JP5024117B2 - 回路部材の実装方法 - Google Patents

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Description

本発明は、ＩＣチップなどの回路部材を基板上に実装する方法に関する。
多数の電極を有する回路部材同士を電気的に接続するための接続材料として、異方導電フィルム（ＡＣＦ）、異方導電性ペースト（ＡＣＰ）、非導電性フィルム（ＮＣＦ）等が使用されている。これらの接続材料は、プリント配線基板、ＬＣＤ用ガラス基板、フレキシブルプリント基板等の基板に、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子やパッケージなどの被接続部材を接続する際、相対する電極同士の導通状態を保ち、隣接する電極同士の絶縁を保つように電気的接続と機械的固着を行うものである。
上記の接続材料は、熱硬化性樹脂を含む接着剤成分と、必要により配合される導電粒子とを含有する接着剤組成物からなるものが一般的である。この接着剤組成物をＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等の基材上に積層し、フィルム状に形成したものが製品化されている。熱硬化性樹脂を含有する接続材料を使用する際には、２つの被接続部材の間に当該接続材料を介在させ、加熱しながら圧着することによって熱硬化性樹脂を硬化させる。これにより、部材間の機械的固着を得ると共に、対向する電極間を直接または導電粒子を介して接触させて電気的接続を得る。
ところで、電極が形成されたガラス基板上に、接続材料を介してＩＣチップなどの電子部品を接続するＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）実装を行う場合、図７に示すような熱圧着装置が使用される。同図に示す熱圧着装置１０は、ガラス基板等を載置するステージ４と、鉛直方向に移動可能であり、当接面の温度調整が可能な圧着ヘッド５とを備える。
例えば、基板に対するＩＣチップのＣＯＧ実装を、熱圧着装置１０を用いて行うには、図７に示すように、まず、電極１ａが設けられた面を上方に向けてガラス基板１をステージ４上に載置し、その上に熱硬化型の回路接続材料２を貼り付ける。次いで、ＩＣチップ３の電極３ａとガラス基板１の電極１ａの位置が合うように、回路接続材料２上にＩＣチップ３を載置する。その後、圧着ヘッド５を降下させると共に、圧着ヘッド５の熱で回路接続材料２を硬化させ、ガラス基板１上にＩＣチップ３を実装する。
上記熱圧着装置１０のような装置を使用し、基板上に厚さ２００μｍ以下の薄いＩＣチップを実装する場合、圧着ヘッドとＩＣチップとの間に金属フィルムを配置して熱圧着を行うという手法が知られている（特許文献１）。この金属フィルムの配置は、電極が存在しないＩＣチップ３の中央部に生じるたわみを抑制し、ＩＣチップ３の変形を低減することを目的としたものということができる。
特開２００６−２２９１２４号公報
しかしながら、上記特許文献１のように、ＩＣチップなどの回路部材と圧着ヘッドとの間に金属フィルムを介在させた場合、実装された回路部材に接着剤成分が付着し、これに金属フィルムが付着するおそれがある。回路部材に金属フィルムが付着した状態では、回路部材付近の電気回路又はその他の回路部材と金属フィルムが接触し、短絡故障を引き起こす可能性がある。
短絡故障を未然に防止するためには、付着した金属フィルムを回路部材から取り除く作業を行うか、あるいは、金属フィルムの表面にはく離加工を施す必要がある。つまり、従来の方法は、回路部材の変形を防止するのに金属フィルムを使用するため、短絡故障の防止のための工程が必要となり、作業性及び経済性の点において改善の余地があった。
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、回路部材の変形を十分効率的に抑制できる回路部材実装方法を提供することを目的とする。
本発明に係る回路部材実装方法は、回路部材を基板の方向に押圧する圧着ヘッドを用いて回路部材の実装を行うものであって、基板と回路部材との間に回路接続材料を介在させ、回路接続材料が所定温度となるように加熱しながら、圧着ヘッドによって回路部材を基板に押圧して両者を接着する熱圧着工程を備え、この熱圧着工程において、圧着ヘッドによる押圧を行うに際し、圧着ヘッドと回路部材と間に、厚さが９０μｍ以下であり且つ所定温度における弾性率が０．５ＧＰａ以上の絶縁性フィルムを介在させることを特徴とする。
本発明に係る回路部材実装方法によれば、上記のように厚さ及び弾性率についての所定の条件を満たす絶縁性フィルムを、圧着ヘッドと回路部材との間に介在させることで、熱圧着工程における回路部材の変形を十分に抑制できる。また、圧着ヘッドと回路部材との間に介在する絶縁性フィルムによって、回路接続材料の接着剤成分が圧着ヘッドに付着することを防止でき、適正な圧着条件で熱圧着工程を連続的に行うことができる。なお、圧着ヘッドと回路部材との間に介在させるフィルムが絶縁性であるため、仮に、回路接続材料の接着剤成分によって回路部材に当該絶縁性フィルムが付着し、残存していても、これが直ちに短絡故障の原因となることはない。
本発明の回路部材実装方法は、基板に実装される回路部材がＩＣチップである場合に好適であり、当該ＩＣチップの厚さが２００μｍ以下である場合に特に好適である。ＩＣチップは、基板と接続される電極がＩＣチップの端部などに配置されたものが多く、実装時のダメージを回避するためＩＣチップの中央部、すなわち、機能面上には電極が存在しないものが多い。かかる構造を有し且つ厚さが薄いＩＣチップを基板に実装する場合であっても、本発明の方法によれば、熱圧着処理によって生じるＩＣチップの変形を十分効率的に抑制できる。
回路接続材料としては、例えば、熱可塑性樹脂を使用したものも例示できるが、熱硬化性樹脂を含む接着剤成分を含有するものを使用することが好ましい。熱圧着工程において、熱硬化性樹脂を硬化させることで、高い接続信頼性を有する回路接続体を製造できる。また、回路接続材料は接着剤成分中に分散した導電粒子を更に含有するものがより好ましい。接着剤成分中に導電粒子が分散した回路接続材料を使用することで、より一層高い接続信頼性を有する回路接続体を製造できる。
また、本発明の回路部材実装方法において使用可能な基板としては、ガラス基板、有機基板及びガラス繊維強化有機基板などを例示できる。
本発明によれば、回路部材の変形を十分効率的に抑制できる回路部材実装方法を提供することができる。
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また、図面の便宜上、図面の寸法比率は説明のものと必ずしも一致しない。
図１を参照しながら、図７に示した熱圧着装置１０を用いて、平板状の本体部を有するＩＣチップ３をガラス基板１上に実装する方法について説明する。本実施形態に係る回路部材実装方法においては、圧着ヘッド５とＩＣチップ３の間に絶縁性フィルム１２を配置して基板とＩＣチップとの熱圧着を行う（図１（ｃ）参照）。また、回路接続材料２として、熱硬化性樹脂を含む接着剤成分２ａと、この接着剤成分２ａ中に分散した導電粒子２ｂとを備えるものを使用する（図３参照）。
まず、ガラス基板１を熱圧着装置１０のステージ４上に載置する。そして、ガラス基板１の電極１ａが形成されている面上に回路接続材料２を配置し、図１（ａ）に示すように圧着ヘッド５を降下させて回路接続材料２をガラス基板１に仮圧着する（図１（ｂ））。このときの圧力は回路部材に損傷を与えない範囲であれば特に制限されないが、一般的には０．１〜３０．０ＭＰａとすることが好ましい。また、加熱しながら加圧してもよく、加熱温度は回路接続材料２が実質的に硬化しない温度とする。これらの加熱及び加圧は０．５〜１２０秒間の範囲で行うことが好ましい。
次いで、図１（ｃ）に示すように、ＩＣチップ３の電極３ａをガラス基板１の側に向けるようにして、ＩＣチップ３を回路接続材料２上に載せる。更に、ＩＣチップ３の上に絶縁性フィルム１２を載せる。そして、圧着ヘッド５を降下させると共に、圧着ヘッド５の熱によって回路接続材料２を硬化させる（熱圧着工程）。
圧着ヘッド５による押圧力は、ＩＣチップ３に損傷を与えない範囲であれば特に制限されないが、一般的には０．１〜３０．０ＭＰａとすることが好ましい。また、圧着ヘッド５による加熱温度は、回路接続材料２が硬化可能な温度とする。加熱温度は、６０〜６００℃が好ましく、７０〜５５０℃がより好ましく、８０〜５００℃が更に好ましい。加熱温度が６０℃未満であると硬化速度が遅くなる傾向があり、６００℃を超えると望まない副反応が進行し易い傾向がある。加熱時間は、０．１〜１８０秒が好ましく、０．５〜１８０秒がより好ましく、１〜１８０秒が更に好ましい。
なお、熱圧着工程における回路接続材料２の加熱は、圧着ヘッド５の熱によるものに限定されるものではない。例えば、載置面の温度調整が可能なステージ４を使用した場合、回路接続材料２の加熱は、ステージ４からの熱を利用してもよく、あるいは、ステージ４及び圧着ヘッド５の熱を利用してもよい。
熱圧着工程における回路接続材料２の硬化によって、ガラス基板１上にＩＣチップ３が実装された回路接続体５０が得られる。図２は、回路接続体５０の接続部を拡大して示す模式断面図である。回路接続体５０の接続部５０ａは回路接続材料２に含まれる接着剤成分２ａの硬化物２Ａと、これに分散している導電粒子２ｂとを備える。回路接続体５０においては、対向するガラス基板１の電極１ａとＩＣチップ３の電極３ａとが、導電粒子２ｂを介して電気的に接続されている。すなわち、導電粒子２ｂが電極１ａ及び電極３ａの双方に直接接触している。
このため、電極１ａ，３ａ間の接続抵抗が十分に低減され、電極１ａ，３ａ間の良好な電気的接続が可能となる。他方、硬化物２Ａは電気絶縁性を有するものであり、隣接する電極同士は絶縁性が確保される。従って、電極１ａ，３ａ間の電流の流れを円滑にすることができ、回路の持つ機能を十分に発揮することができる。
（回路接続材料）
図３に示す接着材フィルム１５は、テープ状の基材６と、その一方面上に設けられた回路接続材料２とを備える。回路接続材料２は、熱硬化性樹脂を含む接着剤成分２ａと、接着剤成分２ａ中に分散した導電粒子２ｂとを含有する接着剤組成物をフィルム状に成形したものである。回路接続材料２を使用する際には、基材６は剥離される。
回路接続材料２の接着剤成分２ａに含まれる熱硬化性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などを例示できる。また、熱硬化性樹脂の硬化反応の形態は特に制限されるものではなく、二重結合のラジカル重合、イオン重合、重付加などのいずれの重合形態であってもよい。
接着剤成分２ａは、熱硬化性樹脂以外の成分を含んでもよい。かかる成分としては、フィルム形成ポリマー、ラジカル重合開始剤、エポキシ硬化剤、シランカップリング剤、触媒、充填剤等を例示できる。熱硬化性樹脂、フィルム形成ポリマー及びその他成分の種類又は配合量を適宜調整することで、熱硬化型接続材料の硬化物のガラス転移温度Ｔｇを制御することができる。
回路接続材料２に含まれる導電粒子２ｂとしては、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｓｂ、Ｓｎ、はんだ等の金属やカーボンの粒子が挙げられる。あるいは、非導電性のガラス、セラミック、プラスチック等を核とし、この核を上記の金属やカーボンで被覆した被覆粒子を使用してもよい。導電粒子の平均粒径は分散性、導電性の観点から１〜１８μｍであることが好ましい。なお、導電粒子を絶縁層で被覆してなる絶縁被覆粒子を使用してもよく、隣接する電極同士の絶縁性を向上させる観点から導電粒子と絶縁性粒子とを併用してもよい。
導電粒子２ｂの配合割合は、回路接続材料２の接着剤成分１００体積部に対して、０．１〜３０体積部であることが好ましく、０．１〜１０体積部であることがより好ましい。この配合割合が０．１体積部未満であると対向する電極間の接続抵抗が高くなる傾向にあり、３０体積部を超えると隣接する電極間の短絡が生じやすくなる傾向がある。
回路接続材料２の厚さは、使用する接着剤成分及び被接着物の種類等に合わせて適宜選択すればよいが、５〜１００μｍであることが好ましい。また、回路接続材料２の幅は、使用用途に合わせて調整すればよいが、一般には０．５〜５ｍｍ程度である。
接着材フィルム１５の基材６はテープ状の形状を有する。基材６は、長さが１〜３００ｍ程度であり、厚さが４〜２００μｍ程度であり、幅が０．５〜３０ｍｍ程度である。基材６の長さ、厚さ及び幅は上記の範囲に限定されるものではない。但し、基材６の幅は、その上に付設される回路接続材料２の幅よりも広いことが好ましい。
基材６は、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンイソフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン、ポリアセテート、ポリカーボネート、ポリフェニレンサルファイド、ポリアミド、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、合成ゴム系、液晶ポリマー等からなる各種テープを使用することが可能である。もっとも、基材６を構成する材質はこれらに限定されるものではない。また、基材６として、回路接続材料２との当接面等に離型処理が施されたものを使用してもよい。
なお、回路接続材料２として、市販されている種々の異方導電性フィルム（ＡＣＦ）、異方導電性ペースト（ＡＣＰ）、非導電性フィルム（ＮＣＦ）等を用いてもよい。
（絶縁性フィルム）
次に、熱圧着工程において圧着ヘッド５とＩＣチップ３との間に配置する絶縁性フィルム１２について説明する。この絶縁性フィルム１２は、有機化合物からなり、厚さが９０μｍ以下であり且つ当該熱圧着工程の圧着温度における弾性率が０．５ＧＰａ以上である。厚さ及び弾性率に係るこれらの条件を満たす絶縁性フィルム１２を使用することで、熱圧着工程におけるＩＣチップの電極を支点としたＩＣチップ３のたわみを十分に低減できる。
絶縁性フィルム１２は、厚さが９０μｍ以下である。絶縁性フィルム１２の厚さが９０μｍを越えると、ＩＣチップ３の変形量を十分に低減することが困難となる。絶縁性フィルム１２の厚さは、絶縁性フィルム１２によるクッション効果を得る観点から１０〜９０μｍであることが好ましく、圧着ヘッド５から回路接続材料２への熱の伝導性の点から１０〜６０μｍであることがより好ましい。
絶縁性フィルム１２は、圧着温度における弾性率が０．５ＧＰａ以上であるが、入手容易性の観点から、０．５〜３０ＧＰａであることが好ましく、０．５〜１０ＧＰａであることがより好ましい。
絶縁性フィルム１２としては、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド又は液晶ポリマー等からなるフィルムが挙げられる。これらの絶縁性を有する材料からなるフィルムを熱圧着工程において用いることで、仮に、回路接続材料２の接着剤成分２ａによってＩＣチップ３に絶縁性フィルム１２が付着しても、これが直ちに短絡故障の原因となることはない。
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。
例えば、上記実施形態では、単層構造の回路接続材料２を使用する場合を例示したが、多層構造の回路接続材料を使用してもよい。多層構造の回路接続材料は、接着剤成分及び導電粒子の種類あるいはこれらの含有量が異なる層を基材６上に複数積層することによって製造することができる。
図４に示す接着材フィルム１５Ａは、基材６と、その一方面上に形成された二層構造の回路接続材料１８とを備える。この回路接続材料１８は、導電粒子を含有しない導電粒子非含有層１８ａ及び導電粒子を含有する導電粒子含有層１８ｂからなる。なお、導電粒子非含有層１８ａ及び導電粒子含有層１８ｂの接着剤成分としては、上述の回路接続材料２の接着剤成分２ａと同様のものを使用できる。
上記二層構造の回路接続材料１８を使用すると、回路部材同士の接合時に、接着剤成分の流動に起因する回路電極上における導電粒子の個数の減少を十分に抑制することができる。このため、上記実施形態のようにＩＣチップをＣＯＧ実装によって基板上に接続する場合、ＩＣチップの金属バンプ（電極）上の導電粒子の個数を十分に確保することができる。この場合、ＩＣチップの金属バンプを備える面と導電粒子非含有層１８ａとが、他方、ＩＣチップを実装すべき基板と導電粒子含有層１８ｂとが、それぞれ当接するように回路接続材料１８を配置することが好ましい。
また、ＩＣチップを実装する基板としては、ガラス基板に限定されるものではなく、例えば、金属配線を有するフレキシブルテープ、フレキシブルプリント配線板等の有機基板、ガラス繊維強化エポキシ基板等のガラス繊維強化有機基板、あるいは、紙フェノール基板、セラミック基板、積層板などの配線基板を例示できる。上記実施形態においては、ＣＯＧ実装を行う場合を例示したが、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）実装において本発明に係る回路部材実装方法を適用してもよい。
更に、ガラス基板１に実装する回路部材は、ＩＣチップに限定されるものではない。例えば、ＬＳＩチップ、抵抗体チップ、コンデンサチップ等の複数の回路電極（接続端子）を備えたチップ部品を本発明に係る回路部材実装方法によって基板上に実装してもよい。
本発明について実施例及び比較例によって更に詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
図７に示す熱圧着装置１０と同様の構成の装置を使用し、下記のようにしてＩＣチップをガラス基板上に実装し、図５に示す回路接続体を作製した。
まず、回路部材としてＩＣチップ（１５ｍｍ×１．６ｍｍ、厚さ０．１ｍｍ）、絶縁性フィルムとしてポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルム（厚さ１０μｍ、熱硬化型の回路接続材料として異方導電フィルム（日立化成工業製、商品名：ＡＣ−８９５５、及び基板としてガラス基板（コーニング社製の無アルカリガラス１７３７、基板サイズ３８ｍｍ×２８ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を準備した。
熱圧着装置のステージ上にガラス基板を載置し、その上に異方導電フィルムを仮圧着した。次いで、異方導電フィルムの上にＩＣチップ及び絶縁性フィルムをこの順序で積層し、その後、上方から圧着ヘッドを降下させ、熱圧着を行った。圧着ヘッドの当接面によって総加重６０ＮにてＩＣチップを押圧するとともに、圧着ヘッドの熱によって異方導電フィルムの温度が２１０℃に５秒間保持されるように加熱して回路接続体を得た。本実施例で使用したＰＰＳフィルムの２１０℃（圧着温度）における弾性率は０．５ＧＰａであった。なお、当該弾性率は、動的粘弾性測定装置ＤＭＳ６１００（ＳＩＩ製）を用いて、昇温速度５℃／分、周波数１Ｈｚ、振幅５μｍ、引張モードの条件で測定したものである。
＜ＩＣチップのたわみ量の測定＞
上記のようにして作製した回路接続体のＩＣチップのたわみ量を以下のようにして測定した。まず、図５に示すように、ＩＣチップの上面の中心Ｃ１と、この中心Ｃ１からＩＣチップの長手方向に７．５ｍｍ離れたＩＣチップの端部との間の領域につき、中心Ｃ１の高さを基準とする高さ方向の変位量Ｌ１（μｍ）を測定した。次に、ガラス基板の裏面（ＩＣチップが実装されていない面）の中心Ｃ２と、この中心Ｃ２からガラス基板の長手方向に７．５ｍｍ離れたＩＣチップの端部に相当する箇所まで高さ方向の変位量Ｌ２（μｍ）を測定した。ＩＣチップ上面の変位量Ｌ１とガラス基板の裏面の変位量Ｌ２との差（Ｌ１−Ｌ２）の最大値をＩＣチップのたわみ量とした。図６は、実施例１で作製した回路接続体の変位量（Ｌ１，Ｌ２）及びＩＣチップのたわみ量（Ｌ１−Ｌ２）を示すグラフである。
＜絶縁性フィルムと回路接続材料との接着の有無＞
絶縁性フィルムと回路接続材料との接着の有無は、熱圧着工程後、回路接続体の上面に位置する絶縁性フィルムを手で持ち上げた際に、回路接続体が絶縁性フィルムとともに持ち上がるか否かによって評価した。回路接続体が持ち上がることなく絶縁性フィルムが回路接続体から剥離する場合を接着なしと評価し、他方、回路接続体から絶縁性フィルムとともに持ち上がった場合を接着ありと評価した。
（実施例２）
絶縁性フィルムとして厚さ１０μｍのＰＰＳフィルムを使用する代わりに、厚さ３０μｍのＰＰＳフィルムを使用したことの他は、実施例１と同様にして回路接続体の作製及びその評価を行った。
（実施例３）
絶縁性フィルムとして厚さ１０μｍのＰＰＳフィルムを使用する代わりに、厚さ６０μｍのＰＰＳフィルムを使用したことの他は、実施例１と同様にして回路接続体の作製及びその評価を行った。
（実施例４）
絶縁性フィルムとして厚さ１０μｍのＰＰＳフィルムを使用する代わりに、厚さ９０μｍのＰＰＳフィルムを使用したことの他は、実施例１と同様にして回路接続体の作製及びその評価を行った。
（比較例１）
絶縁性フィルムとして厚さ１０μｍのＰＰＳフィルムを使用する代わりに、厚さ１００μｍのＰＰＳフィルムを使用したことの他は、実施例１と同様にして回路接続体の作製及びその評価を行った。
（比較例２）
絶縁性フィルムとして厚さ１０μｍのＰＰＳフィルムを使用する代わりに、厚さ２００μｍのＰＰＳフィルムを使用したことの他は、実施例１と同様にして回路接続体の作製及びその評価を行った。
（比較例３）
絶縁性フィルムとして、２１０℃（圧着温度）における弾性率が０．５ＧＰａのＰＰＳフィルムを使用する代わりに、当該弾性率が０．０５ＧＰａの四フッ化エチレン（ＰＴＦＥ）フィルムを使用したことの他は、実施例１と同様にして回路接続体の作製及びその評価を行った。
（比較例４）
絶縁性フィルムとして厚さ１０μｍのＰＴＦＥフィルムを使用する代わりに、厚さ３０μｍのＰＴＦＥフィルムを使用したことの他は、比較例３と同様にして回路接続体の作製及びその評価を行った。
（比較例５）
絶縁性フィルムとして厚さ１０μｍのＰＴＦＥフィルムを使用する代わりに、厚さ６０μｍのＰＴＦＥフィルムを使用したことの他は、比較例３と同様にして回路接続体の作製及びその評価を行った。
（比較例６）
絶縁性フィルムとして厚さ１０μｍのＰＴＦＥフィルムを使用する代わりに、厚さ２００μｍのＰＴＦＥフィルムを使用したことの他は、比較例３と同様にして回路接続体の作製及びその評価を行った。
（比較例７）
熱圧着工程において、２１０℃（圧着温度）における弾性率が０．５ＧＰａのＰＰＳフィルムを使用する代わりに、当該弾性率が７０ＧＰａのアルミニウム箔を使用したことの他は、実施例１と同様にして回路接続体の作製及びその評価を行った。
（比較例８）
熱圧着工程において、厚さ１０μｍのアルミニウム箔を使用する代わりに、厚さ３０μｍのアルミニウム箔を使用したことの他は、比較例７と同様にして回路接続体の作製及びその評価を行った。
（比較例９）
熱圧着工程において、厚さ１０μｍのアルミニウム箔を使用する代わりに、厚さ６０μｍのアルミニウム箔を使用したことの他は、比較例７と同様にして回路接続体の作製及びその評価を行った。
（比較例１０）
熱圧着工程において、厚さ１０μｍのアルミニウム箔を使用する代わりに、厚さ２００μｍのアルミニウム箔を使用したことの他は、比較例７と同様にして回路接続体の作製及びその評価を行った。
実施例１〜４及び比較例１〜１０において使用した絶縁性フィルム及び作製した回路接続体の評価結果について、表１〜３に示す。
Figure 0005024117
Figure 0005024117
Figure 0005024117
本発明に係る回路部材実装方法の一形態を概略断面図により示す工程図である。 回路接続体の接続部を示す模式断面図である。 回路接続材料の一形態を示す断面図である。 回路接続材料の他の形態を示す断面図である。 （ａ）及び（ｂ）は回路接続体を示す上面図及び断面図である。 実施例１の回路接続体の変位量及びＩＣチップのたわみ量を示すグラフである。 熱圧着装置を用いて従来の実装法を行っている状態を示す模式断面図である。
符号の説明
１…ガラス基板（基板）、２，１８…回路接続材料、２Ａ…回路接続材料の硬化物、２ａ…接着剤成分、２ｂ…導電粒子、３…ＩＣチップ（回路部材）、４…ステージ、５…圧着ヘッド、１０…熱圧着装置、１２…絶縁性フィルム、５０…回路接続体。

Claims (7)

  1. 回路部材を基板の方向に押圧する圧着ヘッドを用いて前記回路部材の実装を行う回路部材実装方法であって、
    前記基板と前記回路部材との間に回路接続材料を介在させ、前記回路接続材料が所定温度となるように加熱しながら、前記圧着ヘッドによって前記回路部材を前記基板に押圧して両者を接着する熱圧着工程を備え、
    前記熱圧着工程において、前記所定温度は６０〜６００℃の範囲であり、前記圧着ヘッドによる押圧を行うに際し、前記圧着ヘッドと前記回路部材と間に、厚さが９０μｍ以下であり且つ前記所定温度における弾性率が０．５ＧＰａ以上である、有機化合物からなる絶縁性フィルムを介在させることを特徴とする回路部材実装方法。
  2. 前記回路部材がＩＣチップであることを特徴とする、請求項１に記載の回路部材実装方法。
  3. 前記ＩＣチップの厚さが２００μｍ以下であることを特徴とする、請求項２に記載の回路部材実装方法。
  4. 前記回路接続材料は、熱硬化性樹脂を含む接着剤成分を含有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の回路部材実装方法。
  5. 前記回路接続材料は、前記接着剤成分中に分散した導電粒子を更に含有することを特徴とする、請求項４に記載の回路部材実装方法。
  6. 前記基板は、ガラス基板、有機基板及びガラス繊維強化有機基板からなる群より選ばれる一種であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の回路部材実装方法。
  7. 前記絶縁性フィルムは、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド及び液晶ポリマーからなる群から選ばれる有機化合物からなることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の回路部材実装方法。
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