、基板Ｗへの薬液の供給を停止し、流体供給管４００から基板Ｗにリンス液を供給する。これにより、基板Ｗ上の薬液が洗い流される。
その後、基板Ｗの回転速度を低下させる。これにより、基板Ｗの回転により振り切られるリンス液の量が減少し、基板Ｗの表面全体にリンス液ＲＩＮの液層Ｌが形成される（図１３（ａ）参照）。なお、基板Ｗの回転を停止させて基板Ｗの表面全体に液層Ｌを形成してもよい。
その後、流体供給管４００からＮ２ガスを吐出させる（図１３（ｂ）参照）。これにより、基板Ｗの中心部のリンス液ＲＩＮが基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる（図１３（ｃ）参照）。
次に、基板Ｗの回転数を上昇させることにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用する。それにより、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。
（８−３）
上記では、流体供給管４００のガイド管４１０がステンレス鋼により形成される旨を説明したが、ガイド管４１０を形成する材料としては、ステンレス鋼の他、鉄、銅、青銅、黄銅、アルミニウム、銀、または金等の強靭な金属材料を用いることができる。
また、気体供給管４２０および洗浄液供給管４３０がフッ素樹脂により形成される旨を説明したが、気体供給管４２０および洗浄液供給管４３０を形成する材料としては、フッ素樹脂の他ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）またはＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）等のフレキシブル性を有する樹脂材料を用いることもできる。
（８−４）
流体供給管４００は洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２に設けられているが、流体供給管４００を含む構成は、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭに適用することができる。
例えば、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２と同様の構成を有する現像処理ユニットＤＥＶにおいては、例えば次のように現像処理が行われる。
初めに、基板Ｗが回転しない状態、または基板Ｗが低い回転数で回転する状態で、洗浄液供給管４３０を通して基板Ｗ上に現像液を供給する。これにより、基板Ｗの表面上に現像液の液層が形成される。
所定時間経過後、基板Ｗを高い回転数で回転させるとともに気体供給管４２０から気体を供給する。これにより、基板Ｗの表面上に形成された現像液の液層を確実に除去される。それにより、現像処理が終了する。
さらにその後、現像液が除去された基板Ｗを洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２と同じ構成を有する処理ユニットに搬入し、現像処理後の基板Ｗの表面に洗浄処理および乾燥処理を行ってもよい。
現像処理ユニットＤＥＶにおいては、次のように現像処理および乾燥処理を行ってもよい。
初めに、洗浄液供給管４３０から基板Ｗに現像液を供給し、基板Ｗ上に現像液の液層を形成する。所定期間経過後、洗浄液供給管４３０から基板Ｗにリンス液を供給して基板Ｗ上の現像液をリンス液で置換する。これにより、現像処理が確実に停止する。このとき、基板Ｗを回転させることにより、基板Ｗ上に形成される現像液の液層を除去してもよい。
その後、基板Ｗへのリンス液の供給を停止し、基板Ｗを高い回転数で回転させる。また、リンス液の供給を停止するとともに、気体供給管４２０から基板Ｗに気体を供給する。これにより、基板Ｗの表面に付着するリンス液が気体供給管４２０から供給される気体により確実に除去され、基板Ｗが十分に乾燥する。
（８−５）
洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭ、加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰの個数は、各処理ブロックの処理速度に合わせて適宜変更してもよい。
また、上記第１の実施の形態では、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２がインターフェースブロック１５内に配置されるが、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の少なくとも一方が図１に示すレジストカバー膜除去ブロック１４内に配置されてもよい。あるいは、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の少なくとも一方を含む洗浄／乾燥処理ブロックを図１に示すレジストカバー膜除去ブロック１４とインターフェースブロック１５との間に設けてもよい。
また、上記実施の形態では、液浸法により基板Ｗの露光処理を行う露光装置１６を基板処理装置５００の外部装置として設ける場合について説明したが、これに限定されず、液体を用いずに基板Ｗの露光処理を行う露光装置を基板処理装置５００の外部装置として設けてもよい。
（８−６）
上記では、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２を基板処理装置５００に設ける場合について説明したが、これに限らず、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２を他の基板処理装置に設けてもよく、または洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２を単独で用いてもよい。
（９）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
上記実施の形態では、スピンモータ２００が回転駆動装置の例であり、プレート支持部材５１０およびスピンプレート５２０が回転部材の例であり、プレート支持部材５１０の内周面５１０ｈが開口の例であり、チャックピン６１５が複数の保持部材の例である。
また、流体供給管４００が流体供給機構の例であり、ガイド管４１０が外管の例であり、気体供給管４２０が第１の内管の例であり、洗浄液供給管４３０が第２の内管の例である。
さらに、モータ固定部２９０が支持部材の例であり、第１フランジＦＲ１がフランジ部の例であり、ギャップＧＡが一定の隙間の例である。また、洗浄ブラシ６３０が洗浄具の例であり、洗浄ノズル６３３が洗浄液供給手段の例であり、複数のチャックピン６１５の閉状態が基板保持状態の例であり、複数のチャックピン６１５の開状態が基板解放状態の例であり、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂおよびマグネット昇降機構６１７ａ，６１７ｂが保持部材切替手段の例であり、ブラシ保持部材６３１およびブラシ移動機構６３２が洗浄具移動手段の例であり、外方領域Ｒ１が第１の領域の例であり、外方領域Ｒ２が第２の領域の例である。
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。
本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。 図１の基板処理装置の一方の側面図である。 図１の基板処理装置の他方の側面図である。 インターフェースブロックを露光装置側から見た概略側面図である。 洗浄／乾燥処理ユニットの構成を示す側面図である。 洗浄／乾燥処理ユニットの構成を示す側面図である。 主として図５の流体供給管の構造を示す縦断面図である。 （ａ）は図５の流体供給管の先端部近傍の構造を示す拡大縦断面図であり、（ｂ）は図８（ａ）の矢印ＹＡから見た流体供給管の先端部の平面図である。 スピンチャックによる基板の保持動作を説明するための図である。 スピンチャックによる基板の保持動作を説明するための図である。 基板の表面洗浄処理および裏面洗浄処理について説明するための側面図である。 基板のベベル洗浄処理について説明するための側面図および平面図である。 図５の洗浄／乾燥処理ユニットによる基板表面の洗浄処理および乾燥処理の一例を示す図である。 特許文献１の基板処理装置の構成を示す模式図である。
符号の説明
２００ スピンモータ
２１０ 回転軸
２９０ モータ固定部
４００ 流体供給管
４１０ ガイド管
４２０ 気体供給管
４３０ 洗浄液供給管
４９０ 供給管固定部
５００ 基板処理装置
５１０ プレート支持部材
５１０ｈ 内周面
５２０ スピンプレート
６１５ チャックピン
ＦＲ１ 第１フランジ
ＧＡ ギャップ

Claims (7)

  1. 基板の上面に所定の処理を行う基板処理装置であって、
    鉛直方向に延びる中空の回転軸を有する回転駆動装置と、
    前記回転駆動装置の下側に設けられ、前記回転軸とともに回転するように前記回転軸に取り付けられかつ中央部に開口を有する回転部材と、
    前記回転部材の下側に設けられ、基板の上面が前記回転部材に対向する状態で基板の外周端部を保持する複数の保持部材と、
    前記複数の保持部材により保持される基板の前記上面に第１の流体および第２の流体を供給する流体供給機構とを備え、
    前記流体供給機構は、
    前記回転駆動装置の前記回転軸内および前記回転部材の前記開口に挿通され、前記回転軸の内周面との間に一定の隙間を形成するように前記回転駆動装置に支持された金属製の外管と、
    前記外管内の中心部に挿入されるとともに基板の前記上面に対向する端部に吐出口を有し、前記吐出口から前記第１の流体を基板に供給するための樹脂製の第１の内管と、
    前記第１の内管の外周面と前記外管の内周面とに接するように前記外管内の前記第１の内管の周囲に挿入されるとともに基板の前記上面に対向する端部に吐出口を有し、前記吐出口から前記第２の流体を基板に供給するための樹脂製の複数の第２の内管とを含むことを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記回転軸が鉛直方向に延びるように前記回転駆動装置を支持する支持部材をさらに備え、
    前記外管はフランジ部を有し、前記フランジ部が前記支持部材に固定されたことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  3. 前記外管は、基板の前記上面に対向する開口端を有し、
    前記第１の内管および前記複数の第２の内管の端部が、前記外管の前記開口端から突出することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
  4. 前記第１の流体は気体であり、
    前記第２の流体は処理液であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
  5. 前記第１の内管の内径は、前記複数の第２の内管の各々の内径よりも大きいことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
  6. 前記複数の保持部材により保持される基板の下面を洗浄するための洗浄具と、
    前記複数の保持部材により保持される基板の下面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段とをさらに備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
  7. 前記複数の保持部材は、基板の外周端部に当接して基板を保持する基板保持状態と基板の外周端部から離間する基板解放状態とに切替可能に前記回転部材に設けられ、
    前記複数の保持部材を前記基板保持状態と前記基板解放状態とに切り替える保持部材切替手段と、
    前記洗浄具を移動させる洗浄具移動手段とをさらに備え、
    前記複数の保持部材の各々は、前記回転駆動装置による前記回転軸の回転に伴い基板の外周端部に沿った第１の領域および第２の領域を通って前記回転軸の中心を通る軸の周りで回転し、
    前記保持部材切替手段は、前記回転軸の回転中に前記複数の保持部材のうち前記第１の領域に位置する保持部材を前記基板保持状態にするとともに前記複数の保持部材のうち前記第２の領域に位置する保持部材を前記基板解放状態にし、
    前記洗浄具移動手段は、前記第１の領域に位置する保持部材が前記基板保持状態にあるとともに前記第２の領域に位置する保持部材が前記基板解放状態にあるときに前記洗浄具が前記複数の保持部材により保持される基板の外周端部に接触するように前記洗浄具を前記第２の領域に移動させることを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。
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