JP5269956B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板に処理を行う基板処理装置に関する。

半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。

このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。

上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。

近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レチクルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。

そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。

特開２００３−３２４１３９号公報 国際公開第９９／４９５０４号パンフレット

ところで、上記特許文献２の投影露光装置においては、基板と液体とが接触した状態で露光処理が行われるので、露光処理前に基板に汚染物質が付着すると、その汚染物質が液体中に混入する。

露光処理前においては、基板に対して種々の成膜処理が施されるが、この成膜処理の過程で、基板の端部が汚染する場合がある。このように、基板の端部が汚染された状態で基板の露光処理を行うと、露光装置のレンズが汚染され、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生するおそれがある。

本発明の目的は、基板の端部の汚染に起因する露光装置内の汚染を防止できる基板処理装置を提供することである。

（１）本発明に係る基板処理装置は、液浸法により基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行う処理部と、処理部の一端部に隣接するように設けられ、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、受け渡し部は、露光装置による露光処理前に基板の端部をブラシを用いて洗浄する第１の処理ユニットを含み、処理部は、基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する第２のユニットを含み、第１の処理ユニットは、第２の処理ユニットにより感光性膜が形成された基板を略水平に保持する基板保持手段と、基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、回転駆動手段により回転される基板の端部に純水を供給するとともに、基板の端部をブラシを用いて洗浄する洗浄手段とを備えるものである。

本発明に係る基板処理装置は液浸法により基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される。この基板処理装置においては、処理部により基板に所定の処理が行われ、処理部の一端部に隣接するように設けられた受け渡し部により、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しが行われる。

露光装置による露光処理前に第１の処理ユニットにより基板の端部が洗浄される。第１の処理ユニットにおいては、基板の端部が洗浄手段によりブラシを用いて洗浄される。これにより、基板の端部に付着した汚染物質を確実に取り除くことができる。

その結果、基板の端部の汚染に起因する露光装置内の汚染が防止でき、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を防止することができる。

また、基板上に有機膜が形成されている場合、露光処理中に基板上の有機膜の成分が溶出または析出する可能性がある。そこで、基板の端部を洗浄することにより、露光処理中に基板上の有機膜から溶出または析出する成分が予め第１の処理ユニットにおいて溶出または析出し、溶出物または析出物が洗い流される。したがって、露光処理の際に、基板上の有機膜の成分が溶出または析出することが防止される。これにより、露光装置が汚染されることが防止される。その結果、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生することが防止される。

第１の処理ユニットは、基板を略水平に保持する基板保持手段と、基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段とをさらに備え、洗浄手段は、回転駆動手段により回転される基板の端部をブラシを用いて洗浄する。

回転駆動手段により回転される基板の端部が洗浄手段によりブラシを用いて洗浄される。これにより、基板の端部に付着した汚染物質を確実に取り除くことができる。
処理部は、基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する第２の処理ユニットを含む。
この場合、第２の処理ユニットにより基板に感光性材料からなる感光性膜が形成された後に、第１の処理ユニットにより基板の端部の洗浄が行われる。それにより、露光処理中に感光性膜から溶出または析出する成分が予め第１の処理ユニットにおいて溶出または析出し、溶出物または析出物が洗い流される。したがって、露光処理の際に、感光性膜の成分が溶出または析出することが防止される。これにより、露光装置が汚染されることが防止される。その結果、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生することが防止される。

（２）受け渡し部は、処理部と露光装置との間で基板を搬送する搬送手段を含み、搬送手段は、基板を保持する第１および第２の保持手段を含み、露光処理前の基板を搬送する際には第１の保持手段により基板を保持し、露光処理後の基板を搬送する際には第２の保持手段により基板を保持してもよい。

この場合、露光処理時に基板に液体が付着したとしても、露光処理後の基板の搬送には第２の保持手段が用いられ、露光処理前の基板の搬送には第１の保持手段が用いられるため、第１の保持手段に液体が付着することを防止することができる。それにより、露光処理前の基板に液体が付着することを防止することができる。これにより、露光処理前の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。

（３）第２の保持手段は、第１の保持手段よりも下方に設けられてもよい。この場合、第２の保持手段およびそれが保持する基板から液体が落下したとしても、第１の保持手段およびそれが保持する基板に液体が付着することがない。それにより、露光処理前の基板に塵埃等が付着することを確実に防止することができる。

（４）処理部は、感光性膜を保護する保護膜を形成する第３の処理ユニットをさらに含んでもよい。

この場合、感光性膜上に保護膜が形成されるので、露光装置において基板が液体と接触した状態で露光処理が行われても、感光性膜の成分が液体中に溶出することが防止される。それにより、露光装置内の汚染を確実に防止することができる。

（５）処理部は、露光処理後に保護膜を除去する第４の処理ユニットをさらに含んでもよい。

この場合、感光性膜上に形成された保護膜を確実に除去することができる。

（６）処理部は、第２の処理ユニットによる感光性膜の形成前に基板に反射防止膜を形成する第５の処理ユニットをさらに含んでもよい。

この場合、基板上に反射防止膜が形成されるので、露光処理時に発生する定在波およびハレーションを低減させることができる。

（７）処理部は、基板の現像処理を行う第６の処理ユニットをさらに含んでもよい。

この場合、第６の処理ユニットにおいては、基板の現像処理が行われる。

本発明によれば、基板の端部の汚染に起因する露光装置内の汚染が防止でき、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を防止することができる。

参考形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。 図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た側面図である。 図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た側面図である。 端部洗浄ユニットの構成を説明するための図である。 基板の端部を説明するための概略的模式図である。 ガイドアームの形状および動作の詳細について説明するための図である。 図４の端部洗浄ユニットの端部洗浄装置の構造を説明するための図である。 端部洗浄ユニットの他の構成例を説明するための図である。 ローカルコントローラによる端部洗浄ユニットの制御の一例を示すフローチャートである。 端部洗浄ユニットのさらに他の構成例を説明するための図である。 図１０の端面洗浄ユニットにおける４本の支持ピンおよび処理カップの昇降動作を説明するための図である。 図１０の端面洗浄ユニットにおける４本の支持ピンおよび処理カップの昇降動作を説明するための図である。 端部洗浄ユニットのさらに他の構成例を説明するための図である。 端部洗浄ユニットのさらに他の構成例を説明するための図である。 端部洗浄ユニットのさらに他の構成例を説明するための図である。 端面洗浄ユニットへの基板の搬入時における図１５のハンドの動作を説明するための図である。 端部洗浄ユニットのさらに他の構成例を説明するための図である。 端部洗浄処理に用いられる二流体ノズルの内部構造の一例を示す縦断面図である。 端部洗浄処理に用いられる二流体ノズルの内部構造の他の例を示す縦断面図である。 端部洗浄ユニットのさらに他の構成例を説明するための図である。 洗浄／乾燥処理ユニットの構成を説明するための図である。 洗浄／乾燥処理ユニットの動作を説明するための図である。 インターフェース用搬送機構の構成および動作を説明するための図である。 乾燥処理用ノズルの他の例を示す模式図である。 乾燥処理用ノズルの他の例を示す模式図である。 図２５の乾燥処理用ノズルを用いた場合の基板の乾燥処理方法を説明するための図である。 乾燥処理用ノズルの他の例を示す模式図である。 洗浄／乾燥処理ユニットの他の例を示す模式図である。 図２８の洗浄／乾燥処理ユニットを用いた場合の基板の乾燥処理方法を説明するための図である。

以下、参考形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいい、基板は珪素（Ｓｉ）を含む。

また、以下の図面には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。

（１） 基板処理装置の構成
以下、参考形態に係る基板処理装置について図面を参照しながら説明する。

図１は、参考形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。

図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、洗浄／乾燥処理ブロック１５およびインターフェースブロック１６を含む。基板処理装置５００においては、これらのブロックが上記の順で並設される。

基板処理装置５００のインターフェースブロック１６に隣接するように露光装置１７が配置される。露光装置１７においては、液浸法により基板Ｗの露光処理が行われる。

インデクサブロック９は、各ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）９１、複数のキャリア載置台９２およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨ１，ＩＲＨ２が上下に設けられる。

反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部３０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。反射防止膜用塗布処理部３０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。

インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。

また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１６にも同様に設けられる。

レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部４０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。レジスト膜用塗布処理部４０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。

反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。

現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部５０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。現像処理部５０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。

レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁２２が設けられる。この隔壁２２には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。

レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部６０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。レジストカバー膜用塗布処理部６０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。

現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２３が設けられる。この隔壁２３には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。

レジストカバー膜除去ブロック１４は、レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂおよび第６のセンターロボットＣＲ６を含む。レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂは、第６のセンターロボットＣＲ６を挟んで互いに対向して設けられる。第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。

レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２４が設けられる。この隔壁２４には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。

洗浄／乾燥処理ブロック１５は、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１、洗浄／乾燥処理部８０および第７のセンターロボットＣＲ７を含む。露光後ベーク用熱処理部１５１はインターフェースブロック１６に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１３，ＰＡＳＳ１４を備える。洗浄／乾燥処理部８０は、第７のセンターロボットＣＲ７を挟んで露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１に対向して設けられる。第７のセンターロボットＣＲ７には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２が上下に設けられる。

レジストカバー膜除去ブロック１４と洗浄／乾燥処理ブロック１５との間には、雰囲気遮断用の隔壁２５が設けられる。この隔壁２５には、レジストカバー膜除去ブロック１４と洗浄／乾燥処理ブロック１５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１１は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４から洗浄／乾燥処理ブロック１５へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１２は、基板Ｗを洗浄／乾燥処理ブロック１５からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられる。

インターフェースブロック１６は、第８のセンターロボットＣＲ８、送りバッファ部ＳＢＦ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよびエッジ露光部ＥＥＷを含む。また、エッジ露光部ＥＥＷの下側には、後述する基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６および戻りバッファ部ＲＢＦが設けられている。第８のセンターロボットＣＲ８には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１３，ＣＲＨ１４が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２が上下に設けられる。

図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た側面図である。

反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部３０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置される。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３１およびスピンチャック３１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル３２を備える。

レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部４０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置される。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック４１およびスピンチャック４１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル４２を備える。

現像処理ブロック１２の現像処理部５０（図１参照）には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置される。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル５２を備える。

レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置される。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。

レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部７０ｂ（図１参照）には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置される。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル７２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。

なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。

洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０（図１参照）には、１個の端部洗浄ユニットＥＣおよび２個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤがこの順で積層配置される。端部洗浄ユニットＥＣおよび洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの詳細については後述する。

インターフェースブロック１６には、２個のエッジ露光部ＥＥＷ、基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６および戻りバッファ部ＲＢＦが上下に積層配置されるとともに、第８のセンターロボットＣＲ８（図１参照）およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。

図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た側面図である。

反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰが積層配置され、反射防止膜用熱処理部１０１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、レジスト膜用熱処理部１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、現像用熱処理部１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、レジストカバー膜用熱処理部１３１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部７０ａには、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置される。

洗浄／乾燥処理ブロック１５の露光後ベーク用熱処理部１５０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１５１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３，１４が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

なお、端部洗浄ユニットＥＣ、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ、除去ユニットＲＥＭ、現像処理ユニットＤＥＶ、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの個数は、各ブロックの処理速度に応じて適宜変更してよい。

（２） 基板処理装置の動作
次に、本参考形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図３を参照しながら説明する。

インデクサブロック９のキャリア載置台９２の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、上側のハンドＩＲＨ１を用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。

本参考形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。

さらに、インデクサロボットＩＲ、第２〜第８のセンターロボットＣＲ２〜ＣＲ８ならびにインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。

基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部３０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部３０では、露光処理時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。

その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、反射防止膜用塗布処理部３０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。

次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部４０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部４０では、塗布ユニットＲＥＳにより、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。

その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、レジスト膜用塗布処理部４０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部６０では、上述したように塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜上にレジストカバー膜が塗布形成される。

その後、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、洗浄／乾燥処理ブロック１５の第７のセンターロボットＣＲ７により受け取られる。

ここで、本参考形態では、露光装置１７による露光処理前に、基板Ｗに対し後述の端部洗浄処理を施す。第７のセンターロボットＣＲ７は、受け取った基板Ｗを洗浄／乾燥処理部８０の端部洗浄ユニットＥＣに搬入する。端部洗浄ユニットＥＣ内に搬入された基板Ｗには端部洗浄処理が施される。

次に、第７のセンターロボットＣＲ７は、端部洗浄ユニットＥＣから端部洗浄処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１６の第８のセンターロボットＣＲ８により受け取られる。第８のセンターロボットＣＲ８は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。

次に、第８のセンターロボットＣＲ８は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１５に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１５に載置された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲにより露光装置１７の基板搬入部１７ａ（図１参照）に搬入される。

なお、露光装置１７が基板Ｗの受け入れをできない場合は、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦに一時的に収納保管される。

露光装置１７において、基板Ｗに露光処理が施された後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板Ｗを露光装置１７の露光装置１７ｂ（図１参照）から取り出し、洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０に搬入する。洗浄／乾燥処理部８０の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。詳細は後述する。

洗浄／乾燥処理部８０において、露光処理後の基板Ｗに洗浄および乾燥処理が施された後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板Ｗを洗浄／乾燥処理部８０から取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置する。インターフェースブロック１６におけるインターフェース用搬送機構ＩＦＲの動作の詳細は後述する。

なお、故障等により洗浄／乾燥処理部８０において一時的に洗浄および乾燥処理ができないときは、インターフェースブロック１６の戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。

基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１６の第８のセンターロボットＣＲ８により受け取られる。第８のセンターロボットＣＲ８は、その基板Ｗを洗浄／乾燥処理ブロック１５の露光後ベーク用熱処理部１５１に搬入する。露光後ベーク用熱処理部１５１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第８のセンターロボットＣＲ８は、露光後ベーク用熱処理部１５１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１４に載置する。

なお、本参考形態においては露光後ベーク用熱処理部１５１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１５０により露光後ベークを行ってもよい。

基板載置部ＰＡＳＳ１４に載置された基板Ｗは、洗浄／乾燥処理ブロック１５の第７のセンターロボットＣＲ７により受け取られる。第７のセンターロボットＣＲ７は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部７０ａまたはレジストカバー膜除去用処理部７０ｂに搬入する。レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂにおいては、除去ユニットＲＥＭにより、基板Ｗ上のレジストカバー膜が除去される。

その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、レジストカバー膜除去用処理部７０ａまたはレジストカバー膜除去用処理部７０ｂから処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗを現像処理部５０に搬入する。現像処理部５０においては、現像処理ユニットＤＥＶにより、基板Ｗの現像処理が行われる。

その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、現像処理部５０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。

次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、現像用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。

（３） 端部洗浄ユニットについて
ここで、上記端部洗浄ユニットＥＣについて図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する端部洗浄ユニットＥＣの各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）９１により制御される。

（３−ａ） 端部洗浄ユニットの構成
図４は、端部洗浄ユニットＥＣの構成を説明するための図である。図４に示すように、端部洗浄ユニットＥＣは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック２０１を備える。

スピンチャック２０１は、チャック回転駆動機構２０４によって回転される回転軸２０３の上端に固定されている。また、スピンチャック２０１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック２０１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック２０１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。

なお、図１に示す第７のセンターロボットＣＲ７は、基板Ｗの中心部がスピンチャック２０１の軸心に一致するように基板Ｗを載置する。しかしながら、第７のセンターロボットＣＲ７の動作精度が低い場合には、基板Ｗの中心部がスピンチャック２０１の軸心に一致しない状態で基板Ｗが載置される場合がある。このような状態で基板Ｗがスピンチャック２０１により保持されると、後述する基板Ｗの端部洗浄処理時において、基板Ｗが偏心した状態で回転するため、基板Ｗの端部Ｒを均一に洗浄することができない。そこで、本参考形態では、基板Ｗの端部洗浄処理の前に、基板Ｗの位置が補正される。詳細は後述する。

スピンチャック２０１の側方でかつ端部洗浄ユニットＥＣ内の上部には、端部洗浄装置移動機構２３０が設けられている。端部洗浄装置移動機構２３０には、下方に延びる棒状の支持部材２２０が取り付けられている。支持部材２２０は、端部洗浄装置移動機構２３０により上下方向および水平方向に移動する。

支持部材２２０の下端部には、略円筒形状を有する端部洗浄装置２１０が水平方向に延びるように取り付けられている。これにより、端部洗浄装置２１０は、端部洗浄装置移動機構２３０により支持部材２２０とともに移動する。

これにより、端部洗浄装置２１０の一端が基板Ｗの端部Ｒと対向する。以下の説明においては、端部洗浄装置２１０の基板Ｗの端部Ｒと対向する一端を正面とする。

ここで、基板Ｗの上記端部Ｒの定義について次の図面を参照しながら説明する。

図５は、基板Ｗの端部Ｒを説明するための概略的模式図である。図５に示すように、基板Ｗ上には、上述した反射防止膜、レジスト膜（共に図示せず）およびレジストカバー膜が形成される。

基板Ｗは端面を有し、この端面を概略的に図示すれば図５のようになる。この端面を、一般的にベベル部と呼ぶ。また、レジストカバー膜が形成される基板Ｗの面の端から内側へ距離ｄまでの領域を、一般的に周縁部と呼ぶ。本発明の実施の形態では、上記のベベル部と周縁部とを総称して端部Ｒと呼ぶ。なお、上記距離ｄは例えば２〜３ｍｍである。なお、端部Ｒが周縁部を含まなくてもよい。この場合には、端部洗浄ユニットＥＣは基板Ｗのベベル部のみを洗浄する。

通常、レジストカバー膜は、基板Ｗ上の上記周縁部を覆うように形成されていない場合が多い。すなわち、基板Ｗ上の周縁部に形成された反射防止膜およびレジスト膜の一方または両方は露出した状態となっている。

図４に戻り、端部洗浄装置２１０は、基板Ｗの端部洗浄処理時に端部洗浄装置移動機構２３０によりスピンチャック２０１上の基板Ｗの端部Ｒ付近の位置に移動し、端部洗浄処理が行われていない期間には、後述するガイドアーム２５２の上方で待機する。

端部洗浄装置２１０は、その内部に空間を有する（後述の洗浄室２１１）。端部洗浄装置２１０には、洗浄液供給管２４１および排気管２４４が接続されている。洗浄液供給管２４１は、バルブ２４２を介して図示しない洗浄液供給系に接続されている。バルブ２４２を開くことにより、洗浄液が洗浄液供給管２４１を通じて端部洗浄装置２１０の内部空間に供給される。

また、排気管２４４は、排気部２４５に接続されている。排気部２４５は、端部洗浄装置２１０の内部空間の雰囲気を吸引し、排気管２４４を通じて排気する。端部洗浄装置２１０の詳細については後述する。

スピンチャック２０１の外方には１対のガイドアーム２５１，２５２が設けられている。ガイドアーム２５１，２５２は、スピンチャック２０１により保持される基板Ｗを挟んで互いに対向するように配置されている。

ガイドアーム２５１，２５２は、下方に延びる支持部材２５３，２５４により支持されている。支持部材２５３，２５４は、アーム移動機構２５５，２５６により水平方向に移動する。支持部材２５３，２５４の移動に伴い、ガイドアーム２５１，２５２は、基板Ｗに近づく方向または離れる方向にそれぞれ移動する。なお、ガイドアーム２５１，２５２が基板Ｗの外周部から最も離れた位置を待機位置と呼ぶ。

ここで、図６を参照してガイドアーム２５１，２５２の形状および動作の詳細について説明する。図６には、ガイドアーム２５１，２５２および基板Ｗの上面図が示される。

図６（ａ）〜図６（ｃ）に示すように、ガイドアーム２５１は半円筒形状を有し、その内側の面２５１ａは、基板Ｗの円弧に沿うように形成されている。ガイドアーム２５２はガイドアーム２５１と等しい形状を有し、内側の面２５２ａは、基板Ｗの円弧に沿うように形成されている。ガイドアーム２５１，２５２はスピンチャック２０１の軸心Ｐ１を中心として互いに対称となるように配置されている。なお、スピンチャック２０１の軸心Ｐ１は、回転軸２０３（図４）の軸心と等しい。

次に、ガイドアーム２５１，２５２の動作について説明する。

まず、図６（ａ）に示すように、ガイドアーム２５１，２５２がスピンチャック２０１の軸心Ｐ１から最も離れた待機位置にある状態で、第７のセンターロボットＣＲ７（図１）により基板Ｗが端部洗浄ユニットＥＣ内に搬入され、スピンチャック２０１上に載置される。

次に、図６（ｂ）に示すように、ガイドアーム２５１，２５２が互いに等しい速度でスピンチャック２０１の軸心Ｐ１に向けて移動する。このとき、基板Ｗの中心部Ｗ１がスピンチャック２０１の軸心Ｐ１に対してずれている場合には、ガイドアーム２５１，２５２の少なくとも一方により基板Ｗが押動される。それにより、基板Ｗの中心Ｗ１がスピンチャック２０１の軸心Ｐ１に近づくように（図６（ｂ）の矢印Ｍ１参照）基板Ｗが移動する。

そして、図６（ｃ）に示すように、ガイドアーム２５１，２５２がスピンチャック２０１の軸心Ｐ１に向かって移動すると、基板Ｗがガイドアーム２５１，２５２により挟持された状態となり、基板Ｗの中心Ｗ１がスピンチャック２０１の軸心Ｐ１に一致する。

このように、ガイドアーム２５１，２５２により、基板Ｗの中心Ｗ１がスピンチャック２０１の軸心Ｐ１に一致するように基板Ｗの位置が補正される。

なお、上記のガイドアーム２５１，２５２の動作は、図４に示す端部洗浄装置２１０がガイドアーム２５２の上方に待機する状態で行われる。

次に、端部洗浄装置２１０の詳細を説明する。図７は、図４の端部洗浄ユニットＥＣの端部洗浄装置２１０の構造を説明するための図である。図７（ａ）に端部洗浄装置２１０の縦断面図が示され、図７（ｂ）に端部洗浄装置２１０の正面図が示されている。

図７（ａ）に示すように、端部洗浄装置２１０の略円筒形状のハウジング２１０ａの内部には、洗浄室２１１が形成されている。

また、図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、ハウジング２１０ａの正面側には、洗浄室２１１と外部とを連通させる開口２１２が形成されている。開口２１２は、中央部から両側方にかけて上下幅が漸次拡大するように、円弧状の上面および下面を有する。基板Ｗの端部洗浄処理時には、開口２１２にスピンチャック２０１に吸着保持された基板Ｗの端部Ｒが挿入される。

洗浄室２１１内には、略円筒形状を有するブラシ２１３が鉛直方向に延びるように配置されている。ブラシ２１３は鉛直方向に延びる回転軸２１４に取り付けられている。回転軸２１４の上端および下端は、洗浄室２１１の上部および下部に形成された回転軸受に回転可能に取り付けられている。これにより、ブラシ２１３は、洗浄室２１１および回転軸２１４により回転可能に支持されている。

基板Ｗの端部洗浄処理時には、回転する基板Ｗの端部Ｒとブラシ２１３とが接触する。これにより、基板Ｗの端部Ｒがブラシ２１３により洗浄される。

ここで、図４の端部洗浄ユニットＥＣにおいて、ブラシ２１３が取り付けられた回転軸２１４は、スピンチャック２０１が固定される回転軸２０３と略平行となるように配置される。これにより、ブラシ２１３が回転する基板Ｗの端部Ｒに確実に接触した状態で回転する。

端部洗浄装置２１０の上部には、上述の洗浄液供給管２４１および排気管２４４が接続されている。

洗浄液供給管２４１は、ハウジング２１０ａ内に形成された洗浄液供給路２４１ａ，２４１ｂに接続されている。図７（ａ）に示すように、洗浄液供給路２４１ａは、ハウジング２１０ａの外部から洗浄室２１１の上部内面まで延びている。また、洗浄液供給路２４１ｂは、ハウジング２１０ａの外部から洗浄室２１１の下部内面まで延びている。図７（ａ）には、洗浄液供給路２４１ｂの一部のみが示されている。

このような構成により、基板Ｗの端部洗浄処理時には、端部洗浄装置２１０に供給される洗浄液が、洗浄室２１１内でブラシ２１３と接触する基板Ｗの端部Ｒに向かって上下方向から噴射される。それにより、基板Ｗの端部Ｒが効率よく洗浄される。

排気管２４４は、ハウジング２１０ａの上部に設けられた孔部を通じて洗浄室２１１内に挿入されている。これにより、上述のように、洗浄室２１１内の雰囲気が図４の排気部２４５により吸引され、排気管２４４を通じて排気される。

このように、洗浄室２１１においては、その内部雰囲気が排気部２４５により排気されるので、揮発した洗浄液および洗浄液のミストが効率よく排気される。

上記において、端面洗浄装置２１０に供給され、基板Ｗの端部Ｒに噴射される洗浄液としては、所定のレジスト溶媒、フッ素系薬液、アンモニア過水、および露光装置１７における液浸法に用いられる液体のいずれかが用いられる。

この他、洗浄液としては、例えば、純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液または純水、炭酸水、水素水、電解イオン水、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）、フッ酸、硫酸および硫酸過水のいずれかを用いることもできる。

（３−ｂ） 端部洗浄ユニットの他の構成例
端部洗浄ユニットＥＣは、以下の構成を有してもよい。図８は端部洗浄ユニットＥＣの他の構成例を説明するための図である。図８（ａ）は、端部洗浄ユニットＥＣの他の構成例を示す側面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）の端部洗浄ユニットＥＣの一部の上面図である。図８の端部洗浄ユニットＥＣについて、図４の端部洗浄ユニットＥＣと異なる点を説明する。

図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、回転軸２０３およびスピンチャック２０１の側方には、鉛直方向に延びる３本以上の補正ピン２６１が設けられている。本参考形態では、３本の補正ピン２６１が設けられている。補正ピン２６１は、スピンチャック２０１の軸心Ｐ１を中心として互いにほぼ等角度間隔で配置されている。また、３本の補正ピン２６１は、ピン駆動装置２６２により上下方向および水平方向に互いに一体的に移動可能である。

また、補正ピン２６１の外方でかつスピンチャック２０１上に載置される基板Ｗの端部Ｒの近傍には、４つの偏心センサ２６３が設けられている。４つの偏心センサ２６３は、スピンチャック２０１の軸心Ｐ１を中心として互いに等角度間隔で配置されている。

偏心センサ２６３はスピンチャック２０１の軸心Ｐ１に対する基板Ｗの偏心量および基板Ｗのノッチの位置を検出し、端部洗浄ユニットＥＣの動作を制御するローカルコントローラ２５０に偏心信号ＥＩおよびノッチ位置信号ＮＰを与える。ここで、基板Ｗのノッチとは、基板Ｗの向き等を容易に判別するために、基板Ｗの端部Ｒに形成される切り欠きのことをいう。また、偏心センサ２６３としては、例えばＣＣＤ（電荷結合素子）ラインセンサが用いられる。

なお、端部洗浄装置２１０、支持部材２２０、端部洗浄装置移動機２３０、洗浄液の供給系および排気系は、図４の端部洗浄ユニットＥＣと同様の構成および機能を有する。

図８の端部洗浄ユニットＥＣにおいては、基板Ｗの偏心量が偏心センサ２６３により検出されるとともに、補正ピン２６１により基板Ｗの位置が補正される。

ここで、図９を参照して、図８の端部洗浄ユニットＥＣにおける基板Ｗの位置の補正について説明する。図９は、ローカルコントローラ２５０による端部洗浄ユニットＥＣの制御の一例を示すフローチャートである。

図９に示すように、ローカルコントローラ２５０は、第７のセンターロボットＣＲ７により端部洗浄ユニットＥＣ内に基板Ｗを搬入する（ステップＳ１）。端部洗浄ユニットＥＣ内に搬入された基板Ｗは、スピンチャック２０１により保持される。次に、ローカルコントローラ２５０は、チャック回転駆動機構２０４により回転軸２０３の回転を開始させることによりスピンチャック２０１に保持されている基板Ｗの回転を開始させる（ステップＳ２）。

次に、ローカルコントローラ２５０は、偏心センサ２６３から与えられる偏心信号ＥＩに基づいて回転軸２０３の軸心に対する基板Ｗの偏心量がしきい値よりも大きいか否かを判定する（ステップＳ３）。

ステップＳ３において、回転軸２０３の軸心に対する基板Ｗの偏心量がしきい値以下の場合、ローカルコントローラ２５０は、端部洗浄装置２１０（図４）により基板Ｗの端部洗浄処理を行う（ステップＳ４）。ステップＳ４における基板Ｗの端部洗浄処理については、図４の端部洗浄ユニットＥＣにおける基板Ｗの端部洗浄処理と同様である。

その後、ローカルコントローラ２５０は、第７のセンターロボットＣＲ７により端部洗浄ユニットＥＣから基板Ｗを搬出し（ステップＳ５）、ステップＳ１の処理に戻る。

ステップＳ３において、回転軸２０３の軸心に対する基板Ｗの偏心量がしきい値よりも大きい場合、ローカルコントローラ２５０は、チャック回転駆動機構２０４により回転軸２０３の回転を停止させることにより基板Ｗの回転を停止させるとともに（ステップＳ６）、スピンチャック２０１による基板Ｗの保持を解除する。

次に、ローカルコントローラ２５０は、偏心信号ＥＩおよびノッチ位置信号ＮＰに基づいて基板Ｗの位置補正条件を算出する（ステップＳ７）。ここで、基板Ｗの位置補正条件とは、基板Ｗの中心Ｗ１（図６）をスピンチャック２０１の軸心Ｐ１（図６）に一致させるための基板Ｗの移動条件であり、基板Ｗの移動方向および移動距離を含む。

次に、ステップＳ６における基板Ｗの位置補正条件の算出結果に基づいて、ローカルコントローラ２５０は、補正ピン２６１により基板Ｗの位置を補正する（ステップＳ８）。具体的には、３本の補正ピン２６１が上方向に一体的に移動して基板Ｗを３点で支持する。続いて、基板Ｗの中心Ｗ１（図６）がスピンチャック２０１の軸心Ｐ１（図６）に一致するように補正ピン２６１が水平方向に移動する。そして、補正ピン２６１が下方向に移動することにより基板Ｗがスピンチャック２０１上に載置され、スピンチャック２０１により基板Ｗが保持される。それにより、基板Ｗの位置が補正される。その後、ステップＳ２の処理に戻る。

なお、ステップＳ８において、補正ピン２６１の代わりに、第７のセンターロボットＣＲにより基板Ｗの位置が補正されてもよい。その場合、補正ピン２６１およびピン駆動装置２６２を設ける必要がないので、端部洗浄ユニットＥＣの小型化および軽量化が可能となる。

また、図８に示す例においては、端部洗浄ユニットＥＣ内に４つの偏心センサ２６３が設けられるが、偏心センサ２６３の数は基板Ｗの大きさ等により適宜変更してもよい。

また、図８に示す例においては、基板Ｗを回転させた状態で基板Ｗの偏心量を検出するが、基板Ｗの回転を停止した状態で基板Ｗの偏心量を検出してもよい。ただし、端部洗浄ユニットＥＣ内に設けられる偏心センサ２６３の数が例えば１つまたは２つの場合に基板Ｗの回転を停止した状態で検出を行うと、基板Ｗの偏心の方向によっては正確な偏心量を検出できない場合がある。そのため、端部洗浄ユニットＥＣ内に設けられる偏心センサ２６３の数が例えば１つまたは２つの場合には、基板Ｗを回転させた状態で、基板Ｗの偏心量を検出することが好ましい。

（３−ｃ） 端部洗浄ユニットのさらに他の構成例
端部洗浄ユニットＥＣは、さらに以下の構成を有してもよい。図１０は端部洗浄ユニットＥＣのさらに他の構成例を説明するための図である。図１０（ａ）は、端部洗浄ユニットＥＣのさらに他の構成例を示す側面図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）の端部洗浄ユニットＥＣの一部の上面図である。図１０の端部洗浄ユニットＥＣについて、図４の端部洗浄ユニットＥＣと異なる点を説明する。

図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示すように、回転軸２０３およびスピンチャック２０１を取り囲むように３本以上の支持ピン２７１Ｐが互いにほぼ等角度間隔で配置されている。本例では、４本の支持ピン２７１Ｐが設けられている。

これら４本の支持ピン２７１Ｐは、それぞれの下端部が円環状のピン保持部材２７１により保持されることにより、回転軸２０３を中心として外方へ向かって斜め上方に傾斜している。なお、４本の支持ピン２７１Ｐの下端部が取り囲む円形領域の直径は基板Ｗの直径以下であり、４本の支持ピン２７１Ｐの上端部が取り囲む円形領域の直径は基板Ｗの直径よりも大きい。

ピン保持部材２７１は、昇降軸２７２に取り付けられている。ピン駆動装置２７３は、ローカルコントローラ２５０により制御され、昇降軸２７２を昇降動作させる。これにより、ピン保持部材２７１とともに、４本の支持ピン２７１Ｐが上昇および下降する。

４本の支持ピン２７１Ｐおよびピン保持部材２７１の周囲を取り囲むように、基板Ｗからの洗浄液が外方へ飛散することを防止するための略筒状の処理カップ２８２が設けられている。

処理カップ２８２は、カップ駆動装置２８４の昇降軸２８３に取り付けられている。カップ駆動装置２８４は、ローカルコントローラ２５０により制御され、昇降軸２８３を昇降動作させる。

これにより、処理カップ２８２がスピンチャック２０１により保持された基板Ｗの端部Ｒを取り囲む排液回収位置と、スピンチャック２０１よりも下方の待機位置との間で上昇および下降する。

基板Ｗの端部洗浄処理時には、処理カップ２８２が排液回収位置に上昇するとともに、端部洗浄装置２１０が処理カップ２８２の内側に移動し、図１０（ｂ）に示すように、ブラシ２１３が基板Ｗの端部Ｒに当接する。

この状態で、端部洗浄装置２１０により基板Ｗの端部Ｒが洗浄され、基板Ｗから飛散する洗浄液は、処理カップ２８２の内面を伝って下方へと流れ落ちる。流れ落ちた洗浄液は、端面洗浄ユニットＥＣの底面に形成された排液系２８５を通じて外部に排出される。

４本の支持ピン２７１Ｐおよび処理カップ２８２の昇降動作とその働きについて詳細を説明する。図１１および図１２は、図１０の端面洗浄ユニットＥＣにおける４本の支持ピン２７１Ｐおよび処理カップ２８２の昇降動作を説明するための図である。

図１１（ａ）に示すように、端面洗浄ユニットＥＣ内への基板Ｗの搬入時には、初めにスピンチャック２０１上に基板Ｗが載置される。このとき、４本の支持ピン２７１Ｐおよび処理カップ２８２は、ともにスピンチャック２０１よりも下方の待機位置に位置する。

図１１（ｂ）に示すように、基板Ｗがスピンチャック２０１上に載置されると、ピン保持部材２７１が上昇するとともに（矢印ＰＮ１）、処理カップ２８２も上昇する（矢印ＰＮ２）。

ここで、上述のように、４本の支持ピン２７１Ｐは、回転軸２０３を中心として外方に向かって斜め上方に傾斜している。また、４本の支持ピン２７１Ｐが取り囲む円形領域の直径は下から上へ漸次拡大する。

これにより、基板Ｗの中心Ｗ１（図６）とスピンチャック２０１の軸心Ｐ１（図６）とが一致している場合に４本の支持ピン２７１Ｐが上昇すると、４本の支持ピン２７１Ｐに基板Ｗの端部Ｒがほぼ同時に当接する。そして、基板Ｗが４本の支持ピン２７１Ｐにより持ち上げられる。

一方、基板Ｗの中心Ｗ１（図６）とスピンチャック２０１の軸心Ｐ１（図６）とが一致していない場合には、４本の支持ピン２７１Ｐが上昇すると、まず、４本の支持ピン２７１Ｐのうちのいずれか１本〜３本の支持ピン２７１Ｐに基板Ｗの端部Ｒが当接する。

このとき、支持ピン２７１Ｐの上昇に伴って、支持ピン２７１Ｐに当接する基板Ｗの端部Ｒが支持ピン２７１Ｐを滑りつつ回転軸２０３に向かって水平方向に移動する。

４本の支持ピン２７１Ｐがさらに上昇することにより、基板Ｗの端部Ｒに４本の支持ピン２７１Ｐが当接し、基板Ｗの中心Ｗ１とスピンチャック２０１の軸心Ｐ１とが一致する。そして、基板Ｗが４本の支持ピン２７１Ｐにより持ち上げられる。

その後、図１１（ｃ）に示すように、４本の支持ピン２７１Ｐが下降する（矢印ＰＮ３）。これにより、図１２（ｄ）に示すように、４本の支持ピン２７１Ｐが待機位置に戻り、基板Ｗの中心Ｗ１がスピンチャック２０１の軸心Ｐ１と一致した状態で基板Ｗがスピンチャック２０１上に載置される。この状態で、基板Ｗはスピンチャック２０１により吸着保持される。そして、処理カップ２８２内に図１０の端部洗浄装置２１０が移動し、基板Ｗの端部洗浄処理を行う。

基板Ｗの端部洗浄処理が終了すると、図１２（ｅ）に示すように、処理カップ２８２が下降し（矢印ＰＮ５）、４本の支持ピン２７１Ｐが上昇する（矢印ＰＮ４）。それにより、基板Ｗが持ち上げられる。

４本の支持ピン２７１Ｐにより持ち上げられた基板Ｗは、図１のハンドＣＲＨ１１により受け取られ、端面洗浄ユニットＥＣの外部へと搬出される。最後に、図１２（ｆ）に示すように、４本の支持ピン２７１Ｐが待機位置へ下降する（矢印ＰＮ６）。

上記のように、本例の端面洗浄ユニットＥＣにおいては、４本の支持ピン２７１Ｐが昇降動作することにより、簡単な構成でかつ容易に基板Ｗの位置が補正される。それにより、基板Ｗの端部洗浄処理が正確かつ確実に行われる。

（３−ｄ） 端部洗浄ユニットのさらに他の構成例
端部洗浄ユニットＥＣは、さらに以下の構成を有してもよい。図１３は端部洗浄ユニットＥＣのさらに他の構成例を説明するための図である。図１３（ａ）は、端部洗浄ユニットＥＣのさらに他の構成例を示す側面図であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）の端部洗浄ユニットＥＣの一部の上面図である。図１３の端部洗浄ユニットＥＣについて、図４の端部洗浄ユニットＥＣと異なる点を説明する。

図１３（ａ）および図１３（ｂ）に示すように、スピンチャック２０１の上方で、スピンチャック２０１により保持される基板Ｗの端部Ｒの近傍にカメラ２９０が配置されている。カメラ２９０は、例えばＣＣＤカメラであり、スピンチャック２０１により保持される基板Ｗの端部Ｒを上方から撮像する。カメラ２９０により得られる画像は電気信号としてローカルコントローラ２５０に与えられる。

チャック回転駆動機構２０４は、モータおよびエンコーダを含む。ローカルコントローラ２５０は、エンコーダの出力信号に基づいてモータにより回転駆動させる回転軸２０３の基準位置（０度）からの回転角度を検出することができる。

図１３（ｂ）に示すように、基板Ｗの端部洗浄処理時には、カメラ２９０と端部洗浄装置２１０とが、スピンチャック２０１の軸心Ｐ１を挟んで対向する。

基板Ｗの中心Ｗ１がスピンチャック２０１の軸心Ｐ１と一致している場合には、基板Ｗの端部Ｒがスピンチャック２０１の軸心Ｐ１と端部洗浄装置２１０のブラシ２１３の中心とを結ぶ水平線上で基板Ｗの回転に伴って変位しない。

一方、基板Ｗの中心Ｗ１がスピンチャック２０１の軸心Ｐ１と一致していない場合には、基板Ｗの端部Ｒがスピンチャック２０１の軸心Ｐ１と端部洗浄装置２１０のブラシ２１３の中心とを結ぶ水平線上で基板Ｗの回転に伴って変位する。この場合、端部Ｒの変位量はスピンチャック２０１の回転角度に依存して変化する。

以下の説明においては、スピンチャック２０１の軸心Ｐ１と端部洗浄装置２１０のブラシ２１３の中心とを結ぶ水平線を偏心検出ラインＥＬと呼ぶ。

ローカルコントローラ２５０は、カメラ２９０から与えられる画像に基づいて、偏心検出ラインＥＬ上での基板Ｗの端部Ｒの変位量とスピンチャック２０１の回転角度との関係を検出する。

さらに、ローカルコントローラ２５０は、端部Ｒの変位量とスピンチャック２０１の回転角度との関係に基づいて端部洗浄装置移動機構２３０により端部洗浄装置２１０を偏心検出ラインＥＬ上で移動させる。

具体的には、ローカルコントローラ２５０は、基板Ｗを一回転させることにより、カメラ２９０から与えられる画像に基づいてスピンチャック２０１の基準角度からの回転角度と偏心検出ラインＥＬ上での端部Ｒの変位量との関係を検出し、その関係を記憶する。

ローカルコントローラ２５０は、基板Ｗの回転中に、記憶した回転角度と変位量との関係に基づいて、基板Ｗの回転中心とブラシ２１３の中心との相対位置（距離）が保持されるように、端部洗浄装置２１０を偏心検出ラインＥＬ上でリアルタイムに移動させる（図１３（ｂ）矢印参照）。

それにより、スピンチャック２０１の軸心Ｐ１とスピンチャック２０１上に載置された基板Ｗの中心Ｗ１とが一致しない場合でも、端部Ｒと端部洗浄装置２１０のブラシ２１３との接触状態を基板Ｗの全周に渡って一定に保つことが可能となる。その結果、基板Ｗの端部洗浄処理が基板Ｗの全周に渡って均一かつ正確に行われる。

（３−ｅ） 端部洗浄ユニットのさらに他の構成例
端部洗浄ユニットＥＣは、さらに以下の構成を有してもよい。図１４は端部洗浄ユニットＥＣのさらに他の構成例を説明するための図である。図１４（ａ）は、端部洗浄ユニットＥＣのさらに他の構成例を示す側面図であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）の端部洗浄ユニットＥＣの一部の上面図である。図１４の端部洗浄ユニットＥＣについて、図１３の端部洗浄ユニットＥＣと異なる点を説明する。

ここで、本例の端面洗浄ユニットＥＣを構成するスピンチャック２０１、回転軸２０３およびチャック回転駆動機構２０４を基板回転機構２０９と称する。本例の端面洗浄ユニットＥＣには、基板回転機構２０９を偏心検出ラインＥＬに平行に移動させる回転機構移動装置２９１が設けられている。

ローカルコントローラ２５０は、基板回転機構２０９を固定した状態で基板Ｗを一回転させる。これにより、カメラ２９０から与えられる画像に基づいてスピンチャック２０１の基準角度からの回転角度と偏心検出ラインＥＬ上での端部Ｒの変位量との関係を検出し、その関係を記憶する。

ローカルコントローラ２５０は、基板Ｗの回転中に、記憶した回転角度と変位量との関係に基づいて、基板Ｗの回転中心とブラシ２１３の中心との相対位置（距離）が保持されるように、基板回転機構２０９を偏心検出ラインＥＬ上でリアルタイムに移動させる（図１４（ｂ）矢印参照）。

それにより、基板Ｗの全周に渡って、端部Ｒと端部洗浄装置２１０のブラシ２１３との接触状態を一定に保つことが可能となる。その結果、基板Ｗの端部洗浄処理が基板Ｗの全周に渡って均一かつ正確に行われる。

（３−ｆ） 端部洗浄ユニットのさらに他の構成例
端部洗浄ユニットＥＣは、さらに以下の構成を有してもよい。図１５は端部洗浄ユニットＥＣのさらに他の構成例を説明するための図である。図１５の端部洗浄ユニットＥＣについて、図４の端部洗浄ユニットＥＣと異なる点を説明する。

図１５に示すように、本例の端面洗浄ユニットＥＣにおいては、処理チャンバＣＨ内にスピンチャック２０１、回転軸２０３、チャック回転駆動機構２０４、端部洗浄装置２１０および端部洗浄装置移動機構２３０が配置されている。

なお、処理チャンバＣＨ内でのこれらの構成部の配置は図４の端面洗浄ユニットＥＣと同じである。また、図４の端面洗浄ユニットＥＣと異なり、本例の端面洗浄ユニットＥＣにはガイドアーム２５１，２５２は設けられていない。

処理チャンバＣＨの一側面に、端面洗浄ユニットＥＣへの基板Ｗの搬入および端面洗浄ユニットＥＣからの基板Ｗの搬出を行うための開口部ＥＣＯが形成されている。その一側面には、開口部ＥＣＯを開閉可能なシャッタＳＨと、そのシャッタＳＨを駆動するシャッタ駆動装置ＳＨＭとが設けられている。

シャッタＳＨが開口部ＥＣＯを開くことにより、外部から端面洗浄ユニットＥＣ内への基板Ｗの搬入、および端面洗浄ユニットＥＣ内から外部への基板Ｗの搬出を行うことができる。これらの基板Ｗの搬入および搬出は、図１の第７のセンターロボットＣＲ７が備えるハンドＣＲＨ１１により行われる。

さらに、処理チャンバＣＨの一側面における開口部ＥＣＯの上部に光電センサ２７６の投光部２７６ａが設けられている。ハンドＣＲＨ１１の上面における所定の箇所に光電センサ２７６の受光部２７６ｂが設けられている。投光部２７６ａは、例えば処理チャンバＣＨの底面に向かう鉛直方向に光を投光する。

光電センサ２７６の投光部２７６ａおよび受光部２７６ｂは、ローカルコントローラ２５０に接続されている。ローカルコントローラ２５０は、端面洗浄ユニットＥＣへの基板Ｗの搬入時に投光部２７６ａから光を投光させる。

受光部２７６ｂは、投光部２７６ａからの光を受光した場合に、光を受光した旨の信号（以下、受光信号と呼ぶ。）をローカルコントローラ２５０へ与える。

ローカルコントローラ２５０は、端面洗浄ユニットＥＣ内の各構成部の動作を制御するとともに、図１の第７のセンターロボットＣＲ７の動作も制御する。ローカルコントローラ２５０により制御されるハンドＣＲＨ１１の動作について図１６に基づき説明する。

図１６は、端面洗浄ユニットＥＣへの基板Ｗの搬入時における図１５のハンドＣＲＨ１１の動作を説明するための図である。なお、図１６では、ハンドＣＲＨ１１および端面洗浄ユニットＥＣの構成の一部（図１５の投光部２７６ａおよびスピンチャック２０１）が上面図で示されている。

図１６（ａ）において、矢印で示されるように、ハンドＣＲＨ１１により保持された基板Ｗが端面洗浄ユニットＥＣ内に搬入される。ハンドＣＲＨ１１とスピンチャック２０１との位置関係は予め設定されている。

しかしながら、ハンドＣＲＨ１１の位置が、予め設定された位置からずれる場合がある。それにより、図１６（ｂ）に示すように、端面洗浄ユニットＥＣに搬入される基板Ｗは、基板Ｗの中心Ｗ１がスピンチャック２０１の軸心Ｐ１からずれた状態でスピンチャック２０１上に載置される。

この場合、投光部２７６ａから投光される光は、受光部２７６ｂにより受光されない。したがって、ローカルコントローラ２５０には、受光部２７６ｂから受光信号が与えられない。

そこで、ローカルコントローラ２５０は、図１６（ｃ）に示すように、受光部２７６ｂから受光信号が与えられるまで、ハンドＣＨＲ１１を水平面内で移動させる。ローカルコントローラ２５０は、受光信号が与えられると、ハンドＣＲＨ１１の移動を停止させ、スピンチャック２０１上に基板Ｗを載置させる。

これにより、スピンチャック２０１の軸心Ｐ１と基板Ｗの中心Ｗ１とが一致する。それにより、基板Ｗの端部洗浄処理時に、基板Ｗの全周に渡って、端部Ｒと端部洗浄装置２１０のブラシ２１３との接触状態を一定に保つことが可能となる。その結果、基板Ｗの端部洗浄処理が基板Ｗの全周に渡って均一かつ正確に行われる。

なお、基板Ｗの中心Ｗ１とスピンチャック２０１の軸心Ｐ１とを一致させるための受光センサ２７６は、図４、図８、図１０、図１３および図１４の端面洗浄ユニットＥＣにも設けることができる。

この場合、ローカルコントローラ２５０がハンドＣＲＨ１１の動作を制御することにより、基板Ｗの偏心をより十分に防止することができる。

（３−ｇ） 端部洗浄ユニットのさらに他の構成例
端部洗浄ユニットＥＣは、さらに以下の構成を有してもよい。図１７は端部洗浄ユニットＥＣのさらに他の構成例を説明するための図である。図１７の端部洗浄ユニットＥＣについて、図４の端部洗浄ユニットＥＣと異なる点を説明する。

図１７に示すように、スピンチャック２０１の外方には、モータ３０１が設けられている。モータ３０１には、回動軸３０２が接続されている。また、回動軸３０２には、アーム３０３が水平方向に延びるように連結され、アーム３０３の先端に二流体ノズル３１０が設けられている。この二流体ノズル３１０は、気体および液体からなる混合流体を吐出する。詳細は後述する。

なお、アーム３０３の先端部において、二流体ノズル３１０は、スピンチャック２０１により保持される基板Ｗの表面に対して傾斜するように取り付けられている。

基板Ｗの端部洗浄処理開始時には、モータ３０１により回動軸３０２が回転するとともにアーム３０３が回動する。これにより、二流体ノズル３１０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの端部Ｒの上方に移動する。その結果、二流体ノズル３１０の混合流体の吐出部３１０ａが、基板Ｗの端部Ｒに対向する。

モータ３０１、回動軸３０２およびアーム３０３の内部を通るように洗浄液供給管３３１が設けられている。洗浄液供給管３３１は、一端が二流体ノズル３１０に接続されるとともに、他端がバルブ３３２を介して図示しない洗浄液供給系に接続されている。バルブ３３２を開くことにより、洗浄液が洗浄液供給管３３１を通じて二流体ノズル３１０に供給される。なお、本例では、洗浄液として例えば純水を用いるが、純水の代わりに所定のレジスト溶媒、フッ素系薬液、アンモニア過水、露光装置１７における液浸法に用いられる液体、フッ酸、硫酸および硫酸過水のいずれかを用いることもできる。

また、二流体ノズル３１０には、洗浄液供給管３３１とともに、気体供給管３４１の一端が接続されている。気体供給管３４１の他端は、バルブ３４２を介して図示しない気体供給系に接続されている。バルブ３４２を開くことにより気体が二流体ノズル３１０に供給される。なお、本例では、二流体ノズル３１０に供給される気体として窒素ガス（Ｎ₂ ）を用いるが、窒素ガス（Ｎ₂ ）の代わりにアルゴンガスまたはヘリウムガス等の他の不活性ガスを用いることもできる。

基板Ｗの端部洗浄処理時には、洗浄液および気体が二流体ノズル３１０に供給される。これにより、回転する基板Ｗの端部Ｒに二流体ノズル３１０から混合流体が吐出される。それにより、基板Ｗの端部Ｒが良好に洗浄される。

さらに、本参考形態では、端部洗浄ユニットＥＣ内に、上記二流体ノズル３１０と同じ構成および機能を持つ二流体ノズル３１０ｂが設けられる。この二流体ノズル３１０ｂは、スピンチャック２０１により保持される基板Ｗの裏面に対向するように、かつ基板Ｗの裏面に対して傾斜するように取り付けられている。なお、二流体ノズル３１０ｂは、混合流体を吐出する吐出部３１０ｃを備え、図示しないアームに取り付けられている。

このように、基板Ｗの表面および裏面にそれぞれ対向するように二流体ノズル３１０，３１０ｂを設けることにより、基板Ｗの端部Ｒを確実に洗浄することが可能となる。なお、二流体ノズル３１０ｂの洗浄液および気体の各供給系は、二流体ノズル３１０と同様であるので説明を省略する。

また、図１７の端部洗浄ユニットＥＣには、図４の端部洗浄ユニットＥＣと同様にガイドアーム２５１，２５２、支持部材２５３，２５４およびアーム移動機構２５５，２５６が設けられている。これらは、図４の端部洗浄ユニットＥＣと同様の構成および機能を有する。それにより、スピンチャック２０１上に基板Ｗが載置される際に、基板Ｗの位置がガイドアーム２５１，２５２により補正される。

なお、ガイドアーム２５１，２５２、支持部材２５３，２５４およびアーム移動機構２５５，２５６の代わりに、図８の補正ピン２６１、ピン駆動装置２６２および偏心センサ２６３が設けられてもよいし、図１０の４本の支持ピン２７１Ｐ、ピン保持部材２７１およびピン駆動装置２７３が設けられてもよいし、図１３のカメラ２９０が設けられてもよいし、図１４のカメラ２９０および回転機構移動装置２９１が設けられてもよい。

さらに、ガイドアーム２５１，２５２、支持部材２５３，２５４およびアーム移動機構２５５，２５６の代わりに、図１７の端面洗浄ユニットＥＣに図１５の投光部２７６ａが設けられ、ハンドＣＲＨ１１に受光部２７６ｂが設けられてもよい。

続いて、二流体ノズル３１０の内部構造の一例を説明する。なお、二流体ノズル３１０ｂの内部構造は二流体ノズル３１０の内部構造と同様であるので説明を省略する。

図１８は、端部洗浄処理に用いられる二流体ノズル３１０の内部構造の一例を示す縦断面図である。

図１８に示される二流体ノズル３１０は外部混合型と呼ばれる。図１８に示す外部混合型の二流体ノズル３１０は、内部本体部３１１および外部本体部３１２により構成される。内部本体部３１１は、例えば石英等からなり、外部本体部３１２は、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等のフッ素樹脂からなる。

内部本体部３１１の中心軸に沿って純水導入部３１１ｂが形成されている。純水導入部３１１ｂには図１７の洗浄液供給管３３１が取り付けられる。これにより、洗浄液供給管３３１から供給される純水が純水導入部３１１ｂに導入される。

内部本体部３１１の下端には、純水導入部３１１ｂに連通する純水吐出口３１１ａが形成されている。内部本体部３１１は、外部本体部３１２内に挿入されている。なお、内部本体部３１１および外部本体部３１２の上端部は互いに接合されており、下端は接合されていない。

内部本体部３１１と外部本体部３１２との間には、円筒状の気体通過部３１２ｂが形成されている。外部本体部３１２の下端には、気体通過部３１２ｂに連通する気体吐出口３１２ａが形成されている。外部本体部３１２の周壁には、気体通過部３１２ｂに連通するように図１７の気体供給管３４１が取り付けられている。これにより、気体供給管３４１から供給される窒素ガス（Ｎ₂ ）が気体通過部３１２ｂに導入される。

気体通過部３１２ｂは、気体吐出口３１２ａ近傍において、下方に向かうにつれて径小となっている。その結果、窒素ガス（Ｎ₂ ）の流速が加速され、気体吐出口３１２ａより吐出される。

この二流体ノズル３１０では、純水吐出口３１１ａから吐出された純水と気体吐出口３１２ａから吐出された窒素ガス（Ｎ₂ ）とが二流体ノズル３１０の下端付近の外部で混合され、純水の微細な液滴を含む霧状の混合流体Ｎが生成される。

上述のように、基板Ｗの端部洗浄処理時においては、霧状の混合流体Ｎが基板Ｗの端部Ｒに吐出されることにより、基板Ｗの端部Ｒの洗浄が行われる。

なお、図１７の端部洗浄ユニットＥＣにおいては、図１８の二流体ノズル３１０に代えて、混合流体Ｎの生成をノズル本体の内部で行う内部混合型の二流体ノズル３１０を用いてもよい。二流体ノズル３１０の内部構造の他の例を説明する。

図１９は、端部洗浄処理に用いられる二流体ノズル３１０の内部構造の他の例を示す縦断面図である。図１９に示される二流体ノズル３１０は内部混合型と呼ばれる。

図１９に示される内部混合型の二流体ノズル３１０は、気体導入管３３３および本体部３３４により構成される。本体部３３４は、例えば石英からなり、気体導入管３３３は、例えばＰＴＦＥからなる。

気体導入管３３３には、上端から下端まで連通する気体導入部３３３ａが形成されている。また、気体導入管３３３の上端には、図１７の気体供給管３４１が取り付けられている。これにより、気体供給管３４１から供給されるＮ₂ ガスが気体導入部３３３ａに導入される。

本体部３３４は、径大な上部筒３３４ａ、テーパ部３３４ｂおよび径小な下部筒３３４ｃからなる。

上部筒３３４ａおよびテーパ部３３４ｂ内に混合室３３４ｄが形成され、下部筒３３４ｃ内に直流部３３４ｅが形成されている。下部筒３３４ｃの下端には、直流部３３４ｅに連通する混合流体吐出口３３４ｆが形成されている。

本体部３３４の上部筒３３４ａには、混合室３３４ｄに連通するように図１７の洗浄液供給管３３１が取り付けられている。これにより、洗浄液供給管３３１から供給される純水が混合室３３４ｄに導入される。気体導入管３３３の下端部は、本体部３３４の上部筒３３４ａの混合室３３４ｄ内に挿入されている。

図１９の内部混合型の二流体ノズル３１０では、気体導入部３３３ａから加圧された窒素ガス（Ｎ₂ ）が供給され、洗浄液供給管３３１から純水が供給されると、混合室３３４ｄで窒素ガス（Ｎ₂ ）と純水とが混合され、純水の微細な液滴を含む霧状の混合流体Ｎが生成される。

混合室３３４ｄで生成された混合流体Ｎは、テーパ部３３４ｂに沿って直流部３３４ｅを通過することにより加速される。加速された混合流体Ｎは、混合流体吐出口３３４ｆから基板Ｗの端部Ｒに吐出される。それにより、基板Ｗの端部Ｒの洗浄が行われる。

（３−ｈ） 端部洗浄ユニットのさらに他の構成例
端部洗浄ユニットＥＣは、さらに以下の構成を有してもよい。図２０は、端部洗浄ユニットＥＣのさらに他の構成例を説明するための図である。図２０の端部洗浄ユニットＥＣについて、図１７の端部洗浄ユニットＥＣと異なる点を説明する。

図２０に示すように、本例の端部洗浄ユニットＥＣにおいては、アーム３０３の先端に二流体ノズル３１０に代えて超音波ノズル４１０が設けられている。

なお、本例においても、超音波ノズル４１０は、スピンチャック２０１により保持される基板Ｗの表面に対して傾斜するようにアーム３０３の先端部に取り付けられている。

超音波ノズル４１０には、洗浄液供給管３３１が接続されている。これにより、図１７の例と同様に、バルブ３３２を開くことにより、洗浄液が洗浄液供給管３３１を通じて超音波ノズル４１０に供給される。なお、本例でも、洗浄液として純水を用いる。

超音波ノズル４１０内には、高周波振動子４１１が内蔵されている。この高周波振動子４１１は、高周波発生装置４２０と電気的に接続されている。

基板Ｗの端部洗浄処理時においては、純水が超音波ノズル４１０から基板Ｗの端部Ｒに向かって吐出される。ここで、超音波ノズル４１０から純水が吐出される際には、高周波発生装置４２０から高周波振動子４１１に高周波電流が供給される。

それにより、高周波振動子４１１が超音波振動し、超音波ノズル４１０内を通る純水に高周波電流の値に応じた高周波出力が印加される。その結果、超音波振動状態となった純水が基板Ｗの端部Ｒに吐出され、基板Ｗの端部Ｒが洗浄される。

なお、本例においても、端部洗浄ユニットＥＣ内に、上記超音波ノズル４１０と同じ構成および機能を持つ超音波ノズル４１０ａが設けられる。この超音波ノズル４１０ａは、スピンチャック２０１により保持される基板Ｗの裏面に対向するように、かつ基板Ｗの裏面に対して傾斜するように取り付けられている。なお、超音波ノズル４１０ａ内には高周波振動子４１１ａが内蔵されており、超音波ノズル４１０ａは図示しないアームに取り付けられている。

このように、基板Ｗの表面および裏面にそれぞれ対向するように超音波ノズル４１０，４１０ａを設けることにより、基板Ｗの端部Ｒを確実に洗浄することが可能となる。なお、超音波ノズル４１０ａの洗浄液および高周波電流の各供給系は、超音波ノズル４１０と同様であるので説明を省略する。

また、図２０の端部洗浄ユニットＥＣには、図４の端部洗浄ユニットＥＣと同様にガイドアーム２５１，２５２、支持部材２５３，２５４およびアーム移動機構２５５，２５６が設けられている。これらは、図４の端部洗浄ユニットＥＣと同様の構成および機能を有する。それにより、スピンチャック２０１上に基板Ｗが載置される際に、基板Ｗの位置がガイドアーム２５１，２５２により補正される。

なお、ガイドアーム２５１，２５２、支持部材２５３，２５４およびアーム移動機構２５５，２５６の代わりに、図８の補正ピン２６１、ピン駆動装置２６２および偏心センサ２６３が設けられてもよいし、図１０の４本の支持ピン２７１Ｐ、ピン保持部材２７１およびピン駆動装置２７３が設けられてもよいし、図１３のカメラ２９０が設けられてもよいし、図１４のカメラ２９０および回転機構移動装置２９１が設けられてもよい。

さらに、ガイドアーム２５１，２５２、支持部材２５３，２５４およびアーム移動機構２５５，２５６の代わりに、図１７の端面洗浄ユニットＥＣに図１５の投光部２７６ａが設けられ、ハンドＣＲＨ１１に受光部２７６ｂが設けられてもよい。

（４） 洗浄／乾燥処理ユニットについて
次に、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤについて図面を用いて説明する。

（４−ａ） 洗浄／乾燥処理ユニットの構成
洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの構成について説明する。図２１は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの構成を説明するための図である。

図２１に示すように、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック６２１を備える。

スピンチャック６２１は、チャック回転駆動機構６３６によって回転される回転軸６２５の上端に固定されている。また、スピンチャック６２１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック６２１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック６２１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。

スピンチャック６２１の外方には、第１のモータ６６０が設けられている。第１のモータ６６０には、第１の回動軸６６１が接続されている。また、第１の回動軸６６１には、第１のアーム６６２が水平方向に延びるように連結され、第１のアーム６６２の先端に洗浄処理用ノズル６５０が設けられている。

第１のモータ６６０により第１の回動軸６６１が回転するとともに第１のアーム６６２が回動し、洗浄処理用ノズル６５０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。

第１のモータ６６０、第１の回動軸６６１および第１のアーム６６２の内部を通るように洗浄処理用供給管６６３が設けられている。洗浄処理用供給管６６３は、バルブＶａおよびバルブＶｂを介して洗浄液供給源Ｒ１およびリンス液供給源Ｒ２に接続されている。このバルブＶａ，Ｖｂの開閉を制御することにより、洗浄処理用供給管６６３に供給する処理液の選択および供給量の調整を行うことができる。図２１の構成においては、バルブＶａを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３に洗浄液を供給することができ、バルブＶｂを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３にリンス液を供給することができる。

洗浄処理用ノズル６５０には、洗浄液またはリンス液が、洗浄処理用供給管６６３を通して洗浄液供給源Ｒ１またはリンス液供給源Ｒ２から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給することができる。洗浄液としては、例えば、純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液またはフッ素系薬液などが用いられる。リンス液としては、例えば、純水、炭酸水、水素水および電解イオン水、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）のいずれかが用いられる。

スピンチャック６２１の外方には、第２のモータ６７１が設けられている。第２のモータ６７１には、第２の回動軸６７２が接続されている。また、第２の回動軸６７２には、第２のアーム６７３が水平方向に延びるように連結され、第２のアーム６７３の先端に乾燥処理用ノズル６７０が設けられている。

第２のモータ６７１により第２の回動軸６７２が回転するとともに第２のアーム６７３が回動し、乾燥処理用ノズル６７０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。

第２のモータ６７１、第２の回動軸６７２および第２のアーム６７３の内部を通るように乾燥処理用供給管６７４が設けられている。乾燥処理用供給管６７４は、バルブＶｃを介して不活性ガス供給源Ｒ３に接続されている。このバルブＶｃの開閉を制御することにより、乾燥処理用供給管６７４に供給する不活性ガスの供給量を調整することができる。

乾燥処理用ノズル６７０には、不活性ガスが、乾燥処理用供給管６７４を通して不活性ガス供給源Ｒ３から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給することができる。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガス（Ｎ₂ ）が用いられる。

基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は基板の上方に位置し、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は所定の位置に退避される。

また、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は所定の位置に退避され、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は基板Ｗの上方に位置する。

スピンチャック６２１に保持された基板Ｗは、処理カップ６２３内に収容される。処理カップ６２３の内側には、筒状の仕切壁６３３が設けられている。また、スピンチャック６２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた処理液（洗浄液またはリンス液）を排液するための排液空間６３１が形成されている。さらに、排液空間６３１を取り囲むように、処理カップ６２３と仕切壁６３３の間に基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間６３２が形成されている。

排液空間６３１には、排液処理装置（図示せず）へ処理液を導くための排液管６３４が接続され、回収液空間６３２には、回収処理装置（図示せず）へ処理液を導くための回収管６３５が接続されている。

処理カップ６２３の上方には、基板Ｗからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード６２４が設けられている。このガード６２４は、回転軸６２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード６２４の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝６４１が環状に形成されている。

また、ガード６２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部６４２が形成されている。回収液案内部６４２の上端付近には、処理カップ６２３の仕切壁６３３を受け入れるための仕切壁収納溝６４３が形成されている。

このガード６２４には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード６２４を、回収液案内部６４２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝６４１がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端部に対向する排液位置との間で上下動させる。ガード６２４が回収位置（図２１に示すガードの位置）にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が回収液案内部６４２により回収液空間６３２に導かれ、回収管６３５を通して回収される。一方、ガード６２４が排液位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が排液案内溝６４１により排液空間６３１に導かれ、排液管６３４を通して排液される。以上の構成により、処理液の排液および回収が行われる。

（４−ｂ） 洗浄／乾燥処理ユニットの動作
次に、上記の構成を有する洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの処理動作について説明する。なお、以下に説明する洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）９１により制御される。

まず、基板Ｗの搬入時には、ガード６２４が下降するとともに、図１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲが基板Ｗをスピンチャック６２１上に載置する。スピンチャック６２１上に載置された基板Ｗは、スピンチャック６２１により吸着保持される。

次に、ガード６２４が上述した廃液位置まで移動するとともに、洗浄処理用ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、回転軸６２５が回転し、この回転にともないスピンチャック６２１に保持されている基板Ｗが回転する。その後、洗浄処理用ノズル６５０から洗浄液が基板Ｗの上面に吐出される。これにより、基板Ｗの洗浄が行われる。

なお、洗浄／乾燥処理部８０ａにおいては、この洗浄時に基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分が洗浄液中に溶出する。また、基板Ｗの洗浄においては、基板Ｗを回転させつつ基板Ｗ上に洗浄液を供給している。

この場合、基板Ｗ上の洗浄液は遠心力により常に基板Ｗの周縁部へと移動し飛散する。したがって、洗浄液中に溶出したレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留することを防止することができる。なお、上記のレジストカバー膜の成分は、例えば、基板Ｗ上に純水を盛って一定時間保持することにより溶出させてもよい。また、基板Ｗ上への洗浄液の供給は、図１８に示すような二流体ノズルを用いたソフトスプレー方式により行ってもよい。

所定時間経過後、洗浄液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０からリンス液が吐出される。これにより、基板Ｗ上の洗浄液が洗い流される。

さらに所定時間経過後、回転軸６２５の回転速度が低下する。これにより、基板Ｗの回転によって振り切られるリンス液の量が減少し、図２２（ａ）に示すように、基板Ｗの表面全体にリンス液の液層Ｌが形成される。なお、回転軸６２５の回転を停止させて基板Ｗの表面全体に液層Ｌを形成してもよい。

次に、リンス液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０が所定の位置に退避するとともに乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスが吐出される。これにより、図２２（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。

次に、回転軸６２５（図２１参照）の回転数が上昇するとともに、図２２（ｃ）に示すように乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動する。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗの表面全体に不活性ガスを吹き付けることができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。その結果、基板Ｗを確実に乾燥させることができる。

次に、不活性ガスの供給が停止され、乾燥処理ノズル６７０が所定の位置に退避するとともに回転軸６２５の回転が停止する。その後、ガード６２４が下降するとともに図１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲが基板Ｗを洗浄／乾燥処理ユニットＳＤから搬出する。これにより、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおける処理動作が終了する。なお、洗浄および乾燥処理中におけるガード６２４の位置は、処理液の回収または廃液の必要性に応じて適宜変更することが好ましい。

なお、上記参考形態においては、洗浄液処理用ノズル６５０から洗浄液およびリンス液のいずれをも供給できるように、洗浄液の供給およびリンス液の供給に洗浄液処理用ノズル６５０を共用する構成を採用しているが、洗浄液供給用のノズルとリンス液供給用のノズルとを別々に分けた構成を採用してもよい。

また、リンス液を供給する場合には、リンス液が基板Ｗの裏面に回り込まないように、基板Ｗの裏面に対して図示しないバックリンス用ノズルから純水を供給してもよい。

また、基板Ｗを洗浄する洗浄液に純水を用いる場合には、リンス液の供給を行う必要はない。

また、上記参考形態においては、スピン乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施すが、減圧乾燥方法、エアーナイフ乾燥方法等の他の乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施してもよい。

また、上記参考形態においては、リンス液の液層Ｌが形成された状態で、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給するようにしているが、リンス液の液層Ｌを形成しない場合あるいはリンス液を用いない場合には洗浄液の液層を基板Ｗを回転させて一旦振り切った後で、即座に乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給して基板Ｗを完全に乾燥させるようにしてもよい。

（５） インターフェースブロックのインターフェース用搬送機構について
インターフェース用搬送機構ＩＦＲについて説明する。図２３はインターフェース用搬送機構ＩＦＲの構成および動作を説明するための図である。

まず、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの構成について説明する。図２３に示すように、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの可動台１８１は螺軸１８２に螺合される。螺軸１８２は、Ｘ方向に延びるように支持台１８３によって回転可能に支持される。螺軸１８２の一端部にはモータＭ２が設けられ、このモータＭ２により螺軸１８２が回転し、可動台１８１が±Ｘ方向に水平移動する。

また、可動台１８１にはハンド支持台１８４が±θ方向に回転可能でかつ±Ｚ方向に昇降可能に搭載される。ハンド支持台１８４は、回転軸１８５を介して可動台１８１内のモータＭ３に連結しており、このモータＭ３によりハンド支持台１８４が回転する。ハンド支持台１８４には、基板Ｗを水平姿勢で保持する２個のハンドＨ１，Ｈ２が進退可能に上下に設けられる。

次に、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの動作について説明する。インターフェース用搬送機構ＩＦＲの動作は、図１のメインコントローラ（制御部）９１により制御される。

まず、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、図２３の位置Ａにおいてハンド支持台１８４を回転させるとともに＋Ｚ方向に上昇させ、上側のハンドＨ１を基板載置部ＰＡＳＳ１５に進入させる。基板載置部ＰＡＳＳ１５においてハンドＨ１が基板Ｗを受け取ると、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ１を基板載置部ＰＡＳＳ１５から後退させ、ハンド支持台１８４を−Ｚ方向に下降させる。

次に、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは−Ｘ方向に移動し、位置Ｂにおいてハンド支持台１８４を回転させるとともにハンドＨ１を露光装置１７の基板搬入部１７ａ（図１参照）に進入させる。基板Ｗを基板搬入部１７ａに搬入した後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ１を基板搬入部１７ａから後退させる。

次に、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは下側のハンドＨ２を露光装置１７の基板搬出部１７ｂ（図１参照）に進入させる。基板搬出部１７ｂにおいてハンドＨ２が露光処理後の基板Ｗを受け取ると、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ２を基板搬出部１７ｂから後退させる。

その後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは＋Ｘ方向に移動し、位置Ａにおいて、ハンド支持台１８４を回転させるとともにハンドＨ２を洗浄／乾燥処理ユニットＳＤに進入させ、基板Ｗを洗浄／乾燥処理ユニットＳＤに搬入する。これにより、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにより露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

続いて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは上側のハンドＨ１を洗浄／乾燥処理ユニットＳＤに進入させ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤから洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを受け取る。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置する。

なお、上述のように露光装置１７が基板Ｗの受け入れをできない場合は、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦに一時的に収納保管される。また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいて一時的に洗浄および乾燥処理ができない場合は、露光処理後の基板Ｗはインターフェースブロック１６の戻りバッファ部ＲＢＦに一時的に収納保管される。

本参考形態においては、１台のインターフェース用搬送機構ＩＦＲによって、基板載置部ＰＡＳＳ１５から露光装置１７への搬送、露光装置１７から洗浄／乾燥処理ユニットＳＤへの搬送を行っているが、複数のインターフェース用搬送機構ＩＦＲを用いて基板Ｗの搬送を行ってもよい。

（６） 本参考形態における効果
（６−ａ） 端部洗浄処理による効果
上記参考形態では、洗浄／乾燥処理部８０の端部洗浄ユニットＥＣにおいて、基板Ｗの端部洗浄処理の前に、基板Ｗの中心Ｗ１とスピンチャック２０１の軸心Ｐ１とが一致するように基板Ｗの位置が補正される。それにより、基板Ｗの端部洗浄処理時において、回転軸２０３に対する基板Ｗの偏心が防止され、基板Ｗの端部Ｒを均一に洗浄することができる。そのため、基板Ｗの端部Ｒに洗浄ムラが生じることが防止され、端部Ｒに付着した汚染物質を確実に取り除くことができる。

また、基板Ｗの偏心が防止されることにより、端部洗浄処理による端部Ｒの洗浄領域を高精度に調整することができる。それにより、端部Ｒのべベル部のみ（図５参照）、または端部Ｒのべベル部および周縁部を含む領域等の基板Ｗの端部Ｒにおける種々の領域を選択的かつ正確に洗浄することができる。そのため、基板Ｗ上に形成された有機膜等の洗浄処理を行うべきでない部分に対して、不必要な洗浄処理が行われることが防止される。

また、基板Ｗの端部洗浄処理時において基板Ｗの回転が安定するため、洗浄液が周囲に飛散することが防止される。それにより、飛散した洗浄液が基板Ｗ表面に再付着して基板Ｗを汚染することが防止される。

これらの結果、基板Ｗの端部Ｒの汚染に起因する露光装置１７内の汚染が防止でき、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を防止することができる。

また、基板Ｗ上の周縁部に形成された反射防止膜およびレジスト膜の一方または両方がレジストカバー膜に被膜されずに露出した状態であると、液浸法による露光処理中に反射防止膜およびレジスト膜の一方または両方の成分が溶出または析出する可能性がある。そこで、その露出部分を含む周縁部の領域を洗浄することにより、液浸法による露光処理中に反射防止膜およびレジスト膜の一方または両方から溶出または析出する成分が予め端部洗浄ユニットＥＣにおいて溶出または析出し、溶出物または析出物が洗い流される。したがって、露光処理の際に、液浸液中に反射防止膜およびレジスト膜の一方または両方が溶出または析出することが防止される。これにより、露光装置１７（露光装置１７のレンズ）が汚染されることが防止される。その結果、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生することが防止される。

なお、露光処理の際に液浸液中に溶出または析出する可能性がある成分は上記反射防止膜およびレジスト膜中に含まれる成分に限られるものではなく、本参考形態に係る基板処理装置５００外に設けられた外部装置により基板Ｗ上に形成された半導体膜、金属膜、絶縁膜または有機膜等に含まれる成分もある。これらの膜に含まれる成分も予め端部洗浄ユニットＥＣにおいて溶出または析出させることができる。

なお、このように基板Ｗ上の膜の成分を基板Ｗの端部洗浄処理中において予め溶出または析出させるためには、洗浄液として露光装置１７で用いられる液浸液を用いることが好ましい。液浸液の例としては、純水、高屈折率を有するグリセロール、高屈折率の微粒子（例えば、アルミニウム酸化物）と純水とを混合した混合液および有機系の液体等が挙げられる。

また、液浸液の他の例としては、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液、炭酸水、水素水、電解イオン水、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）、フッ酸、硫酸および硫酸過水等が挙げられる。

（６―ｂ） ブラシを用いた端部洗浄処理の効果
端部洗浄ユニットＥＣにおいてブラシ２１３により基板Ｗの端部洗浄処理を行う場合には、基板Ｗの端部Ｒに直接ブラシ２１３が接触するので、基板Ｗの端部Ｒの汚染物質を物理的に剥離させることができる。それにより、端部Ｒに強固に付着した汚染物質をより確実に取り除くことができる。

（６−ｃ） 二流体ノズルを用いた端部洗浄処理の効果
端部洗浄ユニットＥＣにおいて、二流体ノズル３１０を用いて基板Ｗの端部洗浄処理を行う場合には、気体と液体との混合流体Ｎが基板Ｗの端部Ｒに吐出され、基板Ｗの端部Ｒが洗浄される。このように、混合流体Ｎを用いることにより高い洗浄効果を得ることができる。

また、気体と液体との混合流体Ｎが基板Ｗの端部Ｒに吐出されることにより、非接触で基板Ｗの端部Ｒが洗浄されるので、洗浄時における基板Ｗの端部Ｒの損傷が防止される。さらに、混合流体Ｎの吐出圧および混合流体Ｎにおける気体と液体との比率を制御することにより基板Ｗの端部Ｒの洗浄条件を容易に制御することも可能である。

また、二流体ノズル３１０によれば、均一な混合流体Ｎを基板Ｗの端部Ｒに吐出することができるので、洗浄ムラが発生しない。

（６−ｄ） 超音波ノズルを用いた端部洗浄処理の効果
端部洗浄ユニットＥＣにおいて、超音波ノズル４１０を用いて基板Ｗの端部洗浄処理を行う場合には、超音波ノズル４１０内を通る純水に高周波電流の値に応じた高周波出力が印加される。

これにより、超音波振動状態となった純水が基板Ｗの端部Ｒに吐出され、基板Ｗの端部Ｒが洗浄される。この場合、純水に印加される高周波出力を基板Ｗの種類および洗浄条件に応じて電気的に可変制御することが可能となる。

（６−ｅ） 露光処理後の基板の洗浄処理の効果
露光装置１７において基板Ｗに露光処理が行われた後、洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０において基板Ｗの洗浄処理が行われる。この場合、露光処理時に液体が付着した基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着しても、その付着物を取り除くことができる。それにより、基板Ｗの汚染を防止することができる。

また、洗浄／乾燥処理部８０においては、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が、基板処理装置５００内に落下することが防止される。その結果、基板処理装置５００の電気系統の異常等の動作不良を防止することができる。

また、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理を行うことにより、露光処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染を防止することができる。

また、基板処理装置５００内を液体が付着した基板Ｗが搬送されることを防止することができるので、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が基板処理装置５００内の雰囲気に影響を与えることを防止することができる。それにより、基板処理装置５００内の温湿度調整が容易になる。

また、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がインデクサロボットＩＲおよび第２〜第８のセンターロボットＣＲ２〜ＣＲ８に付着することが防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。それにより、露光処理前の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染が防止される。その結果、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができるとともに露光装置１７内の汚染を確実に防止することができる。これらの結果、基板Ｗの処理不良を確実に防止することができる。

なお、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理を行うための構成は図１の基板処理装置５００の例に限られない。レジストカバー膜除去ブロック１４とインターフェースブロック１６との間に洗浄／乾燥処理ブロック１５を設ける代わりに、インターフェースブロック１６内に洗浄／乾燥処理部８０を設け、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理を行ってもよい。

（６−ｆ） 露光処理後の基板の乾燥処理の効果
洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいては、基板Ｗを回転させつつ不活性ガスを基板Ｗの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Ｗの乾燥処理を行っている。この場合、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができるので、洗浄後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。それにより、基板Ｗの汚染を確実に防止することができるとともに、基板Ｗの表面に乾燥しみが発生することを防止することができる。

（６−ｇ） 洗浄／乾燥処理ブロックの効果
本参考形態に係る基板処理装置５００は、既存の基板処理装置に洗浄／乾燥処理ブロック１５を追加した構成を有するので、低コストで、基板Ｗの処理不良を防止することができる。

（６−ｈ） インターフェース用搬送機構のハンドについての効果
インターフェースブロック１６においては、基板載置部ＰＡＳＳ１５から露光装置１７の基板搬入部１７ａへ露光処理前の基板Ｗを搬送する際、および洗浄／乾燥処理ユニットＳＤから基板載置部ＰＡＳＳ１６へ洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１が用いられ、露光装置１７の基板搬出部１７ｂから洗浄／乾燥処理ユニットＳＤへ露光処理後の基板Ｗを搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ２が用いられる。

すなわち、液体が付着していない基板Ｗの搬送にはハンドＨ１が用いられ、液体が付着した基板Ｗの搬送にはハンドＨ２が用いられる。

この場合、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がハンドＨ１に付着することが防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。また、ハンドＨ２はハンドＨ１より下方に設けられるので、ハンドＨ２およびそれが保持する基板Ｗから液体が落下しても、ハンドＨ１およびそれが保持する基板Ｗに液体が付着することを防止することができる。それにより、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することを確実に防止することができる。その結果、露光処理前の基板Ｗの汚染を確実に防止することができる。

（６−ｉ） レジストカバー膜の除去処理の効果
現像処理ブロック１２において基板Ｗに現像処理が行われる前に、レジストカバー膜除去ブロック１４において、レジストカバー膜の除去処理が行われる。この場合、現像処理前にレジストカバー膜が確実に除去されるので、現像処理を確実に行うことができる。

（６−ｊ） 洗浄／乾燥処理ユニットの効果
上述したように、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいては、基板Ｗを回転させつつ不活性ガスを基板Ｗの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Ｗの乾燥処理を行っているので、洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができる。

それにより、洗浄／乾燥処理部８０から現像処理部５０へ基板Ｗを搬送する間に、レジストの成分またはレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留した洗浄液およびリンス液中に溶出することを確実に防止することができる。それにより、レジスト膜に形成された露光パターンの変形を防止することができる。その結果、現像処理時における線幅精度の低下を確実に防止することができる。

（６−ｋ） ロボットのハンドについての効果
第２〜第６のセンターロボットＣＲ２〜ＣＲ６およびインデクサロボットＩＲにおいては、露光処理前の基板Ｗの搬送には上側のハンドを用い、露光処理後の基板Ｗの搬送には下側のハンドを用いる。それにより、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することを確実に防止することができる。

（７） 本発明の実施の形態、他の参考形態およびその効果
（７−ａ） 端部洗浄処理に用いる洗浄ノズルの他の例について
上記参考形態では、基板Ｗの端部洗浄処理を行う際に、洗浄液供給路２４１ａ，２４１ｂ、二流体ノズル３１０，３１０ｂおよび超音波ノズル４１０，４１０ａを用いたが、これに限定されるものではなく、径小な針状の吐出部を備える洗浄ノズルを用いてもよい。この場合、基板Ｗの領域の小さな端部Ｒを精度高く洗浄することができる。

（７−ｂ） 端部洗浄ユニットＥＣの他の配置例
上記参考形態では、端部洗浄ユニットＥＣが洗浄／乾燥処理ブロック１５内に配置される。これに対して、本願発明の実施の形態に係る基板処理装置においては、端部洗浄ユニットＥＣが図１に示すインターフェースブロック１６に配置される。この場合も上記参考形態と同様に、露光装置１７による露光処理前に基板Ｗの端部Ｒに付着した汚染物質を確実に取り除くことができる。それにより、基板Ｗの端部Ｒの汚染に起因する露光装置１７内の汚染が防止でき、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を防止することができる。

また、他の参考形態においては、端部洗浄ユニットＥＣが図１に示す反射防止膜用処理ブロック１０内に配置されてもよく、あるいは端面洗浄ユニットＥＣを含む端面洗浄処理ブロックを図１に示すインデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間に設けられてもよい。

この場合、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される前、すなわち、基板Ｗに対する他の処理よりも前に、端部洗浄ユニットＥＣにより基板Ｗの端部洗浄処理が行われる。これにより、各ブロック間で基板Ｗを搬送するための第１〜第８のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ８およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＣＲＨ１〜１４，Ｈ１，Ｈ２に基板Ｗの端部Ｒの汚染物質が転写することが防止される。

それにより、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４および洗浄／乾燥処理ブロック１５において、基板Ｗの処理を清浄な状態で行うことができる。

また、基板Ｗの端部Ｒが清浄に保たれるので、基板Ｗの端部Ｒの汚染に起因する基板Ｗの処理不良が十分に防止される。

また、上記参考形態では、基板Ｗの端部洗浄処理を洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０における端部洗浄ユニットＥＣで行うが、これに限定されるものではなく、洗浄／乾燥処理部８０以外の場所（例えば、レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部６０における塗布ユニットＣＯＶ）で行ってもよい。この場合、レジストカバー膜形成後の端部洗浄ユニットＥＣまでの搬送工程を削減することができ、スループットを向上することができる。

（７―ｃ） 他の配置例について
上記の参考形態において、レジストカバー膜除去ブロック１４は２つのレジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂを含むが、レジストカバー膜除去ブロック１４は２つのレジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂの一方に代えて、基板Ｗに熱処理を行う熱処理部を含んでもよい。この場合、複数の基板Ｗに対する熱処理が効率的に行われるので、スループットが向上する。

（７−ｄ） 洗浄／乾燥処理ユニットの他の例について
図２１に示した洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいては、洗浄処理用ノズル６５０と乾燥処理用ノズル６７０とが別個に設けられているが、図２４に示すように、洗浄処理用ノズル６５０と乾燥処理用ノズル６７０とを一体に設けてもよい。この場合、基板Ｗの洗浄処理時または乾燥処理時に洗浄処理用ノズル６５０および乾燥処理用ノズル６７０をそれぞれ別々に移動させる必要がないので、駆動機構を単純化することができる。

また、図２１に示す乾燥処理用ノズル６７０の代わりに、図２５に示すような乾燥処理用ノズル７７０を用いてもよい。

図２５の乾燥処理用ノズル７７０は、鉛直下方に延びるとともに側面から斜め下方に延びる分岐管７７１，７７２を有する。乾燥処理用ノズル７７０の下端および分岐管７７１，７７２の下端には不活性ガスを吐出するガス吐出口７７０ａ，７７０ｂ，７７０ｃが形成されている。各吐出口７７０ａ，７７０ｂ，７７０ｃからは、それぞれ図２５の矢印で示すように鉛直下方および斜め下方に不活性ガスが吐出される。つまり、乾燥処理用ノズル７７０においては、下方に向かって吹き付け範囲が拡大するように不活性ガスが吐出される。

ここで、乾燥処理用ノズル７７０を用いる場合には、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤは以下に説明する動作により基板Ｗの乾燥処理を行う。

図２６は、乾燥処理用ノズル７７０を用いた場合の基板Ｗの乾燥処理方法を説明するための図である。

まず、図２２で説明した方法により基板Ｗの表面に液層Ｌが形成された後、図２６（ａ）に示すように、乾燥処理用ノズル７７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、乾燥処理用ノズル７７０から不活性ガスが吐出される。これにより、図２６（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。なお、このとき、乾燥処理用ノズル７７０は、基板Ｗの中心部に存在するリンス液を確実に移動させることができるように基板Ｗの表面に近接させておく。

次に、回転軸６２５（図２１参照）の回転数が上昇するとともに、図２６（ｃ）に示すように乾燥処理用ノズル７７０が上方へ移動する。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗ上の不活性ガスが吹き付けられる範囲が拡大する。その結果、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。なお、乾燥処理用ノズル７７０は、図２１の第２の回動軸６７２に設けられた回動軸昇降機構（図示せず）により第２の回動軸６７２を上下に昇降させることにより上下に移動させることができる。

また、乾燥処理用ノズル７７０の代わりに、図２７に示すような乾燥処理用ノズル８７０を用いてもよい。図２７の乾燥処理用ノズル８７０は、下方に向かって徐々に直径が拡大する吐出口８７０ａを有する。この吐出口８７０ａからは、図２７の矢印で示すように鉛直下方および斜め下方に不活性ガスが吐出される。つまり、乾燥処理用ノズル８７０においても、図２５の乾燥処理用ノズル７７０と同様に、下方に向かって吹き付け範囲が拡大するように不活性ガスが吐出される。したがって、乾燥処理用ノズル８７０を用いる場合も、乾燥処理用ノズル７７０を用いる場合と同様の方法により基板Ｗの乾燥処理を行うことができる。

また、図２１に示す洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの代わりに、図２８に示すような洗浄／乾燥処理ユニットＳＤａを用いてもよい。

図２８に示す洗浄／乾燥処理ユニットＳＤａが図２１に示す洗浄／乾燥処理ユニットＳＤと異なるのは以下の点である。

図２８の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤａにおいては、スピンチャック６２１の上方に、中心部に開口を有する円板状の遮断板６８２が設けられている。アーム６８８の先端付近から鉛直下方向に支持軸６８９が設けられ、その支持軸６８９の下端に、遮断板６８２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの上面に対向するように取り付けられている。

支持軸６８９の内部には、遮断板６８２の開口に連通したガス供給路６９０が挿通されている。ガス供給路６９０には、例えば、窒素ガスが供給される。

アーム６８８には、遮断板昇降駆動機構６９７および遮断板回転駆動機構６９８が接続されている。遮断板昇降駆動機構６９７は、遮断板６８２をスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの上面に近接した位置とスピンチャック６２１から上方に離れた位置との間で上下動させる。

図２８の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤａにおいては、基板Ｗの乾燥処理時に、図２９に示すように、遮断板６８２を基板Ｗに近接させた状態で、基板Ｗと遮断板６８２との間の隙間に対してガス供給路６９０から不活性ガスを供給する。この場合、基板Ｗの中心部から周縁部へと効率良く不活性ガスを供給することができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。

（８） 請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態においては、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４および洗浄／乾燥処理ブロック１５が処理部に相当し、インターフェースブロック１６が受け渡し部に相当する。

また、洗浄／乾燥処理部８０の端部洗浄ユニットＥＣが第１の処理ユニットに相当し、レジスト膜用塗布処理部４０の塗布ユニットＲＥＳが第２の処理ユニットに相当し、レジストカバー膜用塗布処理部６０の塗布ユニットＣＯＶが第３の処理ユニットに相当し、レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂの除去ユニットＲＥＭが第４の処理ユニットに相当し、反射防止膜用塗布処理部３０の塗布ユニットＢＡＲＣが第５の処理ユニットに相当し、現像処理部５０の現像処理ユニットＤＥＶが第６の処理ユニットに相当する。

また、基板回転機構２０９、端部洗浄装置移動機構２３０、ローカルコントローラ２５０、ガイドアーム２５１，２５２、支持部材２５３，２５４、アーム移動機構２５５，２５６、補正ピン２６１，ピン駆動装置２６２および回転機構移動装置２９１が位置補正手段に相当し、ガイドアーム２５１，２５２および支持ピン２７１Ｐが当接部材に相当し、補正ピン２６１が支持部材に相当し、偏心センサ２６３が基板位置検出器に相当し、ローカルコントローラ２５０が制御手段に相当し、インターフェース用搬送機構ＩＦＲが搬送手段に相当し、ハンドＨ１，Ｈ２がそれぞれ第１および第２の保持手段に相当する。

さらに、ピン駆動装置２７３が昇降手段に相当し、カメラ２９０が端部検出器に相当し、端部洗浄装置移動機構２３０が洗浄手段移動機構に相当し、回転機構移動装置２９１が保持手段移動機構に相当し、光電センサ２７６が搬入位置検出器に相当し、ハンドＣＨＲ１１が搬入位置検出器に相当し、ローカルコントローラ２５０が位置調整手段に相当する。

本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。

９ インデクサブロック
１０ 反射防止膜用処理ブロック
１１ レジスト膜用処理ブロック
１２ 現像処理ブロック
１３ レジストカバー膜用処理ブロック
１４ レジストカバー膜除去ブロック
１５ 洗浄／乾燥処理ブロック
１６ インターフェースブロック
１７ 露光装置
３０ 反射防止膜用塗布処理部
４０ レジスト膜用塗布処理部
５０ 現像処理部
６０ レジストカバー膜用塗布処理部
７０ａ，７０ｂ レジストカバー膜除去用処理部
８０ 洗浄／乾燥処理部
２０９ 基板回転機構
２３０ 端部洗浄装置移動機構
２５０ ローカルコントローラ
２５１，２５２ ガイドアーム
２６２ 補正ピン
２６３ 偏心センサ
２７１Ｐ 支持ピン
２７３ ピン駆動装置
２９０ カメラ
２９１ 回転機構移動装置
３１０，３１０ｂ 二流体ノズル
４１０，４１０ａ 超音波ノズル
５００ 基板処理装置
ＢＡＲＣ，ＣＯＶ，ＲＥＳ 塗布ユニット
ＣＲ２，ＣＲ３，ＣＲ４，ＣＲ５，ＣＲ６，ＣＲ７，ＣＲ８ センターロボット
ＣＨＲ１１，ＣＲＨ９１，ＣＲＨ９２，Ｈ１，Ｈ２ ハンド
ＥＣ 端部洗浄ユニット
ＤＥＶ 現像処理ユニット
ＩＦＲ インターフェース用搬送機構
ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ８１ 基板載置部
ＲＥＭ 除去ユニット
ＳＤ 洗浄／乾燥処理ユニット
Ｗ 基板
Ｗ１ 基板の中心
Ｐ１ スピンチャックの軸心

Claims (7)

1. 液浸法により基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
   基板に処理を行う処理部と、
   前記処理部の一端部に隣接するように設けられ、前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
   前記受け渡し部は、前記露光装置による露光処理前に基板の端部をブラシを用いて洗浄する第１の処理ユニットを含み、
   前記処理部は、基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する第２のユニットを含み、
   前記第１の処理ユニットは、
   前記第２の処理ユニットにより感光性膜が形成された基板を略水平に保持する基板保持手段と、
   前記基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、
   前記回転駆動手段により回転される基板の端部に純水を供給するとともに、基板の端部をブラシを用いて洗浄する洗浄手段とを備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 前記受け渡し部は、前記処理部と前記露光装置との間で基板を搬送する搬送手段を含み、
   前記搬送手段は、基板を保持する第１および第２の保持手段を含み、
   前記露光処理前の基板を搬送する際には前記第１の保持手段により基板を保持し、
   前記露光処理後の基板を搬送する際には前記第２の保持手段により基板を保持することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記第２の保持手段は、前記第１の保持手段よりも下方に設けられることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
4. 前記処理部は、前記感光性膜を保護する保護膜を形成する第３の処理ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
5. 前記処理部は、前記露光処理後に前記保護膜を除去する第４の処理ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
6. 前記処理部は、前記第２の処理ユニットによる前記感光性膜の形成前に基板に反射防止膜を形成する第５の処理ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
7. 前記処理部は、基板の現像処理を行う第６の処理ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。

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