JP2001015421A - データ作成方法およびそれを用いた荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
データ作成方法およびそれを用いた荷電粒子ビーム描画装置Info
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- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
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- Analytical Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 設計パターンデータと電子ビーム描画装置の
描画方式で規定される基本描画領域の配列の周期性が異
なる場合でも、描画パターンデータの圧縮効率を向上
し、描画処理工程の高速化を図ることでスループットを
向上させることができる。 【解決手段】 設計パターンデータから作成されたビッ
ト情報を荷電粒子ビームの走査方向に従って供給し、前
記荷電粒子ビームの開閉を制御して試料面上に照射し、
前記荷電粒子ビームを走査することにより２次元パター
ンを露光する荷電粒子ビーム露光方法において、周期構
造を持つ設計パターンデータから周期構造の１単位とし
てセルパターンを抽出し登録する工程と、前記セルパタ
ーンを用いて荷電粒子ビーム露光装置に起因する基本描
画領域に再配列するための配列データを作成し登録する
工程と、前記配列データの情報に従って前記セルパター
ンのデータから切出し前記基本描画領域のデータを作成
する工程を備えたデータ作成方法。
描画方式で規定される基本描画領域の配列の周期性が異
なる場合でも、描画パターンデータの圧縮効率を向上
し、描画処理工程の高速化を図ることでスループットを
向上させることができる。 【解決手段】 設計パターンデータから作成されたビッ
ト情報を荷電粒子ビームの走査方向に従って供給し、前
記荷電粒子ビームの開閉を制御して試料面上に照射し、
前記荷電粒子ビームを走査することにより２次元パター
ンを露光する荷電粒子ビーム露光方法において、周期構
造を持つ設計パターンデータから周期構造の１単位とし
てセルパターンを抽出し登録する工程と、前記セルパタ
ーンを用いて荷電粒子ビーム露光装置に起因する基本描
画領域に再配列するための配列データを作成し登録する
工程と、前記配列データの情報に従って前記セルパター
ンのデータから切出し前記基本描画領域のデータを作成
する工程を備えたデータ作成方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩ等の半導体
集積回路のパターンをマスクやウエハ等の試料に高速・
高精度に描画するための荷電粒子ビーム描画方法に係わ
り、特にデータ圧縮した描画パターンデータを用いて高
精度の描画を可能としたデータ作成方法およびそれを用
いた荷電粒子ビーム描画装置に関する。
集積回路のパターンをマスクやウエハ等の試料に高速・
高精度に描画するための荷電粒子ビーム描画方法に係わ
り、特にデータ圧縮した描画パターンデータを用いて高
精度の描画を可能としたデータ作成方法およびそれを用
いた荷電粒子ビーム描画装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩのパターンは高微細化かつ
高集積化しており、例えばＤＲＡＭでは６４Ｍ以降も２
５６Ｍ、１Ｇ、４Ｇとその高集積化が進んでおり、微細
加工技術はその中でも極めて重要なプロセス技術とされ
ている。
高集積化しており、例えばＤＲＡＭでは６４Ｍ以降も２
５６Ｍ、１Ｇ、４Ｇとその高集積化が進んでおり、微細
加工技術はその中でも極めて重要なプロセス技術とされ
ている。
【０００３】電子ビーム描画装置は、０．１μｍ以下の
微細加工が可能であることから、このようなＬＳＩの高
集積化したパターンを形成する有効な露光手段として期
待されている。この電子ビーム描画装置を用いて所望の
ＬＳＩパターンを描画する場合、ＣＡＤといったＬＳＩ
のパターン設計に用いるパターンデータ作成ツールによ
り作成された設計パターンデータを、電子ビーム描画装
置の描画パターンデータとして、直接供給することは出
来ない。そのため、電子ビーム描画装置に対して、設計
パターンデータを受容可能なデータ体系に変換し、その
データを高速に描画することが要求されている。
微細加工が可能であることから、このようなＬＳＩの高
集積化したパターンを形成する有効な露光手段として期
待されている。この電子ビーム描画装置を用いて所望の
ＬＳＩパターンを描画する場合、ＣＡＤといったＬＳＩ
のパターン設計に用いるパターンデータ作成ツールによ
り作成された設計パターンデータを、電子ビーム描画装
置の描画パターンデータとして、直接供給することは出
来ない。そのため、電子ビーム描画装置に対して、設計
パターンデータを受容可能なデータ体系に変換し、その
データを高速に描画することが要求されている。
【０００４】ここで、電子ビーム描画装置の例を以下説
明する。図９は、描画システムのデータフロー（従来
例）を示したものである。データ変換工程では、データ
読込み（ステップ５０）で磁気ディスク等の外部記憶装
置に保存された設計パターンデータ５１をコンピュータ
のメモリ上に読込み、次のデータ処理（ステップ５２）
で多重露光領域の除去や近接効果補正等の補正処理を行
った後、ビームの偏向領域により決定される単位描画領
域毎に矩形・台形及び三角形等の基本図形分割（ステッ
プ５３）を行うことにより、電子ビーム描画装置に対し
て、設計パターンデータ５１を受容可能な描画パターン
データ５５に変換する。そして、次の描画データ保存
（ステップ５４）で、変換された描画パターンデータ５
５を磁気ディスクに代表される外部記憶装置に記憶す
る。
明する。図９は、描画システムのデータフロー（従来
例）を示したものである。データ変換工程では、データ
読込み（ステップ５０）で磁気ディスク等の外部記憶装
置に保存された設計パターンデータ５１をコンピュータ
のメモリ上に読込み、次のデータ処理（ステップ５２）
で多重露光領域の除去や近接効果補正等の補正処理を行
った後、ビームの偏向領域により決定される単位描画領
域毎に矩形・台形及び三角形等の基本図形分割（ステッ
プ５３）を行うことにより、電子ビーム描画装置に対し
て、設計パターンデータ５１を受容可能な描画パターン
データ５５に変換する。そして、次の描画データ保存
（ステップ５４）で、変換された描画パターンデータ５
５を磁気ディスクに代表される外部記憶装置に記憶す
る。
【０００５】データ転送工程では、前の工程で変換され
た描画パターンデータ５５をステップ５６で読み込み、
ステップ５７でバッファメモリに転送し、そしてステッ
プ５８で登録し、このデータ転送工程を終了する。
た描画パターンデータ５５をステップ５６で読み込み、
ステップ５７でバッファメモリに転送し、そしてステッ
プ５８で登録し、このデータ転送工程を終了する。
【０００６】次の描画処理工程では、まず描画条件設定
（ステップ６０）で電子ビーム装置の描画スケジュール
データであるＪＯＢデータ６１を読込んだ後、ストライ
プデータ読込み（ステップ６２）で１回のステージ走査
で描画する１ストライプ分の描画パターンデータをステ
ップ５８のバッファメモリから読込み、基本図形から成
る描画パターンデータをビットマップ展開処理（ステッ
プ６３）した後、ステップ６４でパターンメモリに転送
し、その後、ステップ６５でビットマップデータをビー
ム開閉手段であるビームブランカに出力することで、電
子ビームをオン・オフしてパターン描画（ステップ６
６）を行う。１ストライプの描画が終了すると、次のス
トライプの描画に対してストライプデータ読込み（ステ
ップ６２）から描画処理工程が再度行われる。これを繰
り返すことによって、ウエハに配置する全チップの描画
が完了する。
（ステップ６０）で電子ビーム装置の描画スケジュール
データであるＪＯＢデータ６１を読込んだ後、ストライ
プデータ読込み（ステップ６２）で１回のステージ走査
で描画する１ストライプ分の描画パターンデータをステ
ップ５８のバッファメモリから読込み、基本図形から成
る描画パターンデータをビットマップ展開処理（ステッ
プ６３）した後、ステップ６４でパターンメモリに転送
し、その後、ステップ６５でビットマップデータをビー
ム開閉手段であるビームブランカに出力することで、電
子ビームをオン・オフしてパターン描画（ステップ６
６）を行う。１ストライプの描画が終了すると、次のス
トライプの描画に対してストライプデータ読込み（ステ
ップ６２）から描画処理工程が再度行われる。これを繰
り返すことによって、ウエハに配置する全チップの描画
が完了する。
【０００７】図１０は、前記描画システムのデータフロ
ー（従来例）で描画する電子ビーム描画装置のブロック
図を示したものである。大きく分けて、電子ビーム描画
装置本体２８０と描画制御システム２９０で構成されて
いる。電子ビーム描画装置本体２８０は、電子銃２０
１、収束レンズ２０２、縮小レンズ２０３、偏向器２０
４、ブランカ２０５とステージ２０７で構成されてい
る。電子銃２０１から出射した電子ビームＥＢは、収束
レンズ２０２と縮小レンズ２０３で電子ビームＥＢは
０．１μｍ以下に収束され、ステージ上のウエハ２０８
を照射する。さらに、電子ビームＥＢは、偏向器２０４
（ここでは、主偏向器２０４−１と副偏向器２０４−２
の２段で構成）で位置整定され、ブランカ２０５でオン
・オフ制御される。
ー（従来例）で描画する電子ビーム描画装置のブロック
図を示したものである。大きく分けて、電子ビーム描画
装置本体２８０と描画制御システム２９０で構成されて
いる。電子ビーム描画装置本体２８０は、電子銃２０
１、収束レンズ２０２、縮小レンズ２０３、偏向器２０
４、ブランカ２０５とステージ２０７で構成されてい
る。電子銃２０１から出射した電子ビームＥＢは、収束
レンズ２０２と縮小レンズ２０３で電子ビームＥＢは
０．１μｍ以下に収束され、ステージ上のウエハ２０８
を照射する。さらに、電子ビームＥＢは、偏向器２０４
（ここでは、主偏向器２０４−１と副偏向器２０４−２
の２段で構成）で位置整定され、ブランカ２０５でオン
・オフ制御される。
【０００８】描画制御システム２９０において、磁気デ
ィスク等の外部記憶装置２１０に保存された前記描画パ
ターンデータ２２４は、コンソール２１１からの設定に
基づいて、ＣＰＵ２１２を介して、描画データ処理ユニ
ット２１９の中のバッファメモリ２１４に転送される。
この描画パターンデータ２２４のデータ形式は、矩形・
台形及び三角形等の基本図形で設計パターンデータを図
形分割したものである。この描画パターンデータ２２４
は、図形演算処理２１７において１回のステージ走査で
描画する１ストライプ分のデータをビットマップデータ
に演算処理した後、パターンメモリ２１８に転送され
る。更に、このビットマップデータがブランカ制御ユニ
ット２２０に転送されることで、電子ビームＥＢのオン
・オフが制御される。これと同期して偏向器制御ユニッ
ト２２２によるビーム位置の整定とステージ制御ユニッ
ト２２３によるステージ位置の制御を行うことで一連の
描画が行われる。
ィスク等の外部記憶装置２１０に保存された前記描画パ
ターンデータ２２４は、コンソール２１１からの設定に
基づいて、ＣＰＵ２１２を介して、描画データ処理ユニ
ット２１９の中のバッファメモリ２１４に転送される。
この描画パターンデータ２２４のデータ形式は、矩形・
台形及び三角形等の基本図形で設計パターンデータを図
形分割したものである。この描画パターンデータ２２４
は、図形演算処理２１７において１回のステージ走査で
描画する１ストライプ分のデータをビットマップデータ
に演算処理した後、パターンメモリ２１８に転送され
る。更に、このビットマップデータがブランカ制御ユニ
ット２２０に転送されることで、電子ビームＥＢのオン
・オフが制御される。これと同期して偏向器制御ユニッ
ト２２２によるビーム位置の整定とステージ制御ユニッ
ト２２３によるステージ位置の制御を行うことで一連の
描画が行われる。
【０００９】前記図１０で示した偏向器２０４が主偏向
器２０４−１と副偏向器２０４−２の２段偏向器で構成
される場合の描画方法の例を図１１に示す。主偏向器２
０４−１による電子ビームＥＢのビーム偏向方向（Ｙ）
に対して垂直方向（Ｘ）にステージが往復走査すること
でウエハ２０８上に配列したチップ２５１の全領域の描
画を行う。ここで、主偏向器２０４−１で走査するメイ
ンフィールド２５２の領域内では、更に小さいサブフィ
ールド２５４の領域で副偏向器２０４−２により電子ビ
ームＥＢを偏向して描画を行っている。このサブフィー
ルド２５４で偏向される領域が、ここでは基本描画領域
として定義され、データ変換工程で設計パターンデータ
から描画パターンデータを作成する際の基本図形分割の
データに反映される。
器２０４−１と副偏向器２０４−２の２段偏向器で構成
される場合の描画方法の例を図１１に示す。主偏向器２
０４−１による電子ビームＥＢのビーム偏向方向（Ｙ）
に対して垂直方向（Ｘ）にステージが往復走査すること
でウエハ２０８上に配列したチップ２５１の全領域の描
画を行う。ここで、主偏向器２０４−１で走査するメイ
ンフィールド２５２の領域内では、更に小さいサブフィ
ールド２５４の領域で副偏向器２０４−２により電子ビ
ームＥＢを偏向して描画を行っている。このサブフィー
ルド２５４で偏向される領域が、ここでは基本描画領域
として定義され、データ変換工程で設計パターンデータ
から描画パターンデータを作成する際の基本図形分割の
データに反映される。
【００１０】以上説明したように、従来、電子ビーム描
画装置は設計パターンデータを受容可能な基本図形群
（矩形・台形及び三角形等）で構成される図形体系で定
義し、更に電子ビーム描画装置の描画方式に依存した単
位描画領域毎に領域分割したデータ体系で定義し、描画
パターンデータを作成し、パターン描画を行ってきた。
画装置は設計パターンデータを受容可能な基本図形群
（矩形・台形及び三角形等）で構成される図形体系で定
義し、更に電子ビーム描画装置の描画方式に依存した単
位描画領域毎に領域分割したデータ体系で定義し、描画
パターンデータを作成し、パターン描画を行ってきた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この種
の方法にあっては次のような問題があった。即ち、ＣＡ
Ｄで作成された設計パターンデータから描画パターンデ
ータにデータ変換する過程で、基本描画領域の単位での
ソーティング処理（描画順序に沿ったデータの並べ替え
処理）をした場合、設計パターンデータのパターンの繰
り返し周期構造のサイズが電子ビーム描画装置の単位描
画領域のサイズと異なり、メインフィールド領域のサイ
ズと異なるため、設計パターンデータを単位描画領域・
メインフィールド領域で単純に分割すると、繰り返し周
期構造を阻害してしまい、多くの独立した分割パターン
に展開しなければならず、描画パターンデータの圧縮困
難であった。そのため、設計パターンデータで定義して
いたパターン規則性が破壊されてしまい、データ量の増
大及びデータ変換時間の長期化といった問題を誘因して
いた。また、描画開始前のデータ転送工程においても、
データ変換して得た描画パターンデータを磁気ディスク
に代表される外部記憶装置からバッファメモリユニット
に転送するための時間が長期化していた。更に、描画処
理工程においては、基本図形からなる描画パターンデー
タをビットマップ展開処理するのにかなりの時間を要し
ていた。以上のことから、これらの一連のデータ処理に
対する時間が電子ビーム描画装置自体のスループットを
低下させる要因になっていた。
の方法にあっては次のような問題があった。即ち、ＣＡ
Ｄで作成された設計パターンデータから描画パターンデ
ータにデータ変換する過程で、基本描画領域の単位での
ソーティング処理（描画順序に沿ったデータの並べ替え
処理）をした場合、設計パターンデータのパターンの繰
り返し周期構造のサイズが電子ビーム描画装置の単位描
画領域のサイズと異なり、メインフィールド領域のサイ
ズと異なるため、設計パターンデータを単位描画領域・
メインフィールド領域で単純に分割すると、繰り返し周
期構造を阻害してしまい、多くの独立した分割パターン
に展開しなければならず、描画パターンデータの圧縮困
難であった。そのため、設計パターンデータで定義して
いたパターン規則性が破壊されてしまい、データ量の増
大及びデータ変換時間の長期化といった問題を誘因して
いた。また、描画開始前のデータ転送工程においても、
データ変換して得た描画パターンデータを磁気ディスク
に代表される外部記憶装置からバッファメモリユニット
に転送するための時間が長期化していた。更に、描画処
理工程においては、基本図形からなる描画パターンデー
タをビットマップ展開処理するのにかなりの時間を要し
ていた。以上のことから、これらの一連のデータ処理に
対する時間が電子ビーム描画装置自体のスループットを
低下させる要因になっていた。
【００１２】一方、近年、マルチビームを用いて複数の
電子ビームを並列にオン・オフしてパターンを描画する
方法が提案されている。複数の電子ビームをｍ行×ｎ列
（ｍ、ｎは１以上の整数）に配列し、各々の電子ビーム
が基本描画領域を描画するすることにより、２次元のパ
ターンを描画する高速描画方式では、設計パターンデー
タとｍ行×ｎ列に配列した基本描画領域の周期性が一致
しないことから同様の問題を含んでおり、電子ビーム描
画装置の高速化に対する大きな課題となっている。
電子ビームを並列にオン・オフしてパターンを描画する
方法が提案されている。複数の電子ビームをｍ行×ｎ列
（ｍ、ｎは１以上の整数）に配列し、各々の電子ビーム
が基本描画領域を描画するすることにより、２次元のパ
ターンを描画する高速描画方式では、設計パターンデー
タとｍ行×ｎ列に配列した基本描画領域の周期性が一致
しないことから同様の問題を含んでおり、電子ビーム描
画装置の高速化に対する大きな課題となっている。
【００１３】この様な状況から現在のデータ変換工程で
は、描画パターンデータの圧縮に制限があり、更に、デ
ータ変換及び描画処理工程の高速化に関して問題点を含
んでいた。そして、上述の如き問題点は電子ビーム描画
装置の稼働率を低下させると共にＬＳＩの生産性の低下
を引き起こすこととなり、今後ＬＳＩの高微細化・高集
積化に伴い、電子ビーム描画装置で描画されたＬＳＩパ
ターンに対する信頼性及び装置の稼働率を高める上で大
きな問題になると考えられている。
は、描画パターンデータの圧縮に制限があり、更に、デ
ータ変換及び描画処理工程の高速化に関して問題点を含
んでいた。そして、上述の如き問題点は電子ビーム描画
装置の稼働率を低下させると共にＬＳＩの生産性の低下
を引き起こすこととなり、今後ＬＳＩの高微細化・高集
積化に伴い、電子ビーム描画装置で描画されたＬＳＩパ
ターンに対する信頼性及び装置の稼働率を高める上で大
きな問題になると考えられている。
【００１４】本発明の目的は、このような問題に鑑み、
設計パターンデータと電子ビーム描画装置の描画方式で
規定される基本描画領域の配列の周期性が異なる場合で
も、描画パターンデータの圧縮効率を向上し、描画処理
工程の高速化を図ることでスループットを向上させるこ
とが可能な描画パターンデータ作成方法およびそれを用
いた電子ビーム描画装置を提供することにある。
設計パターンデータと電子ビーム描画装置の描画方式で
規定される基本描画領域の配列の周期性が異なる場合で
も、描画パターンデータの圧縮効率を向上し、描画処理
工程の高速化を図ることでスループットを向上させるこ
とが可能な描画パターンデータ作成方法およびそれを用
いた電子ビーム描画装置を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、以下の（１）〜（１５）である。 （１）設計パターンデータから作成されたビット情報を
荷電粒子ビームの走査方向に従って供給し、前記荷電粒
子ビームの開閉を制御して試料面上に照射し、前記荷電
粒子ビームを走査することによって２次元パターンを露
光する荷電粒子ビーム露光方法において、周期構造を持
つ設計パターンデータから、周期構造の１単位としてセ
ルパターンを抽出し、登録する工程と、前記セルパター
ンを用いて、荷電粒子ビーム露光装置に起因する基本描
画領域に再配列するための配列データを作成し、登録す
る工程と、前記配列データの情報に従って前記セルパタ
ーンのデータから切出し、前記基本描画領域のデータを
作成する工程を備えたデータ作成方法。 （２）前記基本描画領域は複数の前記セルパターンの全
領域または１部分で構成されていることを特徴とする上
記（１）に記載のデータ作成方法。 （３）前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域に
等しいまたはより大きいことを特徴とする上記（１）ま
たは（２）のいずれか１つに記載のデータ作成方法。 （４）前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域よ
り小さいことを特徴とする上記（１）または（２）のい
ずれか１つに記載のデータ作成方法。 （５）前記基本描画領域は、サイズが前記基本描画領域
に等しいまたはより大きい前記セルパターンとサイズが
前記基本描画領域より小さい前記セルパターンのうち、
それぞれ少なくとも１部分で構成されていることを特徴
とする上記（１）または（２）のいずれか１つに記載の
データ作成方法。 （６）前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域の
サイズの２倍以上であることを特徴とする上記（１）ま
たは（２）のいずれか１つに記載のデータ作成方法。 （７）前記セルパターンはビットマップデータで構成さ
れていることを特徴とする上記（１）〜（６）のいずれ
か１つに記載のデータ作成方法。 （８）設計パターンデータから作成されたビット情報を
荷電粒子ビームの走査方向に従って供給し、前記荷電粒
子ビームの開閉を制御して試料面上に照射し、前記荷電
粒子ビームを走査することによって２次元パターンを露
光する荷電粒子ビーム露光装置において、周期構造を持
つ設計パターンデータから、周期構造の１単位としてセ
ルパターンを抽出し、登録する手段と、前記セルパター
ンを用いて、荷電粒子ビーム露光装置に起因する基本描
画領域に再配列するための配列データを作成し、登録す
る手段と、前記配列データの情報に従って前記セルパタ
ーンのデータから切出し、前記基本描画領域のデータを
作成する手段を有する荷電粒子ビーム描画装置。 （９）前記基本描画領域は複数の前記セルパターンの全
領域または１部分で構成されていることを特徴とする上
記（８）に記載の荷電粒子ビーム描画装置。 （１０）前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域
に等しいまたはより大きいことを特徴とする上記（８）
または（９）のいずれか１つに記載の荷電粒子ビーム描
画装置。 （１１）前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域
より小さいことを特徴とする請求項８または９のいずれ
か１つに記載の荷電粒子ビーム描画装置。 （１２）前記基本描画領域は、サイズが前記基本描画領
域に等しいまたはより大きい前記セルパターンとサイズ
が前記基本描画領域より小さい前記セルパターンのう
ち、それぞれ少なくとも１部分で構成されていることを
特徴とする上記（８）または（９）のいずれか１つに記
載の荷電粒子ビーム描画装置。 （１３）前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域
のサイズの２倍以上であることを特徴とする上記（８）
または（９）のいずれか１つに記載の荷電粒子ビーム描
画装置。 （１４）前記セルパターンはビットマップデータで構成
されていることを特徴とする上記（８）〜（１３）のい
ずれか１つに記載の荷電粒子ビーム描画装置。 （１５）ｍ行×ｎ列に配列された複数の荷電粒子ビーム
と複数のビーム開閉手段を備え、前記荷電粒子ビームが
各々の基本描画領域を並列に描画する描画方法におい
て、荷電粒子ビームの走査方向に従ってビットマップ描
画データを各々のビーム開閉手段に並列に供給し、前記
複数の荷電粒子ビームを制御して試料面上に照射するこ
とで２次元パターンを描画する上記（８）〜（１４）の
いずれか１つに記載の荷電粒子ビーム描画装置。
め、本発明は、以下の（１）〜（１５）である。 （１）設計パターンデータから作成されたビット情報を
荷電粒子ビームの走査方向に従って供給し、前記荷電粒
子ビームの開閉を制御して試料面上に照射し、前記荷電
粒子ビームを走査することによって２次元パターンを露
光する荷電粒子ビーム露光方法において、周期構造を持
つ設計パターンデータから、周期構造の１単位としてセ
ルパターンを抽出し、登録する工程と、前記セルパター
ンを用いて、荷電粒子ビーム露光装置に起因する基本描
画領域に再配列するための配列データを作成し、登録す
る工程と、前記配列データの情報に従って前記セルパタ
ーンのデータから切出し、前記基本描画領域のデータを
作成する工程を備えたデータ作成方法。 （２）前記基本描画領域は複数の前記セルパターンの全
領域または１部分で構成されていることを特徴とする上
記（１）に記載のデータ作成方法。 （３）前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域に
等しいまたはより大きいことを特徴とする上記（１）ま
たは（２）のいずれか１つに記載のデータ作成方法。 （４）前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域よ
り小さいことを特徴とする上記（１）または（２）のい
ずれか１つに記載のデータ作成方法。 （５）前記基本描画領域は、サイズが前記基本描画領域
に等しいまたはより大きい前記セルパターンとサイズが
前記基本描画領域より小さい前記セルパターンのうち、
それぞれ少なくとも１部分で構成されていることを特徴
とする上記（１）または（２）のいずれか１つに記載の
データ作成方法。 （６）前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域の
サイズの２倍以上であることを特徴とする上記（１）ま
たは（２）のいずれか１つに記載のデータ作成方法。 （７）前記セルパターンはビットマップデータで構成さ
れていることを特徴とする上記（１）〜（６）のいずれ
か１つに記載のデータ作成方法。 （８）設計パターンデータから作成されたビット情報を
荷電粒子ビームの走査方向に従って供給し、前記荷電粒
子ビームの開閉を制御して試料面上に照射し、前記荷電
粒子ビームを走査することによって２次元パターンを露
光する荷電粒子ビーム露光装置において、周期構造を持
つ設計パターンデータから、周期構造の１単位としてセ
ルパターンを抽出し、登録する手段と、前記セルパター
ンを用いて、荷電粒子ビーム露光装置に起因する基本描
画領域に再配列するための配列データを作成し、登録す
る手段と、前記配列データの情報に従って前記セルパタ
ーンのデータから切出し、前記基本描画領域のデータを
作成する手段を有する荷電粒子ビーム描画装置。 （９）前記基本描画領域は複数の前記セルパターンの全
領域または１部分で構成されていることを特徴とする上
記（８）に記載の荷電粒子ビーム描画装置。 （１０）前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域
に等しいまたはより大きいことを特徴とする上記（８）
または（９）のいずれか１つに記載の荷電粒子ビーム描
画装置。 （１１）前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域
より小さいことを特徴とする請求項８または９のいずれ
か１つに記載の荷電粒子ビーム描画装置。 （１２）前記基本描画領域は、サイズが前記基本描画領
域に等しいまたはより大きい前記セルパターンとサイズ
が前記基本描画領域より小さい前記セルパターンのう
ち、それぞれ少なくとも１部分で構成されていることを
特徴とする上記（８）または（９）のいずれか１つに記
載の荷電粒子ビーム描画装置。 （１３）前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域
のサイズの２倍以上であることを特徴とする上記（８）
または（９）のいずれか１つに記載の荷電粒子ビーム描
画装置。 （１４）前記セルパターンはビットマップデータで構成
されていることを特徴とする上記（８）〜（１３）のい
ずれか１つに記載の荷電粒子ビーム描画装置。 （１５）ｍ行×ｎ列に配列された複数の荷電粒子ビーム
と複数のビーム開閉手段を備え、前記荷電粒子ビームが
各々の基本描画領域を並列に描画する描画方法におい
て、荷電粒子ビームの走査方向に従ってビットマップ描
画データを各々のビーム開閉手段に並列に供給し、前記
複数の荷電粒子ビームを制御して試料面上に照射するこ
とで２次元パターンを描画する上記（８）〜（１４）の
いずれか１つに記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【００１６】上記構成によって、設計パターンデータと
電子ビーム描画装置の描画方式で規定される基本描画領
域の配列の周期性が異なる場合でも、描画パターンデー
タの圧縮効率を向上し、描画処理工程の高速化を図るこ
とでスループットを向上させることができる。
電子ビーム描画装置の描画方式で規定される基本描画領
域の配列の周期性が異なる場合でも、描画パターンデー
タの圧縮効率を向上し、描画処理工程の高速化を図るこ
とでスループットを向上させることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】設計パターンデータから描画パタ
ーンデータに変換する際、設計パターンデータの繰り返
し周期構造を活かした変換方法とその描画パターンデー
タを用いて描画する方法について以下説明する。
ーンデータに変換する際、設計パターンデータの繰り返
し周期構造を活かした変換方法とその描画パターンデー
タを用いて描画する方法について以下説明する。
【００１８】図１は、本発明を最もよく表す図であり、
設計パターンデータを繰り返し周期構造の１単位である
セルパターンと電子ビーム描画装置の偏向方式で規定さ
れる基本描画領域でそれぞれ分割した図である。設計パ
ターンデータ１は、典型的なＤＲＡＭ等の配線パターン
４で、繰り返し周期構造を持っている。セルパターン２
（設計パターンデータ１の実線領域）は、配線パターン
４の周期性が保たれる様に領域分割されている。一方、
基本描画領域３（設計パターンデータ１の点線領域）
は、電子ビーム描画装置の偏向方式で決まる領域であ
り、設計パターンの周期性と異なったサイズで領域分割
されている。ここでは、セルパターン２は、基本描画領
域３のサイズより大きいサイズのセルパターンＭＣ（セ
ルパターンＭＣ≧基本描画領域）となるように分割して
いる。
設計パターンデータを繰り返し周期構造の１単位である
セルパターンと電子ビーム描画装置の偏向方式で規定さ
れる基本描画領域でそれぞれ分割した図である。設計パ
ターンデータ１は、典型的なＤＲＡＭ等の配線パターン
４で、繰り返し周期構造を持っている。セルパターン２
（設計パターンデータ１の実線領域）は、配線パターン
４の周期性が保たれる様に領域分割されている。一方、
基本描画領域３（設計パターンデータ１の点線領域）
は、電子ビーム描画装置の偏向方式で決まる領域であ
り、設計パターンの周期性と異なったサイズで領域分割
されている。ここでは、セルパターン２は、基本描画領
域３のサイズより大きいサイズのセルパターンＭＣ（セ
ルパターンＭＣ≧基本描画領域）となるように分割して
いる。
【００１９】本例では、セルパターン２と基本描画領域
３のサイズが異なっているため、仮に基本描画領域３を
単純にセルパターン２のサイズで設計パターンデータ１
を分割したとすると分割数が増大して描画パターンデー
タ圧縮の効率が低下する。従って、データ圧縮を考える
ならば、設計パターンデータを分割する際、セルパター
ンと基本描画領域をそれぞれ独立のサイズで定義するこ
とが必要である。
３のサイズが異なっているため、仮に基本描画領域３を
単純にセルパターン２のサイズで設計パターンデータ１
を分割したとすると分割数が増大して描画パターンデー
タ圧縮の効率が低下する。従って、データ圧縮を考える
ならば、設計パターンデータを分割する際、セルパター
ンと基本描画領域をそれぞれ独立のサイズで定義するこ
とが必要である。
【００２０】図２は、セルパターンの再配列による基本
描画領域の形成を表す図であり、図２（１）はセルパタ
ーンと基本描画領域による設計パターンデータの領域分
割を表す図に記号をつけたものである。ここでは、セル
パターンをＭＣ１、ＭＣ２、ＭＣ３とそれぞれ異なるパ
ターンとして表示している。また、基本描画領域は、Ｍ
Ｆ１，１、ＭＦ２，１、…、ＭＦ１，２、ＭＦ２，２、
…、 ＭＦ１，３、ＭＦ２，３、…の様に左方向から右
方向に、そして上方向から下方向に記号化している。
描画領域の形成を表す図であり、図２（１）はセルパタ
ーンと基本描画領域による設計パターンデータの領域分
割を表す図に記号をつけたものである。ここでは、セル
パターンをＭＣ１、ＭＣ２、ＭＣ３とそれぞれ異なるパ
ターンとして表示している。また、基本描画領域は、Ｍ
Ｆ１，１、ＭＦ２，１、…、ＭＦ１，２、ＭＦ２，２、
…、 ＭＦ１，３、ＭＦ２，３、…の様に左方向から右
方向に、そして上方向から下方向に記号化している。
【００２１】図２（２）は、セルパターンＭＣの再配列
による基本描画領域の形成を表す図である。図２（２−
Ａ）は基本描画領域ＭＦ１，１の例で、セルパターンＭ
Ｃ１を領域指定することでＭＦ１，１に相当するパター
ンを切出すことが出来る。また、図２（２−Ｂ）はＭＦ
２，１の例で、図２（２−Ｃ）はＭＦ２，２の例で、そ
れぞれの基本描画領域はセルパターンに跨った位置にあ
ることから、基本描画領域のパターン形成は複数のセル
パターンに対して各々の切出し領域指定することで基本
描画領域のデータを形成することが出来る。
による基本描画領域の形成を表す図である。図２（２−
Ａ）は基本描画領域ＭＦ１，１の例で、セルパターンＭ
Ｃ１を領域指定することでＭＦ１，１に相当するパター
ンを切出すことが出来る。また、図２（２−Ｂ）はＭＦ
２，１の例で、図２（２−Ｃ）はＭＦ２，２の例で、そ
れぞれの基本描画領域はセルパターンに跨った位置にあ
ることから、基本描画領域のパターン形成は複数のセル
パターンに対して各々の切出し領域指定することで基本
描画領域のデータを形成することが出来る。
【００２２】ここで、図２（１）のＭＦ１，２の様に同
一セルパターンに基本描画領域が跨った場合には、セル
パターンの大きさを基本描画領域の２倍以上にして準備
することで、セルパターンの切出し位置にかかわらず、
１回の領域指定でセルパターンから基本描画領域のデー
タを切出すことが出来る。
一セルパターンに基本描画領域が跨った場合には、セル
パターンの大きさを基本描画領域の２倍以上にして準備
することで、セルパターンの切出し位置にかかわらず、
１回の領域指定でセルパターンから基本描画領域のデー
タを切出すことが出来る。
【００２３】一方、図２（３）は、基本描画領域より小
さいセルパターンＳＣ（セルパターンＳＣ＜基本描画領
域）の再配列による基本描画領域の形成を表す図であ
る。この場合、セルパターンＳＣ１は基本描画領域内の
配置を指定して、またＳＣ２はセルパターンＭＣと同様
にセルパターンＳＣの切出し領域指定することで基本描
画領域のデータを形成することが出来る。
さいセルパターンＳＣ（セルパターンＳＣ＜基本描画領
域）の再配列による基本描画領域の形成を表す図であ
る。この場合、セルパターンＳＣ１は基本描画領域内の
配置を指定して、またＳＣ２はセルパターンＭＣと同様
にセルパターンＳＣの切出し領域指定することで基本描
画領域のデータを形成することが出来る。
【００２４】この様に、セルパターンＭＣの場合は、領
域指定してパターンを切出すことで基本描画領域のデー
タを形成することができる。また、セルパターンＳＣの
場合は、配置指定またはパターンの切出し指定により基
本描画領域のデータを形成することが出来る。このこと
から、各々の基本描画領域に対し，セルパターンＭＣ、
ＳＣとそれらを選択して配置する配列データを描画パタ
ーンデータとして用いることで、基本描画領域を単位と
した描画データを作成することが出来る。
域指定してパターンを切出すことで基本描画領域のデー
タを形成することができる。また、セルパターンＳＣの
場合は、配置指定またはパターンの切出し指定により基
本描画領域のデータを形成することが出来る。このこと
から、各々の基本描画領域に対し，セルパターンＭＣ、
ＳＣとそれらを選択して配置する配列データを描画パタ
ーンデータとして用いることで、基本描画領域を単位と
した描画データを作成することが出来る。
【００２５】次に、前記セルパターンＭＣ、ＳＣを用い
た配列データ形式について説明する。
た配列データ形式について説明する。
【００２６】図３は、基本描画領域のデータを形成する
際の配列データ形式を表す図である。図３（Ａ）は配列
データ形式の定義を一般化した図で、１つの基本描画領
域は，１つまたは複数のセルパターンＭＣまたはＳＣの
組み合わせで構成される。ここでは、セルパターンデー
タＭＣの配列指定工程とセルパターンＳＣの配列指定工
程の２工程の場合の実施例を説明する。
際の配列データ形式を表す図である。図３（Ａ）は配列
データ形式の定義を一般化した図で、１つの基本描画領
域は，１つまたは複数のセルパターンＭＣまたはＳＣの
組み合わせで構成される。ここでは、セルパターンデー
タＭＣの配列指定工程とセルパターンＳＣの配列指定工
程の２工程の場合の実施例を説明する。
【００２７】図３（Ａ）において、ステップＡ１では基
本描画領域を形成するセルパターンＭＣとセルパターン
ＳＣの数指定としてｍＭＣ、ｎＳＣを設定する。ステッ
プＡ２ではセルパターンＭＣの種類の指定を、ステップ
Ａ３では基本描画領域への貼り付け位置の座標指定を、
ステップＡ４ではそのセルパターンＭＣを切出す時の切
出し開始位置の指定を、ステップＡ５ではそのセルパタ
ーンＭＣから切出す際のサイズ（ｄｘ，ｄｙ）の指定を
行う。ステップＡ６〜Ａ９では別のセルパターンＭＣの
切出し指定を行っており、この処理はステップＡ１で指
定されたセルパターンＭＣの数ｍＭＣ回繰り返される。
本描画領域を形成するセルパターンＭＣとセルパターン
ＳＣの数指定としてｍＭＣ、ｎＳＣを設定する。ステッ
プＡ２ではセルパターンＭＣの種類の指定を、ステップ
Ａ３では基本描画領域への貼り付け位置の座標指定を、
ステップＡ４ではそのセルパターンＭＣを切出す時の切
出し開始位置の指定を、ステップＡ５ではそのセルパタ
ーンＭＣから切出す際のサイズ（ｄｘ，ｄｙ）の指定を
行う。ステップＡ６〜Ａ９では別のセルパターンＭＣの
切出し指定を行っており、この処理はステップＡ１で指
定されたセルパターンＭＣの数ｍＭＣ回繰り返される。
【００２８】ステップＡ１２からの工程は、基本描画領
域のサイズより小さいセルパターンＳＣのデータ形成で
あり、ステップＡ１２ではそのセルパターンＳＣの種類
の指定を、またステップＡ１３では基本描画領域への貼
り付け位置の座標指定を行う。ステップＡ１４〜Ａ １
７はステップＡ１で指定されたセルパターンＳＣの数ｎ
ＳＣ回繰り返されるが、ここではセルパターンＳＣが基
本描画領域を跨る場合を示したもので、セルパターンＭ
Ｃと同一形式で表現している。
域のサイズより小さいセルパターンＳＣのデータ形成で
あり、ステップＡ１２ではそのセルパターンＳＣの種類
の指定を、またステップＡ１３では基本描画領域への貼
り付け位置の座標指定を行う。ステップＡ１４〜Ａ １
７はステップＡ１で指定されたセルパターンＳＣの数ｎ
ＳＣ回繰り返されるが、ここではセルパターンＳＣが基
本描画領域を跨る場合を示したもので、セルパターンＭ
Ｃと同一形式で表現している。
【００２９】以上の様に配列データ形式を用いることに
より、準備されたセルパターンから基本描画領域のデー
タを形成することができる。そして、基本描画領域より
小さいパターンに対しても再配列が出来る様に配慮され
いることから、パターン周期性の少ないＡＳＩＣ等のデ
バイス構造に対しても適用可能である。
より、準備されたセルパターンから基本描画領域のデー
タを形成することができる。そして、基本描画領域より
小さいパターンに対しても再配列が出来る様に配慮され
いることから、パターン周期性の少ないＡＳＩＣ等のデ
バイス構造に対しても適用可能である。
【００３０】図３（Ｂ）は、図２（２−Ａ，２−Ｂ）の
場合における配列データモデルを表す図である。ステッ
プＢ１〜Ｂ５ではＭＦ１，１の例におけるパターン配列
を行っている。ステップＢ１ではセルパターンＭＣの数
１を指定している。ステップＢ２ではセルパターンＭＣ
の種類ＭＣ１を指定し、ステップＢ３では基本描画領域
ＭＦ１，１への貼り付け位置の座標（０，０）を、ステ
ップＢ４ではそのセルパターンＭＣ１のビットマップデ
ータの切出し開始位置（０，０）を指定している（ここ
では基本描画領域とセルパターンのＸ,Ｙ方向のサイズ
をそれぞれ１単位と定義している）。ステップＢ５では
このセルパターンＭＣ１のビットマップデータから切出
す際のサイズ指定（ｄｘ，ｄｙ）を行っており，ここで
は切出しサイズ(１，１)を指定している。
場合における配列データモデルを表す図である。ステッ
プＢ１〜Ｂ５ではＭＦ１，１の例におけるパターン配列
を行っている。ステップＢ１ではセルパターンＭＣの数
１を指定している。ステップＢ２ではセルパターンＭＣ
の種類ＭＣ１を指定し、ステップＢ３では基本描画領域
ＭＦ１，１への貼り付け位置の座標（０，０）を、ステ
ップＢ４ではそのセルパターンＭＣ１のビットマップデ
ータの切出し開始位置（０，０）を指定している（ここ
では基本描画領域とセルパターンのＸ,Ｙ方向のサイズ
をそれぞれ１単位と定義している）。ステップＢ５では
このセルパターンＭＣ１のビットマップデータから切出
す際のサイズ指定（ｄｘ，ｄｙ）を行っており，ここで
は切出しサイズ(１，１)を指定している。
【００３１】ステップＢ８〜Ｂ１６ではＭＦ２，１にお
ける配列データを行っている。ステップＢ８ではセルパ
ターンＭＣの数２を指定している。前記と同様に、ステ
ップＢ９ではセルパターンＭＣの種類ＭＣ１を指定し、
ステップＢ１０では基本描画領域への貼り付け位置の座
標（０，０）を示し、ステップＢ１１ではそのセルパタ
ーンＭＣ１からの切出し開始位置（０．８，０）を指
定、ステップＢ１２では切出しサイズ（０．３，１）を
指定している。そして、ステップＢ１３〜Ｂ１６ではス
テップＢ８で指定されたセルパターンＭＣの数２の指示
に従って、セルパターンＭＣ２からの切出し工程が再度
繰り返される。
ける配列データを行っている。ステップＢ８ではセルパ
ターンＭＣの数２を指定している。前記と同様に、ステ
ップＢ９ではセルパターンＭＣの種類ＭＣ１を指定し、
ステップＢ１０では基本描画領域への貼り付け位置の座
標（０，０）を示し、ステップＢ１１ではそのセルパタ
ーンＭＣ１からの切出し開始位置（０．８，０）を指
定、ステップＢ１２では切出しサイズ（０．３，１）を
指定している。そして、ステップＢ１３〜Ｂ１６ではス
テップＢ８で指定されたセルパターンＭＣの数２の指示
に従って、セルパターンＭＣ２からの切出し工程が再度
繰り返される。
【００３２】図４は、本発明におけるデータ圧縮方法と
データ展開方法を用いた場合のセルパターン再配列によ
る描画データフローである。
データ展開方法を用いた場合のセルパターン再配列によ
る描画データフローである。
【００３３】データ変換工程は、図９と同様、データ読
込み（ステップ２０）で磁気ディスク等の外部記憶装置
に保存された設計パターンデータ２１をコンピュータの
メモリに読込み、次のデータ処理（ステップ２２）で多
重露光領域の除去や近接効果補正等の補正処理を行う。
込み（ステップ２０）で磁気ディスク等の外部記憶装置
に保存された設計パターンデータ２１をコンピュータの
メモリに読込み、次のデータ処理（ステップ２２）で多
重露光領域の除去や近接効果補正等の補正処理を行う。
【００３４】その後、設計パターンデータの周期性を判
断し、描画パターンデータに変換する工程に入る。ま
ず、設計パターンデータから繰り返しセルのデータ処理
（ステップ２３）を行い、セルパターンＣＰのサイズと
基本描画領域ＭＦのサイズの比較を行う。ステップ２４
で基本描画領域ＭＦより大きいセルパターンＣＰを判別
し、セルパターン群ＭＣ２５としてデータ登録を行う。
次に、ステップ２６で基本描画領域ＭＦより小さいセル
パターンＣＰを判別し、セルパターン群ＳＣ２７として
データ登録を行う。次のステップ２８では、設計パター
ンデータから分割・分類したセルパターン群ＭＣ２５と
ＳＣ２７を用いて、基本描画領域を単位としたデータの
再配列を行うための配列データを作成し、そのデータを
配列データ２９として登録する。セルパターンのデータ
形式は、ビットマップデータ形式を用いているが、前記
基本図形群を用いても良い。ここでは、セルパターン群
ＭＣ２５、ＳＣ２７と配列データ２９からなるデータ群
を描画パターンデータ３０としている。
断し、描画パターンデータに変換する工程に入る。ま
ず、設計パターンデータから繰り返しセルのデータ処理
（ステップ２３）を行い、セルパターンＣＰのサイズと
基本描画領域ＭＦのサイズの比較を行う。ステップ２４
で基本描画領域ＭＦより大きいセルパターンＣＰを判別
し、セルパターン群ＭＣ２５としてデータ登録を行う。
次に、ステップ２６で基本描画領域ＭＦより小さいセル
パターンＣＰを判別し、セルパターン群ＳＣ２７として
データ登録を行う。次のステップ２８では、設計パター
ンデータから分割・分類したセルパターン群ＭＣ２５と
ＳＣ２７を用いて、基本描画領域を単位としたデータの
再配列を行うための配列データを作成し、そのデータを
配列データ２９として登録する。セルパターンのデータ
形式は、ビットマップデータ形式を用いているが、前記
基本図形群を用いても良い。ここでは、セルパターン群
ＭＣ２５、ＳＣ２７と配列データ２９からなるデータ群
を描画パターンデータ３０としている。
【００３５】次のデータ転送工程では、ステップ３１で
前記描画パターンデータ３０として登録したセルパター
ンＭＣ２５とＳＣ２７を外部記憶装置から読込み、ステ
ップ３２でそのセルパターンのビットマップデータを描
画制御システムのバッファメモリ４０に転送する。次
に、ステップ３３で配列データ２９を外部記憶装置から
読込み、前記同様バッファメモリ４０に転送してデータ
転送工程を終了する。
前記描画パターンデータ３０として登録したセルパター
ンＭＣ２５とＳＣ２７を外部記憶装置から読込み、ステ
ップ３２でそのセルパターンのビットマップデータを描
画制御システムのバッファメモリ４０に転送する。次
に、ステップ３３で配列データ２９を外部記憶装置から
読込み、前記同様バッファメモリ４０に転送してデータ
転送工程を終了する。
【００３６】セルパターンの種類は、ＤＲＡＭの場合、
およそ１００種類前後のセルパターン群を準備すること
により、セルパターンの分割でほとんど全ての領域を描
画することが出来ることから、セルパターン分割の有効
性を活かすことが出来る。
およそ１００種類前後のセルパターン群を準備すること
により、セルパターンの分割でほとんど全ての領域を描
画することが出来ることから、セルパターン分割の有効
性を活かすことが出来る。
【００３７】セルパターンのサイズを仮に８μｍとし
て、１ビットの間隔を０．０２５μｍ単位とした場合、
全セルパターンのビットマップデータのデータ容量は、
１０×１０６ビットとなる。これは、仮に２０ｍｍ×２
０ｍｍのチップ全体のパターンデータをそのままビット
マップデータにした場合のデータ量６４０×１０９ビッ
トに較べて遥かに少ない値であり、セルパターン群をバ
ッファメモリに記憶することが可能である。
て、１ビットの間隔を０．０２５μｍ単位とした場合、
全セルパターンのビットマップデータのデータ容量は、
１０×１０６ビットとなる。これは、仮に２０ｍｍ×２
０ｍｍのチップ全体のパターンデータをそのままビット
マップデータにした場合のデータ量６４０×１０９ビッ
トに較べて遥かに少ない値であり、セルパターン群をバ
ッファメモリに記憶することが可能である。
【００３８】次の描画処理工程では、描画条件設定（ス
テップ４１）としてＪＯＢデータ４２を読み込んだ後、
ステップ４３で１回のステージ走査で描画する１ストラ
イプ分の配列データを読込む。次のステップ４４でこの
配列データを基にパターン描画するためのビットマップ
描画データに展開し、ステップ４５でパターンメモリに
転送する。
テップ４１）としてＪＯＢデータ４２を読み込んだ後、
ステップ４３で１回のステージ走査で描画する１ストラ
イプ分の配列データを読込む。次のステップ４４でこの
配列データを基にパターン描画するためのビットマップ
描画データに展開し、ステップ４５でパターンメモリに
転送する。
【００３９】更に、ステップ４６でこれらのビットマッ
プデータをブランカ制御ユニットまたはＢＡＡ（Ｂｌａ
ｎｋｉｎｇ Ａｐｅｒｔｕｒｅ Ａｒｒａｙ）制御ユニッ
トのビーム開閉手段に出力し、ステップ４７で描画が行
われる。
プデータをブランカ制御ユニットまたはＢＡＡ（Ｂｌａ
ｎｋｉｎｇ Ａｐｅｒｔｕｒｅ Ａｒｒａｙ）制御ユニッ
トのビーム開閉手段に出力し、ステップ４７で描画が行
われる。
【００４０】描画はステージを往復走査しながら行われ
るが、このストライプ描画を行っている間に次のストラ
イプ領域の配列データをバッファメモリから読込み、ビ
ットマップ描画データを形成して別のパターンメモリに
転送し、次のストライプ領域の描画の準備を行う様にし
ている。
るが、このストライプ描画を行っている間に次のストラ
イプ領域の配列データをバッファメモリから読込み、ビ
ットマップ描画データを形成して別のパターンメモリに
転送し、次のストライプ領域の描画の準備を行う様にし
ている。
【００４１】一方、図４で示した描画データフローは、
図１０で示した単一ビームの電子ビーム描画装置だけで
なく、以下の様にマルチビームを用いた電子ビーム描画
装置にも適用できる。
図１０で示した単一ビームの電子ビーム描画装置だけで
なく、以下の様にマルチビームを用いた電子ビーム描画
装置にも適用できる。
【００４２】図５は、マルチビームを用いた電子ビーム
描画装置による描画方法の例を表す図である。図５
（Ａ）に示す様に、ステージ上に配置したウエハ１０８
はＸ方向に走査しながらチップ１５１上のストライプ１
５３を描画する。メインフィールド１５２は、図５
（Ｂ）に示す様に、主偏向器でストライプ方向と垂直方
向に走査して形成される。サブフィールド１５４は、図
５（Ｃ）に示す様に、基本描画領域１５５を単位として
ｍ行×ｎ列（ｍ、ｎは１以上の整数）に配列した複数の
ビームで構成されている。このサブフィールド内の描画
は、副偏向器によりｍ行×ｎ列の複数のビームを同時に
偏向すること行われる。図５（Ｄ）は、基本描画領域１
５５内をビームスポット１６０が走査して描画する様子
を示している。
描画装置による描画方法の例を表す図である。図５
（Ａ）に示す様に、ステージ上に配置したウエハ１０８
はＸ方向に走査しながらチップ１５１上のストライプ１
５３を描画する。メインフィールド１５２は、図５
（Ｂ）に示す様に、主偏向器でストライプ方向と垂直方
向に走査して形成される。サブフィールド１５４は、図
５（Ｃ）に示す様に、基本描画領域１５５を単位として
ｍ行×ｎ列（ｍ、ｎは１以上の整数）に配列した複数の
ビームで構成されている。このサブフィールド内の描画
は、副偏向器によりｍ行×ｎ列の複数のビームを同時に
偏向すること行われる。図５（Ｄ）は、基本描画領域１
５５内をビームスポット１６０が走査して描画する様子
を示している。
【００４３】マルチビームを用いた電子ビーム描画装置
の偏向方式で規定された基本描画領域を並列に配列して
描画する方式は高速描画を実現する方法と言えるが、基
本描画領域のサイズが設計パターンデータの周期性と一
致しない場合は、従来と同様にデータ変換，データ転送
に関連した問題が発生する。しかし、前記図１〜３で示
す様に、基本描画領域より大きいサイズ、小さいサイズ
の周期パターンをセルパターンＭＣ、ＳＣとして登録
し、描画の際に切出して基本描画領域を形成する方法
は、設計パターンデータの周期性を十分活した描画パタ
ーンデータ圧縮方法であり、また描画パターンデータの
転送時間も大幅に短縮できる方法として有効である。
の偏向方式で規定された基本描画領域を並列に配列して
描画する方式は高速描画を実現する方法と言えるが、基
本描画領域のサイズが設計パターンデータの周期性と一
致しない場合は、従来と同様にデータ変換，データ転送
に関連した問題が発生する。しかし、前記図１〜３で示
す様に、基本描画領域より大きいサイズ、小さいサイズ
の周期パターンをセルパターンＭＣ、ＳＣとして登録
し、描画の際に切出して基本描画領域を形成する方法
は、設計パターンデータの周期性を十分活した描画パタ
ーンデータ圧縮方法であり、また描画パターンデータの
転送時間も大幅に短縮できる方法として有効である。
【００４４】図６は、マルチビームを用いた電子ビーム
描画装置のブロック図であり、前記図１０の電子ビーム
描画装置に対し、複数の電子ビームを用いて描画速度を
高速化したもので、図4の描画処理工程を示している。
前記図１０の電子ビーム描画装置と異なる点は、ブラン
カの代わりに複数の電子ビームＥＢをオン・オフ制御で
きるＢＡＡユニット１０５を配置している点である。ま
た、描画制御システム１９０内では、ＢＡＡ制御ユニッ
ト１２１と描画データ処理ユニット１１９の中のバッフ
ァメモリ１１４、配列演算処理１１７とＢＡＡのｍ行×
ｎ列に配列された複数のブランカを並列に制御するため
のパターンメモリ１１８が、図１０と比べ特徴的なもの
となっている。
描画装置のブロック図であり、前記図１０の電子ビーム
描画装置に対し、複数の電子ビームを用いて描画速度を
高速化したもので、図4の描画処理工程を示している。
前記図１０の電子ビーム描画装置と異なる点は、ブラン
カの代わりに複数の電子ビームＥＢをオン・オフ制御で
きるＢＡＡユニット１０５を配置している点である。ま
た、描画制御システム１９０内では、ＢＡＡ制御ユニッ
ト１２１と描画データ処理ユニット１１９の中のバッフ
ァメモリ１１４、配列演算処理１１７とＢＡＡのｍ行×
ｎ列に配列された複数のブランカを並列に制御するため
のパターンメモリ１１８が、図１０と比べ特徴的なもの
となっている。
【００４５】ここでＢＡＡ１０５ついて図７を用いて説
明する。図７はＢＡＡを上から見た図で、電子ビームＥ
Ｂが通過するアパーチャ１３２とその周辺に小型のブラ
ンカ１３１を基本単位として，ｍ行×ｎ列のマトリック
ス状に配列されており、各々のブランカの配列周期は基
本描画領域の周期に相当している。
明する。図７はＢＡＡを上から見た図で、電子ビームＥ
Ｂが通過するアパーチャ１３２とその周辺に小型のブラ
ンカ１３１を基本単位として，ｍ行×ｎ列のマトリック
ス状に配列されており、各々のブランカの配列周期は基
本描画領域の周期に相当している。
【００４６】次に、図６を用いて図４の描画処理工程を
説明する。描画制御システム１９０内の外部記憶装置１
１０には、セルパターン群ＭＣ、ＳＣと配列パターンデ
ータから成る描画パターンデータが記憶されている。描
画を開始する前に、この描画パターンデータは、ＣＰＵ
１１２を介して、バッファメモリ１１４のセルパターン
データ１１５領域と配列データ１１６領域に転送され
る。描画が開始されると、配列演算処理１１７で配列デ
ータ１１６が読込まれ、その配列データ１１６を基にバ
ッファメモリ１１４のセルパターン群ＭＣ、ＳＣを用い
て、ビットマップ描画データ展開処理が基本描画領域を
単位として行われ、その後、パターンメモリ１１８に送
られる。
説明する。描画制御システム１９０内の外部記憶装置１
１０には、セルパターン群ＭＣ、ＳＣと配列パターンデ
ータから成る描画パターンデータが記憶されている。描
画を開始する前に、この描画パターンデータは、ＣＰＵ
１１２を介して、バッファメモリ１１４のセルパターン
データ１１５領域と配列データ１１６領域に転送され
る。描画が開始されると、配列演算処理１１７で配列デ
ータ１１６が読込まれ、その配列データ１１６を基にバ
ッファメモリ１１４のセルパターン群ＭＣ、ＳＣを用い
て、ビットマップ描画データ展開処理が基本描画領域を
単位として行われ、その後、パターンメモリ１１８に送
られる。
【００４７】ここで、ステージが1回の走査して描画で
きるストライプ分のビットマップデータをパターンメモ
リ（Ａ）１１８―１に転送する。このビットマップデー
タは、ＢＡＡ制御ユニット１２１にビームをオン・オフ
する信号として並列に転送され、更に他の偏向器制御ユ
ニット１２２やステージ制御ユニット１２３と同期させ
ながら、パターン描画を行う。この時、ストライプデー
タ（Ａ）１１８−１を描画している間に、次に行う描画
のストライプデータ（Ｂ）１１８−２のビットマップデ
ータは、描画と平行して準備され、ストライプデータ
（Ａ）１１８−１の描画が終了すると直ちにストライプ
データ（Ｂ）１１８−２の描画が開始出来る様にしてい
る。
きるストライプ分のビットマップデータをパターンメモ
リ（Ａ）１１８―１に転送する。このビットマップデー
タは、ＢＡＡ制御ユニット１２１にビームをオン・オフ
する信号として並列に転送され、更に他の偏向器制御ユ
ニット１２２やステージ制御ユニット１２３と同期させ
ながら、パターン描画を行う。この時、ストライプデー
タ（Ａ）１１８−１を描画している間に、次に行う描画
のストライプデータ（Ｂ）１１８−２のビットマップデ
ータは、描画と平行して準備され、ストライプデータ
（Ａ）１１８−１の描画が終了すると直ちにストライプ
データ（Ｂ）１１８−２の描画が開始出来る様にしてい
る。
【００４８】描画時間を高速化するために、パターンメ
モリの数は、前記ではＡ、Ｂの２つであるが、更に３つ
以上複数並列に増やしても良い。
モリの数は、前記ではＡ、Ｂの２つであるが、更に３つ
以上複数並列に増やしても良い。
【００４９】また配列演算処理において、ビットマップ
データからなるセルパターンデータを領域指定してパタ
ーンデータを切出して基本描画領域のデータを形成する
方法として、任意のメモリ領域を切出すことの出来るグ
ラフィックラムを使用することで高速化が図れる。
データからなるセルパターンデータを領域指定してパタ
ーンデータを切出して基本描画領域のデータを形成する
方法として、任意のメモリ領域を切出すことの出来るグ
ラフィックラムを使用することで高速化が図れる。
【００５０】前記では２次元に配列したマルチビームを
用いた場合の実施例を説明したが、本発明は、２次元だ
けでなく、１次元方向に配列した電子ビームアレイを偏
向、または、ステージ走査で２次元のパターン描画を行
う場合にも適用出来る。図８は、１次元電子ビームアレ
イ方向に直交する方向において、電子ビーム走査または
ステージ走査により２次元パターン領域を描画する場合
を示したもので、図１と同様、設計パターンデータ５を
セルパターン６（設計パターンデータ５の実線領域）と
基本描画領域７（設計パターンデータ５の点線領域）で
それぞれ分割した図を表す。この場合、基本描画領域７
は短冊状の細長い領域を持ち、これと同様にセルパター
ン６も設計パターンデータ５の繰り返し周期構造に合わ
せた短冊形状をしている。それぞれの基本描画領域７
は、前記同様、配列データを用いることで描画データを
形成することが出来る。
用いた場合の実施例を説明したが、本発明は、２次元だ
けでなく、１次元方向に配列した電子ビームアレイを偏
向、または、ステージ走査で２次元のパターン描画を行
う場合にも適用出来る。図８は、１次元電子ビームアレ
イ方向に直交する方向において、電子ビーム走査または
ステージ走査により２次元パターン領域を描画する場合
を示したもので、図１と同様、設計パターンデータ５を
セルパターン６（設計パターンデータ５の実線領域）と
基本描画領域７（設計パターンデータ５の点線領域）で
それぞれ分割した図を表す。この場合、基本描画領域７
は短冊状の細長い領域を持ち、これと同様にセルパター
ン６も設計パターンデータ５の繰り返し周期構造に合わ
せた短冊形状をしている。それぞれの基本描画領域７
は、前記同様、配列データを用いることで描画データを
形成することが出来る。
【００５１】以上説明した様に、設計パターンデータの
周期性を活かしてセルパターン群と配列データを含んだ
描画パターンデータを形成し、そのデータを転送してバ
ッファメモリに記憶し、更に、配列データを基にセルパ
ターンデータを再配列してビットマップ描画データを作
成することにより、単一電子ビームを用いた電子ビーム
描画装置だけでなく、ＢＡＡユニットを用いたマルチビ
ーム描画方式や微細加工によって作られた固体電子源を
１次元または２次元に配列したマルチビーム描画方式の
方式に対しても、本発明の描画パターンデータ作成方法
およびそれを用いた電子ビーム描画装置は有効である。
周期性を活かしてセルパターン群と配列データを含んだ
描画パターンデータを形成し、そのデータを転送してバ
ッファメモリに記憶し、更に、配列データを基にセルパ
ターンデータを再配列してビットマップ描画データを作
成することにより、単一電子ビームを用いた電子ビーム
描画装置だけでなく、ＢＡＡユニットを用いたマルチビ
ーム描画方式や微細加工によって作られた固体電子源を
１次元または２次元に配列したマルチビーム描画方式の
方式に対しても、本発明の描画パターンデータ作成方法
およびそれを用いた電子ビーム描画装置は有効である。
【００５２】また、本発明は、電子ビームを用いた描画
装置に限らず、イオンビームを用いた描画装置に対して
も適用することができる。
装置に限らず、イオンビームを用いた描画装置に対して
も適用することができる。
【００５３】
【発明の効果】本発明は、パターンデータの周期性を崩
さずにそのままセルパターンとして登録するためデータ
圧縮が従来より効果的に出来ることから、磁気ディスク
からバッファメモリへのデータ転送時間が短縮できるだ
けでなく、バッファメモリの容量も少なくて済む。この
ことから、高微細化・高集積化に伴って、電子ビーム描
画装置で描画のスループットを低下させることなく、信
頼性および装置稼働率を高める上で大いに寄与すること
となる。
さずにそのままセルパターンとして登録するためデータ
圧縮が従来より効果的に出来ることから、磁気ディスク
からバッファメモリへのデータ転送時間が短縮できるだ
けでなく、バッファメモリの容量も少なくて済む。この
ことから、高微細化・高集積化に伴って、電子ビーム描
画装置で描画のスループットを低下させることなく、信
頼性および装置稼働率を高める上で大いに寄与すること
となる。
【図１】設計パターンデータをセルパターンと基本描画
領域でそれぞれ分割した図、
領域でそれぞれ分割した図、
【図２】セルパターンの再配列による基本描画領域の形
成を表す図、図２（１）は、設計パターンデータの領域
分割を表す図、図２（２）は、セルパターンＭＣの再配
列による基本描画領域の形成を表す図、図２（２−Ａ）
はＭＦ１，１の例、図２（２−Ｂ）はＭＦ２，１の例、
図２（２−Ｃ）はＭＦ２，２の例を表す図、図２（３）
は、セルパターンＳＣの再配列による基本描画領域の形
成を表す図、
成を表す図、図２（１）は、設計パターンデータの領域
分割を表す図、図２（２）は、セルパターンＭＣの再配
列による基本描画領域の形成を表す図、図２（２−Ａ）
はＭＦ１，１の例、図２（２−Ｂ）はＭＦ２，１の例、
図２（２−Ｃ）はＭＦ２，２の例を表す図、図２（３）
は、セルパターンＳＣの再配列による基本描画領域の形
成を表す図、
【図３】配列データ形式を表す図、図３（Ａ）は、配列
データ形式を表す図、図３（Ｂ）は、配列データモデル
を表す図、
データ形式を表す図、図３（Ｂ）は、配列データモデル
を表す図、
【図４】セルパターン再配列による描画データフロー、
【図５】マルチビームを用いた電子ビーム描画装置によ
る描画方法の例を表す図、図５（Ａ）はウエハ描画、図
５（Ｂ）はメインフィールド、図５（Ｃ）はサブフィー
ルド、図５（Ｄ）は基本描画領域を表す図、
る描画方法の例を表す図、図５（Ａ）はウエハ描画、図
５（Ｂ）はメインフィールド、図５（Ｃ）はサブフィー
ルド、図５（Ｄ）は基本描画領域を表す図、
【図６】マルチビームを用いた電子ビーム描画装置のブ
ロック図、
ロック図、
【図７】ＢＡＡ説明図、
【図８】１次元配列のマルチビーム描画の場合の設計パ
ターンデータをセルパターンと基本描画領域でそれぞれ
分割した図、
ターンデータをセルパターンと基本描画領域でそれぞれ
分割した図、
【図９】描画システムのデータフロー（従来例）、
【図１０】電子ビーム描画装置のブロック図、
【図１１】２段偏向器で構成される場合の描画方法の例
を表す図、図１１（Ａ）はウエハ描画、図１１（Ｂ）は
メインフィールド、図１１（Ｃ）はサブフィールドを表
す図。
を表す図、図１１（Ａ）はウエハ描画、図１１（Ｂ）は
メインフィールド、図１１（Ｃ）はサブフィールドを表
す図。
１、５、２１、５１ 設計セルパターンデータ ２、６、ＭＣ、ＳＣ セルパターン ３、７、１５５、ＭＦ 基本描画領域 ４、８ 配線パターン ２５ セルパターン群ＭＣ ２７ セルパターン群ＳＣ ２９ 配列パターン ３０、５５、２２４ 描画パターンデータ ４０ バッファメモリ ４２、６１ ＪＯＢデータ １０１、２０１ 電子銃 １０２、２０２ 収束レンズ １０３、２０３ 縮小レンズ １０４、２０４ 偏向器 １０４−１、２０４−１ 主偏向器 １０４−２、２０４−２ 副偏向器 １０５ ＢＡＡ １０７、２０７ ステージ １０８、２０８ ウエハ １１０、２１０ 外部記憶装置 １１１、２１１ コンソール １１２、２１２ ＣＰＵ １１３、２１３ 描画制御ユニット １１４、２１４ バッファメモリ １１５ セルパターンデータ １１６ 配列データ １１７、２１７ 配列演算処理 １１８、２１８ パターンメモリ １１８−１ ストライプデータ（Ａ） １１８−２ ストライプデータ（Ｂ） １１９ 描画データ処理ユニット １２１ ＢＡＡ制御ユニット １２２、２２２ 偏向器制御ユニット １２３、２２３ ステージ制御ユニット １３１、２０５ ブランカ １３２ アパーチャ １５１、２５１ チップ １５２、２５２ メインフィールド １５３、２５３ ストライプ １５４、２５４ サブフィールド １６０、２６０ ビームスポット １８０、２８０ 電子ビーム描画装置本体 １９０、２９０ 描画制御システム ２２０ ブランカ制御ユニット
Claims (15)
- 【請求項１】 設計パターンデータから作成されたビッ
ト情報を荷電粒子ビームの走査方向に従って供給し、前
記荷電粒子ビームの開閉を制御して試料面上に照射し、
前記荷電粒子ビームを走査することによって２次元パタ
ーンを露光する荷電粒子ビーム露光方法において、周期
構造を持つ設計パターンデータから、周期構造の１単位
としてセルパターンを抽出し、登録する工程と、前記セ
ルパターンを用いて、荷電粒子ビーム露光装置に起因す
る基本描画領域に再配列するための配列データを作成
し、登録する工程と、前記配列データの情報に従って前
記セルパターンのデータから切出し、前記基本描画領域
のデータを作成する工程を備えたデータ作成方法。 - 【請求項２】 前記基本描画領域は複数の前記セルパタ
ーンの全領域または１部分で構成されていることを特徴
とする請求項１に記載のデータ作成方法。 - 【請求項３】 前記セルパターンのサイズは前記基本描
画領域に等しいまたはより大きいことを特徴とする請求
項１または２のいずれか１つに記載のデータ作成方法。 - 【請求項４】 前記セルパターンのサイズは前記基本描
画領域より小さいことを特徴とする請求項１または２の
いずれか１つに記載のデータ作成方法。 - 【請求項５】 前記基本描画領域は、サイズが前記基本
描画領域に等しいまたはより大きい前記セルパターンと
サイズが前記基本描画領域より小さい前記セルパターン
のうち、それぞれ少なくとも１部分で構成されているこ
とを特徴とする請求項１または２のいずれか１つに記載
のデータ作成方法。 - 【請求項６】 前記セルパターンのサイズは前記基本描
画領域のサイズの２倍以上であることを特徴とする請求
項１または２のいずれか１つに記載のデータ作成方法。 - 【請求項７】 前記セルパターンはビットマップデータ
で構成されていることを特徴とする請求項１〜６のいず
れか１つに記載のデータ作成方法。 - 【請求項８】 設計パターンデータから作成されたビッ
ト情報を荷電粒子ビームの走査方向に従って供給し、前
記荷電粒子ビームの開閉を制御して試料面上に照射し、
前記荷電粒子ビームを走査することによって２次元パタ
ーンを露光する荷電粒子ビーム露光装置において、周期
構造を持つ設計パターンデータから、周期構造の１単位
としてセルパターンを抽出し、登録する手段と、前記セ
ルパターンを用いて、荷電粒子ビーム露光装置に起因す
る基本描画領域に再配列するための配列データを作成
し、登録する手段と、前記配列データの情報に従って前
記セルパターンのデータから切出し、前記基本描画領域
のデータを作成する手段を有する荷電粒子ビーム描画装
置。 - 【請求項９】 前記基本描画領域は複数の前記セルパタ
ーンの全領域または１部分で構成されていることを特徴
とする請求項８に記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 【請求項１０】 前記セルパターンのサイズは前記基本
描画領域に等しいまたはより大きいことを特徴とする請
求項８または９のいずれか１つに記載の荷電粒子ビーム
描画装置。 - 【請求項１１】 前記セルパターンのサイズは前記基本
描画領域より小さいことを特徴とする請求項８または９
のいずれか１つに記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 【請求項１２】 前記基本描画領域は、サイズが前記基
本描画領域に等しいまたはより大きい前記セルパターン
とサイズが前記基本描画領域より小さい前記セルパター
ンのうち、それぞれ少なくとも１部分で構成されている
ことを特徴とする請求項８または９のいずれか１つに記
載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 【請求項１３】 前記セルパターンのサイズは前記基本
描画領域のサイズの２倍以上であることを特徴とする請
求項８または９のいずれか１つに記載の荷電粒子ビーム
描画装置。 - 【請求項１４】 前記セルパターンはビットマップデー
タで構成されていることを特徴とする請求項８〜１３の
いずれか１つに記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 【請求項１５】 ｍ行×ｎ列に配列された複数の荷電粒
子ビームと複数のビーム開閉手段を備え、前記荷電粒子
ビームが各々の基本描画領域を並列に描画する描画方法
において、荷電粒子ビームの走査方向に従ってビットマ
ップ描画データを各々のビーム開閉手段に並列に供給
し、前記複数の荷電粒子ビームを制御して試料面上に照
射することで２次元パターンを描画する請求項８〜１４
のいずれか１つに記載の荷電粒子ビーム描画装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11187692A JP2001015421A (ja) | 1999-07-01 | 1999-07-01 | データ作成方法およびそれを用いた荷電粒子ビーム描画装置 |
| US09/604,739 US6787784B1 (en) | 1999-07-01 | 2000-06-28 | Charged-particle beam drawing data creation method, and charged-particle beam drawing apparatus using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11187692A JP2001015421A (ja) | 1999-07-01 | 1999-07-01 | データ作成方法およびそれを用いた荷電粒子ビーム描画装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001015421A true JP2001015421A (ja) | 2001-01-19 |
| JP2001015421A5 JP2001015421A5 (ja) | 2006-08-10 |
Family
ID=16210490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11187692A Pending JP2001015421A (ja) | 1999-07-01 | 1999-07-01 | データ作成方法およびそれを用いた荷電粒子ビーム描画装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6787784B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001015421A (ja) |
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| JP2009054944A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-12 | Nuflare Technology Inc | 描画データの作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
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| JP2015162513A (ja) * | 2014-02-26 | 2015-09-07 | 株式会社アドバンテスト | 荷電粒子ビーム露光装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2016096179A (ja) * | 2014-11-12 | 2016-05-26 | 株式会社アドバンテスト | 荷電粒子ビーム露光装置及び荷電粒子ビーム露光方法 |
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| JP2007231324A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Canon Inc | マルチ荷電ビーム加工装置 |
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| JP3212360B2 (ja) * | 1992-06-16 | 2001-09-25 | 株式会社日立製作所 | マスクの製造方法、および半導体集積回路装置の製造方法 |
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-
1999
- 1999-07-01 JP JP11187692A patent/JP2001015421A/ja active Pending
-
2000
- 2000-06-28 US US09/604,739 patent/US6787784B1/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| US6787784B1 (en) | 2004-09-07 |
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