JP5090968B2 - 炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
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本実施形態1では、不純物イオンを注入してから減圧雰囲気下でのアニールによってカーボン層を形成した後、形成したカーボン層上にカーボン堆積層を形成してから不純物イオンを活性化させるアニールを行うことを特徴としている。
10であるAlを形成することによって、図1に示す素子構造の主要部分となる。
本実施形態2では、本実施形態1において記載したカーボン層5およびカーボン堆積層6の形成から除去までの処理工程を、炭化珪素SBD(Schottky Barrier Diodes)に用いることを特徴とする。
Claims (7)
- (a)炭化珪素よりなる下地層に不純物イオンを注入する工程と、
(b)前記工程(a)の後、減圧雰囲気下での加熱によって前記下地層上にカーボン層を形成する工程と、
(c)前記工程(b)にて形成された前記カーボン層上にカーボン堆積層を形成する工程と、
(d)前記工程(c)の後、前記不純物イオンを活性化させるためにアニールを行う工程と、
(e)前記工程(d)の後、前記カーボン層および前記カーボン堆積層を除去する工程と、
を備える、炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記工程(b)において、前記カーボン層の膜厚は10nm以下に形成されることを特徴とする、請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記工程(c)において、前記カーボン堆積層は熱CVD法によって形成されることを特徴とする、請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記工程(b)から(e)までの処理は同一の反応炉にて行われることを特徴とする、請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記工程(e)において、前記カーボン層および前記カーボン堆積層を除去する際に酸素を導入することにより、前記下地層の表面を膜厚略10nm酸化させることを特徴とする、請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記工程(e)の後、前記カーボン層および前記カーボン堆積層の除去後の表面をチャネル部として半導体装置を形成する工程をさらに備えることを特徴とする、請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記工程(e)の後、前記カーボン層および前記カーボン堆積層の除去後の表面をショットキー接触界面として半導体装置を形成する工程をさらに備えることを特徴とする、請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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