JP6546437B2 - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Description
図形パターンのパターンデータが定義された描画データを記憶する第1の記憶部と、
図形パターンを図形パターンの端部から荷電粒子ビームでショット可能なサイズの複数のショット図形に分割する場合の図形パターンの第1のショット数を演算する第1のショット数演算部と、
図形パターンを分割する場合の基準位置となる分割基準位置を図形パターンの端部から図形パターン内部側へとシフトさせることに起因して増加する図形パターンの増分ショット数を演算する増分ショット数演算部と、
図形パターンの増分ショット数を記憶する第2の記憶部と、
試料の描画領域が仮想分割された複数の第1の小領域における第1の小領域毎に、第1のショット数と増分ショット数とを用いて当該第1の小領域にショットされるビームの第2のショット数を演算する第2のショット数演算部と、
第2のショット数を用いて、描画時間を予測する描画時間予測部と、
荷電粒子ビームを用いて、試料に描画時間が予測された図形パターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
第2のショット数演算部は、多重描画分も加味した前記第2のショット数を演算すると好適である。
図形パターンのパターンデータが定義された描画データを第1の記憶装置から読み出し、図形パターンを図形パターンの端部から荷電粒子ビームでショット可能なサイズの複数のショット図形に分割する場合の図形パターンの第1のショット数を演算する工程と、
図形パターンを分割する場合の基準位置となる分割基準位置を図形パターンの端部から図形パターン内部側へとシフトさせることに起因して増加する図形パターンの増分ショット数を演算する工程と、
図形パターンの増分ショット数を第2の記憶装置に記憶する工程と、
試料の描画領域が仮想分割された複数の第1の小領域における第1の小領域毎に、第1のショット数と増分ショット数とを用いて当該第1の小領域にショットされるビームの第2のショット数を演算する工程と、
第2のショット数を用いて、描画時間を予測する工程と、
荷電粒子ビームを用いて、試料に描画時間が予測された図形パターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型(VSB方式)の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、主偏向器208及び副偏向器209が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象となるマスク等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスクが含まれる。また、試料101には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
(1)n>1かつm>1の場合、増分ショット数は、n+m+1となる。
(2)n>1かつm=1の場合、増分ショット数は、1となる。
(3)n=1かつm>1の場合、増分ショット数は、1となる。
(4)n=1かつm=1の場合、増分ショット数は、0となる。
(1)n>1の場合、増分ショット数は、n+1となる。
(2)n=1の場合、増分ショット数は、0となる。
(1) ショット数=SFL数・SFGR数・ショット数
+SSSFL数・SFGR数・増分ショット数
(2) Ts=(t’+ts)・Ntotal
12 メッシュ領域
14 CPM領域
20 ストライプ領域
30 SF
32,33 ショット図形
34 基準位置
40 ショットデータ生成部
42 照射量演算部
43 描画処理部
50 設定部
52 ショット数演算部
54 増分ショット数演算部
56 ショット密度マップ作成部
58 判定部
60 SSSFL演算部
62 ショット数演算部
64 描画時間予測部
66 ショット分割部
68 割当部
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110,120 制御計算機
112 メモリ
130 制御回路
140,142,146,148 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
330 電子線
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (5)
- 図形パターンのパターンデータが定義された描画データを記憶する第1の記憶部と、
前記図形パターンを前記図形パターンの端部から荷電粒子ビームでショット可能なサイズの複数のショット図形に分割する場合の前記図形パターンの第1のショット数を演算する第1のショット数演算部と、
前記図形パターンを分割する場合の基準位置となる分割基準位置を前記図形パターンの端部から前記図形パターン内部側へとシフトさせることに起因して増加する前記図形パターンの増分ショット数を演算する増分ショット数演算部と、
前記図形パターンの前記増分ショット数を記憶する第2の記憶部と、
試料の描画領域が仮想分割された複数の第1の小領域における第1の小領域毎に、前記第1のショット数と前記増分ショット数とを用いて当該第1の小領域にショットされるビームの第2のショット数を演算する第2のショット数演算部と、
前記第2のショット数を用いて、描画時間を予測する描画時間予測部と、
荷電粒子ビームを用いて、試料に描画時間が予測された前記図形パターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記描画部は、前記図形パターンを多重描画し、
前記第2のショット数演算部は、多重描画分も加味した前記第2のショット数を演算することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記第2のショット数は、前記描画領域が仮想分割された複数の第2の小領域がそれぞれ配置される複数の小領域層の数と前記複数の第2の小領域のうち一部の第2の小領域群の描画繰り返し数と当該第1の小領域内に配置される図形パターンの第1のショット数との積と、前記複数の小領域層のうち前記図形パターンの分割基準位置がシフトされる小領域層の数と前記第2の小領域群の描画繰り返し数と当該第1の小領域内に配置される図形パターンの増分ショット数との積と、の和により演算されることを特徴とする請求項2記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記図形パターンの分割基準位置をシフトする場合、前記図形パターンの分割基準位置を前記図形パターンの端部から最大ショットサイズ未満の距離で前記図形パターン内部側へとシフトさせることを特徴とする請求項1〜3いずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 図形パターンのパターンデータが定義された描画データを第1の記憶装置から読み出し、前記図形パターンを前記図形パターンの端部から荷電粒子ビームでショット可能なサイズの複数のショット図形に分割する場合の前記図形パターンの第1のショット数を演算する工程と、
前記図形パターンを分割する場合の基準位置となる分割基準位置を前記図形パターンの端部から前記図形パターン内部側へとシフトさせることに起因して増加する前記図形パターンの増分ショット数を演算する工程と、
前記図形パターンの前記増分ショット数を第2の記憶装置に記憶する工程と、
試料の描画領域が仮想分割された複数の第1の小領域における第1の小領域毎に、前記第1のショット数と前記増分ショット数とを用いて当該第1の小領域にショットされるビームの第2のショット数を演算する工程と、
前記第2のショット数を用いて、描画時間を予測する工程と、
荷電粒子ビームを用いて、試料に描画時間が予測された前記図形パターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
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